專利名稱：取代的芴聚合物,其制備方法和在光學(xué)設(shè)備中的用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于光學(xué)設(shè)備、特別是有機電致發(fā)光設(shè)備的材料，以及它們物理性能的控制。
背景技術(shù)：
一類光電設(shè)備是使用有機材料的設(shè)備，其中的有機材料是用于光的發(fā)射或檢測。這種設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)是發(fā)光有機層，例如聚(對-亞苯基亞乙烯基)(″PPV″)或聚芴，夾在用于向有機層注入負電荷載體(電子)的陰極和用于向有機層注入正電荷載體(空穴)的陽極之間。電子和空穴在有機層中合并，產(chǎn)生光子。在WO 90/13148中，有機發(fā)光材料是聚合物。在US 4,539,507中，有機發(fā)光材料是一類已知的小分子材料，如(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)。在實際的設(shè)備中，電極之一是透明的，以便允許光從設(shè)備中發(fā)出。


圖1舉例說明了典型有機發(fā)光設(shè)備(“OLED”)的橫截面結(jié)構(gòu)。OLED一般是在玻璃或塑料基片1上制成的，所說的玻璃或塑料基片1涂敷有透明的第一電極4，如銦-錫-氧化物(“ITO”)。在第一電極上，覆蓋有一層至少一種電致發(fā)光有機材料3的薄層。最后，陰極2覆蓋了電致發(fā)光有機材料層。陰極一般是金屬或合金的，并且可以含有單層，如鋁層，或者諸如鈣和鋁的多層?？梢韵蛟O(shè)備添加其它層，以便例如改進電荷從電極向電致發(fā)光材料的注入。例如，可以在陽極4和電致發(fā)光材料3之間設(shè)置空穴注入層，如聚(乙烯二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT-PSS)或聚苯胺。當(dāng)從電源中在電極之間施加電壓時，電極之一起作用并且另一個起陽極作用。
對有機半導(dǎo)體而言，重要的特征是結(jié)合能，結(jié)合能是根據(jù)電子能級的真空水平來測定的，特別是“最高占據(jù)分子軌道”(HOMO)和“最低未占分子軌道”(LUMO)水平。這些可以從光電子發(fā)射的測定、特別是對氧化和還原的電化學(xué)潛勢的測定來估測。在此領(lǐng)域，公知的是這種能量受許多因素影響，如接近界面的局部環(huán)境，并且從中測定曲線上的點(峰)。因此，使用這些值是指示性的而不是定量性的。
聚合物OLEDs領(lǐng)域中的焦點是全色顯示器的開發(fā)，為此需要紅光、綠光和藍光發(fā)射型的材料。對商業(yè)應(yīng)用而言，人們期望OLED具有數(shù)千小時的使用期限(“使用期限”是指當(dāng)在DC驅(qū)動下室溫操作時，OLED的亮度從100cd/m2降到50cd/m2的時間)。用與開發(fā)相關(guān)的現(xiàn)有聚合物OLED顯示器的一個缺陷是，迄今為止的藍光發(fā)射型材料的使用期限相對較短。發(fā)光材料的使用期限可以通過OLED體系結(jié)構(gòu)的最優(yōu)化來延長；例如，紅光、綠光和藍光材料的使用期限可以依賴于所用的陰極。然而，固有地穩(wěn)定的聚合物(特別是藍光發(fā)射型電致發(fā)光聚合物)，即，在各種OLED體系結(jié)構(gòu)中都能具有高度使用期限的聚合物，顯然是人們所期望的。
WO 00/55927公開了一種下式(a)的聚合物 其中w+x+y＝1，w＜0.5，0≤x+y≤0.5并且n＜2。這個應(yīng)用沒有公開含有二苯基芴重復(fù)單元的聚合物。
WO 00/22026公開了下式(b)的聚合物
其中X是97或99并且Y是3或1。這種聚合物據(jù)公開用于在電致發(fā)光設(shè)備中使用。
其它含有二苯基芴重復(fù)單元的電致發(fā)光聚合物的公開文獻包括EP1088875，其公開了以9-4-金剛烷基苯基-10-苯基蒽和2-金剛烷基芴重復(fù)單元為基礎(chǔ)的共聚物；WO99/20675，其公開了9，9-二正辛基芴和9，9-二(4-甲氧基苯基)芴的1∶1共聚物。
