專利名稱：運(yùn)送方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及運(yùn)送技術(shù)，特別是有關(guān)適用于有軌運(yùn)送系統(tǒng)的有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
例如在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線中，伴隨著半導(dǎo)體晶片(下稱晶片)的大口徑化，由于每1個(gè)晶片的重量也在逐步增加，所以由機(jī)械運(yùn)送晶片的自動(dòng)處理化也在發(fā)展。
例如，如株式會(huì)社プレスジャ一ナル公司在平成9(1997)年12月20日發(fā)行的[月刊半導(dǎo)體世界]的第131頁-149頁所記載的一般對(duì)應(yīng)直徑300mm的晶片的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線中，將各種制造裝置(包括檢查裝置)分為稱作隔艙的裝置群，以隔艙為單位，配置在無塵室內(nèi)。因此，晶片自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)也與此相對(duì)應(yīng)，分為在隔艙之間運(yùn)送、隔艙內(nèi)運(yùn)送、堆料器等的要素(總成)而構(gòu)成。
這些總成之中，在隔艙之間運(yùn)送中，一般使用被稱作OHS(OverHead Shuttle)的頂置運(yùn)送方式。另外，在隔艙內(nèi)運(yùn)送中，使用在軌道上自動(dòng)行駛的被稱作RGV(Rail Guided Vehicle)的運(yùn)送車輛、無軌自動(dòng)行駛的被稱作AGV(Automatic Guided Vehicle)的運(yùn)送車輛、或者是作為頂置運(yùn)送方式之一的OHT(Over-head Hoisttransport)等。
例如，在特開平8-153767號(hào)公報(bào)中，公開了下述技術(shù)，在1根導(dǎo)軌上，配置有在導(dǎo)軌上可移動(dòng)的2臺(tái)基片運(yùn)送機(jī)器人，指定各個(gè)基片運(yùn)送機(jī)器人的工作的區(qū)域，通過在多個(gè)基片處理裝置之間，運(yùn)送晶片、濾色器用基片、感熱頭用基片以及印刷基片等的基片，來追求運(yùn)送處理能力的提高。
本發(fā)明者們就使用RGV的有軌運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行了研究。因?yàn)镽GV在導(dǎo)軌等的軌道上行駛，所以與無軌行駛的AVG相比，使穩(wěn)定地行駛成為可能。因此，控制行駛也容易。本發(fā)明者們?cè)谑褂眠@樣的RGV有軌運(yùn)送系統(tǒng)中，發(fā)現(xiàn)了下述的課題。
即，在使用RGV有軌運(yùn)送系統(tǒng)中，從為了避免運(yùn)送系統(tǒng)的設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)構(gòu)成(控制)的復(fù)雜化、和運(yùn)送系統(tǒng)設(shè)置成本上升的目的出發(fā)，一般是使一臺(tái)RGV上到單線軌道上。但是，在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線等的制造生產(chǎn)線內(nèi)，會(huì)產(chǎn)生制造裝置(包括檢查裝置)的維護(hù)、增設(shè)以及新設(shè)等的非常規(guī)作業(yè)等，在作業(yè)人員從單線軌道側(cè)進(jìn)入制造裝置的情況下，為確保作業(yè)人員的安全，有必要在產(chǎn)生該非常規(guī)作業(yè)等的位置隔斷運(yùn)送線路，使RGV不能進(jìn)入產(chǎn)生該非常規(guī)作業(yè)等的位置。因此，在隔斷運(yùn)送線路的情況下，RGV以產(chǎn)生非常規(guī)作業(yè)等的位置為界，只能在制造裝置群的一方工作，存在制造裝置的運(yùn)行率低下的課題。
本發(fā)明的目的是提供一種可以防止在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線等的制造生產(chǎn)線中的制造裝置的運(yùn)行率低下的有軌運(yùn)送系統(tǒng)。
本發(fā)明的上述以及其他的目的和新特征，從本說明書的記述以及附圖中，即可明確。

發(fā)明內(nèi)容
若簡(jiǎn)單說明本申請(qǐng)中所公開的發(fā)明中的具有代表性物品的概要，則如下所述。
即，本發(fā)明是使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，(a)上述每一個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有第1階段以及第2階段的運(yùn)送形式，(b)在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
另外，本發(fā)明是使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，(a)上述每一個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有第1階段以及在隔斷上述單線軌道時(shí)的第2階段的運(yùn)送形式，(b)在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
另外，本發(fā)明是使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，(a)上述每一個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有在上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)的運(yùn)行率上產(chǎn)生差的情況的第1階段以及上述第1階段以外的第2階段的運(yùn)送形式，(b)在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
另外，本發(fā)明是使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，(a)上述每一個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有在將上述被運(yùn)送體運(yùn)送到上述多個(gè)制造裝置的等待時(shí)間上產(chǎn)生差的情況的第1階段以及上述第1階段以外的第2階段的運(yùn)送形式，(b)在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
另外，上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)的每1個(gè)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域，與其他的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域相互隔開。


