專利名稱：低溫的摻雜后活化工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的制造，尤有關(guān)于一種可防止摻雜物(Dopant)去活化(Deactivated)的后激光退火工藝(Post-Laser AnnealProcesses)。
背景技術(shù)：
在過去數(shù)十年間，半導(dǎo)體工業(yè)由于使用半導(dǎo)體技術(shù)以制造小型、高整合的電子裝置，而經(jīng)歷了一場(chǎng)工業(yè)革命，而目前最普遍使用的半導(dǎo)體技術(shù)是以硅為基礎(chǔ)。至目前已經(jīng)有許多種類的半導(dǎo)體裝置被制造出來，這些半導(dǎo)體裝置并在許多規(guī)則中具有各種用途。一種以硅為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體裝置是為金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)晶體管。由于MOS晶體管是為大部份現(xiàn)代電子裝置的基本建構(gòu)塊的一，因此非常重要的是，當(dāng)增加MOS晶體管的性能且降低制造成本時(shí)，變可使這些電子裝置有改善的性能和較低的成本。
典型的MOS半導(dǎo)體裝置通常包含一半導(dǎo)體基板，而于該半導(dǎo)體基板上配置柵極電極。該柵極電極是作為導(dǎo)體，其可接收輸入信號(hào)以控制該裝置的操作。通常在基板的鄰近柵極電極的區(qū)域上，藉由對(duì)該區(qū)域摻雜具有預(yù)期的導(dǎo)電性的摻雜物，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)。而該摻雜區(qū)的導(dǎo)電性是取決于用以摻雜該區(qū)域的不純物的型式。典型的MOS晶體管具有對(duì)稱性，因此，源極和漏極可互相交換。一區(qū)域不論是作為源極或漏極，通常都取決于個(gè)別所被施加的電壓和裝置被制造的型式。于此，使用集合式名詞”源極/漏極區(qū)”以一般性地描述活性區(qū)域(Active Region)，其中該活性區(qū)域是用以形成源極或漏極。
MOS裝置依據(jù)用以形成源極、漏極和信道區(qū)的摻雜物型式，通?？蓺w類為兩組群的一。該兩組群通常稱為n信道和p信道裝置。根據(jù)在橫向電場(chǎng)中所產(chǎn)生的信道導(dǎo)電性型式可判別該信道的型式。例如，在n信道MOS(NMOS)裝置中，在橫向電場(chǎng)下的信道導(dǎo)電性是為結(jié)合n型式不純物(例如砷(Arsenic)或磷(Phosphorous))的導(dǎo)電性。相反地，在橫向電場(chǎng)下，p信道MOS(PMOS)的信道是結(jié)合p型式不純物(例如硼(Boron))。
一種通常稱為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的裝置，包含形成于半導(dǎo)體基板上的柵極區(qū)或電極下方，且介于漏極區(qū)和源極區(qū)間的信道區(qū)。通常將該信道輕微地?fù)诫s一摻雜物，其中該摻雜物和源極/漏極區(qū)具有相反的導(dǎo)電性型式。通常以絕緣層使柵極電極和基板分離，該絕緣層通常為例如二氧化硅的氧化物層。該絕緣層是用以防止電流在柵極電極和源極、漏極或信道區(qū)間流動(dòng)。在操作時(shí)，通常于源極和漏極端點(diǎn)間產(chǎn)生一電壓。當(dāng)施加一輸入電壓于柵極電極時(shí)，在信道區(qū)會(huì)建立一橫向電場(chǎng)。藉由變化該橫向電場(chǎng)，而得以調(diào)整信道區(qū)在源極和漏極區(qū)間的傳導(dǎo)性。以此方式，利用電場(chǎng)以控制電流流過信道區(qū)。
半導(dǎo)體業(yè)界正持續(xù)地努力改善MOSFET裝置的性能當(dāng)中。制造次微米(Sub-micron)線寬(Feature)裝置的能力可因?yàn)椋?，減少劣化性能的電阻和寄生電容，而使性能明顯地提升。經(jīng)由在數(shù)個(gè)半導(dǎo)體制造程序上的進(jìn)步，而可達(dá)成次微米線寬。例如，在光刻技術(shù)(Photolithography)中更為精密的曝光鏡頭的發(fā)展，以及更靈敏的光阻材料的使用，使得在光阻層中可常規(guī)性地達(dá)成次微米線寬。此外，更先進(jìn)的干蝕刻(Dry Etching)工具和工藝的發(fā)展使得光阻層上的次微米影像可成功地被轉(zhuǎn)換為MOSFET結(jié)構(gòu)所使用的基本材料(UnderlyingMaterial)。