本發(fā)明的一個目的是提供一種手段，來增加在上述現(xiàn)有技術(shù)聚合物的光學(xué)設(shè)備中使用的聚合物的使用期限。本發(fā)明的另一個目的是提供一種用于在光學(xué)設(shè)備中使用的長效聚合物，特別是長效藍光發(fā)射型電致發(fā)光材料。本發(fā)明的又另一個目的是提供一種手段，來增加現(xiàn)有技術(shù)聚合物的熱穩(wěn)定性。
發(fā)明概述本發(fā)明者意想不到地發(fā)現(xiàn)，用于在光學(xué)設(shè)備中使用的聚合物、特別是電致發(fā)光聚合物的使用期限，可以通過摻加可增加聚合物玻璃化溫度(Tg)的重復(fù)單元來增加。具體說，向電致發(fā)光聚合物、特別是藍光發(fā)射型電致發(fā)光聚合物中摻加2，7-連接的9，9-二芳基芴重復(fù)單元，可以使聚合物的使用期限得到明顯增加。除其對聚合物使用期限的有益效果外，聚合物Tg的增加本來就是合意的，因為可以增加熱穩(wěn)定性。
因此，本發(fā)明的第一個方面是提供一種用于在光學(xué)設(shè)備中使用的聚合物，該光學(xué)設(shè)備含有
-空穴遷移區(qū)-電子遷移區(qū)，和-發(fā)射區(qū)所說的聚合物含有下式(I)的非必須取代的重復(fù)單元 其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基。
優(yōu)選，每個Ar獨立地選自下式(II)的非必須取代的殘基 其中n＝1、2或3并且R是助溶基團或氫。特別優(yōu)選的基團R是氫和非必須取代的烷基或烷氧基。首選，R是氫或丁基。“丁基”是指正-、仲-或叔-丁基。前述現(xiàn)有技術(shù)中公開的聚合物中所存在的9，9-二芳基芴重復(fù)單元已被用于電子遷移和/或用作第二重復(fù)單元的連接基。為此，這些現(xiàn)有技術(shù)的聚合物由50％或更多9，9-二芳基芴單元組成。然而，本發(fā)明者確認，同不含式(I)重復(fù)單元的相應(yīng)聚合物比較，為達到增加玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的目的，使用較低量的式(I)的重復(fù)單元是可以的。因此，本發(fā)明的聚合物優(yōu)選含有小于50mol％、更優(yōu)選10-40mol％的式(I)的重復(fù)單元。
優(yōu)選，聚合物是電致發(fā)光聚合物。更優(yōu)選，聚合物是藍光發(fā)射型電致發(fā)光聚合物?！八{光發(fā)射型電致發(fā)光聚合物”是指聚合物，其經(jīng)過電致發(fā)光，發(fā)射波長為400-500nm、優(yōu)選430-500nm的射線。
本發(fā)明第二個方面提供一種光學(xué)設(shè)備，優(yōu)選電致發(fā)光設(shè)備，含有用于注入正電荷載體的第一電極、用于注入負電荷載體的第二電極和位于第一和第二電極之間的含有聚合物的層，其中所說的層含有-空穴遷移區(qū)-電子遷移區(qū)
-發(fā)射區(qū)所說的聚合物含有下式(I)的重復(fù)單元 其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基。
本發(fā)明第三個方面提供一種控制聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的方法，包括將下式(III)的單體在聚合混合物中聚合 其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基，并且每個P是用于聚合的官能團，該方法包括將達到預(yù)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度所需量的式(III)單體聚合的步驟。
優(yōu)選，式(III)的單體占聚合混合物中的單體的小于50mol％，更優(yōu)選10-40mol％。