圖1是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的全體俯視圖。
圖2是表示圖1所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
圖3是表示在圖1所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的新設(shè)或者增設(shè)情況的俯視圖。
圖4是表示在圖1所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的新設(shè)或者增設(shè)情況的俯視圖。
圖5是表示在圖1所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的維護(hù)的情況的俯視圖。
圖6是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
圖7是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的全體俯視圖。
圖8是表示圖7所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
圖9是表示在圖7所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的新設(shè)或者增設(shè)情況的俯視圖。
圖10是表示在圖7所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的新設(shè)或者增設(shè)情況的俯視圖。
圖11是表示在圖7所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分中，進(jìn)行制造裝置的維護(hù)的情況的俯視圖。
圖12是表示作為本發(fā)明的實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在用于說明實(shí)施方式的全部附圖中，對(duì)具有同一功能的部件賦予同一符號(hào)，省略其反復(fù)的說明。
(實(shí)施方式1)圖1是表示與例如直徑300mm的晶片相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的全體俯視圖。
用于半導(dǎo)體制造的熱處理裝置、離子注入裝置、蝕刻裝置、成膜裝置、清洗裝置、感光性樹脂涂抹裝置、曝光裝置等的各種制造裝置EQ(包括檢查裝置)被分為多個(gè)隔艙(裝置群)，配置在無塵室CR內(nèi)。這些各種制造裝置EQ分別對(duì)晶片實(shí)施處理。這樣，在無塵室CR內(nèi)的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)與該配置相對(duì)應(yīng)，是由多個(gè)運(yùn)送系統(tǒng)和中轉(zhuǎn)各運(yùn)送系統(tǒng)的堆料器BS構(gòu)成。
在各堆料器之間的晶片組(被運(yùn)送體)的運(yùn)送是通過設(shè)置在無塵室CR內(nèi)的運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行的。另一方面，有關(guān)制造裝置的晶片組的運(yùn)送是通過在鋪設(shè)于無塵室CR的運(yùn)送導(dǎo)軌(單線軌道)3上行駛的RGV(Rail Guided Vehicle)(運(yùn)送機(jī)構(gòu))11進(jìn)行的。即，本實(shí)施方式1的運(yùn)送系統(tǒng)是有軌運(yùn)送系統(tǒng)。在本實(shí)施方式中，組是指在同等條件下制造，在同等條件下實(shí)施(或者實(shí)施了)各種處理的晶片的集合體。該運(yùn)送導(dǎo)軌3是由2臺(tái)RGV11共用的。RGV11通過與RGV11進(jìn)行電氣性接續(xù)的行駛控制系統(tǒng)(省略圖示)來控制其工作狀態(tài)。
圖2是表示圖1所示的運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
在2個(gè)堆料器BS1、BS2之間，鋪設(shè)1根運(yùn)送導(dǎo)軌3，在該運(yùn)送導(dǎo)軌3上，配置2臺(tái)RGV11A、11B。另外，在堆料器BS1、BS2之間，配置例如n臺(tái)(n＞9)的制造裝置EQ1-EQn。
在本實(shí)施方式1中，首先作為第1階段，分別設(shè)定RGV11A、11B的可以分別行駛的運(yùn)送區(qū)域(第1運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2。該運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的設(shè)定是通過上述行駛控制系統(tǒng)來進(jìn)行的。此時(shí)，例如制造裝置EQ6在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的雙方重復(fù)的情況下，在從RGV11A向制造裝置EQ6搬入晶片組時(shí)，RGV11A就停滯在制造裝置EQ6前。此時(shí)，即使RGV11B有向制造裝置EQ6搬入的晶片組，也因?yàn)镽GV11A停滯在制造裝置EQ6前，而使RGV11B無法前進(jìn)到制造裝置EQ6。即，因?yàn)镽GV11B所有的晶片組不能搬入到制造裝置EQ6，所以對(duì)于RGV11B就是運(yùn)送效率低下。因此，在本實(shí)施方式1中，設(shè)定運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的一部分或者全部不重復(fù)。在圖2所示的運(yùn)送系統(tǒng)中，可以舉例表示，運(yùn)送區(qū)域MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ5的范圍，運(yùn)送區(qū)域MA2為從制造裝置EQ6到堆料器BS2的范圍。據(jù)此，可以防止由于2臺(tái)RGV11A、11B阻礙相互的前進(jìn)而引起的運(yùn)送效率的低下。
另外，例如在有從配置在運(yùn)送區(qū)域MA1內(nèi)的堆料器BS1向配置在運(yùn)送區(qū)域MA2內(nèi)的制造裝置EQ6-EQn中的任意一個(gè)運(yùn)送晶片組的情況下，可以在通過其他的運(yùn)送系統(tǒng)將該組從堆料器BS1運(yùn)送到堆料器BS2后，通過RGV11B從堆料器BS2運(yùn)送到配置在運(yùn)送區(qū)域MA2內(nèi)的所要的制造裝置上。
另外，為不使RGV11A、11B的運(yùn)送效率低下，且RGV11A、11B不阻礙相互的行駛，若可以控制基于RGV11A、11B的晶片組的運(yùn)送工程，則也可以設(shè)定運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的一部分或者全部重復(fù)。這種情況下，因?yàn)榻M的運(yùn)送路徑不是大略決定的，所以可以根據(jù)情況適當(dāng)?shù)剡x擇運(yùn)送路徑。
