專利名稱：晶片承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶片承載裝置，尤其涉及一種使晶片能確實(shí)平放在一晶座上的晶片承載裝置。
在IC的生產(chǎn)過(guò)程中，晶片承載裝置被廣泛地運(yùn)用在生產(chǎn)線的機(jī)臺(tái)中，例如，一般的薄膜沉積機(jī)臺(tái)中均會(huì)設(shè)置有一晶片承載裝置，以便進(jìn)行晶片的沉積工藝。薄膜沉積的技術(shù)有許多種方式，如物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。而，就薄膜沉積技術(shù)而言，其沉積薄膜的均勻性，影響沉積的品質(zhì)甚大，而其中最主要的影響因素之一是沉積機(jī)臺(tái)中的晶片承載裝置是否能使晶片平坦地置放，而晶片是否能平坦地置放，其一原因是受制于該晶片承載裝置中的多個(gè)升降組件(lift pin)是否能全部完全下降。
如

圖1(A)、(B)所示，現(xiàn)有的晶片承載裝置1包括一晶座11、多個(gè)升降組件12(lift pin)、一升降環(huán)13(lift ring)及一升降驅(qū)動(dòng)器14。該晶座11可為一加熱器，使得置于晶座11上的晶片10，可經(jīng)由熱傳導(dǎo)而被均勻地加熱以進(jìn)行沉積程序。該升降環(huán)13由該升降驅(qū)動(dòng)器14所驅(qū)動(dòng)以使其上下作動(dòng)，而該升降組件12隨升降環(huán)13的運(yùn)動(dòng)而上下移動(dòng)，以便撐起晶片10或?qū)⑵渲梅庞诰ё?1上。如圖1(B)所示，當(dāng)該升降環(huán)13下降時(shí)，該升降組件12也隨之下降，此時(shí)，晶片10載置于晶座11上。
又，如圖2所示，現(xiàn)有的升降組件12一般包含有一帽部121及一桿部122，其中桿部122為一圓柱體。當(dāng)該升降驅(qū)動(dòng)器14驅(qū)動(dòng)該升降環(huán)13向下移動(dòng)時(shí)(請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1(B)所示)，該升降環(huán)13將逐漸與該升降組件12分離，此時(shí)，該升降組件12必須靠自身的重力而下降。若是有一升降組件12沒(méi)有完全下降，則晶片10將不會(huì)平坦地置放在晶座11上，如此將導(dǎo)致沉積不均勻的現(xiàn)象。一般而言，導(dǎo)致升降組件12無(wú)法順利下降的原因是，晶片承載裝置經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間的薄膜沉積反應(yīng)后，伴隨反應(yīng)所產(chǎn)生的微粒16易堆積在晶座11的通孔111中，因此造成阻塞。更詳而言之，當(dāng)有微粒16阻塞在升降組件12與通孔111之間的間隙時(shí)，該升降組件12便不能順利地升降，故將產(chǎn)生下降不完全的問(wèn)題。值得一提的是，一般晶片承載裝置中，并無(wú)裝設(shè)傳感器，因此無(wú)法立即監(jiān)測(cè)到升降組件12是否完全下降，所以如何解決升降組件12完全下降實(shí)乃一重要課題。
為解決上述問(wèn)題，近來(lái)業(yè)者針對(duì)現(xiàn)有的升降組件進(jìn)行了改進(jìn)，如圖3所示，該升降組件12的桿部122采用一直徑較小的圓柱體，以使升降組件12與通孔13間的間隙能夠加大，以使微粒16能夠順利通過(guò)轉(zhuǎn)折處112。然而，該升降組件12雖然可解決微粒16阻塞在升降組件12與通孔111間的問(wèn)題，但卻產(chǎn)生另一問(wèn)題。因?yàn)樵撋到M件12采用一直徑較小的圓柱體，因此當(dāng)升降組件12上升或下降時(shí)，因升降組件12與通孔111間的間隙加大，容易造成升降組件12在升降時(shí)產(chǎn)生晃動(dòng)，如此將使晶片10定位產(chǎn)生困難。
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一可使晶片能確實(shí)平放在晶座上的晶片承載裝置。