當(dāng)MOSFET的尺寸收縮時(shí)，有效柵極長(zhǎng)度的減少需要有相稱的源極/漏極區(qū)的垂直連接深度(Vertical Junction Depth)的縮減。源極/漏極區(qū)的連接深度的降低是為了降低短信道效應(yīng)(Short Channel Effect)。
當(dāng)MOSFET的源極區(qū)和漏極區(qū)間的距離(亦即，實(shí)體信道長(zhǎng)度)減少時(shí)，為了增加電路速度和復(fù)雜度，必須也降低源極/漏極區(qū)的連接深度以防止不需要的源極/漏極與基板的連接電容。然而，這些較小連接深度的獲取卻考驗(yàn)?zāi)壳肮に嚰夹g(shù)的能力，例如，使用快速熱退火(Thermal Annealing)的活化退火的離子植入法(Ion Implantation)的能力?？焖贌嵬嘶鸺夹g(shù)通常包含在植入后，于高密度熱燈源下對(duì)硅晶圓加熱。植入或摻雜程序會(huì)在硅基板上產(chǎn)生非晶體結(jié)構(gòu)(Amorphitizes)，而使用活化退火可使非晶體化的硅區(qū)再結(jié)晶。
由于快速熱退火的限制，使激光熱退火被業(yè)界所應(yīng)用，尤其用于極淺的連接深度上?？稍趽诫s物的離子植入后執(zhí)行激光熱退火，其中該激光熱退火包含以激光對(duì)摻雜區(qū)域進(jìn)行加熱。激光射線對(duì)曝光硅區(qū)快速地加熱，使該硅區(qū)開始熔化。熔化的硅中的摻雜物擴(kuò)散性約為8階等級(jí)高于固態(tài)硅中的擴(kuò)散性。因此，在熔化的硅中的摻雜物可幾近均勻地分布，而該擴(kuò)散則幾近正好停止于液態(tài)/固態(tài)的交界。在加熱硅后為快速冷卻的步驟以固化硅，而此工藝容許非平衡(Non-equilibrium)的摻雜物活化程序，其中在該非平衡的摻雜物活化程序中，硅內(nèi)的摻雜物濃度高于硅的固態(tài)溶解度極限。有利的是，該工藝容許極淺的源極/漏極區(qū)，其中該極淺的源極/漏極區(qū)所具有的電阻值約為由傳統(tǒng)快速熱退火工藝所獲得的電阻的十分的一。
然而，該工藝中所存在的一問題為隨后的高溫工藝可能導(dǎo)致源極/漏極區(qū)中的摻雜物被去活化。當(dāng)自晶格(Lattice)點(diǎn)中移除摻雜物時(shí)，該摻雜物即被去活化，而摻雜物的去活化通常發(fā)生于高于700℃的溫度，而此溫度會(huì)在例如快速熱退火的工藝中發(fā)生。因此，需要一種改善的摻雜后活化工藝以防止摻雜物去活化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的具體實(shí)施例提供一種可減少摻雜物的去活化的半導(dǎo)體裝置的制造方法，以滿足上述及其它需求。該方法包括在基板上形成柵極電極，以及在柵極電極和基板間形成柵極氧化物；在基板上形成源極/漏極延伸區(qū)(Extensions)；形成第一和第二側(cè)墻(Sidewall)間隔區(qū)(Spacer)；在基板內(nèi)植入摻雜物以在基板上鄰接側(cè)墻間隔區(qū)處形成源極/漏極區(qū)；實(shí)行激光熱退火以活化源極/漏極區(qū)。隨后在源極/漏極區(qū)上沉積一層鎳，并以低溫退火以減少摻雜物去活化。
在本發(fā)明的另一態(tài)樣中，源極/漏極延伸區(qū)可具有約5至30納米的深度，而源極/漏極區(qū)可具有約40至100納米的深度。此外，形成硅化鎳時(shí)的溫度是為約350至500℃。
