專利名稱：電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為以往的小型電容器，已經(jīng)知道是在陶瓷或環(huán)氧樹脂等具有較大剛性的基板上，形成薄膜電介質(zhì)層及金屬膜構(gòu)成的電極部分。但是，對于這樣的電容器，由于薄膜電介質(zhì)層或電極部分雖然能夠做得很薄，但若這種基板沒有一定程度的厚度(例如0.5mm)，則有裂開損傷的危險(xiǎn)，因此作為電容器要減薄厚度有一定限度，厚度連1mm也沒有的產(chǎn)品很難用這樣的電容器。
作為適應(yīng)這一要求的電容器，例如日本專利特開平11-97287號公報(bào)等所揭示的，有采用厚度為0.1mm一下的具有很大柔性的聚酰亞胺等有機(jī)樹脂基板等構(gòu)成的薄膜狀柔性基板的電容器。根據(jù)這種電容器，即使減薄柔性基板，但由于該柔性基板本身能夠彎曲，因此也不會(huì)產(chǎn)生裂開損傷，由于能夠減薄其厚度，因此作為整個(gè)電容器也能夠進(jìn)一步減薄厚度，能夠用于厚度為1mm左右的IC卡或1mm一下厚度的薄型產(chǎn)品。
這種電容器例如圖23(a)至(c)所示那樣制造。首先，如圖23(a)所示，從具有很大柔性的薄膜狀柔性基板101的兩側(cè)面至上表面，形成相互具有間隙102并稱為非導(dǎo)通狀態(tài)的下部電極103及外部引出電極104。然后，橫跨下部電極103及外部引出電極104，在它們的上表面形成電介質(zhì)105后；如圖23(b)所示，在電介質(zhì)105的與外部引出電極104對應(yīng)位置，貫通形成接觸孔用的孔105a，在包含該孔105a的電介質(zhì)105上形成上部電極106，使上部電極106與外部引出電極104導(dǎo)通。另外，在這以后，根據(jù)需要在它們的上面形成保護(hù)層107。
通過這樣，如圖23(c)所示，構(gòu)成用下部電極103與上部電極106夾住電介質(zhì)105而形成電容量的電容器。在這種情況下通過采用薄的柔性基板101，同時(shí)形成薄的下部電極103、外部引出電極104、電介質(zhì)105及上部電極106等，能夠構(gòu)成極薄的電容器。而且，由于采用柔性基板101，因此作為柔性基板101即使采用薄的基板，該基板部分也不會(huì)產(chǎn)生裂開損傷這樣的問題。
另外，具有多層電介質(zhì)105A及105B和上部電極106A及106B的電容器，例如像圖24(a)至(d)所示那樣制造。首先，如圖24(a)所示，從具有很大柔性的薄膜狀柔性基板101的兩側(cè)面至上表面，形成相距具有間隙102的成為非導(dǎo)通狀態(tài)的下部電極103及外部引出電極104。然后，如圖24(b)所示，在細(xì)部電極103的上表面部分及外部引出電極104的上表面部分形成第一電介質(zhì)105A后，在第一電介質(zhì)105A的上表面及外部引出電極104的上表面形成第一上部電極106A，同時(shí)形成第一上部電極106A的一部分，使其向外部引出電極104上延伸，與外部引出電極104導(dǎo)通。然后，如圖24(c)所示，在第一上部電極106A上形成第二電介質(zhì)105B在在其上形成第二上部電極106B，同時(shí)形成第二上部電極106B的一部分，使其在下部電極103上延伸，與下部電極103導(dǎo)通。在還需要多層電介質(zhì)及上部電極時(shí)，重復(fù)這些電介質(zhì)及上部電極的形成動(dòng)作。另外，在這之后，根據(jù)需要在它們的上面形成保護(hù)層。
通過這樣，如圖24(d)所示，構(gòu)成用下部電極103與第一及第二上部電極106A及106B夾住第一及第二電介質(zhì)105A及105B而形成電容量的電容器。在這種情況下，通過采用薄的柔性基板101，同時(shí)形成薄的下部電極103、外部引出電極104、電介質(zhì)105A、105B、上部電極106A及106B等，能夠構(gòu)成極薄的電容器。
另外，作為別的其他例子，如圖25(a)所示，在薄膜狀的柔性基板101的兩側(cè)面，形成與下部電極103連接的下部電極連接用的外部引出電極111及與上部電極106連接的上部電極連接用的外部引出電極104，橫跨下部電極連接用的外部引出電極111的端面部分附近部位與柔性基板101的外部露出面，形成下部電極112，將下部電極112與下部電極連接用的外部引出電極111連接。然后，如圖25(b)所示，橫跨下部電極111及上部電極連接用的外部引出電極104，在它們的上面形成電介質(zhì)105后，在電介質(zhì)105的與下部電極連接用的外部引出電極111對應(yīng)的位置，貫通形成孔105a，在包含該孔105a的電介質(zhì)105上形成上部電極106，使上部電極106與外部引出電極104導(dǎo)通。另外，在這之后，根據(jù)需要在它們的上面形成保護(hù)層107。
通過這樣，構(gòu)成用下部電極112與上部電極106夾住電介質(zhì)105而形成的電容量的電容器。在這種情況下，也通過采用薄的柔性基板101，同時(shí)形成薄的下部電極連接用的外部引出電極11、上部電極連接用的外部引出電極104、下部電極112、電介質(zhì)105及上部電極106等，能夠構(gòu)成極薄的電容器。
這里，在圖23所示的電容器中，如圖26中放大所示，為了將上部電極106與外部引出電極104連接而在電介質(zhì)105設(shè)置孔105a，該孔105a的壁面相對于柔性基板101形成近似垂直的角度(約80度至90度)，因而沿著該電介質(zhì)105的孔105a形成的上部電極106的拐角106a、106b、106c及106d形成近似以接近直角的角度彎曲的形狀。
另外，下部電極103與外部引出電極104相互之間隔著間隙102相對的各端面，由于相對于柔性基板101形成近似垂直的角度，因此這些沿著間隙102形成的電介質(zhì)105的拐角105b、105c、105d、105e及上部電極106的拐角106e、106f、106g、106h也形成近似以接近直角的角度彎曲的形狀。
另外，在圖24所示的電容器中，如圖27中方法所示，由于為了將第一及第二上部電極106A及106B與外部引出電極104及下部電極103連接而向下方延伸的下延部分106i及106j這樣形成，使得分別相對的第一及第二電介質(zhì)105A及105B的端面105s及105p以近似垂直的角度垂直設(shè)置在下部電極103及第一上部電極106A上，因此相應(yīng)第一及第二上部電極106A及106B的上端及下端的拐角106k、106m、106n及106o形成近似以接近直角的角度彎曲的形狀。
再有，在圖25所示的電容器中，如圖28中放大所示，由于與下部電極112連接的下部電極連接用的外部引出電極111的端面111a相對于柔性基板101形成近似垂直的角度，因此沿著該端面111a形成的下部電極112的拐角112a、112b也形成近似以接近直角的角度彎曲的形狀。
然而，這只能夠用柔性基板101的電容的性質(zhì)，它具有能夠制成極薄厚度的優(yōu)點(diǎn)，但反過來由于采用柔性基板101，因此比較容易變形，因而，在采用電容的薄型產(chǎn)品產(chǎn)生振動(dòng)等由外部作用比較小的應(yīng)力(外力)時(shí)，或者因各構(gòu)成部分材料的溫度引起膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，在剛性大的技術(shù)材料部分就受到該應(yīng)力，特別是在厚度薄的電極部分即上部電極106、106A、106B及下部電極103、112中，在近似彎曲成直角的前述拐角106a至106o、112a及112b的部位，存在應(yīng)力集中的危險(xiǎn)。
這樣，在上部電極106、106A、106B及下部電極112的拐角112a、112b多次重復(fù)產(chǎn)生應(yīng)力集中，萬一產(chǎn)生裂紋等情況下，由可能裂紋擴(kuò)大變成切斷狀態(tài)，或者因裂紋使能夠通電的部分變細(xì)，或者在比較大的電流流過時(shí)裂紋擴(kuò)大變成切斷狀態(tài)。另外，特別時(shí)在蒸鍍形成上部電極116、116A、116B及下部電極112時(shí)，由于其拐角116a至116o、112a及112b等由減薄的傾向，因此該問題由可能更顯著。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明第1方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對配置的上部電極，在所述電介質(zhì)中形成從面對所述上部電極的下表面一側(cè)起向面對所述外部引出電極的上表面一側(cè)傾斜并貫通的孔，在所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，所述上部電極沿所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面傾斜且下凹形成，與所述外部引出電極的的上表面連接。
本發(fā)明第2方面是在第1方面所述的電容器中，在電介質(zhì)孔的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
本發(fā)明第3方面是在第1或第2方面所述的電容器中，電介質(zhì)孔是從面對上部電極的一側(cè)向面對外部引出電極的一側(cè)以倒圓錐形狀或倒角錐形狀貫通的形狀。
本發(fā)明第4方面是在第1或第3任一項(xiàng)所述的電容器中，在上部電極形成沿電介質(zhì)孔的傾斜壁面傾斜的傾斜面，在該上部電極的傾斜面上，從該傾斜面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
本發(fā)明第5方面是在第4方面所述的電容器中，在上部電極的傾斜面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
根據(jù)這些第1至第5方面所述的構(gòu)成，由于在電介質(zhì)孔的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少應(yīng)部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度范圍內(nèi)連續(xù)的部分，因此面對該部分的上部電極的傾斜面部分也以接近0.1度至20度的緩慢變化的角度傾斜，在該部分將減輕應(yīng)力集中，不產(chǎn)生裂紋。
另外，根據(jù)第2及第5方面所述的構(gòu)成，由于電介質(zhì)孔的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度，以及上部電極的沿電介質(zhì)孔傾斜的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及上部電極的沿電介質(zhì)孔傾斜的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度也為同樣緩慢變化的角度，因此將減輕對上部電極的所述拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第6方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；在所述電介質(zhì)的與所述外部引出電極對應(yīng)的位置是貫通形成使其壁面的至少一部分傾斜的孔、并且這時(shí)從所述傾斜壁面的下端部至上端部至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分的孔形成工序；以及在包含所述孔的所述電介質(zhì)上形成上部電極并使該上部電極與所述外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
根據(jù)該方法，能夠很好地制造第1方面所述的電容器。
本發(fā)明第7方面是在第6方面所述的電容器制造方法的孔形成工序中，在孔形成工序中，在使掩膜距離電介質(zhì)隔開規(guī)定間隔的狀態(tài)下，通過掩膜的孔使等離子流透過，通過這樣在電介質(zhì)中形成孔。
本發(fā)明第8方面是在第6或第7方面所述的電容器制造方法的孔形成工序中，在掩膜與電介質(zhì)之間隔著隔膜。
本發(fā)明第9方面是在第7方面所述的電容器制造方法的孔形成工序中，一面使掩膜移動(dòng)，一面通過掩膜的孔使等離子流透過，通過這樣在電介質(zhì)中形成孔。
根據(jù)第7至第9方面所述的電容器制造方法，能夠在電介質(zhì)中很好地形成至少一部分設(shè)置相對于外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)從其下端部至上端部連續(xù)部分的孔。
本發(fā)明第10方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及所述西部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對配置的上部電極，所述電介質(zhì)的位于所述外部引出電極上方的壁面的至少一部分形成為從面對上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在所述電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，所述上部電極沿所述電介質(zhì)的傾斜壁面傾斜形成，其下端部與所述外部引出電極的上表面連接。
本發(fā)明第11方面是在第10方面所述的電容器中，在電介質(zhì)的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
本發(fā)明第12方面是在第10或第11方面所述的電容器中，在上部電極形成沿電介質(zhì)的傾斜壁面傾斜的傾斜面，在該上部電極的傾斜面上，從該傾斜面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
本發(fā)明第13方面是在第12方面所述的電容器中，在上部電極的傾斜面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度極其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
根據(jù)第10至第13方面所述的構(gòu)成，由于在電介質(zhì)的傾斜壁面上，從其傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度20度范圍內(nèi)連續(xù)的部分，所述上部電極沿著所述電介質(zhì)的傾斜壁面傾斜形成，其下端部與所述外部引出電極的上表面連接，因此上部電極的與所述電介質(zhì)緩慢變化的傾斜部分對應(yīng)的傾斜面的角度也成為接近0.1度至20度的緩慢變化的角度，結(jié)果將減輕對上部電極的傾斜面及拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
