專利名稱：在內(nèi)連接系統(tǒng)中的電容器以及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路元件以及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種在雙重鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中的電容器，以及將電容器的制作與雙重金屬鑲嵌制作工藝結(jié)合的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路中通常會(huì)使用到電容器，一般來(lái)說(shuō)，要在內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中形成電容器與一般的內(nèi)聯(lián)機(jī)制作工藝的差異與需要修改的地方很多。在美國(guó)專利第6,124,194號(hào)中提到一種典型的在內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作電容器或是反融絲(antifuse)單元的方法，其內(nèi)容圖標(biāo)請(qǐng)參考圖1A-圖1D。如圖1A所示，在一個(gè)絕緣層100中有兩條暴露出來(lái)的金屬線102，104，而在絕緣層100上有另外一層絕緣層106，會(huì)覆蓋金屬線102，104。絕緣層106進(jìn)一步包括一個(gè)介層洞108形成于其中，介層洞108會(huì)與金屬線相連接；在絕緣層106與介層洞108上會(huì)形成一層氮化硅層110，氮化硅層110更進(jìn)一步的被定義過(guò)以在介層洞108上方形成一個(gè)開(kāi)口112，并在金屬線104上方的第一絕緣層106上形成開(kāi)口114。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，接著在整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成一層保險(xiǎn)(fusing)單元層116，覆蓋定義過(guò)的氮化硅層110并填滿開(kāi)口112，114。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，定義保險(xiǎn)(fusing)層116以形成一個(gè)電容器元件或是在開(kāi)口112中形成一個(gè)保險(xiǎn)單元118；然后在整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成一層絕緣層120，定義此絕緣層120以在電容器單元118上形成金屬線開(kāi)口122，并在第二絕緣層120中形成一個(gè)導(dǎo)線開(kāi)口124；進(jìn)一步的定義第一絕緣層106以形成出一個(gè)介層開(kāi)口126。接著請(qǐng)參考圖1D，沉積一層金屬層以形成一條金屬線130以及一個(gè)雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)132。
但是，如同之前討論的，要將一個(gè)電容器的制作過(guò)程與內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)作結(jié)合是很復(fù)雜的，因?yàn)樾枰玫蕉啻握帜欢x的步驟來(lái)形成電容器以及內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)，使得制作工藝耗費(fèi)成本以及時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種在內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中有電容器的結(jié)構(gòu)，以及一種將電容器的制作與雙重金屬鑲嵌制作工藝結(jié)合在一起的方法，可以用一般的雙重金屬鑲嵌制作工藝來(lái)達(dá)成，而不需要額外的變更與修改制作工藝。
此外，本發(fā)明提供一種在內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中有電容器的結(jié)構(gòu)，以及一種將電容器的制作與雙重金屬鑲嵌制作工藝結(jié)合在一起的方法，其中制作工藝裕度(window)較寬所以可以達(dá)到比較高的封裝密度。
根據(jù)本發(fā)明上述與其它目的，本發(fā)明提供一種將電容器的制作與雙重金屬鑲嵌制作工藝結(jié)合在一起的方法的步驟包括，提供用一第一絕緣層覆蓋第一與第二金屬線結(jié)構(gòu)，然后在第二金屬線上形成一個(gè)薄膜堆棧結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)一步在堆棧層、第一絕緣層、第一以及第二金屬層上形成一層內(nèi)金屬介電層，第一雙重鄉(xiāng)間內(nèi)聯(lián)機(jī)以及第二雙重鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)會(huì)分別形成于其上，并與第一金屬線以及薄膜堆棧結(jié)構(gòu)相接觸。
根據(jù)本發(fā)明提供的方法，薄膜堆棧結(jié)構(gòu)比如是氮化鉭/非晶硅/氮化鉭的交替堆棧結(jié)構(gòu)，另外進(jìn)一步的在非晶硅上用氧氣電漿加以處理。