特別適合于從芳族單體中制備共軛聚合物的兩種聚合技術(shù)是，例如，WO 00/53656中公開的Suzuki聚合和，例如，“Macromolecules”，31，1099-1103(1998)中公開的Yamamoto聚合。Suzuki聚合必須將鹵素和硼衍生物官能團偶聯(lián)；Yamamoto聚合必須將鹵化物官能團偶聯(lián)。因此，優(yōu)選，每個P獨立地選自(a)硼衍生物官能團，選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，及(b)鹵素官能團。
優(yōu)選，該方法包括將式(III)的第一單體與第二單體在金屬配位絡(luò)合物催化劑的存在下和在將單體聚合成聚合物的條件下反應(yīng)的步驟，其中所說的第二單體與第一單體相同或不同。
優(yōu)選，該方法包括將(a)具有至少兩個硼衍生物官能團的第一芳族單體，其中硼衍生物官能團選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，和具有至少兩個反應(yīng)活性鹵素官能團的第二芳族單體，其中第一或第二芳族單體中的至少一個含有式(III)的單體；或者(b)具有一個反應(yīng)活性鹵素官能團和一個硼衍生物官能團的式(III)的芳族單體，其中所說的硼衍生物官能團選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，在反應(yīng)混合物中聚合反應(yīng)的步驟，其中反應(yīng)混合物中含有催化量的適于催化芳族單體聚合的催化劑，和足夠量的將硼衍生物官能團轉(zhuǎn)化成-BX3-陰離子基團的堿，其中X獨立地選自F和OH。
優(yōu)選，堿是有機堿，更優(yōu)選如WO 00/53656中公開的四烷基碳酸銨或氫氧化銨。
本發(fā)明的第四個方面提供一種下式(I)的非必須取代的重復(fù)單元在聚合物、優(yōu)選電致發(fā)光聚合物中，作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度增強劑的用途 其中每個Ar如上定義。
本發(fā)明第五個方面提供一種聚合物、優(yōu)選電致發(fā)光聚合物，該聚合物含有小于50mol％、優(yōu)選10-40mol％下式(I)的非必須取代的重復(fù)單元 其中每個Ar如上定義。
每個區(qū)可以含有單一的重復(fù)單元或者多個共軛在一起的重復(fù)單元?？昭ㄟw移區(qū)，電子遷移區(qū)和發(fā)射區(qū)各自可以在聚合物中僅出現(xiàn)一次。一個區(qū)可以在聚合物內(nèi)僅出現(xiàn)一次，特別是當(dāng)它含有共軛重復(fù)單元的伸直鏈時?；蛘?，可有在聚合物內(nèi)遍布分布空穴遷移區(qū)、電子遷移區(qū)和發(fā)射區(qū)中一個或多個區(qū)的多個。應(yīng)當(dāng)注意的是，三個區(qū)的每個是彼此化學(xué)不同的，即，優(yōu)選，在使用時，指定的區(qū)不起空穴遷移區(qū)、電子遷移區(qū)或發(fā)射區(qū)的一個以上功能。
術(shù)語“空穴遷移區(qū)”、“電子遷移區(qū)”和“發(fā)射區(qū)”如下彼此相對照進行定義。
“空穴遷移區(qū)”是指HOMO水平低于發(fā)射區(qū)或電子遷移區(qū)HOMO水平的區(qū)域。
“電子遷移區(qū)”是指LUMO水平高于發(fā)射區(qū)或空穴遷移區(qū)LUMO水平的區(qū)域，位于發(fā)射區(qū)的LUMO水平和使用本發(fā)明聚合物的設(shè)備陰級的功函數(shù)之間。一般來說，陰級的功函數(shù)為大約2.5eV。
“發(fā)射區(qū)”是指HOMO-LUMO帶隙小于空穴遷移區(qū)或電子遷移區(qū)帶隙的區(qū)域。
聚合物的各區(qū)的HOMO和LUMO水平及帶隙可以通過用循環(huán)伏安法，測定相應(yīng)均聚物或1∶1共聚物的HOMO水平來精確估測。各區(qū)的LUMO水平也可以按此方式來測定；或者，可以通過測定HOMO水平和HOMO-LUMO帶隙來計算。此外，發(fā)射區(qū)是從相應(yīng)于各區(qū)的均聚物或1∶1共聚物的電致發(fā)光光譜中容易識別的。