另外，根據(jù)第10至第13方面所述的構(gòu)成，由于至少一部分設(shè)置電介質(zhì)孔的傾斜面上端拐角向下方的傾斜角度及所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分，在該部分上部電極的沿電介質(zhì)傾斜壁面傾斜的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及上部電極的沿電介質(zhì)孔傾斜的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度也成為同樣緩慢變化的角度，因此將減輕對上部電極的前述拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第14方面所述的電容器制造方法，具有在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；在所述電介質(zhì)的與所述外部引出電極對應(yīng)的位置形成親寫壁面、并且這時(shí)從該傾斜壁面的下端部至上端部至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分的傾斜壁面形成工序；以及在包含所述傾斜壁面的所述電介質(zhì)上形成上部電極并使該上部電極與所述外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
根據(jù)該方法，能夠很好的制造第10至第13方面所述的電容器。
本發(fā)明第15方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、以及在所述下部電極的上方位置不別隔著電介質(zhì)形成多層并通過向外部引出電極或下部電極一側(cè)延伸的傾斜下延部分及連接部分與外部引出電極或下部電極連接的多個(gè)上部電極，各上部電極直接下方的電介質(zhì)的面對傾斜下延部分的壁面形成為從面對該上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極或下部電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在全部電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾傾壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度~20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
本發(fā)明第16方面是在第15方面所述的電容器中，在各電介質(zhì)的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
本發(fā)明第17方面是在第15或第16方面所述的電容器中，在各上部電極的傾斜下延部分，從該傾斜下延部分的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
本發(fā)明第18方面是在第17方面所述的電容器中，在各上部電極的傾斜下延部分設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
根據(jù)這些第15至18方面所述的構(gòu)成，由于在全部電介質(zhì)的傾斜壁上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，因此上部電極的與各電介質(zhì)緩慢變化的傾斜部分對應(yīng)的傾斜面的角度也成為接近0.1度至20度的緩慢變化的角度，結(jié)果將減輕對上部電極的傾斜面及拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
另外，根據(jù)第16及18方面所述的構(gòu)成，由于設(shè)置各電介質(zhì)的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及其下端部拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分，在該部分的上部電極的沿電介質(zhì)傾斜壁面傾斜的傾斜面上端拐角向下方的傾斜角度及傾斜面下端拐角向上方的傾斜角度都成為同樣緩慢變化的角度，因此將減輕對上部電極的前述拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第19方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；以及在所述下部電極的上方位置分別隔著電介質(zhì)形成多層上部電極、并且將各上部電極通過向外部引出電極或下部電極一側(cè)延伸的傾斜下延部分及連接部分與外部引出電極或下部電極連接的電介質(zhì)及上部電極形成工序，在所述電介質(zhì)及上部電極形成工序中，各上部電極直接下方的電介質(zhì)的面對傾斜下延部的壁面從面對該上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極或下部電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在全部電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端端，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，這樣形成所述電介質(zhì)的傾斜壁面。
根據(jù)該方法，能夠很好地制造第15至18方面所述的電容器。
本發(fā)明第20方面是在第14或第19方面所述的電容器制造方法的形成電介層傾斜壁面的工序中，在使掩膜距離電介質(zhì)隔開規(guī)定間隔的狀態(tài)下進(jìn)行濺射。
本發(fā)明第21方面是在第20方面所述的電容器制造方法的形成電介質(zhì)傾斜端部壁面的工序中，在掩膜與電介質(zhì)之間隔著隔膜。
本發(fā)明第22方面是在第20方面所述的電容器制造方法的形成電介質(zhì)傾斜端部壁面的工序中，一面使掩膜移動(dòng)，一面進(jìn)行濺射。
根據(jù)第20至22方面所述的電容器制造方法，在電介質(zhì)上能夠很好地形成至少一部分設(shè)置相對于外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分的傾斜部壁面。
本發(fā)明第23方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極、以及填補(bǔ)所述外部引出電極與下部電極之間的所述間隙的絕緣體，形成所述電介質(zhì)，使其也覆蓋所述絕緣體。
本發(fā)明第24方面是在第23方面所述的電容器中，在填補(bǔ)外部引出電極與下部電極之間的間隙的絕緣體上形成的部位的、分別與外部引出電極的上表面及下部電極的上表面連接的部位的至少一部分傾斜角度為±20度的范圍內(nèi)。
根據(jù)這些第23及第24方面所述的構(gòu)成，由于用絕緣體填補(bǔ)下部電極與外部引出電極之間的間隙，因此該間隙部位的電介質(zhì)及上部電極將不產(chǎn)生拐角，或者拐角的傾斜角度變成緩慢變化，結(jié)果對拐角的應(yīng)力集中消失，或者減輕，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第25方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；利用絕緣體填補(bǔ)所述外部引出電極與下部電極之間的所述間隙的間隙填補(bǔ)工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在電介質(zhì)的上表面形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。根據(jù)該方法，能夠很好地制造第23及24方面所述的電容器。
本發(fā)明第26方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，面對所述外部引出電極與下部電極的所述間隙的各端面形成為相對于所述外部引出電極的上表面傾斜的形狀，在所述外部引出電極的傾斜端面及所述下部電極的傾斜端面上，從這些傾斜端面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，延這些外部引出電極及下部電極的傾斜端面形成電介質(zhì)及上部電極。
根據(jù)該構(gòu)成，由于面對外部引出電極與下部電極的間隙的各端面形成為相對于柔性基板的上表面傾斜的形狀，在所述外部引出電極的傾斜端面及所述下部電極的傾斜端面上，從該傾斜端面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度范圍內(nèi)連續(xù)的部分，沿這些外部引出電極及下部電極的傾斜端面形成電介質(zhì)及上部電極，因此該間隙部位的電介質(zhì)及其上方配置的上部電極的拐角的傾斜角度成為緩慢變化，結(jié)果減輕對拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第27方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在電介質(zhì)上形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序，在所述外部引出電極及下部電極形成工序中，將面對所述間隙的所述外部引出電極及下部電極的各端面這樣形成，使其形成為相對于柔性基板的上表面傾斜的形狀，同時(shí)這時(shí)在所述外部引出電極的傾斜端面及所述下部電極的傾斜端面上，從這些傾斜端面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，沿所述外部引出電極及下部電極的各傾斜端面形成所述電介質(zhì)及上部電極。
根據(jù)該方法，能夠很好地制造第26方面所述的電容器。
本發(fā)明第28方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極，在面對所述間隙的所述外部引出電極的端面部分及前述下部電極的端面部分和柔性基板的所述兩端面部分附近部位的兩個(gè)角落部分分別填入使其壁面傾斜的絕緣體、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的傾斜面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，所述絕緣體至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，而且相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分。
根據(jù)該構(gòu)成，由于在面對間隙的外部引出電極的端面部分及下部電極的端面部分和柔性基板的所述兩端面部分附近部位的兩個(gè)角落部分分別填入絕緣體，使壁面傾斜，至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)而且相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分，因此該間隙部位的電介質(zhì)及其上方配置的上部電極的拐角的傾斜角度成為緩慢變化，結(jié)果將減輕對拐角的應(yīng)力集中，上部電極不產(chǎn)生裂紋。
本發(fā)明第29方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成上部的電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；在面對所述間隙的所述外部引出電極的端面部分及所述下部電極的端面部分和柔性基板的所述兩端面部分附近部位的兩個(gè)角落分別填入使其壁面傾斜的絕緣體，同時(shí)這時(shí)至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)而且相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分這樣來形成的絕緣體填入工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的傾斜面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在所述電介質(zhì)上形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
根據(jù)該方法，能夠很好地制造第28方面所述的電容器。
本發(fā)明第30方面所述的電容器，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成的下部電極連接用的外部引出電極、在所述柔性基板上形成的上部電極連接用的外部引出電極、填入所述柔性基板上面對所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分的角落部分的絕緣體、橫跨所述下部電極連接用的外部引出電極的端面部分附近部位及所述絕緣體的傾斜面及柔性基板的外部露出面形成的下部電極、在所述下部電極上形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述上部電極連接用的外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，所述絕緣體至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20的范圍內(nèi)而且相對于所述下部電極連接用的外部引出電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分。
本發(fā)明第31方面所述的電容器制造方法，包括在柔性基板上形成下部電極連接用的外部引出電極的下部電極連接用外部引出電極形成工序；在所述柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極的上部電極連接用外部引出電極形成工序；在下部電極連接用的外部引出電極的端面部分及柔性基板的所述端面部分附近部位的角落部分形成端面相對于柔性基板以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的絕緣體的絕緣體形成工序；在所述柔性基板的面對所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分的角落部分填入絕緣體、同時(shí)這時(shí)至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)而且相對于所述下部電極連接用的外部引出電極上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從其傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分這樣形成絕緣體的絕緣體形成工序；橫跨所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分附近部位及所述絕緣體的傾斜面及柔性基板的外部露出面形成下部電極的下部電極形成工序；在下部電極上形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；夾住電介質(zhì)與下部電極相對而設(shè)置上部電極并使其與所述上部電極連接用的外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
根據(jù)該方法，能夠很好地制造第30方面所述的電容器。
本發(fā)明第32方面是在第23、24、28及30方面任一項(xiàng)所述的電容器中，絕緣體是樹脂。