圖3以及圖4是俯視圖，表示在堆料器BS1和堆料器BS2之間，進(jìn)行與制造裝置EQ1-EQn不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1-EQn中的任意一個(gè)相同的制造裝置的增設(shè)的情況。
例如，如圖3所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之間，在進(jìn)行與制造裝置EQ1-EQn不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1-EQn中的任意一個(gè)相同的制造裝置的增設(shè)時(shí)(第2階段)，從靠近堆料器BS1以及堆料器BS2的位置依次逐漸導(dǎo)入。例如，在靠近堆料器BS1的位置，設(shè)置制造裝置EQ1-EQ3，在靠近堆料器BS2的位置，設(shè)置制造裝置EQ8-EQn的情況下，在制造裝置EQ3和制造裝置EQ8之間的區(qū)域(第1區(qū)域)，導(dǎo)入制造裝置EQ4-EQ7時(shí)，從靠近制造裝置EQ3、EQ8的位置開始依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ4-EQ7，與此相吻合，由于RGV11A、11B各自的運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2逐步依次擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置，所以依次逐漸設(shè)定新的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2。據(jù)此，可以將晶片組依次搬入到導(dǎo)入的制造裝置EQ4-EQ7。
另外，如圖4所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之間，在進(jìn)行與制造裝置EQ1-EQn不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1-EQn中的任意一個(gè)相同的制造裝置的增設(shè)時(shí)(第2階段)，也可以從靠近堆料器BS1的位置向堆料器BS2，依次導(dǎo)入制造裝置EQ4-EQ7。例如，在靠近堆料器BS1的位置，設(shè)置制造裝置EQ1-EQ3，在靠近堆料器BS2的位置，設(shè)置制造裝置EQ8-EQn的情況下，在制造裝置EQ3和制造裝置EQ8之間的區(qū)域(第1區(qū)域)，導(dǎo)入制造裝置EQ4-EQ7時(shí)，從靠近制造裝置EQ3的位置開始依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ4-EQ7，與此相吻合，由于RGV11A的運(yùn)送區(qū)域MA1逐步依次擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置，所以依次逐漸設(shè)定新的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1。據(jù)此，可以將晶片組依次搬入到導(dǎo)入的制造裝置EQ4-EQ7。
在進(jìn)行上述那樣的制造裝置的導(dǎo)入作業(yè)時(shí)，例如，考慮到作業(yè)人員從軌道導(dǎo)軌3側(cè)進(jìn)入制造裝置的導(dǎo)入?yún)^(qū)域，為確保作業(yè)人員的安全，在進(jìn)行制造裝置的導(dǎo)入作業(yè)的區(qū)域，要隔斷軌道導(dǎo)軌3，使RGV不能進(jìn)入。此時(shí)，在軌道導(dǎo)軌3上僅配置1臺(tái)RGV的情況下，RGV只能在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的某一方上進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)。因此，在配置于RGV不能進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)的運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的另一方的制造裝置中，晶片組不能被搬入，擔(dān)心會(huì)有制造裝置的運(yùn)行率低下的問題。另一方面，若根據(jù)使用圖3以及圖4所說明的本實(shí)施方式1的制造裝置的導(dǎo)入機(jī)構(gòu)以及運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的擴(kuò)大機(jī)構(gòu)，則在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2上分別預(yù)先配置RGV11A、11B。據(jù)此，可以防止在配置于運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的一方的制造裝置中，晶片組不能被搬入，制造裝置的運(yùn)行率低下等問題的產(chǎn)生。其結(jié)果是，可以防止通過本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT的延伸。
圖5是俯視圖，表示進(jìn)行包括檢查或者修理例如設(shè)置在堆料器BS1和堆料器BS2之間的制造裝置EQ1-EQn中的任意一個(gè)的維護(hù)的情況。
在進(jìn)行設(shè)置在堆料器BS1和堆料器BS2之間的制造裝置EQ1-EQn中的任意一個(gè)的維護(hù)的情況下，例如考慮到作業(yè)人員從軌道導(dǎo)軌3側(cè)向進(jìn)行維護(hù)的制造裝置方向進(jìn)入，為確保作業(yè)人員的安全，隔斷軌道導(dǎo)軌3，使RGV不能進(jìn)入到進(jìn)行制造裝置的維護(hù)的區(qū)域。即使是在這樣的狀況下，在軌道導(dǎo)軌3上僅配置1臺(tái)RGV的情況下，RGV只能在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的某一方上進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)。因此，在配置于RGV不能進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)的運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的另一方的制造裝置中，晶片組不能被搬入，擔(dān)心會(huì)有制造裝置的運(yùn)行率低下的問題。