空穴遷移、電子遷移或發(fā)射的基本上全部都由滿足上述相應(yīng)定義的區(qū)所產(chǎn)生，然而，相對少量的空穴遷移、電子遷移或發(fā)射可能起因于不滿足相應(yīng)定義的區(qū)。例如，可以從空穴或電子遷移區(qū)中觀察到相對少量的發(fā)射，如果該區(qū)的HOMO-LUMO帶隙不大于發(fā)射區(qū)的HOMO-LUMO帶隙。
一種典型的電致發(fā)光設(shè)備包括功函數(shù)為4.8eV的陽級。因此，空穴遷移區(qū)的HOMO水平優(yōu)選為大約4.8-5.5eV。類似地，典型設(shè)備的陰級所具有的功函數(shù)為大約3eV。因此，電子遷移區(qū)的LUMO水平優(yōu)選為大約3-3.5eV。
優(yōu)選的作為空穴遷移區(qū)的是，例如，WO 99/54385中公開的三芳基胺，其內(nèi)容引入本文作為參考。
優(yōu)選的作為電子遷移區(qū)的是2，7-連接的芴重復(fù)單元及其共軛鏈。特別優(yōu)選的聚芴包括，例如，EP 0842208公開的2，7-連接的-9，9-二烷基芴，其內(nèi)容引入本文作為參考；例如，EP 0707020公開的螺二芴，其內(nèi)容引入本文作為參考，以及茚并芴。除此之外，式(I)的重復(fù)單元及其共軛鏈，可以起電子遷移區(qū)的功能以及起增加本發(fā)明聚合物玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的作用。還優(yōu)選的作為電子遷移區(qū)的是1，4-連接的苯基重復(fù)單元及其共軛鏈。
優(yōu)選的作為發(fā)射區(qū)的是WO 00/55927和WO 00/46321中公開的發(fā)射重復(fù)單元，其內(nèi)容引入本文作為參考。一種特別優(yōu)選的藍光發(fā)射型重復(fù)單元含有下式(IV)的非必須取代的重復(fù)單元 其中每個R’獨立地選自氫或助溶基團。
特別優(yōu)選的助溶基團是非必須取代的烷基或烷氧基。首選，R’是正-丁基。
空穴遷移區(qū)、電子遷移區(qū)和發(fā)射區(qū)各自可以是以聚合物主鏈的一部分提供，例如，WO 00/55927中所公開的。或者，所說的區(qū)的一個或多個可以是聚合物主鏈的側(cè)基，例如，WO 01/49769和WO 02/26859中公開的，其中空穴遷移區(qū)是電子遷移主鏈的側(cè)基。
實施例單體實施例按照以下工藝路線制備本發(fā)明的單體 單體實施例M12，7-二溴-9，9-二苯基芴
2，7-二溴芴酮 在一3L凸緣式燒瓶中，將芴酮(100.006g，0.555mol)、五氧化磷(110.148g，0.776mol)和磷酸三甲酯(1200mL)混合。在機械攪拌下，快速添加溴(63mL，1.23mol)存在于磷酸三甲酯(200mL)中的溶液。然后，將此透明溶液在120℃下加熱22小時。讓混合物冷卻至室溫，然后傾入3L水中。當(dāng)添加硫代硫酸鈉時(50.045g)，混合物變黃。保持攪拌1小時，然后將黃色固體濾出。將此固體在甲醇中加熱，除去一溴化化合物并且得到176.183g(98％純，通過HPLC，94％產(chǎn)率)。
1H NMR(CDCl3)7.73(2H，d，J2.0)，7.61(2H，dd，J7.6，2.0)，7.36(2H，d，J8.0)；13CNMR(CDCl3)142.3，137.5，135.3，127.9，123.3，121.8，109.8。
4，4’-二溴-2-羧酸-1，1’-聯(lián)苯 在一2L凸緣式燒瓶中，放入2，7-二溴芴酮(120.526g，0.356mol)、氫氧化鉀(細粉末，168.327g，3.000mol)和甲苯(600mL)。將此混合物在120℃下加熱4小時，然后冷卻至室溫。在劇烈攪拌條件下加水溶解固體(~2L)。除去綠色含水層并且將黃色甲苯層用水洗滌兩次。將合并的含水層用濃鹽酸酸化，然后將沉淀的固體濾出，干燥后從甲苯中重結(jié)晶，得到100.547g灰白色晶體(79％產(chǎn)率)；1HNMR((CD3)2CO)8.00(1H，d，J2.0)，7.77(1H，dd，J8.0，2.4)，7.57(2H，d，J8.0)，7.34(1H，d，J8.4)，7.29(2H，d，J8.8)；