本發(fā)明第33方面是在第1至5、11至15、21、22、24、26、28及29方面任一項(xiàng)所述的電容器中，電介質(zhì)由聚苯硫醚、二氧化硅、二乙烯基苯聚合物、鈦酸鍶、間規(guī)聚苯乙烯、環(huán)烯烴共聚物薄膜、聚苯醚、聚苯并環(huán)丁烯聚合物、二乙烯基萘聚合物、二乙烯基聯(lián)苯聚合物、氧化鋁、聚醚酮醚樹脂的任一種或多種混合物形成。
本發(fā)明第34方面是在第1至5、10至13、15至18、23、24、26、28、30及32方面任一項(xiàng)所述的電容器中，柔性基板是樹脂制薄膜。
本發(fā)明第35方面是在第6至9、14、19至22、25、27、29及31方面任一項(xiàng)所述的電容器制造方法的電介質(zhì)形成工序中，將薄膜狀的電介質(zhì)緊貼形成。
本發(fā)明第36方面是在第6至9、14、19至22、25、27、29及31方面任一項(xiàng)所述的電容器制造方法的電介質(zhì)形成工序中，將電介質(zhì)蒸鍍形成。
本發(fā)明第37方面是在第8或第21方面所述的電容器制造方法中，隔膜由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的任一種或它們的混合物形成。


圖1為與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1至3相關(guān)的電容器剖視圖。
圖2為圖1的電容器切去部分的剖視立體圖。
圖3為圖1的電容器的主要部分放大剖視圖。
圖4所述為圖1的電容器的制造方法中在電介質(zhì)形成孔的狀態(tài)下的放大剖視圖。
圖5(a)至(f)分別表示圖1的電容器的各制造工序剖視圖。
圖6(a)至(e)分別表示圖1的電容器的各制造工序剖視圖。
圖7所示為本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的立體圖。
圖8為圖7的電容器的剖視圖。
圖9所示為本發(fā)明第5實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的剖視圖。
圖10為圖9的電容器中第一上部電極的傾斜下延部分及其附近部位的主要部分放大剖視圖。
圖11為圖9的電容器中第二上部電極的傾斜下延部分及其附近部位的主要部分放大剖視圖。
圖12(a)至(f)分別表示圖9的電容器的各制造工序剖視圖。
圖13(a)至(f)分別表示圖9的電容器的各制造工序剖視圖。
圖14所示為本發(fā)明其他實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的主要部分放大剖視圖。
圖15所示為本發(fā)明另一其他實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的主要部分放大剖視圖。
圖16所示為本發(fā)明第11實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的主要部分放大剖視圖。
圖17所示為本發(fā)明第12實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的主要部分放大剖視圖。
圖18所示為本發(fā)明第12實(shí)施形態(tài)有關(guān)的其他電容器的主要部分放大剖視圖。
圖19為本發(fā)明第13實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的剖視圖。
圖20為本發(fā)明第13實(shí)施形態(tài)有關(guān)的其他電容器的剖視圖。
圖21為本發(fā)明第14實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的剖視圖。
圖22為本發(fā)明能夠第14實(shí)施形態(tài)有關(guān)的其他電容器的剖視圖。
圖23(a)至(c)分別表示以往的電容器的各制造工序剖視圖。
圖24(a)至(d)分別表示以往其他的電容器的各制造工序剖視圖。
圖25(a)及(b)分別表示以往另一其他的電容器的各制造工序剖視圖。
圖26為說明以往電容器的問題用的主要部分放大剖視圖。
圖27為說明其他以往電容器的問題用的只要部分放大剖視圖。
圖28為說明另一其他以往電容器的問題用的主要部分當(dāng)大剖視圖。
具體實(shí)施形態(tài)(實(shí)施形態(tài)1)下面根據(jù)

本發(fā)明。
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器的剖視圖，圖2為該電容器切去部分的剖視立體圖，圖3為該電容器的主要部分放大剖視圖，圖4所示為在電介質(zhì)形成孔的狀態(tài)下的放大剖視圖，圖5(a)至(f)及圖6(a)至(e)分別表示該電容器的各制造工序剖視圖。另外，在包含以下實(shí)施形態(tài)的說明書中，為了明確其配置狀態(tài)，說明的情況是形成電容的一側(cè)為基板的上側(cè)，上部電極配置在下部的上側(cè)，但是當(dāng)然在電容器制造時(shí)或產(chǎn)品在使用時(shí)，并不限定于該上下方向。
如圖1及圖2所示，該電容器1具備有很大柔性的薄膜狀柔性基板2、在柔性基板2上形成相互具有間隙3并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極4及下部電極5、橫跨外部引出電極4的上表面及下部電極5的上表面形成的電介質(zhì)6、夾住電介質(zhì)6與所述下部電極5相對配置的上部電極7、以及為保護(hù)它們而從上部電極7等上面覆蓋形成的保護(hù)層8。另外，在外部引出電極4及下部電極5與電介質(zhì)6之間，在制造工序當(dāng)中形成粘結(jié)層9，在在電介質(zhì)6與上部電極7之間形成金屬氧化層10。
柔性基板2是用厚度約50μm的具有柔軟性的薄膜構(gòu)成。在該柔性基板2的上表面以非導(dǎo)通狀態(tài)例如隔開0.1mm間隙3配置外部引出電極4及下部電極5，該間隙3利用聚酰亞胺等絕緣體11填補(bǔ)。
另外，外部引出電極4及下部電極5分別通過電容器1的側(cè)面部分繞到下表面的一部分為止，形成外部引出電極部分4a及5a。然后，在將該電容器1安裝到各種產(chǎn)品上等情況下，該外部引出電極4及下部電極5的外部引出電極部分4a及5a利用焊錫或?qū)щ姼嗟扰c前述產(chǎn)品的印制電路板連接。在電容器1各側(cè)面的側(cè)面寬度方向的中間部分分別形成上下貫通延伸的半圓柱形狀的通孔12。利用面對這些通孔12的壁面部分，外部引出電極4的上面?zhèn)炔糠峙c外部引出電極部分4a導(dǎo)通，另外下部電極5的上面?zhèn)炔糠峙c外部引出電極部分5a導(dǎo)通。
在電介質(zhì)6上從面對上部電極7一側(cè)向面對外部引出電極4一側(cè)形成倒圓錐形狀(向下縮小的形狀)貫通的接觸孔用的孔6a。然后，上部電極7的面對電介質(zhì)6的孔6a的部分沿該孔6a傾斜并且下凹，與外部引出電極4連接。這里，特別圖用途3所示，電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面與外部引出電極4的上表面4a的傾斜角度α形成為約1度。然后，上部電極7沿電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面傾斜形成，與外部引出電極4連接，通過這樣上部電極7的沿電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面傾斜的傾斜面7a相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度β也為約1度。
另外，電介質(zhì)6及上部電極7的上表面部分與柔性基板2及下部電極5和外部引出電極4的上表面部分近似平行形成。因而，電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度α1、電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度α2、上部電極7的沿電介質(zhì)6的孔6a傾斜面上端拐角7b向下方的傾斜角度β1、以及上部電極7的沿電介質(zhì)6的孔6a傾斜的傾斜面下端拐角7c向上方的傾斜角度β2分別形成為約1度。
根據(jù)該構(gòu)成，由于上部電極7的與外部引出電極4連接的連接部分附近部位是沿傾斜角度α為約1度的電介質(zhì)6的以倒圓錐形狀貫通的接觸孔用的孔6a形成，該上部電極7的沿電介質(zhì)6的孔6a形成的傾斜面7a和拐角7b及7c的傾斜角度β1及β2也為接近1度的緩慢變化的角度，因此在使用電容器1的薄型產(chǎn)品產(chǎn)生振動(dòng)等，從外部有比較小的應(yīng)力(外力)作用時(shí)，即使在因各構(gòu)成部分材料的溫度引起膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力的情況下，也能夠減輕應(yīng)力向前述拐角7b及7c集中，防止在上部電極7產(chǎn)生裂紋。
另外，由于在下部電極5與外部引出電極4之間的間隙3用絕緣體11填補(bǔ)，因此設(shè)置該間隙3的部位的電介質(zhì)6及上部電極7幾乎不產(chǎn)生臺(tái)階及拐角，結(jié)果在該部位不集中應(yīng)力，通過這樣也能夠防止在上部電極7產(chǎn)生裂紋。
下面參照圖4至圖6說明前述電容器1的制造方法。另外，在以下的說明中，是說明制造長為2.0mm、寬為1.2mm、而且厚為約0.1mm的電容器1的情況。另外，在圖5及圖6中說明的是在橫向制造4排以上排列的電容器1厚，在分割為單體的電容器1這樣進(jìn)行制造的情況。
第1工序(外部引出電極及下部電極形成工序)首先，如圖5(a)所示，在曲厚為50μm的約10cm的聚酰亞胺片構(gòu)成的柔性基板2的N兩面，形成厚為10μm的曲銅構(gòu)成的鍍層15及16。
然后，如圖5(b)所示，在兩面形成鍍層15及16的柔性基板2的兩面，利用光刻法形成光刻膠層17及18。在這種情況下，在上表面鍍層15一側(cè)，為了不使下部電極5與外部引出電極4電氣短路，它們之間的間隙(間隔槽)3最后應(yīng)該形成例如0.1mm，在除了與該間隙3對應(yīng)的部位以外的部分，形成光刻膠層17。另外，在下表面鍍層16一側(cè)，為了形成外部引出電極4及下部電極5的外部引出電極部分4a及5a，在除了與這些外部引出電極部分4a及5a對應(yīng)的部位以外的部分，形成光刻膠層18。然后，用氯化鐵溶液進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理后，剝離光刻膠層17及18，通過水洗進(jìn)行清洗，然后干燥(參照圖5(c))。
第2工序(外部引出電極及下部電極形成工序(通孔形成工序))然后，如圖5(d)所示，形成上下貫通的通孔12。該通孔12在后述的將電容器1分割為單體的切斷預(yù)定線的部位形成，部與相鄰電容器1相互之間中心部分對應(yīng)的部位形成。然后，為了將電容器1分割為單體，對準(zhǔn)并形成作為通孔12的圓孔，圓孔大小達(dá)到切斷時(shí)不損壞柔性基板2的程度(例如直徑0.6mm)，然后除去通孔12圓周壁鍍層15及16的毛刺，在進(jìn)行清洗及干燥，作為通孔12的開孔方法，可以采用鉆孔、沖孔或激光等眾所周知的方法，作為除去前述毛刺的方法，可以采用化學(xué)腐蝕、電腐蝕、激光及研磨等方法。
第3工序(外部引出電極及下部電極形成工序))然后，如圖5(e)所示，對通孔12的壁面進(jìn)行鍍金，在進(jìn)行清洗及干燥。利用該鍍層13，將鍍層15與鍍層16上下連接，形成外部引出電極4及下部電極5。另外，這時(shí)的形成鍍層的方式最好是化學(xué)鍍或電鍍方式。這是由于，如果用真空蒸鍍方式或?yàn)R射方式，則柔性基板2因受熱或濕氣而伸縮，這樣將產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，因此造成通孔12斷線的危險(xiǎn)性很高。
第4工序(間隙填補(bǔ)工序)然后，如圖5(f)所示，對外部引出電極4與下部5之間的間隙3涂布聚酰胺酸溶液，加熱去除有機(jī)溶劑后，加熱至260℃以上，使其進(jìn)行凝聚反應(yīng)，完全變?yōu)榫埘啺罚纬山^緣體11，成為填補(bǔ)狀態(tài)。在不設(shè)置該絕緣體11的情況下，要產(chǎn)生鍍層15的厚度即約10μm的臺(tái)階，而如前所述，通過設(shè)置絕緣體11，能夠?qū)⑴c鍍層15(與外部引出電極4及下部電極5的上表面部分)形成的臺(tái)階抑制在1至3μm左右以內(nèi)。這時(shí)，根據(jù)需要，也可以利用臭氧氣體去除表面有機(jī)物的氧化。
另外，作為向間隙3填補(bǔ)絕緣體11的方法，比較適合的有采用刮板的方法及采用噴漿的方法。這里，采用刮板的方法的優(yōu)點(diǎn)是，作為絕緣體11的材料，即使是高粘度的材料也可以使用，而采用噴漿的方法的優(yōu)點(diǎn)是，能夠高精度形成絕緣體11，但作為材料必須采用低粘度的。
另外，作為絕緣體11的材料，比較適合的是有耐熱性的熱硬化樹脂(酚醛型環(huán)氧樹脂等)及紫外線硬化樹脂，在填補(bǔ)這些樹脂時(shí)，添加丁醇、異丙醇、戊醇等醇類材料，這樣作的優(yōu)點(diǎn)是，表面張力低，與接觸壁面的角度變小。
第5工序(電介質(zhì)形成工序)然后，如圖(b)所示，作為電介質(zhì)6是將切斷約10cm見方的厚為1.2μm的聚苯硫醚薄膜放在形成了下部電極5的上表面?zhèn)?，用具有柔性的厚為約1mm的平整有機(jī)樹脂片從上下夾住該電介質(zhì)6及柔性基板2這兩部分，以平均壓力為4.9牛頓/平方厘米、平均溫度為240℃的條件熱壓60分鐘。結(jié)果，在薄膜狀的電介質(zhì)6與下部電極5、外部引出電極4、絕緣體11、以及露出的柔性基板2的表面之間，滲出單體的聚合單位為從3至6左右的鈉4-氯苯硫醚的脫氧化鈉聚合物構(gòu)成的低聚物，形成粘結(jié)層7，以穩(wěn)定的狀態(tài)將這些粘結(jié)。
另外可知，因該粘結(jié)工序進(jìn)行時(shí)的溫度及時(shí)間不同，粘結(jié)層7的強(qiáng)度也改變，在壓制溫度為230℃以下時(shí)，無論怎么提高壓制的壓力，或者延長時(shí)間，也不能得到所需要的強(qiáng)度，反之在壓制溫度為270℃時(shí)，無論怎么降低壓制的壓力，或者縮短時(shí)間，粘結(jié)層7的粘結(jié)力也過大，得不到16V的耐壓。根據(jù)分析的結(jié)果可知，若提高壓制的溫度，則由于提高了薄膜的滑動(dòng)性，因此以添加的填料的附近為中心，針孔數(shù)增加，由于薄膜軟化及強(qiáng)的收縮應(yīng)力等原因，產(chǎn)生針孔，耐壓降低。
第6工序(孔形成工序)然后，如涂4所示，將厚為0.1mm的金屬制掩膜14放置在離開電介質(zhì)6的距離為10μm的位置。在該掩膜14上，在各電容器1的與外部引出電極4的上表面部分對應(yīng)的部位各形成2個(gè)直徑約為0.1mm的圓形小孔14a。這里，該掩膜14安裝在隨著絲桿動(dòng)作而移動(dòng)的平臺(tái)上，絲桿是利用步進(jìn)電動(dòng)機(jī)而旋轉(zhuǎn)動(dòng)作，這樣能夠以一定速度橫向移動(dòng)。