本實(shí)用新型的另一目的是提供一可使升降組件能順暢地快速下降的晶片承載裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是通過(guò)改變升降組件的形狀，以同時(shí)解決微粒阻塞及晃動(dòng)問(wèn)題。
本實(shí)用新型的另一技術(shù)方案是通過(guò)改變升降組件的形狀，以使其重心位置下移，而使升降組件能順暢地快速下降，進(jìn)而使升降組件能完全地下降至晶片承載裝置的晶座上。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種晶片承載裝置，包含一晶座、多個(gè)升降組件、一升降環(huán)、及一升降驅(qū)動(dòng)器，其中，該升降組件穿設(shè)于該晶座，該升降環(huán)由升降驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)以使其上下運(yùn)動(dòng)，而升降組件由升降環(huán)的運(yùn)動(dòng)而進(jìn)行上下移動(dòng)，以便將晶片撐起或置放于晶座上，此外，該升降組件包含一帽部及一桿部，該桿部的一端連結(jié)于該帽部，其另一端的端部至少有一處比連結(jié)于該帽部端的端部為粗，且該桿部的重心落在桿部另一端的端部。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，通過(guò)本實(shí)用新型的升降組件，可使升降組件與通孔的轉(zhuǎn)折處的間隙加大，故可解決微粒阻塞在通孔與升降組件間的間隙，導(dǎo)致升降組件下降不完全的問(wèn)題。
另外，通過(guò)本實(shí)用新型的升降組件，由于其重心位置位于下方，因此，借著重心位置下移的升降組件，將使依自重而下降的升降組件能順暢地快速下降，故可解決升降組件下降不完全的問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明圖1(A)為一示意圖，顯示現(xiàn)有的晶片承載裝置的一形態(tài)；圖1(B)為一示意圖，顯示現(xiàn)有的晶片承載裝置的另一形態(tài)；圖2為一示意圖，顯示現(xiàn)有的升降組件的形態(tài)；圖3為一示意圖，顯示現(xiàn)有的升降組件的實(shí)施形態(tài)；圖4為一示意圖，顯示依本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的升降組件的形態(tài)；圖5為一示意圖，顯示依本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的升降組件的實(shí)施形態(tài)。
圖中符號(hào)說(shuō)明1 晶片承載裝置10 晶片11 晶座111通孔112轉(zhuǎn)折處12 升降組件12’升降組件121帽部122桿部1221 端部(桿部的一端)1222 端部(桿部的另一端)123桿部的另一端中的一處13 升降環(huán)14 升降驅(qū)動(dòng)器16 微粒以下將參照相關(guān)附圖，說(shuō)明依本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例的晶片承載裝置。
在本實(shí)施例中，除升降組件外，其余組件均與現(xiàn)有技術(shù)相同，因此，為說(shuō)明上的便利，相同的組件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。
本實(shí)用新型的晶片承載裝置1包括一晶座11、多個(gè)升降組件12’、一升降環(huán)13、及一升降驅(qū)動(dòng)器14。該晶座11可為一加熱器，用以承載一晶片10。該升降環(huán)13由該升降驅(qū)動(dòng)器14所驅(qū)動(dòng)以使其上下運(yùn)動(dòng)，而該升降組件12’隨該升降環(huán)13的運(yùn)動(dòng)而上下移動(dòng)，以便撐起晶片10或?qū)⑵渲梅庞诰ё?0上。
如圖4所示，本實(shí)用新型的晶片承載裝置1的升降組件12’包含一帽部121’、及一桿部122’。如圖4所示，該桿部122’的一端與該帽部121’相連結(jié)，而該連結(jié)端的端部1221比其另一端端部1222為細(xì)。換言之，該桿部122’一端的端部1221可使桿部122’與晶座11的通孔111保持一定的間隙(如圖5所示)，因此，即使通孔111中存在少量的微粒16，該升降組件12’亦可輕易地落下，而不受其影響。