根據(jù)本發(fā)明提供的在雙重金屬鑲嵌系統(tǒng)中含有電容器的結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)第一銅線以及第二銅線沉積在絕緣層中，然后在絕緣層上沉積一層內(nèi)金屬介電層，且至少有一第一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)以及一第二雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)會(huì)分別被沉積在第一銅線以及第二銅線上方的內(nèi)金屬介電層中，其中第一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)會(huì)與第一銅線接觸，第一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)會(huì)與第一銅線相接觸，電容器會(huì)置于其中并與第二雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)以及第二銅線相連接，此外電容器的位置比如在雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)的介層洞中。
根據(jù)本發(fā)明，可以接續(xù)進(jìn)行一般的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)來(lái)制作電容器，使內(nèi)聯(lián)機(jī)制作工藝的進(jìn)行干擾達(dá)到最??；另外只需要一個(gè)額外的罩幕，用于在雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)中形成電容器，這樣的方法可以有效的節(jié)省成本。
此外，定義薄膜堆棧結(jié)構(gòu)的步驟的制作工藝裕度不會(huì)很?chē)?yán)謹(jǐn)，因此可以得到較高的封裝密度。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1A-圖1D繪示為公知的一種在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作電容器的方法；以及圖2A-圖2D繪示為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，一種在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作電容器的方法。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明100，106，120，222，242，246絕緣層102，104，130，224，226金屬線108介層洞 110氮化硅層
112，114開(kāi)口 116保險(xiǎn)層118 電容器單元122金屬線開(kāi)口124，248，250導(dǎo)線開(kāi)口 126，252，254介層洞開(kāi)口132，260，262 雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)222 絕緣層224、226 金屬線 232 薄膜堆棧結(jié)構(gòu)236 非晶系硅層240、244 絕緣薄膜242、246 絕緣層 248、250 導(dǎo)線開(kāi)口256 阻障層258 金屬層260、262 雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)具體實(shí)施方式
圖2A-圖2D繪示為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，一種在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作電容器的方法。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一絕緣層222于一半導(dǎo)體晶圓層220上，此半導(dǎo)體晶圓層220比如是一層絕緣層，形成在一個(gè)比如為硅基底的基底(未圖標(biāo))上，其中可能包含許多元件已經(jīng)形成于其上或其中，此絕緣層222可以是能夠阻擋導(dǎo)電的任何材料，比如是摻雜或是未摻雜的氧化硅、像是磷硅酸鹽玻璃或是氟化硅玻璃等硅酸鹽玻璃、像是旋涂介電質(zhì)、氧化氟等低介電常數(shù)介電材料之類的材質(zhì)。絕緣層222進(jìn)一步包括兩個(gè)暴露出來(lái)的導(dǎo)電單元，比如為兩條金屬線224，226，此金屬線224，226比如是銅線，其形成方式比如先在絕緣層222中形成溝渠(未圖標(biāo))，然后沿著溝渠表面形成一層共形的阻障層230，接著在阻障層230上形成一層金屬層，再進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝或是回蝕刻以移除多余的金屬層與阻障層。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在絕緣層222、金屬線226與金屬線224上形成一層堆棧層(未圖標(biāo))，其厚度較佳為1000至1500埃，接著以絕緣層222、金屬線224，226作為蝕刻阻擋層定義并蝕刻堆棧層，以在金屬線226上形成一個(gè)薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232，此薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232比如包括氮化鉭層234/非晶系硅層236/氮化鉭層238形成的交疊層，系用以作為電容器單元，但是此薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232也可以包括以氮化鉭/非晶系碳化物/氮化鉭、氮化鉭/碳化硅/氮化鉭、氮化鈦/非晶系硅/氮化鈦、氮化鈦/非晶系碳化物/氮化鈦、氮化鈦/碳化硅/氮化鈦等堆棧層其中之一構(gòu)成。