在該狀態(tài)下，在真空度約為10帕斯卡、氧氣分壓為20％的氣氛中，產(chǎn)生高頻等離子體，使得到的等離子流通過掩膜14的小孔14a，使等離子流擴(kuò)散透過，驅(qū)動(dòng)前述步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，使得一定時(shí)間后，掩膜14偏離68μm。通過這樣，能夠在電介質(zhì)6上形成其壁面傾斜角度(相對于外部引出電極4的上表面(接觸面)4b的傾斜角度)α為1度的接觸孔用的孔6a(參照圖4及圖6(b))。這時(shí)，若增加等離子體的功率，則形成用的時(shí)間成反比縮短，因此前述步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)速度必須加快。在電介質(zhì)6上形成接觸孔用的孔6a后，停止氧氣的泄漏，加熱基板2，將反應(yīng)生成物真空干燥，干燥后冷卻，取出置于大氣中。
另外，該孔形成工序中的掩膜14與電介質(zhì)6的距離不限于10μm，例如即使為100μm，驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電動(dòng)機(jī)使掩膜偏移上述一半的距離(68μm)，同樣也能夠使孔6a壁面的傾斜角度α形成為1度。但是，若掩膜14與電介質(zhì)6的距離小于10μm，則由于柔性基板2或鍍層15及16制造時(shí)的厚度的誤差，使掩膜14與電介質(zhì)6的一部分接觸，產(chǎn)生斷線或短路部分，因此不希望這樣。
第7工序(上部電極形成工序)然后，換成將與接觸孔用的孔6a對應(yīng)的部位遮住的金屬掩膜(未圖示)，在真空度約為1帕斯卡的氬氣中形成二氧化硅的厚約5nm的金屬氧化物層10，取出置于大氣中。接著，將形成包含接觸孔用的孔6a的上部電極11用的金屬掩膜(未圖示)與電介質(zhì)6貼緊，在真空度約為1帕斯卡的氬氣中形成厚約100nm的鋁的上部電極7，取出置于大氣中(參照圖6(c))，通過這樣，上部電極7在進(jìn)入接觸孔用的孔6a內(nèi)的部位與外部引出電極4連接。另外，在這種情況下，在該上部電極7的與下部電極5的連接部位附近部分(沿接觸孔用的孔6a的部位)，由于是沿傾斜角度α為1度的電介質(zhì)6的倒圓錐形狀貫通的孔6a形成，因此該上部電極7的連接部分附近部位的傾斜面7a(參照圖3)的角度也接近1度，為其緩慢變化的角度。
第8工序(保護(hù)層形成工序)然后，在形成了上部電極7的柔性基板2的整個(gè)上表面，涂布將苯乙烯與丁二烯按重量比1比1配合在添加1％有機(jī)過氧化物的涂料，使其硬化。然后，在在其整個(gè)上表面涂布以雙環(huán)戊二烯二甲醇二丙烯酸酯為主成分并溶解3％二苯乙醇酮異丙醚的紫外線硬化涂料，形成的平均厚度為10μm，通過紫外線硬化，形成保護(hù)層8(參照圖6(d))。作為保護(hù)層8的形成方法，可以利用真空蒸鍍方式，凹印覆蓋方式，噴漿方式及刮板方式等方法。
第9工序(電氣特性檢查工序)然后，進(jìn)行電氣特性檢查。即將柔性基板2固定在試驗(yàn)臺(tái)上，將測試端與背面的外部引出電極4的外部引出電極部分4a及下部電極5的外部引出電極部分5a接觸，進(jìn)行電容量、損耗角、Q值、諧振頻率、絕緣電阻等電氣特性檢查。這時(shí)，在最終不進(jìn)行微調(diào)的情況下，對基準(zhǔn)值必須有±2％精度的電容器，就一面測量電容量，一面從反面用透鏡將激光光線聚焦，使聚焦光束掃描，為了得到高精度的電容量，進(jìn)行微調(diào)。一般比較多的情況使將該電容器1的產(chǎn)品組裝到印制電路板后進(jìn)行激光微調(diào)。
第10工序(切斷及外觀檢查工序)若電氣特性檢查結(jié)束，將形成了上部電極切斷時(shí)，不要加上過大的力進(jìn)行切斷。切斷時(shí)，7、電介質(zhì)6，下部電極5等的柔性基板2切斷成以電容器1為單位的形狀，進(jìn)行外觀檢查。然后，將電容器1進(jìn)行帶扎包裝，最后產(chǎn)品完成。另外，由于在柔性基板2切斷時(shí)，若加上過大的力，則會(huì)損壞電氣特性，或者上部電極7、下部電極5及外部引出電極4產(chǎn)生變形，或者產(chǎn)生毛刺，這是不希望出現(xiàn)的，因此在柔性基板2切斷時(shí)，不要加上過大的力進(jìn)行切斷。切斷時(shí)，總是從柔性基板2的一面將刀刃切入，在反面必須設(shè)置支承平臺(tái)。另外，由于刀刃切入角越大，上部電極7、電介質(zhì)6及下部電極5等越容易產(chǎn)生變形，因此最好以45度以下的小角度切入。
如上所述，制成了電介質(zhì)6的接觸孔用的孔6a的傾斜側(cè)壁面與外部引出電極4的上表面的傾斜角度α約為1度、而且相應(yīng)上部電極7的傾斜面7a的傾斜角度也近似相等的電容器1(實(shí)施例1)，該電容器1的長為2.0mm，寬為1.2mm，厚約為0.1mm，額定電壓為16V，電容量為20PF，損耗角為0.0006，絕緣電阻為100TΩ。
另外，在該電容器1中，由于在外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3填補(bǔ)了絕緣體11，因此鍍層15(外部引出電極4及下部電極5的上表面?zhèn)炔糠?與絕緣體11的臺(tái)階能夠抑制在1至3μm左右以內(nèi)。通過這樣，在該間隙3的部位上方層疊的電介質(zhì)6及上部電極7等也幾乎不產(chǎn)生臺(tái)階，引起應(yīng)力集中的拐角本身不存在，結(jié)果能夠防止上部電極7產(chǎn)生裂紋。
(實(shí)施形態(tài)2)在前述實(shí)施形態(tài)1中，在電介質(zhì)6上形成接觸孔用的孔6a的工序中，是將掩膜14置于與電介質(zhì)6相10μm的位置，驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電動(dòng)機(jī)，一面使掩膜14沿橫向移動(dòng)，一面使等離子流透過，而在本實(shí)施形態(tài)中，是在使不僅電動(dòng)機(jī)停止的狀態(tài)(維持掩膜14與電介質(zhì)6相距10μm的姿態(tài))下，使等離子流透過。根據(jù)該制造方法，外部引出電極4上的電介質(zhì)的孔6a及上部電極7的沿孔6a的傾斜面7a的傾斜角度α約為7度，僅這一點(diǎn)與實(shí)施形態(tài)1所述的實(shí)施例1的電容器不同，其他則相同，這樣制成了長為2.0mm寬為1.2mm、厚為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻為1000TΩ的電容器(實(shí)施例2)。
(實(shí)施形態(tài)3)在前述實(shí)施形態(tài)1及2中，在電介質(zhì)6上形成接觸孔用的孔6a的工序中，是在利用步進(jìn)電動(dòng)機(jī)能夠移動(dòng)的平臺(tái)上安裝金屬掩膜14，而在本實(shí)施形態(tài)3中，使代替它在金屬掩膜14與電介質(zhì)6之間，采用厚為2μm的在與接觸孔用的孔6a對應(yīng)的位置開了直徑為0.3mm的孔的聚苯硫醚薄膜作為隔膜，隔著該隔膜使金屬掩膜貼緊，在這樣的狀態(tài)下使等離子流透過。利用該方法，外部引出電極4上的電介質(zhì)6的孔6a及上部電極7的沿孔6a的傾斜面7a的傾斜角度α約為20度，僅這一點(diǎn)與實(shí)施形態(tài)1的電容器不同，其他則相同，這樣制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻為1000TΩ的電容量(實(shí)施例3)。
另外，作為隔膜材料，也可以用聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯代替聚苯硫醚。
(比較例1)在實(shí)施形態(tài)1中，在電介質(zhì)6上形成接觸孔用的孔6a的工序中，采用光刻膠膜代替金屬掩膜14，形成接觸孔用的孔6a。通過這樣，外部引出電極4上的電介質(zhì)6的孔6a及上部電極7的沿孔6a的傾斜面7a的傾斜角度α約為80度，僅這一點(diǎn)與實(shí)施形態(tài)1的電容器不同，其他則相同，這樣制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、3額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻為1000TΩ的電容器(比較例1)。
(比較例2)在實(shí)施形態(tài)1中，在電介質(zhì)6上形成接觸孔用的孔6a的工序中，使金屬掩膜14與電介質(zhì)6緊貼，形成接觸孔用的孔6a。通過這樣，外部引出電極4上的電介質(zhì)6的孔6a及上部電極7的沿孔6a的傾斜面7a的傾斜角度α約為25度，僅這一點(diǎn)與實(shí)施形態(tài)1的電容器不同，其他則相同，這樣制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻為1000TΩ的電容器(比較例2)。
(比較例3)在實(shí)施形態(tài)1中，是在外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3埋入絕緣體11，在其上形成電介質(zhì)6等，而在本比較例中，制成與用以往技術(shù)說明的電容器幾乎相同的電容器。
即如圖23及圖24所示，在外部引出電極104與下部電極103之間的間隙102不設(shè)置絕緣體，在其上形成電介質(zhì)105等，這樣制成電容器(比較例3)。在這樣不設(shè)置絕緣體的情況下，如圖26所示，在間隙102的部位產(chǎn)生鍍層(外部引出電極104及下部電極103的上表面?zhèn)炔糠?厚度即約10μm的臺(tái)階。因而，在該間隙102的部位上方層疊的電介質(zhì)105即上部電極106等也產(chǎn)生臺(tái)階。
另外，接觸孔用的孔105a的孔壁相對于外部引出電極104的角度也約為80度至90度，在其上的上部電極106的壁面相對于下部電極的上表面的角度也約為80度至90度。通過這樣，外部引出電極104上的電介質(zhì)105的孔105a及上部電極106的沿孔105a的孔壁部分傾斜角度α約為80度至90度，這樣制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻為1000TΩ的電容器(比較例3)。
(比較結(jié)果)分別將本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1至3有關(guān)的實(shí)施例1至3的電容器及比較例1至3的電容器各100個(gè)置于溫度為-55℃與125℃之間，進(jìn)行急熱及急冷的熱循環(huán)試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，電容器的電容量下降率超過10％的比例如下表1所示。
表1根據(jù)熱循環(huán)試驗(yàn)，輸出特性誤差超過10％的比例

另外，作為別的性能試驗(yàn)，是分別將實(shí)施例1至3的電容器及比較例1至3的電容器各100個(gè)，在16V的試驗(yàn)電壓下，取串聯(lián)電阻為0.1Ω進(jìn)行充放電。在該試驗(yàn)中，表示上部電極7切斷1層的電容量的電容器相對于充放電試驗(yàn)次數(shù)的比例如下表2所示。
表2表示充放電試驗(yàn)次數(shù)與上部電極切斷1層的電容量的比例

根據(jù)表1及表2所示的試驗(yàn)結(jié)果可知，上部電極7的拐角7b及7c(參照圖3)的傾斜角度分別與熱循環(huán)試驗(yàn)中的電氣連接性及充放電試驗(yàn)的電氣連接性即耐電流性有關(guān)。將這些電容量下降的電容器用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行觀察，結(jié)果確認(rèn)上部電極7的拐角7b及7c在中間切斷。另外，該電極切斷現(xiàn)象的機(jī)理可以認(rèn)為是由于傾斜面7a的角度在增加，使得應(yīng)力容易集中，同時(shí)由于構(gòu)成上部電極7的柱狀晶體相鄰位置的偏移增加，因此是柔性基板2的情況下，因低溫及高溫的反復(fù)收縮及膨脹而產(chǎn)生的應(yīng)力導(dǎo)致斷裂，或者因瞬時(shí)的大電流引起移動(dòng)而斷裂。
另外，將實(shí)施例1至3及比較例1至3的電容器利用激光微調(diào)使電容量下降10％。將這樣得到的各10個(gè)電容器在溫度60℃及濕度95％條件下，以直流16V的試驗(yàn)電壓連續(xù)通電1000消失，進(jìn)行60℃耐濕負(fù)載試驗(yàn)。結(jié)果，實(shí)施例1至3的各10個(gè)電容器全部的電容量及損耗角的變化都在±3％以內(nèi)，而以往例1的10個(gè)中有5個(gè)以及實(shí)施例2的10個(gè)中有2個(gè)的電容量及損耗角的至少一個(gè)量的變化為±3％以上，在利用蒸鍍形成上部電極7時(shí)，由于在前述接觸孔用的孔6a蒸鍍上部電極7時(shí)的濕氣，產(chǎn)生了腐蝕。
由這些結(jié)果還知道，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的電容器1，能夠得到上部電極7穩(wěn)定的良好耐電流性、能夠維持柔性基板2的特性同時(shí)性能優(yōu)異的電容器1。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)中，作為電介質(zhì)6僅說明了聚苯硫醚薄膜，但不限于此，作為樹脂片可采用聚醚酮醚樹脂或間規(guī)聚苯乙烯，以150℃干燥2消失，以高于熔點(diǎn)20℃的溫度熔融，由模具擠出，采用剛逐步二軸延伸后還溫?zé)岬募s10cm寬、1.2μm后的薄膜作為電介質(zhì)6，也可得到同樣良好的特性。另外，作為電介質(zhì)6，也可以采用聚苯醚、聚環(huán)丁烯、二乙烯基萘及氧化鋁等。
另外，作為上述實(shí)施形態(tài)的柔性基板2，說明的是厚50μm的聚醚亞胺，但不限于此，即使用后厚20μm至150μm范圍的薄片，也能夠得到同樣的特性。另外，關(guān)于材質(zhì)，作為聚酰亞胺一般可使用4，4’-二氨基二苯基醚·無水均苯四甲酸縮聚物，但用無水偏苯三酸、2，3，3’，4’-聯(lián)二鄰苯二甲酸二無水無、4，4’-異丙叉雙(p一對苯羥)聯(lián)苯二甲酸二無水物、1，2；4，5-#苯四酸二酸物水物或3，3’，4，4’-二苯砜羥酸二無水物代替無水均苯四甲酸，或者采用由4，4’-二氨基二苯基甲烷、m-對苯二胺或3，3’-二氨基二苯甲酮等得到的縮聚物片代替前述的酸無水無及4，4’-二氨基二基醚，也能夠得到同樣的特性。
另外，對于前述保護(hù)層8所用的苯乙烯相對于丁二烯的量在重量比從30∶70至100∶0的范圍內(nèi)及厚度從1μm至30μm的范圍內(nèi)進(jìn)行了研究，結(jié)果對于全部組合都能得到同樣良好的特性。另外，作為保護(hù)層8所用的紫外線硬化樹樹，將其他在碳個(gè)數(shù)為6個(gè)至20個(gè)的直鏈狀或側(cè)鏈包含1個(gè)以上甲基的化合物、碳個(gè)數(shù)為6個(gè)至20個(gè)包含1個(gè)以上脂環(huán)式六員環(huán)的化合物附加2個(gè)丙稀酰羥基的單體、對1個(gè)芳香族環(huán)附加2個(gè)羥基、或者對雙酚系化合物附加乙二醇或丙二醇進(jìn)行反應(yīng)使其末端用丙烯酸進(jìn)行酯化的單體單獨(dú)或并用，也能夠得到同樣優(yōu)異的特性。