因此，在本實(shí)施方式1中，如圖5所示，對(duì)例如設(shè)置在制造裝置EQ7和制造裝置EQ9之間的區(qū)域(第1區(qū)域)的制造裝置EQ8進(jìn)行維護(hù)的情況下(第2階段)，利用預(yù)先將2臺(tái)RGV11A、11B配置在運(yùn)送導(dǎo)軌3上，使RGV11A的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ7，RGV11B的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA2為從堆料器BS2到制造裝置EQ9。據(jù)此，可以防止在配置于運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2的一方的制造裝置中，晶片組不能被搬入，制造裝置的運(yùn)行率低下等問題的產(chǎn)生。其結(jié)果是，可以防止通過本實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT的延伸。
(實(shí)施方式2)接著，就本實(shí)施方式2的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行說明。
如圖6所示，本實(shí)施方式2的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的運(yùn)送系統(tǒng)與上述實(shí)施方式1相同，是在2個(gè)堆料器BS1、BS2之間鋪設(shè)1根運(yùn)送導(dǎo)軌3，2臺(tái)RGV11A、11B配置在運(yùn)送導(dǎo)軌3上。另外，例如n臺(tái)(n＞9)的制造裝置EQ1-EQn(包括檢查裝置)配置在堆料器BS1、BS2之間。
本實(shí)施方式2是使RGV11A、11B的運(yùn)行率以及制造裝置EQ1-EQn的運(yùn)行率水準(zhǔn)化。在本實(shí)施方式中，RGV11A、11B的運(yùn)行率是指相對(duì)于運(yùn)送系統(tǒng)工作的時(shí)間(可以服務(wù)的時(shí)間)，實(shí)際上RGV11A、11B的工作時(shí)間(已服務(wù)的時(shí)間)，制造裝置EQ1-EQn的運(yùn)行率是指相對(duì)于制造裝置可以處理的時(shí)間，實(shí)際上制造裝置EQ1-EQn的處理時(shí)間。
即使是在本實(shí)施方式2中，也與上述的實(shí)施方式1相同，首先，作為第1階段，在分別設(shè)定可以使RGV11A、11B分別行駛的運(yùn)送區(qū)域(第1運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2后，使運(yùn)送系統(tǒng)工作。在這里，例如通過使運(yùn)送區(qū)域MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ8，運(yùn)送區(qū)域MA2為從堆料器BS2到制造裝置EQ9，在RGV11A、11B的運(yùn)行率上產(chǎn)生差的情況下，擔(dān)心包含在運(yùn)送區(qū)域MA1上的制造裝置的組等待時(shí)間和包含在運(yùn)送區(qū)域MA2上的制造裝置的組的等待時(shí)間上產(chǎn)生差。這種情況下，因?yàn)閷?duì)于組等待時(shí)間長(zhǎng)的制造裝置，運(yùn)行率低下，所以擔(dān)心通過本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所生產(chǎn)出的成品TAT的延伸。
因此，在本實(shí)施方式2中，例如RGV11A的運(yùn)行率為70％左右，RGV11B的運(yùn)行率為50％左右，在RGV11A、11B的運(yùn)行率上產(chǎn)生差的情況下，通過分別擴(kuò)大或者縮小運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2，以使RGV11A、11B的運(yùn)行率為相同程度(例如為60％左右)，逐步設(shè)定新的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2(第2階段)。例如，若通過將運(yùn)送區(qū)域MA1縮小到從堆料器BS1至制造裝置EQ5，將運(yùn)送區(qū)域MA2擴(kuò)大到從堆料器BS2至制造裝置EQ6，以使RGV11A、11B的運(yùn)行率為相同程度，則就可以這樣。據(jù)此，可以縮小包含在運(yùn)送區(qū)域MA1中的制造裝置EQ1-EQ5的組等待時(shí)間與包含在運(yùn)送區(qū)域MA2中的制造裝置EQ6-EQn的組等待時(shí)間的差。其結(jié)果因?yàn)榭梢允怪圃煅b置EQ1-EQn的運(yùn)行率水準(zhǔn)化，所以可以防止通過本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成TAT的延伸。即，通過以各制造裝置EQ1-EQn的處理時(shí)間(相對(duì)于晶片實(shí)施處理所需的時(shí)間)、處理頻度以及處理時(shí)期(處理頻度的不規(guī)則)等為基礎(chǔ)設(shè)定運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2，因?yàn)榭梢钥s短在各制造裝置EQ1-EQn中的組等待時(shí)間，所以可以縮短通過本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT。
(實(shí)施方式3)圖7是表示本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的全體俯視圖。
即使在本實(shí)施方式3中，也與上述實(shí)施方式1相同，各種制造裝置EQ(包括檢查裝置)被分為多個(gè)隔艙(裝置群)，配置在無塵室CR內(nèi)。另外，在各堆料器之間的晶片組的運(yùn)送是通過設(shè)置在無塵室CR內(nèi)的運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行的。有關(guān)制造裝置的晶片組的運(yùn)送，是通過在鋪設(shè)于無塵室CR的地面上的運(yùn)送導(dǎo)軌3上行駛的RGV11進(jìn)行的，在本實(shí)施方式3中，是用1根運(yùn)送導(dǎo)軌3連結(jié)3個(gè)堆料器BS，是3臺(tái)RGV11共用1根運(yùn)送導(dǎo)軌3。
圖8是表示圖7所示的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的一部分的俯視圖。
如圖8所示，鋪設(shè)1根運(yùn)送導(dǎo)軌3，以連結(jié)3個(gè)堆料器BS1、BS2、BS3，在該運(yùn)送導(dǎo)軌3上，配置3臺(tái)RGV11A、11B、11C。另外，在堆料器BS1、BS2之間，配置例如n臺(tái)(n＞7)的制造裝置EQ1A-EQnA，另外，在堆料器BS2、BS3之間，配置例如n臺(tái)(n＞7)的制造裝置EQ1B-EQnB。