此外，依照本發(fā)明，可以進(jìn)一布在薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232的非晶系硅層236上進(jìn)行一道氧氣電漿處理，氧氣電漿處理進(jìn)行的目的在于非晶系硅層236上形成一層薄的氧化硅層(未圖標(biāo))。
在完成薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232的形成以后，在一層內(nèi)金屬介電層中進(jìn)行一般的雙重金屬鑲嵌制作工藝，其中可以雙重金屬的蝕刻中可以先蝕刻介層洞也可以先蝕刻溝渠。
請(qǐng)參照?qǐng)D2C，在絕緣層222、金屬線224，226以及薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232上形成一層共形的絕緣薄膜240，之后在共形的絕緣層240上形成一層絕緣層242，然后進(jìn)一步的在絕緣層242形成另一層絕緣薄膜244，然后在絕緣薄膜244上形成一層絕緣層246。根據(jù)本發(fā)明，可以在形成絕緣薄膜244之前對(duì)絕緣層242進(jìn)行平坦化，絕緣薄膜240，244用以作為蝕刻阻擋層，其厚度約為1300埃，絕緣薄膜240，244的材質(zhì)包括氮化硅、碳化硅等，用以作為內(nèi)金屬介電層的絕緣層242，246的材質(zhì)包括摻雜或未摻雜的氧化硅、硅酸鹽玻璃、低介電常數(shù)介電材料等。
參照?qǐng)D2C，進(jìn)行微影與蝕刻制作工藝來(lái)定義絕緣層246以及絕緣薄膜244，借此以在金屬線224上方形成一個(gè)導(dǎo)線開(kāi)口248，并在薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232上方形成一個(gè)導(dǎo)線開(kāi)口250；另外進(jìn)一步進(jìn)行另一道微影與蝕刻制作工藝來(lái)定義位于導(dǎo)線開(kāi)口248，250下方的之絕緣薄膜240以及絕緣層242，借此以分別形成一個(gè)介層洞開(kāi)口252以及介層洞開(kāi)口254。
在本發(fā)明中，微影與蝕刻制作工藝可以用來(lái)定義絕緣層242，246與絕緣薄膜244，240，借此以先在絕緣層242內(nèi)形成介層洞開(kāi)口252，254；另一道微影與蝕刻制作工藝可以用來(lái)定義絕緣層246與絕緣薄膜244，以形成導(dǎo)線開(kāi)口248與250。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2D，依序在絕緣層246上形成一層阻障層256與一層金屬層258，填滿導(dǎo)線開(kāi)口248，250與介層洞開(kāi)口252，254，以分別形成一個(gè)雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)260以及另一個(gè)雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)262；其中阻障層256的材質(zhì)比如為氮化鈦，而金屬層258的材質(zhì)比如為銅、鈦、鉭、鋁、鋁銅合金等，阻障層256與金屬層258的形成方式比如物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。
從堆棧結(jié)構(gòu)層的形成到雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)的形成步驟可以重復(fù)進(jìn)行用以形成下層內(nèi)聯(lián)機(jī)。
因此，根據(jù)本發(fā)明提供的在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中有電容器的積體元件至少包括兩條比如為銅線的金屬線224，226形成于絕緣層222中；薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232比如為包括氮化鉭、非晶系硅層236以及氮化鉭層交互堆棧的結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于金屬線226上，其中薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232中的非晶系硅層進(jìn)一步包括用氧氣電漿加以處理過(guò)，放置于金屬線226上方的薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232可以延伸到金屬線226的周邊，或是限制在金屬線226的邊緣內(nèi)；雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)260，262形成在絕緣薄膜240、絕緣層242、絕緣薄膜244以及絕緣層246之中，位于金屬線224與薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232上方，并分別與其相接觸。此外，薄膜堆棧結(jié)構(gòu)232放置在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)260，262的介層洞部分。
根據(jù)本發(fā)明提供的一種在雙重金屬鑲嵌制作工藝中制作電容器的方法，在形成薄膜堆棧結(jié)構(gòu)以后，接著進(jìn)行一般的雙重金屬鑲嵌制作工藝，以完成在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中形成電容器的制作工藝，此方法對(duì)制作流程的干擾最小，此外在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中加入電容器的制作工藝只需要一個(gè)額外的罩幕，因此本發(fā)明之方法可以有效的節(jié)省成本。