另外，接觸孔用的孔6a的直徑a(單位為mm)，對前述耐電流性有影響，孔6a的直徑a越大，耐電流性越好。但是，若增大接觸孔用的孔6a的直徑a或通孔部分12的曲率半徑b，則由于作為電容器1構(gòu)成電容量的電極面積較小，因此該電容量部分的電極面積希望盡可能確保要大。因而，作為接觸用的孔6a的最佳直徑a的數(shù)值，受到電容器1的寬度c(單位為mm)及通孔部分12的曲率半徑b的影響，通孔部分12的曲率半徑b的值的25％至75％，另外接觸孔用的孔6a與通孔部分12若一個(gè)增大，則另一個(gè)不得不減小，因此接觸孔用的孔6a的直徑a的值最好為通孔部分12的曲率半徑b的倒數(shù)值的12％至32％。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)有關(guān)的實(shí)施例1至3的電容器中，說明的是電介質(zhì)6的孔6a的全部傾斜壁面的相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度α在0.1度至20度的范圍內(nèi)的情況在這種情況下，沿孔6a的上部電極7的全部傾斜面7a相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度也近似相等，能夠得到可幾乎完全防止裂紋產(chǎn)生的可靠性極高的電容器。但是不限于此，也可以在電介質(zhì)6的孔6a的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，僅一部分設(shè)置相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度α在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分而構(gòu)成，在這種情況下，利用以前述緩慢變化的角度從下端部至上端部連續(xù)的部分，也能夠防止產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)有關(guān)的實(shí)施例1至3的電容器中，說明的是利用絕緣體11填補(bǔ)外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3，絕緣體11的上表面與外部引出電極4的上表面4b及下部電極5的上表面成為同一平面的情況，但不限于此，若前述絕緣體11分別與外部引出電極4的上表面4b及下部電極5的上表面接觸的傾斜角度在±20度的范圍內(nèi)，則與上述上部電極7的傾斜面7a的情況相同，能夠防止產(chǎn)生裂紋，能夠保持良好的導(dǎo)電狀態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)4)下面說明本發(fā)明第四實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器。
圖7所示為該電容器20的立體圖，圖8為該電容器20的剖視圖，在該電容器20中，上部電極7與外部引出電極4的連接部分形成橢圓形狀，電介質(zhì)26的孔形成橢圓形狀，但基本上采用與上述實(shí)施形態(tài)1至3的電容器1相同的結(jié)構(gòu)。
但是，電介質(zhì)26的材質(zhì)及形成方法和保護(hù)層28的材質(zhì)及形成方法與上述實(shí)施形態(tài)1至3不同。即在本實(shí)施形態(tài)4中，將實(shí)施形態(tài)1的一部分工序即第5工序及第8工序如下所述進(jìn)行改變，這樣制成電容器。
第5工序(電介質(zhì)形成工序)從柔性基板2的背面將臘片等塞入通孔部分12，塞住通孔部分12。然后對柔性基板2的形成了下部電極5的表面照射10keV的電子束，使二乙烯基苯的單體蒸氣進(jìn)行蒸鍍，通過這樣形成厚0.3μm的電介質(zhì)26(參照圖6(a))。
第8工序(保護(hù)層形成工序)從柔性基板2的表面對整個(gè)面涂布將苯乙烯與丁二烯以重量比1比1配合在添加1％的有機(jī)過氧化物的涂料，使其平均厚度為10μm，將首先照射電子束，喪失流動(dòng)性。然后，在在其整個(gè)上表面以平均厚度1μm涂布以雙環(huán)戊二烯二甲醇二丙烯酸酯為主成分并溶解3％的紫外線增感劑而得到的紫外線硬化涂料，照射紫外線，形成保護(hù)層28。然后，在真空下進(jìn)行160℃以上的加熱處理，完全將電介質(zhì)26及保護(hù)層28硬化，同時(shí)將前述臘片真空干燥，使無有機(jī)物的鍍層電極面露出。這里，作為保護(hù)層28的形成方法，可以利用真空蒸鍍方式凹印覆蓋方式、噴漿方式及刮板方式等方法。
將實(shí)施形態(tài)1的第5工序及第8工序這樣置換進(jìn)行制造，制成了電介質(zhì)26的孔26a相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜壁面及上部電極7的沿孔26a的傾斜面7a的傾斜角度α為1度的電容器，該電容器的長為2.0mm，寬為1.2mm，厚約為0.1mm，額定電壓為16V，電容量為40PF，損耗角為0.001，絕緣電阻為100TΩ。該電容器的熱循環(huán)試驗(yàn)及充放電試驗(yàn)的結(jié)果得到與上述實(shí)施形態(tài)相同的良好結(jié)果。
另外，作為單體蒸氣，也可以采用二乙烯基聯(lián)苯或二乙烯基萘代替二乙烯基苯，同樣得到良好的結(jié)果。
在有，通過真空蒸鍍二氧化硅，使其厚度約為0.6μm，作為電介質(zhì)26，在用有機(jī)氟化合物蒸氣代替第六工序中的氧氣，這樣同樣能夠形成接觸孔用的孔26a，得到的電容器也得到良好的結(jié)果。同樣，通過反應(yīng)性濺射蒸鍍鈦酸鍶，使其厚度約為0.6μm，作為電介質(zhì)26，在用有機(jī)氟化合物蒸氣代替第六工序中的氧氣，同樣能夠很好形成接觸孔26a，得到的電容器也得到良好的結(jié)果。
另外，在本實(shí)施形態(tài)的電容器中，說明的是電介質(zhì)26的孔26a的整個(gè)傾斜壁面相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度α為1度的情況，在這種情況下，能夠幾乎完全防止裂紋產(chǎn)生，能夠得到可靠性極高的電容器。但是不限于此，也可以在電介質(zhì)26的孔26a的傾斜壁面上，從孔26a的下端部至上端部，僅一部分設(shè)置相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度α在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分而構(gòu)成，在這種情況下，利用以前述緩慢變化的角度從下端部至上端部連續(xù)的部分，也能夠防止產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)5)下面說明本發(fā)明第五實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器。圖9所示為該電容器的剖視圖，圖10為該電容器的第一上部電極的傾斜下延部分及其附近部位的主要部分放大圖，圖11為該電容器的第二上部電極的傾斜下延部分及其附近部位的主要部分放大圖，圖12(a)至(f)及圖13(a)至(f)分別所示為該電容器的各制造工序的剖視圖。
如圖9所示，在該電容器30中，形成多層電介質(zhì)31及33和上部電極32及34(圖9中所示為2層的情況)。即在隔著間隙3形成了上部電極連接用的外部引出電極4及下部電極5的柔性基板2的上表面，隔著第一電介質(zhì)31形成第一上部電極32，在在該第一上部電極32上，隔著第二電介質(zhì)33形成第二上部電極34。另外，第一上部電極32通過向斜下方延伸的該傾斜下延部分32a及與該傾斜下延部分32a連接的連接部分32b，與外部引出電極4連接，第二上部電極34通過向斜下方延伸的該傾斜下延部分34a及與該傾斜下延部分34a連接的連接部分34b，與下部電極5連接。
而且，第一及第二電介質(zhì)31及33的與第一及第二上部電極32的傾斜下延部分32a及34a相對的端部壁面31a及33a這樣形成，使其從面對第一及第二上部電極32及34的下表面一側(cè)向面對外部引出電極4及下部電極5的上表面一側(cè)以下述的角度傾斜。這里，第一電介質(zhì)31的傾斜端部壁面31a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度α3為0.25度，另外第二電介質(zhì)33的傾斜端部壁面33a相對于下部電極5的上表面的傾斜角度α4約為2度。
另外，第一及第二上部電極32及4也沿第一及第二電介質(zhì)31及32傾斜向下洼，與外部引出電極4及上部電極5連接，第一及第二電介質(zhì)31及33和第一及第二上部電極32及34的上表面部分與柔性基板2及下部電極5和外部引出電極4的上表面部分近似平行形成。因而，如圖10所示，第一電介質(zhì)31的傾斜端部壁面31a的上端拐角向下方的傾斜角度α5、第一上部電極32的傾斜下延部分32a的上端拐角32c向下方的傾斜角度β3、第一電介質(zhì)31的傾斜端部壁面31a的下端拐角向上方的傾斜角度α3、以及第一上部電極32的傾斜下延部分32a的下端拐角32d向上方的傾斜角度β4分別形成為0.25度，另外如圖11所示，第二電介質(zhì)33的傾斜端部壁面33a的上端拐角向下方的傾斜角度α6、第二上部電極34的傾斜下延部分34a的上端拐角34c向下方的傾斜角度β5、第二電介質(zhì)33的傾斜端部壁面33a的下端拐角向上方的傾斜角度α4、以及第二上部電極34的傾斜下延部分34a的下端拐角34d向上方的傾斜角度β6分別形成為約2度。
根據(jù)該構(gòu)成，由于不僅第一上部電極32的下延部分32a上端及下端拐角32c及32d的角度為0.25度，形成極其緩慢變化的角度，而且第二上部電極34的下延部分34a上端及下端拐角34c及34d的角度也為約2度的及其緩慢變化的角度，因此在采用電容器30的薄型產(chǎn)品發(fā)生振動(dòng)等情況下，由外部作用較小的應(yīng)力(外力)時(shí)，或者因各構(gòu)成部分材料的溫度引起膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，也能夠減輕應(yīng)力向第一及第二上部電極32及34的拐角32c、32d、34c及34d集中，能夠防止在第一及第二上部電極32及34產(chǎn)生裂紋。
另外，在該實(shí)施形態(tài)中，還由于用絕緣體11填補(bǔ)下部電極5于外部引出電極4之間的間隙3，因此設(shè)置該間隙3的部位的第一及第二電介質(zhì)31及33或第一及第二上部電極32及34幾乎不產(chǎn)生拐角，結(jié)果在該部位沒有應(yīng)力集中，通過這樣也能夠防止在第一及第二上部電極32及34產(chǎn)生裂紋。
下面說明該電容器30的制造方法。另外，在下面的說明中，說明的是制造長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm的電容器30的情況。另外，說明的是在圖12中制造四個(gè)以上的電容器30后在分割成電容器30的情況。
第1工序(外部引出電極及下部電極形成工序)首先，如圖12(a)所示，在由厚為50μm的約10cm見方的聚酰亞胺片構(gòu)成的柔性基板2的兩面，形成厚為10μm的曲酮構(gòu)成的鍍層15及16。
然后，如圖12(b)所示，在兩面形成鍍層15及16的柔性基板2的兩面，利用光刻法形成光刻膠層17及18。在這種情況下，在上表面鍍層15一側(cè)，為了不使下部電極5與外部引出電極4電氣短路，它們之間的間隙(間隔槽)3最后應(yīng)該形成例如0.1mm，在除了與該間隙3對應(yīng)的部位以外的部分，形成光刻膠層17。另外，在下表面鍍層16一側(cè)，為了形成外部引出電極4及下部電極5的外部引出電極部分4a及5a，在除了與這些外部引出電極部分4a及5a對應(yīng)的部位以外的部分，形成光刻膠層18。然后，用氯化鐵溶液進(jìn)行化學(xué)腐蝕處理后，剝離光刻膠層17及18，通過水洗進(jìn)行清洗，然后干燥(參照圖12(c))。
第2工序(外部引出電極及下部電極形成工序(通孔形成工序))然后，如圖12(d)所示，形成通孔12。該通孔12在后述的將電容器1分割為單體的切斷預(yù)定線的部位形成，即與相鄰電容器30相互之間中心部分對應(yīng)的部位形成。然后，為了將電容器30分割為單體，對準(zhǔn)并形成作為通孔12的圓孔，圓孔大小達(dá)到切斷時(shí)不損壞柔性基板2的程度(例如直徑0.6mm)，然后除去通孔12圓周壁鍍層15及16的毛刺，在進(jìn)行清洗及干燥。作為通孔12的開孔方法，可以采用鉆孔、沖孔或激光等眾所周知的方法，作為除去前述毛刺的方法，可以采用化學(xué)腐蝕、電腐蝕、激光及研磨等方法。
第3工序(外部引出電極及下部電極形成工序)然后，如圖12(e)所示，對剩下的鍍銅層15及16和通孔部分12的內(nèi)表面利用鍍層方式進(jìn)行μm的鍍銅，在進(jìn)行4μm的鍍鎳及0.08μm的鍍金，然后進(jìn)行清洗及干燥。利用該鍍層部分13，使鍍層15與鍍層16上下連接，形成外部引出電極4及下部電極5。
第4工序(間隙填補(bǔ)工序)然后，如圖12(f)所示，對外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3利用絲網(wǎng)印刷法涂布聚酰胺酸溶液，加熱使其進(jìn)行凝聚反應(yīng)，完全變?yōu)榫埘啺?，將絕緣體11埋入間隙3。在不設(shè)置該絕緣體11的情況下，產(chǎn)生鍍層15的厚度大小即約10μm的臺(tái)階，而如前述那樣，通過設(shè)置絕緣體11，能夠?qū)⑴c鍍層15(外部引出電極4及下部電極5的上表面部分)的臺(tái)階抑制在1至3μm左右以內(nèi)。
第5工序(第一電介質(zhì)及傾斜面形成工序)然后，如圖13(a)所示，利用濺射方式，通過規(guī)定圖形的開口掩膜，淀積厚為300nm的鈦酸鍶，形成第一電介質(zhì)31。這時(shí)，第一電介質(zhì)31覆蓋下部電極5、絕緣體11及外部引出電極4的一部分形成，在外部引出電極4上存在的第一電介質(zhì)31的端部在濺射時(shí)形成為傾斜角度約0.25鍍的形狀。為了形成該傾斜角度，采用的方法有，將掩膜14(參照圖4)離開柔性基板2，或者使前述掩膜14的厚度為0.1mm以上，使厚度方向的開口口徑形成為基板側(cè)的開口口徑大于濺射粒子入射側(cè)的開口口徑，或者如圖4所示，將厚約0.1mm的掩膜14從電介質(zhì)6離開約10μm，利用步進(jìn)電動(dòng)機(jī)等電動(dòng)機(jī)或螺線管線圈等使其在約68μm大小的范圍內(nèi)移動(dòng)或振動(dòng)，或者利用對熱膨脹系數(shù)大的材料加熱而產(chǎn)生的尺寸變化，使其在微小尺寸范圍內(nèi)移動(dòng)等，利用這些方法能夠得到同樣的傾斜。
第6工序(第一上部電極形成工序)然后，如圖13(b)所示，同樣利用濺射方式，通過規(guī)定圖形的開口掩膜，淀積厚為100nm的鋁，在第一電介質(zhì)31及外部引出電極4上形成第一上部電極32。這時(shí)，第一上部電極32還在第一電介質(zhì)31的角度約0.25度的傾斜面上形成傾斜下延部分32a，利用與前述傾斜下延部分323a連接的連接部分32b與外部引出電極4連接。
第7工序(第二電介質(zhì)及傾斜面形成工序)然后，如圖13(c)所示，重復(fù)與上述第五工序相同的操作，在第一上部電極32上形成厚約300nm的第二電介質(zhì)33。這時(shí)，第二電介質(zhì)33的到達(dá)下部電極5及外部引出電極4上的部分的角度為約2度的傾斜角度。