即使在本實(shí)施方式3中，也與上述實(shí)施方式1相同，首先作為第1階段，分別設(shè)定RGV11A、11B、11C可以分別行駛的運(yùn)送區(qū)域(第1運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2、MA3。此時(shí)，在例如制造裝置EQ4A在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2這兩方重復(fù)的情況下，將晶片組從RGV11A搬入到制造裝置EQ4A時(shí)，RGV11A停滯在制造裝置EQ4A前。此時(shí)，即使RGV11B有向制造裝置RQ4A搬入的晶片組，也因?yàn)镽GV11A停滯在制造裝置EQ4A前，所以RGV11B不能前進(jìn)到制造裝置EQ4A。即，因?yàn)橛蠷GV11B的晶片組不能搬入到制造裝置EQ4A，所以對(duì)于RGV11B就成為運(yùn)送效率低下。另外，即使在例如制造裝置EQ4B在運(yùn)送區(qū)域MA2、MA3這兩方重復(fù)的情況下，也可以說是相同的。因此，在本實(shí)施方式3中，將運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3的一部分或者全部設(shè)定為不重復(fù)。在圖8所示的運(yùn)送系統(tǒng)中，舉例表示了運(yùn)送區(qū)域MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ4A的范圍，運(yùn)送區(qū)域MA2為從制造裝置EQ5A到制造裝置EQ4B的范圍，運(yùn)送區(qū)域MA3為從制造裝置EQ5B到堆料器BS3的范圍。據(jù)此，可以防止由于3臺(tái)RGV11A、11B、11C阻礙相互的行進(jìn)而產(chǎn)生的運(yùn)送效率的低下。
另外，與上述實(shí)施方式1相同，例如在有從配置于運(yùn)送區(qū)域MA1內(nèi)的堆料器BS1，向配置于運(yùn)送區(qū)域MA2內(nèi)的制造裝置EQ5A-EQ4B的任意一方運(yùn)送晶片組的情況下，可以在通過其他的運(yùn)送系統(tǒng)，將該組從堆料器BS1運(yùn)送到堆料器BS2后，通過RGV11B，從堆料器BS2運(yùn)送到配置于運(yùn)送區(qū)域MA2內(nèi)的所希望的制造裝置上。另外，在有從堆料器BS1向配置于運(yùn)送區(qū)域MA3內(nèi)的制造裝置EQ5B-EQnB中的任意一方運(yùn)送晶片組的情況下，對(duì)于進(jìn)行從堆料器BS2向其他的運(yùn)送區(qū)域的運(yùn)送的情況，以及進(jìn)行從堆料器BS3向其他的運(yùn)送區(qū)域運(yùn)送的情況，也可以使用同樣的機(jī)構(gòu)。
另外，即使在本實(shí)施方式3中，若使RGV11A、11B、11C的運(yùn)送效率不低下，且使RGV11A、11B、11C不阻礙相互的行駛，從而能控制基于RGV11A、11B、11C的組的運(yùn)送工程，則也可以將運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3的一部分或者全部設(shè)定為重復(fù)。這種情況下，因?yàn)榻M的運(yùn)送路徑不是大略決定的，所以可以根據(jù)情況適當(dāng)?shù)剡x擇運(yùn)送路徑。
圖9以及圖10是俯視圖，表示在堆料器BS1和堆料器BS2之間以及在堆料器BS2和堆料器BS3之間，進(jìn)行與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB中的任意一種相同的制造裝置的增設(shè)的情況。
如圖9所示，在堆料器BS1和堆料器BS2之間，在進(jìn)行與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB中的任意一種相同的制造裝置的增設(shè)時(shí)(第2階段)，與使用圖3通過上述實(shí)施方式1所說明的情況相同，也是從靠近堆料器BS1以及堆料器BS2的位置開始逐步依次導(dǎo)入。同樣，在堆料器BS2和堆料器BS3之間，在進(jìn)行與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB不同的制造裝置的新設(shè)，或者與制造裝置EQ1A-EQnA以及與制造裝置EQ1B-EQnB中的任意一種相同的制造裝置的增設(shè)時(shí)，也是從靠近堆料器BS2以及堆料器BS3的位置開始逐步依次導(dǎo)入。例如，想定下述狀況，在堆料器BS1和堆料器BS2之間，在靠近堆料器BS1的位置，設(shè)置制造裝置EQ1A、EQ2A，在靠近堆料器BS2的位置，設(shè)置制造裝置EQ7A-EQnA，在堆料器BS2和堆料器BS3之間，在靠近堆料器BS2的位置，設(shè)置制造裝置EQ1B、EQ2B，在靠近堆料器BS3的位置，設(shè)置制造裝置EQ7B-EQnB。在這里，在制造裝置EQ2A和制造裝置EQ7A之間的區(qū)域(第1區(qū)域)，導(dǎo)入制造裝置EQ3A-EQ6A時(shí)，從靠近制造裝置EQ2A、EQ7A的位置，依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ3A-EQ6A，與此相吻合，RGV11A、11B的各自的運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2也依次逐漸擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置。同樣，在制造裝置EQ2B和制造裝置QE7B之間的區(qū)域(第1區(qū)域)，導(dǎo)入制造裝置EQ3B-EQ6B時(shí)，從靠近制造裝置EQ2B、EQ7B的位置，依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ3B-EQ6B，與此相吻合，RGV11B、11C的各自的運(yùn)送區(qū)域MA2、MA3也依次逐漸擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置。這樣，依次逐漸設(shè)定新的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2、MA3，可以依次將晶片組搬入到被導(dǎo)入的制造裝置EQ3A-EQ6A以及制造裝置EQ3B-EQ6B。
另外，如圖10所示，也可以從靠近堆料器BS1的位置向堆料器BS2，依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ3A-EQ6A，與此相吻合，RGV11A的運(yùn)送區(qū)域MA1依次逐漸擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置，可以依次將晶片組搬入到被導(dǎo)入的制造裝置EQ3A-EQ6A。同樣，也可以從靠近堆料器BS2的位置向堆料器BS3，依次逐漸導(dǎo)入制造裝置EQ3B-EQ6B，與此相吻合，RGV11B的運(yùn)送區(qū)域MA2依次逐漸擴(kuò)大到導(dǎo)入的制造裝置，可以依次將晶片組搬入到被導(dǎo)入的制造裝置EQ3B-EQ6B。