此外，在定義堆棧層的制作工藝裕度不會(huì)很緊，因此可以有較高的封裝密度，本發(fā)明可因此適用于較高密度/較細(xì)的間距(＜1微米的間距)的金屬-絕緣體-金屬的應(yīng)用上。
另外，因?yàn)榉慈诮z(antifuse)具有與電容器相似的結(jié)構(gòu)，所以本發(fā)明也可以用來(lái)制作反融絲；此外本發(fā)明提到進(jìn)行一道氧氣電漿處理步驟以在薄膜堆棧結(jié)構(gòu)中的非晶系硅層上形成一層薄的氧化物薄膜，漏電流的問(wèn)題可以得到改善，特別在當(dāng)電壓被施加在反融絲的上方時(shí)。
雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種在雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作電容器的方法，其特征在于包括下列步驟提供一半導(dǎo)體晶圓層，其中至少有一金屬線；在該金屬線上形成一堆棧層；定義該堆棧層以在該金屬線上形成一電容器結(jié)構(gòu)，并與該屬線相接觸；在該電容器結(jié)構(gòu)上形成一內(nèi)金屬介電層；以及同時(shí)形成一第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)于該電容器結(jié)構(gòu)上并與其相接觸以及一第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)在該內(nèi)金屬介電層內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該堆棧層的步驟包括依序形成一氮化鉭層、一非晶系硅層以及一氮化鉭層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于該非晶系硅層上會(huì)進(jìn)行一道氧氣電漿處理。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該堆棧層的結(jié)構(gòu)組合包括氮化鉭/非晶系氮化物/氮化鉭、氮化鉭/碳化硅/氮化鉭、氮化鈦/非晶系硅層/氮化鈦、氮化鈦/非晶系碳化物/氮化鈦、以及氮化鈦/碳化硅/氮化鈦。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該內(nèi)金屬介電層以一氧化物材料、一硅化玻璃材料、一四乙基正硅酸鹽材料或是一低介電常數(shù)介電材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)以及該第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)的步驟包括定義該內(nèi)金屬介電層以于該電容器結(jié)構(gòu)上形成一第一導(dǎo)線開(kāi)口，并形成一第二導(dǎo)線開(kāi)口；定義該內(nèi)金屬介電層以在該第一導(dǎo)線開(kāi)口的下方形成一第一介層洞開(kāi)口，暴露出一部份的電容器結(jié)構(gòu)上，并在該第二導(dǎo)線開(kāi)口的下方形成一第二介層洞開(kāi)口；以及用一金屬層填滿該第一導(dǎo)線開(kāi)口、該第二導(dǎo)線開(kāi)口、該第一介層洞開(kāi)口以及該第二介層洞開(kāi)口。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該第一雙重鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)與該第二雙重鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)的步驟包括定義該內(nèi)金屬介電層以形成一第一介層洞開(kāi)口暴露出該電容器結(jié)構(gòu)上，并形成一第二介層洞開(kāi)口；定義該內(nèi)金屬介電層以于該第一介層洞上方形成一第一導(dǎo)線開(kāi)口，并在該第二介層洞上方形成一第二導(dǎo)線開(kāi)口；以及用一金屬層填滿該第一導(dǎo)線開(kāi)口、該第二導(dǎo)線開(kāi)口、該第一介層洞開(kāi)口以及該第二介層洞開(kāi)口。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)以及該第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)以銅形成。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)以及該第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)的材質(zhì)系選自鉭、鈦、鋁以及氧化鋁合金其中之一。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該內(nèi)金屬介電層的步驟包括依序形成一第一蝕刻阻擋層、一第一絕緣層、一第二蝕刻阻擋層以及一第二絕緣層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該金屬線以銅形成。