第8工序(第二上部電極形成工序)然后，如圖13(d)所示，重復(fù)與上述第六工序相同的操作，在第二電介質(zhì)33上形成厚100nm的第二上部電極34。該第二上部電極34a與第一上部電極32不同，利用連接部分34a與下部電極5連接。
第9工序(電介質(zhì)及上部電極多層形成工序)然后，重復(fù)上述第五工序至第八工序，一直到電容器30的電容量達(dá)到規(guī)定值為止。這時(shí)，電介質(zhì)在外部引出電極4及下部電極5上的角度慢慢增加，但已知若最大傾斜角度超過約20度，則1％的電容器元件在10000次循環(huán)的充放電試驗(yàn)后引起斷線的不良情況，另外若超過25度，則5％的電容器元件引起斷線的不良情況，因此其構(gòu)成必須是使最大傾斜角度不超過約20度。所以，在進(jìn)行100層的層疊及電介質(zhì)厚度約為300nm時(shí)，可以知道各外部引出電極4及下部電極5上的傾斜角度必須抑制在0.2度以下。
第10工序(保護(hù)層形成工序)然后，如圖13(e)所示，包含第一上部電極32及第二電極34在內(nèi)，在最后的上部電極上利用濺射方式淀積厚1μm的二氧化硅，形成保護(hù)層8。
第11工序(切斷及外觀檢查工序)然后，如圖13(f)所示，將形成了保護(hù)層8等的柔性基板2在預(yù)定切斷的位置(以電容器1為單位的形狀)切斷，制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為10V、電容量為0.01μF、損耗角為0.008、絕緣電阻為10TΩ的電容器30。
(實(shí)施形態(tài)6)在上述實(shí)施形態(tài)5中，制造了多層電介質(zhì)及上部電極，但在本實(shí)施形態(tài)6中，是將上述實(shí)施形態(tài)5的第五工序至第八工序的重復(fù)過程實(shí)際上將電介質(zhì)31僅形成1層，將上部電極32僅形成1層，其它以相同的工序條件制造。通過這樣，制成了電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分31a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度約為0.25度、長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.008、絕緣電阻為100TΩ的電容器。
(實(shí)施形態(tài)7)在上述實(shí)施形態(tài)5中，說明的是掩膜14的移動(dòng)或振動(dòng)的范圍在約68μm大小的范圍內(nèi)移動(dòng)或振動(dòng)的情況，而在本實(shí)施形態(tài)7中，取掩膜14的移動(dòng)或振動(dòng)的范圍為約40μm大小，其它以相同的工序條件制造。通過這樣，制成了電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分32a現(xiàn)對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度約為0.43度、長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.008、絕緣電阻為100TΩ的電容器。
(實(shí)施形態(tài)8)在上述實(shí)施形態(tài)5及7中，是通過驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電動(dòng)機(jī)來使掩膜14移動(dòng)或振動(dòng)，但在本實(shí)施形態(tài)8中，是在上述實(shí)施此形態(tài)5的第五工序中，使步進(jìn)電動(dòng)機(jī)停止而加上掩膜的狀態(tài)下進(jìn)行濺射。通過這樣，制成了電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分32a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度約為7度、長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.008、絕緣電阻為100TΩ的電容器。
(實(shí)施形態(tài)9)在所述實(shí)施形態(tài)5至8中，是在形成電介質(zhì)31的工序中，將金屬掩膜14安裝在可利用步進(jìn)電動(dòng)機(jī)移動(dòng)的平臺(tái)上，而在該實(shí)施形態(tài)9中，在金屬掩膜14與電介質(zhì)31之間采用厚為2μm的聚苯硫醚薄膜作為隔膜，來代替上述方法，在隔著該隔膜使金屬掩膜14緊貼的狀態(tài)下，進(jìn)行濺射。通過這樣，制成了電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分32a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度約為20度、長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為20PF、損耗角為0.0006、絕緣電阻1000TΩ的電容器。
(比較例4)僅僅是上述實(shí)施形態(tài)5的電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分32a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度為25的這一點(diǎn)不同，其它則相同，制成了長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為0.01μF、損耗角為0.008、絕緣電阻為10TΩ的電容器。
(比較例5)僅僅是上述實(shí)施形態(tài)5的電介質(zhì)31及上部電極32的傾斜壁面及傾斜下延部分32a相對于外部引出電極4的上表面的傾斜角度為80度這一點(diǎn)不同，其它則相同，制成了長2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為0.01μF、損耗角為0.008、絕緣電阻為10TΩ的電容器。
(比較結(jié)果)分別將本發(fā)明實(shí)施形態(tài)5至9有關(guān)的實(shí)施例5至9的電容器及比較例4、5的電容器各100個(gè)置于溫度為-55℃與125℃之間，進(jìn)行急熱及急冷的熱循環(huán)試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，電容器的電容量下降率超過10％的比例如下表3所示。
表3根據(jù)熱循環(huán)試驗(yàn)，輸出特性誤差超過10％的比例

另外，作為別的性能試驗(yàn)，是分別將實(shí)施例4至9的電容器及比較例4、5的電容器各100個(gè)，在16V的試驗(yàn)電壓下，取串連電阻為0.1Ω進(jìn)行充放電。在該試驗(yàn)中，表示上部電極7切斷1層的電容量的電容器相對于充放電試驗(yàn)次數(shù)的比例如下表2所所及。
表4表示充放電試驗(yàn)次數(shù)與上部電極切斷1層的電容量的比例

根據(jù)表3及表4所示的試驗(yàn)結(jié)果可知，上部電極32及34的拐角32c、32d、34c及34d的傾斜角度分別與熱循環(huán)試驗(yàn)中的電氣連接性及充放電試驗(yàn)的電氣連接性即耐電流性有關(guān)。該上部電極32及34切斷現(xiàn)象的機(jī)理可以認(rèn)為是由于上部電極32及34和前述電介質(zhì)31及33的層疊數(shù)增加，引起掩膜位置產(chǎn)生偏移現(xiàn)象，同時(shí)上表面?zhèn)让恳粚拥陌纪汞B加變得很大，特別是在該側(cè)面部分(拐角)的傾斜角為20度以上的結(jié)構(gòu)中，若部分來看，由于最上層的上部電極34或電介質(zhì)33的側(cè)面部分傾斜角成為90度，因此上部電極34的形成不完全。特別是進(jìn)行多層層疊時(shí)，考慮到由于上層的上部電極的傾斜面角度增大，因此構(gòu)成蒸鍍電極的柱狀晶體相鄰位置偏移，特別是電介質(zhì)33的傾斜開始或結(jié)束位置偏移而產(chǎn)生凹凸，由于該凹凸作用，傾斜角急劇變化，看起來傾斜增大的概率增加，因低溫及高溫引起重復(fù)收縮及膨脹而產(chǎn)生的應(yīng)力，導(dǎo)致應(yīng)力容易集中，上部電極34的拐角34c及34d斷裂，或者因瞬時(shí)的大電流引起移動(dòng)而斷裂。因而，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，能夠得到上部電極34穩(wěn)定的耐電流性及優(yōu)異特性的電容器。
另外，作為保護(hù)層8，若在二氧化硅膜下形成將苯乙烯與丁二乙烯按重量比1比1配合并用有機(jī)過氧化物進(jìn)行共聚的厚20μm的薄膜，也能夠得到同樣優(yōu)異的特性。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)有關(guān)的實(shí)施例5至9的電容器中，說明的是各電介質(zhì)31及33的傾斜壁面相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度全部在0.1度至20度的范圍內(nèi)的情況，在這種情況下，沿各電介質(zhì)31及33的傾斜壁面的上部電極32及34的整個(gè)傾斜下延部分32a及34a相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度也近似相等，能夠得到可幾乎完全防止裂紋產(chǎn)生的可靠性極高的電容器。但是不限于此，也可以在各電介質(zhì)31及33的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，僅一部分設(shè)置相對于外部引出電極4的上表面4b的傾斜角度α在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分而構(gòu)成，在這種情況下，利用以前述緩慢變化的角度從下端部至上端部連續(xù)的部分，也能夠防止產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，如實(shí)施形態(tài)1及5所述，通過對外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3埋入絕緣體11，能夠抑制該部位形成的臺(tái)階，消除引起應(yīng)力集中的拐角本身，或者使拐角的傾斜角度緩慢變化而構(gòu)成，即使在產(chǎn)生很小的前述臺(tái)階情況下，在填補(bǔ)外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3的絕緣體11上形成部位的各電介質(zhì)及上部電極的拐角傾斜角度若是在-20度至+20度的范圍內(nèi)，則如上所述，也能夠得到上部電極穩(wěn)定的耐電流性及優(yōu)異特性的電容器。
另外，在這種情況下，面對填補(bǔ)外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3的絕緣體11上形成的部位的各電介質(zhì)及上部電極的全部拐角傾斜角度若是在-20度至+20度范圍內(nèi)，則是最理想的，但是不限于此，也可以是面對填補(bǔ)外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3的絕緣體11上形成部位的各電介質(zhì)及上部電極的拐角一部分向下方傾斜的角度γ如圖14所示，是在0度至20度的范圍內(nèi)，或者如圖15所示，是在0度至-20度的范圍內(nèi)(即絕緣體稍微鼓起填補(bǔ))，只要以該-20度至+20度范圍內(nèi)的角度從傾斜面的下端部至上端部連續(xù)即可(在有，即使在形成從鼓起部分向下方傾斜的形狀等有多個(gè)凹凸的情況下，也只要所有部分以-20度至+20度范圍內(nèi)的角度連續(xù)即可)，即使在這種情況下，由于在與該部位對應(yīng)的第一及第二上部電極32及34的部分設(shè)置緩慢變化傾斜部分，因此能夠防止在該部位產(chǎn)生裂紋，能夠保持導(dǎo)電狀態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)10)作為上述實(shí)施形態(tài)5的第一及第二電介質(zhì)31及33，采用厚0.3μm的對二乙烯基苯的單體蒸氣照射10KeV的電子束而得到的聚合物，制成了外部引出電極4上的傾斜角度約為0.25度、長為2.0mm、寬為1.2mm、厚約為0.1mm、額定電壓為16V、電容量為0.001μF、損耗角為0.001、絕緣電阻10TΩ的電容器。充放電試驗(yàn)結(jié)果得到與實(shí)施形態(tài)5的實(shí)施例5有關(guān)的電容器相同的良好結(jié)果。
另外，作為單體蒸氣采用而乙烯基聯(lián)苯或二乙烯基萘，代替二乙烯基苯，也同樣得到良好的結(jié)果。
在有，作為柔性基板2的材料，采用將芳香族系二酸無水物或芳香族系二胺組合的聚酰亞胺，也同樣得到良好的結(jié)果。
(實(shí)施形態(tài)11)在上述實(shí)施形態(tài)中，說明的都是利用絕緣體11填補(bǔ)外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3的情況，但在本實(shí)施形態(tài)中，如圖16所示，對間隙3不填補(bǔ)絕緣體11，而對間隙3的外部引出電極4及下部電極5的各端面4c及5c形成相對于柔性基板2的上表面以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的形狀，使該間隙尺寸越向上方越大。
根據(jù)該構(gòu)成，與該間隙3對應(yīng)部位的電介質(zhì)31及33和上部電極32及34雖有一些下凹，但在這種情況下，與其對應(yīng)的上部電極32及34的傾斜面32f及34f也以近似0.1度至20度的極其緩慢變化的傾斜角度傾斜。因而，根據(jù)該構(gòu)成，也能夠防止在與該部位對應(yīng)的上部電極32及34的部分產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，也可以不一定在面對間隙3的外部引出電極4及下部電極5的各端面4c及5c的全部區(qū)域中，形成相對于柔性基板2的上表面以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的形狀，使該間隙尺寸越向上方越大，只要在面對間隙3的外部引出電極4及下部電極5的各端面4c及5c的一部分區(qū)域中，相對于柔性基板2的上表面以0.1度至20度的傾斜角度傾斜，形成該緩慢變化傾斜面，使得從各端面4c及5c的下端部至上端部存在連續(xù)的部分即可。即在這種情況下，由于在與該部位對應(yīng)的上部電極32及34的部分設(shè)置緩慢變化傾斜部分，因此能夠防止在該部位產(chǎn)生裂紋，能夠保持導(dǎo)電狀態(tài)。