由下述的詳細(xì)說明中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地知道本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)。其中，在本說明書中，僅以例舉實(shí)行本發(fā)明的預(yù)期較佳型式的方式，僅顯示及描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。應(yīng)了解本發(fā)明可有其它及不同的實(shí)施例，而其數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)在各個(gè)明顯面上可具有不同的變型，且仍不脫離本發(fā)明的范圍。因此，本說明書中的圖標(biāo)和描述是用以例釋本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。


所附圖標(biāo)中具有參考標(biāo)號(hào)，其中，有相同標(biāo)號(hào)指定的組件代表全文中類似的組件。
第1A至1I圖是為圖標(biāo)依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的結(jié)合使用低溫硅化工藝和激光熱退火活化工藝的MOS制造方法的各連續(xù)階段的顯示圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明針對(duì)并解決由于高溫的摻雜后活化工藝(例如快速熱退火)所造成的摻雜物去活化問題。部份是藉由使用激光熱退火以活化源極/漏極區(qū)來達(dá)成此目的，其中該激光熱退火之后是低溫硅化形成工藝。尤指，藉由在源極/漏極區(qū)上鋪設(shè)一鎳層并隨后施以低溫加熱爐退火(Furnace Anneal)，以在活化的源極/漏極區(qū)上形成硅化鎳。該溫度高到足夠可產(chǎn)生硅化鎳，但也低到足夠可極小化在源極/漏極區(qū)內(nèi)的摻雜物去活化作用。
本發(fā)明的一實(shí)施例如第1A至1I所示。首先，提供一硅基板，不過，該基板可由適合集成電路制造的任何材料形成。然而，在本發(fā)明的一態(tài)樣中，該基板是由具有<100>晶體定位方向(CrystallographicOrientation>并輕微地?fù)诫sn型式或p型式的不純物的單晶硅(Single-Crystal Silicon)所形成。使用例如場(chǎng)式氧化物(Filed Oxide)或淺絕緣溝(Shallow Isolation Trench)的絕緣結(jié)構(gòu)在硅基板上分隔各個(gè)MOS裝置。
舉例而言，可藉由濕蝕刻技術(shù)的各向同性蝕刻(Isotropic Etch)或干蝕刻技術(shù)的各向異性蝕刻(Anisotropic Etch)形成淺絕緣溝。其后，在溝內(nèi)沉積一氧化物。也可形成一場(chǎng)式氧化物以替代淺絕緣溝。通常在溫度為約850至1050℃的高溫氧氣中，由熱氧化作用形成場(chǎng)式氧化物?？墒褂靡粓D樣化、抗氧化的屏蔽(Mask)以防止非絕緣裝置區(qū)的氧化。在形成場(chǎng)式氧化物后，再藉由習(xí)知的技術(shù)，例如用于氮化硅屏蔽的熱磷酸或用于墊式氧化物(Pad Oxide)屏蔽的緩沖氫氟酸(BufferedHydrofluoric Acid)，以移除該屏蔽。
在第1A圖中，一柵極氧化物16，其是包括氧化硅，是例如在約700至1000℃的溫度的高溫氧氣環(huán)境中，使用熱氧化作用而形成于基板10的上方表面上。柵極氧化物16可具有約3到20納米的厚度，但并非限定于此。在沉積柵極氧化物16后，于柵極氧化物16之上形成柵極電極。
柵極電極的形成通常包括在柵極氧化物16的上方表面，例如在約600到800℃的溫度下，藉由低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD，Lower PressureChemical Vapor Deposition)法沉積一未經(jīng)摻雜的復(fù)晶硅(Polysilicon)18的覆蓋層。復(fù)晶硅層18可具有約50到500納米的厚度，但并非限定于此。隨后可將復(fù)晶硅層18植入氮離子，如箭號(hào)20所示。該植入的氮離子可用以例如延遲硼原子的擴(kuò)散。該氮離子的植入可為約5×1014到5×1015dopants/cm2的份量，以及約20至200KeV的能階。
在第1B圖中，蝕刻?hào)艠O氧化物16的諸上層以形成柵極電極。柵極的蝕刻程序通常包括在復(fù)晶硅層18上形成光阻22，而藉由一光刻系統(tǒng)而選擇性地照射該光阻22，其中在該光刻系統(tǒng)中，例如分步重復(fù)光學(xué)投影系統(tǒng)(Step and Repeat Optical Projection System)，將水銀蒸氣燈產(chǎn)生的紫外光投射透過第一光罩(Reticle)和聚焦鏡片，以獲得第一影像圖樣。然后該光阻22即被顯影，并將光阻22經(jīng)照射的部份予以移除，以于光阻22中提供開口。該開口可曝露復(fù)晶硅層18的部份區(qū)域，而藉以定義柵極電極。