承上所述，在本實(shí)施例中，桿部122’與帽部121’相連結(jié)的端部1221比其另一端端部1222為細(xì)。換言之，對(duì)于本實(shí)用新型的升降組件12’而言，只要其桿部122’另一端的端部1222中至少存在一處(例如圖式符號(hào)123處)，比桿部122’與帽部121’連結(jié)端的端部1221為粗，且使升降組件12’的整體重心落在桿部122’的另一端端緣至桿部122’中間的范圍內(nèi)即可。亦即，本實(shí)施例的升降組件12’的重心位于桿部122’的另一端的端部，以便其在直立時(shí)，可使該升降組件12’的重心位于該升降組件12’的下半部。由于升降組件12’的重心位置下移，因此，當(dāng)其依自重而下降時(shí)，該升降組件12’將更為順暢地快速下降，進(jìn)而解決升降組件12’不完全下降的問(wèn)題。值得一提的是，由于升降組件12’的重心位置下移，因此，當(dāng)升降組件12’快速下降時(shí)，也有助于將沾粘于晶座11的通孔111中的微粒16撞落，如此，可進(jìn)一步達(dá)到升降組件12’順暢下降的效果。此外，在本實(shí)施例中，上述升降組件12’的帽部121’與桿部122’為一體成型。
再者，由于升降組件12’的桿部122’的另一端的端部1222較其一端的端部1221粗，因此，當(dāng)升降組件12’下降時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生搖晃。
綜上所述，由于本實(shí)用新型的晶片承載裝置是通過(guò)改變升降組件的形狀，故能解決微粒阻塞及升降組件晃動(dòng)的問(wèn)題，同時(shí)也使升降組件下降時(shí)更為順暢及快速。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本實(shí)用新型的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)在本實(shí)用新型的權(quán)利要求書(shū)并結(jié)合說(shuō)明書(shū)及附圖所界定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶片承載裝置，包含一晶座，其用以置放一晶片；多個(gè)升降組件，其穿設(shè)于該晶座，其特征在于該升降組件包含，一帽部及一桿部，該桿部的一端連結(jié)于該帽部，其另一端的端部至少有一處比連結(jié)于該帽部端的端部為粗，且該桿部的重心落在該桿部另一端的端部；一升降環(huán)，其可上下運(yùn)動(dòng)以使該升降組件亦隨之上下移動(dòng)，以便將該晶片撐起或置放于該晶座上；以及一升降驅(qū)動(dòng)器，其驅(qū)動(dòng)該升降環(huán)使其上下運(yùn)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于該升降組件重心位于該桿部的中間至該桿部另一端端緣的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片承載裝置，其特征在于該桿部與該帽部是一體成型。
專利摘要一種晶片承載裝置,是用以承載晶片,包含一晶座、多個(gè)升降組件(lift pin)、一升降環(huán)(lift ring)、及一升降驅(qū)動(dòng)器,其中,升降組件穿設(shè)于晶座,升降環(huán)是由升降驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)以使其上下運(yùn)動(dòng),而升降組件是通過(guò)升降環(huán)的運(yùn)動(dòng)而進(jìn)行上下移動(dòng),以將晶片撐起或置放在晶座上。該升降組件包含一帽部及一桿部,桿部的一端連結(jié)于帽部,其另一端的端部至少有一處比連結(jié)于帽部端的端部為粗,且桿部的重心位于桿部另一端的端部。
文檔編號(hào)H01L21/68GK2482220SQ0122302
公開(kāi)日2002年3月13日 申請(qǐng)日期2001年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月29日
發(fā)明者王中強(qiáng), 陳銘達(dá), 盧明淦, 高明寬 申請(qǐng)人:矽統(tǒng)科技股份有限公司