(實(shí)施形態(tài)12)在本實(shí)施形態(tài)中，面對間隙3的外部引出電極4及下部電極5的各端面4d及5d相對于柔性基板2的上表面形成近似垂直的形狀，但如圖17所示，在面對間隙3的外部引出電極4的端面部分4d及下部電極5的端面部分5d與柔性基板2的前述兩端面部分4d及5d附近部分的兩個(gè)拐角部分分別埋入絕緣體41及42，使其壁面傾斜。而且，該絕緣體41及42形成的傾斜面41a及42a相對于柔性基板2的上表面的向下方構(gòu)成的傾斜角度在20度以內(nèi)。
根據(jù)該構(gòu)成，利用絕緣體41及42的傾斜面41a及42a，則位于該間隙3上方的上部電極32及34的傾斜面32f及34f變成以20度以內(nèi)的極其緩慢變化的傾斜角度傾斜。因而，在這種情況下，能夠防止在與該部位對應(yīng)的上部電極32及34的傾斜面32f及34f的兩端拐角產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，在這種情況下，也沒有必要在設(shè)置絕緣體41及42地傾斜面41a及42a的所有部位，相對于柔性基板2的上表面構(gòu)成的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，只要絕緣體41及42上形成僅僅一部分是前述角度范圍，而且從下端部至上端部以緩慢變化傾斜角度連續(xù)的傾斜面即可。另外，如圖18所示，即使絕緣體41及42的一部分與形成鼓起形狀也沒有關(guān)系，只要鼓起的傾斜部分41b及42b的傾斜角度及接下來向下方傾斜的傾斜部分41c及42c的傾斜角度相對于柔性基板2的上表面在20度以內(nèi)即可。
(實(shí)施形態(tài)13)另外，在上述實(shí)施形態(tài)中，說明的都是下部電極具有外部引出電極的功能的情況，但是不限于此，在與下部電極5另外設(shè)置下部電極連接用的外部引出電極51時(shí)，當(dāng)然也可以適用。但是，在這種情況下，也如以往技術(shù)所述(參照圖25及圖28)，由于連接下部電極112的外部引出電極111的端面111a一般相對于柔性基板101形成近似垂直的角度，因此若簡單地沿外部引出電極111的端面111a形成下部電極112，則在面對外部引出電極111的端面111a的部位形成的下部電極112的拐角112a及112b，也形成為以接近近似直角的角度彎曲的形狀，在該彎曲部分容易產(chǎn)生應(yīng)力集中。
為了解決這種情況，在本實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器中，如圖19所示，I在柔性基板2上面對下部電極連接用的外部引出電極51端面部分的拐角部分，埋入具有傾斜面52a的絕緣體52，絕緣體52的傾斜面52a形成使其相對于柔性基板2為0.1度至20度的傾斜角度(這里，在圖19中，所示例子為上部電極7為1層的情況)。
根據(jù)該構(gòu)成，在形成下部電極5使其從上方覆蓋下部電極連接用的外部引出電極51及絕緣體25時(shí)，位于下部電極5的絕緣體52附近的2個(gè)部位拐角5e及5f的傾斜角度(關(guān)于上部拐角5e，是相對于下部電極5的覆蓋外部引出電極51的部位的上表面向下方的傾斜角度，而關(guān)于下部拐角5f，是相對于柔性基板2的上表面向上方的傾斜角度)，由于成為與絕緣體52的傾斜角度即0.1度至20度近似相同的極其緩慢變化的傾斜角度，因此在使用電容器的薄型產(chǎn)品產(chǎn)生振動(dòng)等，從外部有比較小的應(yīng)力(外力)作用時(shí)，即使因各構(gòu)成部分材料的溫度引起膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力的情況下，也能夠減輕應(yīng)力向前述拐角5e及5f集中，不產(chǎn)生裂紋。
另外，在這種情況下，也沒有必要在埋入絕緣體52的所有部位，絕緣體52形成的傾斜面52a相對于柔性基板2的上表面構(gòu)成的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，只要在傾斜面52a的一部分形成從該傾斜面52a的下端部至上端部在前述角度范圍內(nèi)連續(xù)的部分即可。
另外，與圖18所示的情況相同，即使絕緣體52的一部分形成鼓起形狀也沒有關(guān)系，只要鼓起的傾斜部分及接下來向下方傾斜的傾斜部分的傾斜角度在上述角度范圍內(nèi)，即絕緣體52相對于下部電極5的覆蓋外部引出電極51的部位的上表面向下方的傾斜角度在±20度的傾斜角度范圍內(nèi)即可。
在有，也可以如圖20所示，為了代替設(shè)置絕緣體52，使該部位的外部引出電極51的端部形成傾斜，該端部傾斜面51a相對于柔性基板2的上表面構(gòu)成的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)。在這種情況下，也沒有必要在外部引出電極51的端部傾斜面51a的所有部位，相對于柔性基板2的上表面構(gòu)成的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，只要外部引出電極51形成僅僅一部分是前述角度范圍、從下端部至上端部以緩慢變化的傾斜角度連續(xù)的端部傾斜面51a即可。
(實(shí)施形態(tài)14)在本實(shí)施形態(tài)中，如圖21及圖22所示，所示的是上部電極連接用的外部引出電極4與下部電極5之間的間隙3是較大的情況(這里，所示例子為上部電極是1層情況)。
但是，在這樣的實(shí)施形態(tài)中，也與上述實(shí)施形態(tài)11所述的情況相同，如圖21所示，將面對間隙3的外部引出電極4及下部電極5的各端面4c及5c，其至少一部分形成相對于柔性基板2的上表面以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的形狀，使該間隙尺寸越是上方越大，或者如圖22所示，與上述實(shí)施形態(tài)12所述的情況相同，在面對間隙3的外部引出電極4的端面部分4d及下部電極5的端面部分5d與柔性基板2的前述兩端面部分4d及5d附近部分的兩個(gè)拐角部分分別埋入絕緣體41及42，使其壁面傾斜，至少一部分該絕緣體41及42形成的傾斜面41a及42a相對于柔性基板2的上表面構(gòu)成的傾斜角度在±20度的范圍內(nèi)。
通過這樣，在這種情況下，由于上部電極7的與外部引出電極4的端部對應(yīng)的部位的傾斜面及上部電極7的與下部電極5的端部對應(yīng)的部位的傾斜面以近似0.1度至20度的極其緩慢變化的傾斜角度傾斜，因此能夠防止在與該部位對應(yīng)的上部電極7的部分產(chǎn)生裂紋，能夠良好地保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，將上部電極7與外部引出電極4連接部位的結(jié)構(gòu)，如圖21所示，也與實(shí)施形態(tài)1所述的情況相同，外部引出電極4與上部電極7的連接部分附近部位的電介質(zhì)6形成的孔的傾斜面角度形成在0.1度至20度的范圍內(nèi)，或者如圖22所示，電介質(zhì)6的傾斜端部壁面形成的角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，通過這樣上部電極7的連接部分附近部位的各部分，能夠形成緩慢變化的傾斜角度，在這些情況下，也可以至少一部分是連續(xù)的緩慢變化的傾斜面即可。
即在這種情況下，由于在與該部位對應(yīng)的上部電極7的部分設(shè)置緩慢變化的傾斜部分，因此也能夠防止在該部位產(chǎn)生裂紋，能夠保持導(dǎo)電狀態(tài)。
另外，在上述實(shí)施形態(tài)1至4中，說明的是貼緊形成薄膜狀的電介質(zhì)的情況6，在上述實(shí)施形態(tài)5至10中，說明的是蒸鍍形成電介質(zhì)31及33的情況，但是不限于此，當(dāng)然在上述實(shí)施形態(tài)1至4中也可以蒸鍍形成電介質(zhì)，而在上述實(shí)施形態(tài)5至10中也可以貼緊形成薄膜狀的電介質(zhì)。
在有，在上述實(shí)施形態(tài)有關(guān)的電容器中，也可以對上部電極進(jìn)行激光微調(diào)，在保護(hù)層上在形成厚的覆蓋層，或者在其面上以鎳或銅與鎳的雙層結(jié)構(gòu)覆蓋。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠容易實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽，若將該覆蓋與某一電極電氣連接，則成為貫通電容器的結(jié)構(gòu)，能夠形成低噪聲元器件，或者形成難以受噪聲影響的元器件，能夠得到優(yōu)異的形成及特性穩(wěn)定性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在采用柔性基板的電容器中，為了將上部電極與外部引出電極連接，在電介質(zhì)設(shè)置連接孔，使該孔對于外部引出電極的上表面形成的傾斜角度以0.1度至20度從下端部至上端部至少一部分連續(xù)，通過這樣，上部電極沿電介質(zhì)的孔傾斜的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及上部電極沿電介質(zhì)的孔傾斜的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度分別成為0.1度至20度，結(jié)果大幅度減輕對上部電極的前述拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋。通過這樣，采用柔性基板，就能夠?qū)⒃撾娙萜饔糜跇O薄的產(chǎn)品，同時(shí)以往不能承受應(yīng)力的片狀電容器，能夠承受大的機(jī)械及電氣應(yīng)力，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，將電介質(zhì)的位于外部引出電極的上方端部壁面形成為從面對上部電極的下表面一側(cè)向面對前述外部引出電極的上表面一側(cè)傾斜，電介質(zhì)的傾斜端部壁面相對于前述外部引出電極的上表面形成的傾斜角度成為0.1度至20度，通過這樣，上部電極于外部引出電極連接的部位附近的拐角角度也成為接近0.1度至20度的緩慢變化的角度，結(jié)果能夠減輕對上部電極拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，將緊靠上部電極下方的電介質(zhì)面對下延部分的端部壁面形成為從面對該上部電極的下表面一側(cè)向面對外部引出的那幾或下部電極的上表面一側(cè)傾斜，所有的電介質(zhì)傾斜端部壁面相對于前述外部引出電極或下部電極的上表面形成的傾斜角度為0.1度至20度，通過這樣，上部電極與外部引出電極連接的部位附近的拐角角度也成為接近0.1度至20度的緩慢變化的角度，結(jié)果能夠減輕對上部電極拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，用絕緣體填補(bǔ)外部引出電極與下部電極之間的間隙，通過這樣，在該間隙部位的的電介質(zhì)及上部電極不產(chǎn)生拐角，或者拐角的傾斜角度變成緩慢變化，結(jié)果能夠消除或減輕對拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，將面對上部電極連接用的外部引出電極與下部電極之間的間隙的前述外部引出電極及下部電極的各端面形成為相對于柔性基板的上表面以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的形狀，使得該間隙尺寸越是上方越大，并沿著這些外部引出電極及下部電極的傾斜端面形成電介質(zhì)及上部電極，通過這樣，該間隙部位的電介質(zhì)及上部電極拐角的傾斜角度成為緩慢變化，結(jié)果能夠減輕對拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，在面對上部電極連接用的外部引出電極與下部電極之間的間隙的前述外部引出電極的端面部分及前述下部電極的端面部分和柔性基板的前述兩端面部分附近部分的兩個(gè)角落部分分別埋入絕緣體，配置該絕緣體，使其端面相對于柔性基板以0.1度至20度的傾斜角度傾斜，通過這樣，該間部位的電介質(zhì)及上部電極拐角的傾斜角度成為緩慢變化，結(jié)果能夠減輕對拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，在采用柔性基板的電容器中，在柔性基板上面對前述下部電極連接用的外部引出電極端面部分的角落部分埋入絕緣體，該絕緣體上形成相對于柔性基板為0.1度至20度的傾斜角度的傾斜面，通過這樣，該間隙的下部電極拐角的傾斜角度成為緩慢變化，結(jié)果能夠減輕對拐角的應(yīng)力集中，在下部電極不產(chǎn)生裂紋，得到良好的可靠性。
另外，根據(jù)這些構(gòu)成由于在所有部分的臺(tái)階都很小，全部成為緩慢變化，因此保護(hù)層也很難有傷痕，所以耐濕性也穩(wěn)定，在有元器件的吸濕量也更小，而且穩(wěn)定，微調(diào)后的穩(wěn)定性也高，能夠提供穩(wěn)定性非常高的元器件。
權(quán)利要求
1.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對配置的上部電極，在所述電介質(zhì)中形成從面對所述上部電極的下表面一側(cè)起向面對所述外部引出電極的上表面一側(cè)傾斜并貫通的孔，在所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，所述上部電極沿所述電介質(zhì)孔的傾斜壁面傾斜且下凹形成，與所述外部引出電極的的上表面連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，在電介質(zhì)孔的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電容器，其特征在于，電介質(zhì)孔是從面對上部電極的一側(cè)向面對外部引出電極的一側(cè)以倒圓錐形狀或倒角錐形狀貫通的形狀。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，在上部電極形成沿電介質(zhì)孔的傾斜壁面傾斜的傾斜面，在該上部電極的傾斜面上，從該傾斜面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
5.如權(quán)利要求4所述的電容器，其特征在于，在上部電極的傾斜面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
6.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；在所述電介質(zhì)的與所述外部引出電極對應(yīng)的位置是貫通形成使其壁面的至少一部分傾斜的孔、并且這時(shí)從所述傾斜壁面的下端部至上端部至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分的孔形成工序；以及在包含所述孔的所述電介質(zhì)上形成上部電極并使該上部電極與所述外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
7.如權(quán)利要求6所述的電容器制造方法，其特征在于，在孔形成工序中，在使掩膜距離電介質(zhì)隔開規(guī)定間隔的狀態(tài)下，通過掩膜的孔使等離子流透過，通過這樣在電介質(zhì)中形成孔。
8.如權(quán)利要求6或7所述的電容器制造方法，其特征在于，在孔形成工序中，在掩膜與電介質(zhì)之間隔著隔膜。