12.一種在一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作一電容器的方法，其特征在于包括下列步驟提供一半導(dǎo)體晶圓層，其中至少有一金屬線；在該金屬線上形成由一第一導(dǎo)電層、一非經(jīng)系硅層與一第二導(dǎo)電層構(gòu)成的一堆棧層作為一電容器單元；形成一共形的第一蝕刻阻擋層于該電容器單元、該金屬線；形成一第一絕緣層于該第一蝕刻阻擋層上；平坦化該第一絕緣層；形成一第二蝕刻阻擋層于該平坦化的第一絕緣層上；形成一第二絕緣層于該第二蝕刻阻擋層上；進(jìn)行一第一雙重金屬鑲嵌的介層洞以及一第一雙重金屬鑲嵌的溝渠的蝕刻步驟，以同時(shí)在該電容器單元上形成一第一雙重金屬鑲嵌開(kāi)以及形成一第二雙重金屬鑲嵌開(kāi)口；在該第一雙重金屬鑲嵌開(kāi)口、該第二雙重金屬鑲嵌開(kāi)口以及該第二絕緣層上形成一共形的阻障層；在該組障層與該第二絕緣層上形成一金屬層，并填滿該第一雙重金屬鑲嵌開(kāi)口與該第二雙重金屬鑲嵌開(kāi)口；以及移除在該第一雙重金屬鑲嵌開(kāi)口以及該第二雙重金屬鑲嵌開(kāi)口以外的該金屬層以及該組障層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于該金屬線以銅形成。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于該非晶系硅層上會(huì)進(jìn)行一道氧氣電漿處理。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于該金屬線的材質(zhì)選自銅、鉭、鈦、鋁以及氧化鋁合金其中之一。
16.一種在一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中制作一電容器單元的方法，其特征在于包括下列步驟提供至少一金屬線；在該金屬線上形成該電容器單元；以及同時(shí)在該電容器單元上形成一第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)，以及形成一第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于該電容器單元形成在該第一與該第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)的介層洞部分。
18.一種將一電容器結(jié)合在一內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中的積體元件，其特征在于包括至少一金屬線；一平坦化的第一絕緣層，位于該金屬線上；一蝕刻阻擋層，位于該平坦的第一絕緣層；一第二絕緣層，位于該蝕刻阻擋層；一第一介層洞、一第二介層洞與該電容器，結(jié)合在該第一絕緣層中，其中該第一介層洞系結(jié)合在該電容器上方并與其接觸，而該電容器則結(jié)合在該金屬線上方并與其接觸；以及一第一導(dǎo)線與一第二導(dǎo)線結(jié)合于該第二絕緣層以及該蝕刻阻擋層中，其中該第一導(dǎo)線系結(jié)合在該第一介層洞上并與其相連接，該第二導(dǎo)線結(jié)合在該第二介層洞上并與其相連接。
19.如權(quán)利要求18所述的元件，其特征在于該電容器包括由一氮化鉭層、一非晶系硅層以及一氮化鉭層組成的一堆棧層。
20.如權(quán)利要求19所述的元件，其特征在于該非晶系硅層進(jìn)一步包括一薄的氧化硅薄膜。
21.如權(quán)利要求18所述的元件，其特征在于該金屬線包括銅。
22.如權(quán)利要求18所述的元件，其特征在于該第一介層洞、該第二介層洞、該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線包括銅。
23.一種集成元件，在一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中含有一電容器，其特征在于包括至少一銅線；一平坦化的絕緣層，位于該銅線上；至少一第一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)與一第二雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)，分別位于該絕緣層；一電容器單元位于該銅線與該第二雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)之間并與其接觸。
24.如權(quán)利要求23所述的元件，其特征在于該電容器單元包括由一氮化鉭層、一非晶系硅層以及一氮化鉭層組成之一堆棧層。
25.如權(quán)利要求24所述的元件，其特征在于該非晶系硅層進(jìn)一步包括一薄的氧化硅薄膜。
26.如權(quán)利要求23所述的元件，其特征在于該第一金屬線與該第二金屬線包括銅。
27.如權(quán)利要求23所述的元件，其特征在于該第一絕緣層與該第二絕緣層所用的材質(zhì)選自一氧化物材料、一硅化物玻璃材料、一四乙基正硅酸鹽材料、以及一低介電常數(shù)介電材料其中之一。
28.如權(quán)利要求23所述的元件，其特征在于該電容器單元位于該第一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)與一第二雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)中之一介層洞部分。
全文摘要
一種將電容器結(jié)合于內(nèi)聯(lián)機(jī)系統(tǒng)中的集成元件制作方法，提供至少有一層第一金屬線以及一第二金屬線于一絕緣層中，沉積一層堆棧層并加以定義以在第二金屬線上形成一個(gè)薄膜堆棧結(jié)構(gòu)，在薄膜堆棧結(jié)構(gòu)、第一金屬線以及絕緣層上形成一層內(nèi)金屬介電層，然后至少形成第一雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)線以及第二雙重金屬鑲嵌內(nèi)聯(lián)機(jī)，分別與第一金屬線以及薄膜堆棧結(jié)構(gòu)相接觸。
文檔編號(hào)H01L29/00GK1523655SQ0310620
公開(kāi)日2004年8月25日 申請(qǐng)日期2003年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月21日
發(fā)明者郝洺音, 游萃蓉, 陳進(jìn)來(lái), 謝聰敏, 彭迺真, 葉日誠(chéng), 郝 音 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司