如在上述實(shí)施方式1中所說明的那樣，因?yàn)楦魯嘬壍缹?dǎo)軌3，使RGV不能進(jìn)入進(jìn)行制造裝置的導(dǎo)入作業(yè)的區(qū)域，所以在軌道導(dǎo)軌3上只配置1臺(tái)RGV的情況下，RGV只能在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3中的任意一個(gè)位置進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)。另一方面，根據(jù)使用圖9以及圖10所說明的本實(shí)施方式3的制造裝置的導(dǎo)入機(jī)構(gòu)以及運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3的擴(kuò)大機(jī)構(gòu)，預(yù)先將RGV11A、11B、11C分別配置在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3上。據(jù)此，可以防止晶片組不能搬入到配置于運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3的任意2個(gè)位置的制造裝置中，發(fā)生制造裝置的運(yùn)行率低下的問題。其結(jié)果是可以防止通過本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的產(chǎn)品TAT的延伸。
另外，如上所述，通過在軌道導(dǎo)軌3上配置3臺(tái)RGV，在沿軌道導(dǎo)軌3的區(qū)域，配置與RGV數(shù)量相同的堆料器，與通過上述實(shí)施方式1所說明的配置2臺(tái)RGV和與RGV數(shù)量相同的堆料器的情況(參照?qǐng)D3以及圖4)相比較，可以詳細(xì)地設(shè)定與各自的RGV相對(duì)應(yīng)的運(yùn)送區(qū)域。據(jù)此，根據(jù)本實(shí)施方式3，與上述實(shí)施方式1相比較，可以根據(jù)用途，詳細(xì)地設(shè)定與各自的RGV相對(duì)應(yīng)的運(yùn)送區(qū)域。例如，與上述實(shí)施方式1相比較，在將制造裝置導(dǎo)入到半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線內(nèi)時(shí)，可以容易地設(shè)定與制造裝置的配置設(shè)置相對(duì)應(yīng)的RGV的運(yùn)送范圍。
但是，在本實(shí)施方式3中，是以在軌道導(dǎo)軌3上配置3臺(tái)RGV，在沿軌道導(dǎo)軌3的區(qū)域，設(shè)置與RGV數(shù)量相同的堆料器的情況為例進(jìn)行說明的，RGV不必限定為3臺(tái)，也可以配置更多的RGV，還可以使用配置與此相吻合數(shù)量的堆料器的機(jī)構(gòu)。據(jù)此，因?yàn)榭梢愿敿?xì)地設(shè)定與各自的RGV相對(duì)應(yīng)的運(yùn)送區(qū)域，所以容易設(shè)定進(jìn)一步與用途相對(duì)應(yīng)的運(yùn)送范圍。
圖11是俯視圖，表示例如對(duì)在堆料器BS1和堆料器BS3之間設(shè)置的制造裝置EQ1A-EQnA以及制造裝置EQ1B-EQnB中的任意2個(gè)進(jìn)行包括檢查或者修理等的維護(hù)的情況。
與上述實(shí)施方式1相同，即使是對(duì)在堆料器BS1和堆料器BS3之間設(shè)置的制造裝置EQ1A-EQnA以及制造裝置EQ1B-EQnB中的任意2個(gè)進(jìn)行維護(hù)的情況下，也是隔斷軌道導(dǎo)軌3，使RGV不能進(jìn)入到進(jìn)行制造裝置的維護(hù)的區(qū)域。即使在這樣的狀況下，在軌道導(dǎo)軌3上只配置1臺(tái)RGV的情況下，RGV也只能在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3中的任意一個(gè)區(qū)域進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)。因此，晶片組不能被搬入到配置在RGV不能進(jìn)行運(yùn)送作業(yè)的其他的2個(gè)運(yùn)送區(qū)域的制造裝置中，擔(dān)心制造裝置的運(yùn)行率低下的問題。
因此，在本實(shí)施方式3中，如圖11所示，例如在對(duì)設(shè)置在制造裝置EQ5A和制造裝置EQ7A之間的區(qū)域(第1區(qū)域)的制造裝置EQ6A以及設(shè)置在制造裝置EQ5B和制造裝置EQ7B之間的區(qū)域(第1區(qū)域)的制造裝置EQ6B進(jìn)行保養(yǎng)的情況下(第2階段)，利用將3臺(tái)RGV11A、11B、11C預(yù)先配置在運(yùn)送導(dǎo)軌3上。即，使RGV11A的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ5A，使RGV11B的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA2為從制造裝置EQ7A到制造裝置EQ5B，使RGV11C的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA3為從制造裝置EQ7B到堆料器BS3。據(jù)此，可以防止晶片組不能被搬入到配置在運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3中的任意2區(qū)域的制造裝置中，制造裝置的運(yùn)行率發(fā)生低下的問題。其結(jié)果是可以防止通過本實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT的延伸。
如上所述，通過在軌道導(dǎo)軌3上配置3臺(tái)RGV，在沿軌道導(dǎo)軌3的區(qū)域，配置與RGV數(shù)量相同的堆料器，即使是在對(duì)沿軌道導(dǎo)軌3設(shè)置的制造裝置中的2個(gè)進(jìn)行維護(hù)的情況下，也可以不使制造裝置的運(yùn)行率低下，從而運(yùn)送晶片組。另外，RGV不限于3臺(tái)，通過配置更多的RGV，配置與此相吻合數(shù)量的堆料器，即使在對(duì)2個(gè)以上的制造裝置進(jìn)行維護(hù)的情況下，也可以不使制造裝置的運(yùn)行率低下，從而運(yùn)送晶片組。
根據(jù)上述那樣的本實(shí)施方式3，也可以得到與上述實(shí)施方式1相同的效果。
(實(shí)施方式4)接著，就本實(shí)施方式4的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行說明。
如圖12所示，本實(shí)施方式4的晶片全自動(dòng)運(yùn)送系統(tǒng)的運(yùn)送系統(tǒng)與上述實(shí)施方式3相同，是鋪設(shè)1根連結(jié)3個(gè)堆料器BS1、BS2、BS3的運(yùn)送導(dǎo)軌3，在運(yùn)送導(dǎo)軌3上，配置3臺(tái)RGV11A、11B、11C。另外，在堆料器BS1、BS2之間，配置例如n臺(tái)(n＞7)的制造裝置EQ1A-EQnA(包括檢查裝置)，在堆料器BS2、BS3之間，配置例如n臺(tái)(n＞7)的制造裝置EQ1B-EQnB(包括檢查裝置)。
本實(shí)施方式4與上述實(shí)施方式2相同，是使RGV11A、11B、11C的運(yùn)行率水準(zhǔn)化。另外，有關(guān)制造裝置EQ1A-EQnA以及制造裝置EQ1B-EQnB的運(yùn)行率也是水準(zhǔn)化。