在第1C圖中，施加一蝕刻工藝，通常為各向同性式蝕刻，以移除復(fù)晶硅層18暴露的部份以與門極氧化物16于其下的部份。在蝕刻后，復(fù)晶硅層18的殘留部份即為具有對(duì)向垂直側(cè)墻26、28的柵極電極24。柵極電極24于側(cè)墻26、28間的寬度可為約50至250納米，但并非限定于此。
在第1D圖中，將光阻22剝除，并以離子植入法形成輕度摻雜(Slightly Doped，LDD)的源極/漏極延伸區(qū)30、32，如箭號(hào)34所示。若想要NMOSFET，則該離子植入可為n型式摻雜物，例如砷或磷。若想要PMOSFET，則該離子植入可為p型式摻雜物，例如硼。摻雜程序的植入能量和份量的例舉范例分別在2到20KeV以及5×1014和3×1015dopants/cm2之間。在基板10內(nèi)緊鄰著側(cè)墻26、28處形成源極/漏極延伸區(qū)30、32，并自對(duì)準(zhǔn)(Self-Align)于柵極電極24。在植入后，可實(shí)施退火工藝以活化源極/漏極延伸區(qū)30、32，并使延伸區(qū)再結(jié)晶?；蛘呤?，也可在源極/漏極區(qū)形成后再實(shí)施該退火工藝。通常而言，源極/漏極延伸區(qū)30、32自硅基板10表面向下延伸約5到30納米的深度。
在第1E圖中，在源極/漏極延伸區(qū)30、32的植入程序后形成側(cè)墻間隔區(qū)36、38。側(cè)墻間隔區(qū)36、38的形成程序包括在基板10上覆蓋沉積一間隔材料。該間隔材料可為氮化硅或其它材料，例如電漿加強(qiáng)氧化物(Plasma-Enhanced Oxide，PEOX)或四乙氧化硅烷(Tetraethoxysilane)。在覆蓋沉積后，施以各向異性蝕刻工藝，其可移除側(cè)墻間隔區(qū)36、38之外的間隔材料，其中側(cè)墻間隔區(qū)36、38是緊鄰著柵極電極24的側(cè)墻26、28并于基板10之上。
在形成側(cè)墻間隔區(qū)36、38后，藉由第二次離子植入形成重度摻雜(Heavily Doped，HDD)或中度摻雜(Moderately Doped，MDD)的源極/漏極區(qū)40、42，如箭號(hào)44所代表。該源極/漏極區(qū)40、42形成于基板10之內(nèi)，并延伸通過緊鄰于側(cè)墻間隔區(qū)36、38的源極/漏極延伸區(qū)30、32。將側(cè)墻間隔區(qū)36、38作為屏蔽，以防止源極/漏極延伸區(qū)30、32的部份被重度摻雜。摻雜程序的植入能量和份量的例舉范例分別在10到60KeV以及1×1014和5×1014dopants/cm2之間。源極/漏極區(qū)40、42的摻雜程序使硅非晶體化，其必須隨后施以再結(jié)晶化以活化該源極/漏極區(qū)40、42。
在第1F圖中，在源極/漏極區(qū)40、42的植入程序后，使用激光熱退火工藝以活化這些區(qū)域。激光所施加的能量，以箭號(hào)70代表，可液化基板10至源極/漏極區(qū)40、42的期望深度?？商峁┰撃芰康募す獾囊环独秊榭臻g均勻式(Spatially Homogenized)308nmXeCl脈沖激光，但是本發(fā)明并非限定于此，且激光的能量和功率可依照不同的應(yīng)用而變化。通常而言，源極/漏極區(qū)40、42自硅基板10表面向下延伸約40到100納米的深度。
在硅于約30至100奈秒后熔化后，將硅于約1微秒內(nèi)快速地冷卻，則會(huì)晶體同軸化地(Epitaxially)再生成硅。如此，由植入工藝所造成的損害會(huì)被移除。于表面的激光能量通量(Fluence)會(huì)決定產(chǎn)生于表面的熔化持續(xù)時(shí)間，而該熔化持續(xù)時(shí)間則相關(guān)于最大熔化深度。熔化時(shí)間和熔化深度間的關(guān)是相關(guān)于激光束的時(shí)序變化曲線(Temporal Profile)。若于工藝中可量測(cè)激光的峰高全幅值(Full Width Height Maximum，F(xiàn)WHM)和表面熔化持續(xù)時(shí)間，則可精確地控制連接深度。在能量通量中需要相對(duì)較大的改變以產(chǎn)生最大熔化深度中的較小改變。份量是由總?cè)刍瘯r(shí)間所控制。而總?cè)刍瘯r(shí)間可藉由變換激光脈沖的數(shù)目及/或能量而予以變化。舉例而言，由308納米激生分子(Excimer)激光在9Hz的重復(fù)率下，約750mJ/cm2至1.3J/cm2的通量范圍會(huì)導(dǎo)致范圍為20至150納米的連接深度。