13C NMR((CD3)2CO)167.1，140.4，139.8，134.2，133.5，132.8，132.7，131.2，130.6，121.4，121.1。
4，4’-二溴-2-羧酸-1，1’-聯(lián)苯的甲基酯 將4，4-二溴-2-羧酸聯(lián)苯(171.14g，0.481mol)懸浮于甲醇(700mL)和硫酸(15mL)中，然后在80℃下加熱21小時。除去溶劑并且將油溶解于乙酸乙酯中。將此溶液用2N氫氧化鈉、水、飽和氯化鈉洗滌，經(jīng)硫酸鎂干燥，過濾并且蒸發(fā)，得到橙色油。將此油用熱的甲醇處理，冷卻沉淀出的酯并且過濾。將母液蒸發(fā)并且將固體重結(jié)晶，得到附加產(chǎn)物。獲得的酯通過GCMS分析為100％純，產(chǎn)量123.27g(69％)；1H NMIR(CDCl3)7.99(1 H，d，J2.0)，7.64(1H，dd，J8.0，1.6)，7.51(2H，d，J8.4)，7.19(1H，d，J8.8)，7.13(2H，d，J8.8)，3.67(3H，s)；13C NMR(CDCl3)167.1，140.3，139.1，134.4，132.9，132.1，132.0，131.3，129.8，121.9，121.5，52.3；GCMSM+＝3704，4’-二溴-2-二苯基醇-1，1’-聯(lián)苯 將4，4-二溴-2-甲基酯-聯(lián)苯(24.114g，65.1mmol)溶解于無水二乙醚中(120mL)，并且通過使用異丙醇/干冰浴，將此溶液冷卻至-60℃。然后，滴加苯基鋰(存在于環(huán)己烷-乙醚中的1.8M溶液，91mL)。將混合物攪拌并且讓其加溫至室溫。四小時后反應(yīng)完成。加水(70mL)，然后用二乙醚洗滌含水層一次。將合并的有機相用氯化鈉洗滌，經(jīng)硫酸鎂干燥，過濾并且蒸發(fā)得到黃色粉末。從異丙醇中重結(jié)晶，得到19g白色固體(59％產(chǎn)率)；GC-MS(m/z，相對強度％)494(M+，100)；1HNMR(CDCl3)7.43(1H，dd，J8.4，2.4)，7.28(6H，m)，7.23(2H，d，J8.0)，7.11(4H，m)，6.99(1H，d，J2.4)，6.94(1H，d，J8.4)，6.61(2H，d，J8.4)；13CNMR(CDCl3)147.5，146.7，140.3，139.3，134.0，133.0，131.2，131.1，130.3，128.2，128.1，127.8，121.8，121.3，83.2。
2，7-二溴-9，9-二苯基芴 將上述醇(69.169g，140mmol)和冰醋酸(450ml)攪拌并且加熱至回流，然后滴加濃鹽酸(0.5ml)。當(dāng)添加完畢時，將混合物加熱1小時然后冷卻。將此反應(yīng)混合物傾入水中(500ml)，之后濾出固體。將此白色固體從乙酸正丁酯中重結(jié)晶三次，得到20.03g所需產(chǎn)物(99.59％，通過HPLC，30％產(chǎn)率)。
1H NMR(CDCl3)，δ/ppm7.58(2H，d，J7.6)，7.49(2H，d，1.2)，7.48(2H，dd，1.6)，7.25(6H，m)，7.14(4H，m)。13CNMR(CDCl3)，δ/ppm153.2，144.6，138.3，131.1，129.6，128.7，128.2，127.4，122.0，121.7，65.8。
單體實施例M2-M4按照上面概述的方案和普通實驗過程，制備下表中詳述的具有Ar基團的單體。由相應(yīng)的芳基溴制備下表中所示的對應(yīng)于Ar基團的芳基鋰化合物。