即使是在本實(shí)施方式4中，也與上述實(shí)施方式3相同，首先作為第1階段，在分別設(shè)定RGV11A、11B、11C可以分別行駛的運(yùn)送區(qū)域(第1運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2、MA3后，使運(yùn)送系統(tǒng)工作。在這里，例如通過使運(yùn)送區(qū)域MA1為從堆料器BS1到制造裝置EQ4A，運(yùn)送區(qū)域MA2為從制造裝置EQ5A到制造裝置EQ4B，運(yùn)送區(qū)域MA3為從堆料器BS3到制造裝置EQ5B，在RGV11A、11B、11C的運(yùn)行率上產(chǎn)生差的情況下，擔(dān)心在包含于運(yùn)送區(qū)域MA1中的制造裝置的組等待時(shí)間，和包含于運(yùn)送區(qū)域MA2中的制造裝置的組等待時(shí)間，與包含于運(yùn)送區(qū)域MA3中的制造裝置的組等待時(shí)間上產(chǎn)生差。這種情況下，因?yàn)閷?duì)于組等待時(shí)間長(zhǎng)的制造裝置，運(yùn)行率低下，所以擔(dān)心通過本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT的延伸。
因此，在本實(shí)施方式4中，例如RGV11A的運(yùn)行率為40％左右，RGV11B的運(yùn)行率為60％左右，RGV11C的運(yùn)行率為80％左右，在RGV11A、11B、11C的運(yùn)行率上產(chǎn)生差的情況下，通過分別擴(kuò)大或者縮小運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3，以使RGV11A、11B、11C的運(yùn)行率為相同程度(例如60％左右)，從而逐步設(shè)定新的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)MA1、MA2、MA3(第2階段)。例如，通過將運(yùn)送區(qū)域MA1擴(kuò)大到從堆料器BS1至制造裝置EQ6A，將運(yùn)送區(qū)域MA2變更為從制造裝置EQ7A到制造裝置EQ6B，將運(yùn)送區(qū)域MA3縮小到從堆料器BS2到制造裝置EQ7B，若可使RGV11A、11B、11C的運(yùn)行率為相同程度，則就可以這樣。據(jù)此，可以縮小包含在運(yùn)送區(qū)域MA1中的制造裝置EQ1A-EQ6A的組等待時(shí)間，和包含在運(yùn)送區(qū)域MA2中的制造裝置EQ7A-EQ6B的組等待時(shí)間，與包含在運(yùn)送區(qū)域MA3中的制造裝置EQ7B-EQnB的組等待時(shí)間的差。其結(jié)果因?yàn)榭梢允怪圃煅b置EQ1A-EQnA以及制造裝置EQ1B-EQnB的運(yùn)行率水準(zhǔn)化，所以可以防止通過本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT的延伸。即，與上述實(shí)施方式2相同，通過以制造裝置EQ1A-EQnA以及制造裝置EQ1B-EQnB的各自的處理時(shí)間、處理頻度以及處理時(shí)期(處理頻度不規(guī)則)等為基礎(chǔ)設(shè)定運(yùn)送區(qū)域MA1、MA2、MA3，因?yàn)榭梢钥s短在制造裝置EQ1A-EQnA以及在制造裝置EQ1B-EQnB中的組等待時(shí)間，所以可以縮短通過本實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線所制造的成品TAT。
另外，在上述的本實(shí)施方式4中，是就在軌道導(dǎo)軌3上配置3臺(tái)RGV，在沿軌道導(dǎo)軌3的區(qū)域，配置與RGV數(shù)量相同的堆料器的情況為例表示的，RGV不必限定為3臺(tái)，也可以配置更多的RGV，配置與此相吻合數(shù)量的堆料器。
根據(jù)上述那樣的本實(shí)施方式4，也可以得到與上述實(shí)施方式2相同的效果。
以上，根據(jù)發(fā)明的實(shí)施方式，具體地說明了由本發(fā)明者所作的發(fā)明，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)，不用說可以進(jìn)行各種變更。
另外，在上述實(shí)施方式中，就將本發(fā)明適用于在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線中的晶片組的運(yùn)送系統(tǒng)的情況進(jìn)行了說明，也可以適用于在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線以外的運(yùn)送系統(tǒng)，例如在液晶顯示器的制造生產(chǎn)線中的運(yùn)送系統(tǒng)。
若對(duì)在根據(jù)本申請(qǐng)所發(fā)表的發(fā)明中，通過具有代表性的發(fā)明所得到的效果進(jìn)行簡(jiǎn)單說明，則如下所示。
(1)即使在隔斷軌道導(dǎo)軌(單線軌道)的情況下，因?yàn)榭梢詫⒈贿\(yùn)送體運(yùn)送到設(shè)置在被隔斷區(qū)域(第1運(yùn)送區(qū)域)以外的區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)的制造裝置(包括檢查裝置)上，所以可以防止制造裝置的運(yùn)行率的低下。
(2)因?yàn)樵谲壍缹?dǎo)軌(單線軌道)上設(shè)置多臺(tái)RGV(運(yùn)送機(jī)構(gòu))，根據(jù)各個(gè)RGV的運(yùn)行率，設(shè)定新的各個(gè)RGV的運(yùn)送區(qū)域(第2運(yùn)送區(qū)域)，所以可以使各RGV的運(yùn)行率以及基于RGV而運(yùn)送被運(yùn)送體的制造裝置(包括檢查裝置)的運(yùn)行率水準(zhǔn)化。
權(quán)利要求
1.一種運(yùn)送方法，使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，其特征在于，上述各自的運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有第1階段以及上述第1階段后的第2階段的運(yùn)送形式，在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)之一的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域，與其他的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域相互隔開。
3.如權(quán)利要求1所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)是在上述單線軌道上或者沿其行駛的RGV。
4.如權(quán)利要求1所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述被運(yùn)送體是直徑為300mm以上的半導(dǎo)體晶片組。