激光射線的通量范圍可由約50mJ/cm2一路延伸至約1.3J/cm2。然而，由于非晶硅以相較結(jié)晶硅的較高速率吸收能量，因此可控制激光通量使熔化僅至硅被非晶體化的深度。舉例而言，可使用約400mJ/cm2的通量以熔化非晶硅，但不會(huì)熔化結(jié)晶硅。
在第1G圖中，在產(chǎn)生源極/漏極區(qū)40、42后，形成硅化鎳。該工藝包括在基板10的柵極電極24和源極/漏極區(qū)40、42之上覆蓋沉積一鎳層46。一可沉積鎳層46的例舉范例為使用鎳靶材的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)。鎳層46的厚度可為約8至20納米，并以約12至18納米為最佳。
在第1H圖中，藉由單階熱退火工藝將鎳層46轉(zhuǎn)換為硅化鎳48，其中該退火工藝導(dǎo)致基板10的源極/漏極區(qū)40、42上的硅或門極電極24上的硅和鎳層46反應(yīng)，而形成硅化鎳層48。通常在氮?dú)猸h(huán)境中，于約350至500℃的溫度，施行該熱退火工藝約30至60秒。該熱退火工藝宜為加熱爐退火工藝，但并非限定于此。有助益的是，由于在低溫下進(jìn)行該熱退火，因此于源極/漏極區(qū)40、42內(nèi)的摻雜物的去活化可減到最低。
在第1I圖中，將側(cè)墻間隔區(qū)36、38上的未反應(yīng)鎳層46予以移除。例如，可使用濕化學(xué)蝕刻移除該未反應(yīng)鎳層46。相對(duì)硅化物48而言，濕化學(xué)蝕刻可展現(xiàn)對(duì)未反應(yīng)金屬46的高選擇性。在本發(fā)明目前的實(shí)施例中，該蝕刻是于約100℃的溫度下，使用硫酸和過氧化氫的混合物H2SO4∶H2O2(3∶1)和去離子水。在3∶1比率下，鎳的移除速率約為1,000納米/分。
藉由在以激光熱退火活化的源極/漏極區(qū)上形成硅化鎳，使源極/漏極區(qū)被施以低后活化溫度的加熱爐退火工藝。有助益的是，該低溫工藝可減少于源極/漏極區(qū)內(nèi)的摻雜物的去活化。
可應(yīng)用傳統(tǒng)的材料、方法和設(shè)備而實(shí)行本發(fā)明。因此，類似材料、方法和設(shè)備的細(xì)節(jié)并未于此詳細(xì)提出。在上述的說明中，為了提供本發(fā)明的全盤了解而提出許多特定的細(xì)節(jié)，例如特定的材料、結(jié)構(gòu)、化學(xué)品、工藝等。然而，應(yīng)了解不須定訴諸該提出的特定細(xì)節(jié)即可實(shí)行本發(fā)明。而在其它例子中，并未詳細(xì)描述眾知的工藝結(jié)構(gòu)以免非必要地模糊本發(fā)明。
在本揭示中僅顯示及描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例以及其多樣變型中的僅少數(shù)范例。應(yīng)了解，在于此所述的本發(fā)明概念的范疇內(nèi)，本發(fā)明可在各種其它組合和環(huán)件下使用，且本發(fā)明可具有變化或變型。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其步驟包括在基板10之上形成柵極電極24，以及于該柵極電極24和該基板10之間形成柵極氧化物16；在該基板10之內(nèi)植入摻雜物44以在接近該柵極電極24的該基板10上形成源極/漏極區(qū)40、42；施行激光熱退火以活化該源極/漏極區(qū)40、42；以及形成配置于該源極/漏極區(qū)40、42上的硅化鎳層48。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該形成硅化鎳的步驟包含一步驟，其在低于該源極/漏極區(qū)40、42中的摻雜物發(fā)生去活化的溫度的溫度下施行退火。