9.如權(quán)利要求7所述的電容器制造方法，其特征在于，在孔形成工序中，一面使掩膜移動(dòng)，一面通過掩膜的孔使等離子流透過，通過這樣在電介質(zhì)中形成孔。
10.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及所述西部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對配置的上部電極，所述電介質(zhì)的位于所述外部引出電極上方的壁面的至少一部分形成為從面對上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在所述電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，所述上部電極沿所述電介質(zhì)的傾斜壁面傾斜形成，其下端部與所述外部引出電極的上表面連接。
11.如權(quán)利要求10所述的電容器，其特征在于，在電介質(zhì)的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電容器，其特征在于，在上部電極形成沿電介質(zhì)的傾斜壁面傾斜的傾斜面，在該上部電極的傾斜面上，從該傾斜面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
13.如權(quán)利要求12所述的電容器，其特征在于，在上部電極的傾斜面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度極其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
14.一種電容器制造方法，其特征在于，具有在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；在所述電介質(zhì)的與所述外部引出電極對應(yīng)的位置形成親寫壁面、并且這時(shí)從該傾斜壁面的下端部至上端部至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分的傾斜壁面形成工序；以及在包含所述傾斜壁面的所述電介質(zhì)上形成上部電極并使該上部電極與所述外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
15.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、以及在所述下部電極的上方位置不別隔著電介質(zhì)形成多層并通過向外部引出電極或下部電極一側(cè)延伸的傾斜下延部分及連接部分與外部引出電極或下部電極連接的多個(gè)上部電極，各上部電極直接下方的電介質(zhì)的面對傾斜下延部分的壁面形成為從面對該上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極或下部電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在全部電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾傾壁面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度~20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
16.如權(quán)利要求15所述的電容器，其特征在于，在各電介質(zhì)的傾斜壁面上設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
17.如權(quán)利要求15或16所述的電容器，其特征在于，在各上部電極的傾斜下延部分，從該傾斜下延部分的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分。
18.如權(quán)利要求17所述的電容器，其特征在于，在各上部電極的傾斜下延部分設(shè)置其上端拐角向下方的傾斜角度及其下端拐角向上方的傾斜角度分別為0.1度至20度的部分。
19.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；以及在所述下部電極的上方位置分別隔著電介質(zhì)形成多層上部電極、并且將各上部電極通過向外部引出電極或下部電極一側(cè)延伸的傾斜下延部分及連接部分與外部引出電極或下部電極連接的電介質(zhì)及上部電極形成工序，在所述電介質(zhì)及上部電極形成工序中，各上部電極直接下方的電介質(zhì)的面對傾斜下延部的壁面從面對該上部電極的下表面一側(cè)向面對所述外部引出電極或下部電極的上表面一側(cè)向下方傾斜，在全部電介質(zhì)的傾斜壁面上，從該傾斜壁面的下端部至上端端，至少一部分設(shè)置相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，這樣形成所述電介質(zhì)的傾斜壁面。
20.如權(quán)利要求14或19所述的電容器制造方法，其特征在于，在形成電介質(zhì)傾斜壁面的工序中，在使掩膜距離電介質(zhì)隔開規(guī)定間隔的狀態(tài)下進(jìn)行濺射。
21.如權(quán)利要求20所述的電容器制造方法，其特征在于，在形成電介質(zhì)傾斜端部壁面的工序中，在掩膜與電介質(zhì)之間隔著隔膜。
22.如權(quán)利要求20所述的電容器制造方法，其特征在于，在形成電介質(zhì)傾斜端部壁面的工序中，一面使掩膜移動(dòng)，一面進(jìn)行濺射。
23.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極、以及填補(bǔ)所述外部引出電極與下部電極之間的所述間隙的絕緣體，形成所述電介質(zhì)，使其也覆蓋所述絕緣體。
24.如權(quán)利要求23所述的電容器，其特征在于，在填補(bǔ)外部引出電極與下部電極之間的間隙的絕緣體上形成的部位的、分別與外部引出電極的上表面及下部電極的上表面連接的部位的至少一部分傾斜角度為±20度的范圍內(nèi)。
25.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；利用絕緣體填補(bǔ)所述外部引出電極與下部電極之間的所述間隙的間隙填補(bǔ)工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在電介質(zhì)的上表面形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
26.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，面對所述外部引出電極與下部電極的所述間隙的各端面形成為相對于所述外部引出電極的上表面傾斜的形狀，在所述外部引出電極的傾斜端面及所述下部電極的傾斜端面上，從這些傾斜端面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，延這些外部引出電極及下部電極的傾斜端面形成電介質(zhì)及上部電極。
27.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及所述下部電極的上表面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在電介質(zhì)上形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序，在所述外部引出電極及下部電極形成工序中，將面對所述間隙的所述外部引出電極及下部電極的各端面這樣形成，使其形成為相對于柔性基板的上表面傾斜的形狀，同時(shí)這時(shí)在所述外部引出電極的傾斜端面及所述下部電極的傾斜端面上，從這些傾斜端面的下端部至上端部，至少一部分設(shè)置相對于柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)連續(xù)的部分，沿所述外部引出電極及下部電極的各傾斜端面形成所述電介質(zhì)及上部電極。
28.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的上部電極連接用的外部引出電極及下部電極，在面對所述間隙的所述外部引出電極的端面部分及前述下部電極的端面部分和柔性基板的所述兩端面部分附近部位的兩個(gè)角落部分分別填入使其壁面傾斜的絕緣體、橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的傾斜面形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并所述外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，所述絕緣體至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)，而且相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分。
29.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成上部的電極連接用的外部引出電極及下部電極使其相互具有間隙并成為非導(dǎo)通狀態(tài)的外部引出電極及下部電極形成工序；在面對所述間隙的所述外部引出電極的端面部分及所述下部電極的端面部分和柔性基板的所述兩端面部分附近部位的兩個(gè)角落分別填入使其壁面傾斜的絕緣體，同時(shí)這時(shí)至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)而且相對于所述外部引出電極及下部電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分這樣來形成的絕緣體填入工序；橫跨所述外部引出電極的上表面及下部電極的上表面及絕緣體的傾斜面形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及在所述電介質(zhì)上形成上部電極同時(shí)使上部電極與外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
30.一種電容器，其特征在于，包括柔性基板、在所述柔性基板上形成的下部電極連接用的外部引出電極、在所述柔性基板上形成的上部電極連接用的外部引出電極、填入所述柔性基板上面對所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分的角落部分的絕緣體、橫跨所述下部電極連接用的外部引出電極的端面部分附近部位及所述絕緣體的傾斜面及柔性基板的外部露出面形成的下部電極、在所述下部電極上形成的電介質(zhì)、以及夾住所述電介質(zhì)與所述下部電極相對并與所述上部電極連接用的外部引出電極導(dǎo)通而設(shè)置的上部電極，所述絕緣體至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板的上表面的傾斜角度在0.1度至20的范圍內(nèi)而且相對于所述下部電極連接用的外部引出電極的上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從該傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分。
31.一種電容器制造方法，其特征在于，包括在柔性基板上形成下部電極連接用的外部引出電極的下部電極連接用外部引出電極形成工序；在所述柔性基板上形成上部電極連接用的外部引出電極的上部電極連接用外部引出電極形成工序；在下部電極連接用的外部引出電極的端面部分及柔性基板的所述端面部分附近部位的角落部分形成端面相對于柔性基板以0.1度至20度的傾斜角度傾斜的絕緣體的絕緣體形成工序；在所述柔性基板的面對所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分的角落部分填入絕緣體、同時(shí)這時(shí)至少一部分設(shè)置相對于所述柔性基板上表面的傾斜角度在0.1度至20度的范圍內(nèi)而且相對于所述下部電極連接用的外部引出電極上表面的傾斜角度為±20度范圍內(nèi)的、從其傾斜面的下端部至上端部連續(xù)的部分這樣形成絕緣體的絕緣體形成工序；橫跨所述下部電極連接用的外部引出電極端面部分附近部位及所述絕緣體的傾斜面及柔性基板的外部露出面形成下部電極的下部電極形成工序；在下部電極上形成電介質(zhì)的電介質(zhì)形成工序；以及夾住電介質(zhì)與下部電極相對而設(shè)置上部電極并使其與所述上部電極連接用的外部引出電極導(dǎo)通的上部電極形成工序。
32.如權(quán)利要求23、24、28及30任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，絕緣體是樹脂。
33.如權(quán)利要求1至5、11至15、21、22、24、26、28及29任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，電介質(zhì)由聚苯硫醚、二氧化硅、二乙烯基苯聚合物、鈦酸鍶、間規(guī)聚苯乙烯、環(huán)烯烴共聚物薄膜、聚苯醚、聚苯并環(huán)丁烯聚合物、二乙烯基萘聚合物、二乙烯基聯(lián)苯聚合物、氧化鋁、聚醚酮醚樹脂的任一種或多種混合物形成。
34.如權(quán)利要求1至5、10至13、15至18、23、24、26、28、30及32任一項(xiàng)所述的電容器，其特征在于，柔性基板是樹脂制薄膜。
35.如權(quán)利要求6至9、14、19至22、25、27、29及31任一項(xiàng)所述的電容器制造方法，其特征在于，在電介質(zhì)形成工序中，將薄膜狀的電介質(zhì)緊貼形成。
36.如權(quán)利要求6至9、14、19至22、25、27、29及31任一項(xiàng)所述的電容器制造方法，其特征在于，在電介質(zhì)形成工序中，將電介質(zhì)蒸鍍形成。
37.如權(quán)利要求8或21所述的電容器制造方法，其特征在于，隔膜由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯的任一種或它們的混合物形成。
全文摘要
在采用柔性基板2的電容器1中，為了將上部電極7與外部引出電極4連接，在電介質(zhì)6設(shè)置連接孔，使該孔相對于外部引出的電極4的上表面形成的傾斜角度以0.1度至20度從下端部至上端部至少一部分連續(xù)，通過這樣，上部電極7沿電介質(zhì)6的孔6a傾斜的傾斜壁面上端拐角向下方的傾斜角度及上部電極7沿電介質(zhì)6的孔傾斜的傾斜壁面下端拐角向上方的傾斜角度分別成為0.1度至20度，結(jié)果大幅度減輕對上部電極7的前述拐角的應(yīng)力集中，在上部電極不產(chǎn)生裂紋。
文檔編號H01L25/065GK1465077SQ02802239
公開日2003年12月31日 申請日期2002年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月31日
發(fā)明者渡邊久芳, 今中崇, 內(nèi)田徹, 仙石修, 糸井真介, 西原宗和, 東田隆亮, 末次大輔, 山本憲一, 勝部淳, 久村博隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社