5.一種運(yùn)送方法，使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，其特征在于，上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)中的至少一個(gè)具有第1階段以及在隔斷上述單線軌道時(shí)的第2階段的運(yùn)送形式，在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
6.如權(quán)利要求5所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)之一的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域，與其他的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域相互隔開。
7.如權(quán)利要求5所述的運(yùn)送方法，其特征在于，在實(shí)施上述運(yùn)送裝置的維護(hù)、上述制造裝置的至少一個(gè)新設(shè)或者增設(shè)期間，在上述維護(hù)、新設(shè)或者增設(shè)的位置，隔斷上述單線軌道。
8.如權(quán)利要求5所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)是在上述單線軌道上或者沿其行駛的RGV。
9.如權(quán)利要求5所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述被運(yùn)送體是直徑為300mm以上的半導(dǎo)體晶片組。
10.一種運(yùn)送方法，使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，其特征在于，上述各自的運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有第1階段和第2階段的運(yùn)送形式，該第1階段是在上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)的運(yùn)行率產(chǎn)生差的情況，該第2階段與上述第1階段相比，上述運(yùn)行率的差小，在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
11.如權(quán)利要求10所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)之一的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域，與其他的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域相互隔開。
12.如權(quán)利要求10所述的運(yùn)送方法，其特征在于，在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是以在上述第1階段中的上述多個(gè)制造裝置的處理時(shí)間、處理頻度以及處理時(shí)期為基準(zhǔn)設(shè)定的。
13.如權(quán)利要求10所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)是在上述單線軌道上或者沿其行駛的RGV。
14.如權(quán)利要求10所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述被運(yùn)送體是直徑為300mm以上的半導(dǎo)體晶片組。
15.一種運(yùn)送方法，使用連結(jié)多個(gè)制造裝置之間的單線軌道、和沿上述單線軌道動(dòng)作的多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將被運(yùn)送體向上述制造裝置運(yùn)送，其特征在于，上述各自的運(yùn)送機(jī)構(gòu)都具有第1階段以及第2階段的運(yùn)送形式，該第1階段是在上述被運(yùn)送體被運(yùn)送到上述多個(gè)制造裝置的等待時(shí)間上產(chǎn)生差的情況，該第2階段與上述第1階段相比，上述等待時(shí)間的差小，在上述第1階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第1運(yùn)送區(qū)域和在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是不同的范圍。
16.如權(quán)利要求15所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述多個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)之一的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域，與其他的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的上述第1運(yùn)送區(qū)域以及上述第2運(yùn)送區(qū)域相互隔開。
17.如權(quán)利要求15所述的運(yùn)送方法，其特征在于，在上述第2階段中的上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)的第2運(yùn)送區(qū)域是以在上述第1階段中的上述多個(gè)制造裝置的處理時(shí)間、處理頻度以及處理時(shí)期為基準(zhǔn)設(shè)定的。
18.如權(quán)利要求15所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述運(yùn)送機(jī)構(gòu)是在上述單線軌道上或者沿其行駛的RGV。
19.如權(quán)利要求15所述的運(yùn)送方法，其特征在于，上述被運(yùn)送體是直徑為300mm以上的半導(dǎo)體晶片組。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以防止在半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線等的制造生產(chǎn)線中的制造裝置的運(yùn)行率低下的有軌運(yùn)送系統(tǒng)。在堆料器(BS1、BS2)之間鋪設(shè)的1根運(yùn)送導(dǎo)軌(3)上，預(yù)先配置2臺(tái)(RGV11A、11B)，例如在進(jìn)行設(shè)置于堆料器(BS1)和堆料器(BS2)之間的制造裝置(EQ8)的維護(hù)的情況下，將(RGV11A)的運(yùn)送區(qū)域(MA1)設(shè)置為從堆料器(BS1)到制造裝置(EQ7)，將(RGV11B)的運(yùn)送區(qū)域(MA2)設(shè)置為從堆料器(BS2)到制造裝置(EQ9)。
文檔編號(hào)H01L21/677GK1485257SQ0315483
公開日2004年3月31日 申請(qǐng)日期2003年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月29日
發(fā)明者渡邊親一, 小林義明, 若林隆之, 之, 明 申請(qǐng)人:聯(lián)晶半導(dǎo)體股份有限公司