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該形成硅化鎳的步驟的溫度是約350到500℃。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該形成硅化鎳的步驟包含一步驟，其在該源極/漏極區(qū)40、42之上沉積約8到20納米的鎳46。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其步驟復(fù)包括在鄰近該柵極電極24的該基板10上形成源極/漏極延伸區(qū)30、32；以及形成鄰近該柵極電極24的側(cè)墻間隔區(qū)36、38。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該源極/漏極延伸區(qū)30、32具有約5到30納米的深度。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該源極/漏極區(qū)40、42具有約40到100納米的深度。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該形成源極/漏極區(qū)40、42的步驟對(duì)該基板10的一區(qū)域進(jìn)行非晶體化。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，該以激光熱退火活化源極/漏極區(qū)40、42的步驟使非晶體化區(qū)熔化，但未使結(jié)晶硅熔化。
10.一種MOSFET半導(dǎo)體裝置的制造方法，其步驟包括在基板10之上形成柵極電極24，以及于該柵極電極24和該基板10之間形成柵極氧化物16；在鄰近該柵極電極24的該基板10上，以約5到30納米的深度形成源極/漏極延伸區(qū)30、32；形成鄰近該柵極電極24的第一和第二側(cè)墻間隔區(qū)36、38；在該基板10之內(nèi)植入摻雜物44，以在鄰近該側(cè)墻間隔區(qū)36、38的該基板10上，以約40到100納米的深度形成源極/漏極區(qū)40、42；施行激光熱退火以活化該源極/漏極區(qū)40、42；在該源極/漏極區(qū)40、42之上沉積一鎳層48；以及在350到500℃的溫度下進(jìn)行退火，以形成配置于該源極/漏極區(qū)40、42上的硅化鎳層46。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有關(guān)MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法包括在基板(10)之上形成柵極電極(24)，以及于該柵極電極(24)和該基板(10)之間形成柵極氧化物(16)；在該基板(10)上形成源極/漏極延伸區(qū)(30、32)；形成第一和第二側(cè)墻間隔區(qū)(Side Wall Spacers)(36、38)；在該基板(10)之內(nèi)植入摻雜物(Dopant)(44)，以在鄰近該側(cè)墻間隔區(qū)(36、38)的該基板(10)上，形成源極/漏極區(qū)(40、42)；施行激光熱退火以活化該源極/漏極區(qū)(40、42)；在該源極/漏極區(qū)(40、42)之上沉積一鎳層(46)；施行退火以形成配置于該源極/漏極區(qū)(40、42)上的硅化鎳層(46)。該源極/漏極延伸區(qū)(30、32)和該側(cè)墻間隔區(qū)(36、38)是鄰接?xùn)艠O電極(24)。該源極/漏極延伸區(qū)(30、32)可具有5到30納米的深度，而該源極/漏極區(qū)(40、42)可具有40到100納米的深度。該退火處理的溫度是在350到500℃之間。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1575507SQ02821165
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2002年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月25日
發(fā)明者B·于, R·B·奧格萊, E·N·佩頓, C·E·塔貝里, 奇·相 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司