聚合物實施例P1按照WO 00/53656的過程，制備本發(fā)明的藍光發(fā)射型電致發(fā)光聚合物，通過將9，9-二-正辛基芴-2，7-二(乙烯基硼酸酯)(0.5當(dāng)量)、2，7-二溴-9，9-二苯基芴(0.3當(dāng)量)、N，N-二(4-溴苯基)-仲丁基苯胺(0.1當(dāng)量)和N，N’-二(4-溴苯基)-N，N’-二(4-正丁基苯基)-1，4-二氨基苯(0.1當(dāng)量)反應(yīng)，得到聚合物P1

聚合物實施例P2-P4按照實施例P1的方法，制備聚合物，不同之處是聚合物中存在的9，9-二辛基芴重復(fù)單元和9，9-二苯基芴重復(fù)單元之比如下改變

聚合物實施例P5按照實施例P1的方法制備聚合物。不同之處是使用2，7二溴-9，9-二(聯(lián)苯)芴(單體實施例M3；0.3當(dāng)量)代替2，7-二溴-9，9-二苯基芴。
對比聚合物實施例按照聚合物實施例1制備藍光發(fā)射型聚合物，如WO 00/55927中所公開的，其中將所有的9，9-二苯基芴重復(fù)單元用9，9-二正辛基芴重復(fù)單元代替。此可以通過按照聚合物實施例1的制備來完成，不同之處是用0.3當(dāng)量的2，7-二溴-9，9-二正辛基芴代替2，7-二溴-9，9-二苯基芴。
設(shè)備實施例向承載有一定厚度ITO基片的玻璃基片上，通過旋涂沉積聚(乙烯二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(可獲得自BayerTM，以Baytron PTM)，厚度為270微米。在其上，通過旋涂沉積本發(fā)明的聚合物，厚度為50nm。通過蒸發(fā)，在聚合物上沉積一層氟化鋰(厚度4nm)，接著同樣通過蒸發(fā)沉積鈣的陰極(厚度50nm)。將設(shè)備用金屬罩包封。
對比設(shè)備實施例按照設(shè)備實施例中概述的方法制備設(shè)備，不同之處是使用上述的對比聚合物代替本發(fā)明的聚合物。
結(jié)果下表給出了關(guān)于上述聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度數(shù)據(jù)。

正如所看到的，本發(fā)明的聚合物相比對比的現(xiàn)有技術(shù)的聚合物，具有明顯較高的Tg，說明它們具有較大的熱穩(wěn)定性。Tg隨著摻入聚合物中的式(I)重復(fù)單元的數(shù)量而增加。此外，不同的式(I)重復(fù)單元在影響Tg程度的方面是不同的。由此，聚合物P4(含有30％二(聯(lián)苯)芴重復(fù)單元)就比聚合物P1(含有30％二苯基芴重復(fù)單元)具有更高的Tg。
除增加熱穩(wěn)定性外，聚合物P1-P4的使用期限為大約3,000小時或更長，而對比聚合物實施例的使用期限為大約1,000小時。
雖然本發(fā)明就示例性的實施方案作了描述，但應(yīng)當(dāng)理解的是在不背離本發(fā)明實質(zhì)和范圍的前提下作出的對本文所公開的特點的各種改進、改變和/或組合，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，本發(fā)明的范圍由下面權(quán)利要求書所定義。
權(quán)利要求
1.一種用于在光學(xué)設(shè)備中使用的聚合物，其中所說的光學(xué)設(shè)備含有-空穴遷移區(qū)-電子遷移區(qū)-發(fā)射區(qū)所說的聚合物含有下式(I)的非必須取代的重復(fù)單元 其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基。
2.權(quán)利要求1的聚合物，其中每個Ar獨立地選自下式(II)的非必須取代的殘基 其中n＝1、2或3并且R是助溶基團或氫。
3.權(quán)利要求2的聚合物，其中R選自非必須取代的烷基或烷氧基。
4.權(quán)利要求2的聚合物，其中R是氫或丁基。
5.前述權(quán)利要求任一項的聚合物，含有小于50mol％的式(I)的重復(fù)單元。
6.權(quán)利要求5的聚合物，含有10-40mol％的式(I)的重復(fù)單元。
7.前述權(quán)利要求任一項的聚合物，其中電子遷移區(qū)中含有至少一種式(I)的重復(fù)單元。
8.權(quán)利要求1-6任一項的聚合物，其中電子遷移區(qū)中不含有式(I)的重復(fù)單元。
9.權(quán)利要求1-8任一項的聚合物，能夠發(fā)射波長范圍為400-500nm、優(yōu)選430-500nm的光。
10.一種光學(xué)設(shè)備，含有用于注入正電荷載體的第一電極、用于注入負電荷載體的第二電極和位于第一和第二電極之間的含有權(quán)利要求1-9任一項所定義的聚合物的層。
11.一種控制聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的方法，該方法包括將下式(III)的單體在聚合混合物中聚合 其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基，并且每個P是用于聚合的官能團，該方法包括將達到預(yù)選玻璃化轉(zhuǎn)變溫度所需量的式(III)單體聚合的步驟。
12.權(quán)利要求11的方法，其中每個Ar含有下式(II)的非必須取代的殘基 其中n＝1、2或3并且R是助溶基團或氫。
13.權(quán)利要求12的方法，其中R選自非必須取代的烷基或烷氧基。
14.權(quán)利要求11-13任一項的方法，其中式(III)的單體占聚合混合物中的單體的小于50mol％。
15.權(quán)利要求14的方法，其中式(III)的單體占聚合混合物中的單體的10-40mol％。
16.權(quán)利要求11-15任一項的方法，其中每個P獨立地選自(a)硼衍生物官能團，選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，及(b)鹵素官能團。
17.權(quán)利要求11-16任一項的方法，包括將式(III)的第一單體與第二單體在金屬配位絡(luò)合物催化劑的存在下和在將單體聚合成聚合物的條件下反應(yīng)的步驟，其中所說的第二單體與第一單體相同或不同。
18.一種控制聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的方法，該方法包括將(a)具有至少兩個硼衍生物官能團的第一芳族單體，其中硼衍生物官能團選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，和具有至少兩個反應(yīng)活性鹵素官能團的第二芳族單體，其中第一或第二芳族單體中的至少一個含有權(quán)利要求16的單體；或者(b)具有一個反應(yīng)活性鹵素官能團和一個硼衍生物官能團的權(quán)利要求16的芳族單體，其中所說的硼衍生物官能團選自硼酸基團、硼酸酯基團和硼烷基團，在反應(yīng)混合物中聚合的步驟，其中反應(yīng)混合物中含有催化量的適于催化芳族單體聚合的催化劑，和足夠量的將硼衍生物官能團轉(zhuǎn)化成-BX3-陰離子基團的堿，其中X獨立地選自F和OH。
19.權(quán)利要求17的方法，其中堿是有機堿。
20.權(quán)利要求11-19任一項的方法，其中聚合物是電致發(fā)光聚合物。
21.下式(I)的非必須取代的重復(fù)單元在聚合物中，作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度增強劑的用途 其中每個Ar如權(quán)利要求1-4任一項中的定義。
22.權(quán)利要求21的聚合物，其是電致發(fā)光聚合物。
全文摘要
一種用于在光學(xué)設(shè)備中使用的聚合物，其中所說的光學(xué)設(shè)備含有空穴遷移區(qū)，電子遷移區(qū)，發(fā)射區(qū)，所說的聚合物含有式(I)的非必須取代的重復(fù)單元其中每個Ar相同或不同并且含有非必須取代的芳基。
文檔編號H01L51/30GK1513044SQ02811266
公開日2004年7月14日 申請日期2002年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月11日
發(fā)明者C·R·湯斯, C R 湯斯, R·奧德爾, 露 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司