專利名稱:一種新型金屬封裝型mos三極管的制作方法
【專利摘要】一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于：包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導(dǎo)體芯片，固定翼板前表面中部設(shè)置有金屬帽，固定翼板上下對稱設(shè)置有固定螺釘孔，金屬帽內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片上設(shè)置有漏極，漏極下側(cè)設(shè)置有柵極，柵極下側(cè)設(shè)置有源極，固定翼板后表面中部設(shè)置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設(shè)置有極柱伸出口，有益效果在于：導(dǎo)通壓降小，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，可以在微電流、低電壓條件下工作，且便于集成。
【專利說明】
一種新型金屬封裝型MOS三極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型屬于MOS三極管設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種新型金屬封裝型MOS三極管。
【背景技術(shù)】
[0002]MOS管是場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制器件。而普通晶體管(又稱雙極晶體管)是一種電流控制器件，MOS管有N溝道與P溝道之分，兩者極性相反，正如PNP與NPN晶體管一樣。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semi conductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬一絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。但是現(xiàn)在使用的MOS三極管存在導(dǎo)通壓降大，電源損耗大，安裝不方便等缺點。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種新型金屬封裝型MOS三極管。
[0004]本實用新型通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的:
[0005]—種新型金屬封裝型MOS三極管，包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導(dǎo)體芯片，固定翼板前表面中部設(shè)置有金屬帽，固定翼板上下對稱設(shè)置有固定螺釘孔，金屬帽內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片上設(shè)置有漏極，漏極下側(cè)設(shè)置有柵極，柵極下側(cè)設(shè)置有源極，固定翼板后表面中部設(shè)置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設(shè)置有極柱伸出口。
[0006]上述結(jié)構(gòu)中，將源極、柵極和漏極通過焊錫焊接在電路板上，并將螺釘通過固定螺釘孔將三極管固定在電路板上，便可以使用。
[0007]作為本實用新型的優(yōu)選方案，定翼板與金屬帽通過焊接相連接，固定螺釘孔通過在固定翼板上沖壓形成。
[0008]作為本實用新型的優(yōu)選方案，半導(dǎo)體芯片裝夾在金屬帽內(nèi)部，半導(dǎo)體芯片與漏極通過焊錫焊接相連接。
[0009]作為本實用新型的優(yōu)選方案，半導(dǎo)體芯片與柵極通過焊錫焊接相連接，半導(dǎo)體芯片與源極通過焊錫焊接相連接。
[0010]作為本實用新型的優(yōu)選方案，金屬封裝蓋與固定翼板通過焊接相連接，極柱伸出口通過在金屬封裝蓋上沖壓形成。
[0011]有益效果在于:導(dǎo)通壓降小，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，可以在微電流、低電壓條件下工作，且便于集成。
【附圖說明】

[0012]圖1是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極管的主視圖；
[0013]圖2是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極管的左視圖；
[0014]圖3是本實用新型所述一種新型金屬封裝型MOS三極管的后視圖。
[0015]附圖標(biāo)記說明如下:
[0016]1、固定翼板;2、金屬帽；3、固定螺釘孔;4、源極;5、柵極;6、漏極;7、半導(dǎo)體芯片;8、
金屬封裝蓋;9、極柱伸出口。
【具體實施方式】
[0017]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0018]如圖1-圖2-圖3所示，一種新型金屬封裝型MOS三極管，包括固定翼板1、金屬帽2、固定螺釘孔3和半導(dǎo)體芯片7，固定翼板I前表面中部設(shè)置有金屬帽2，固定翼板I上下對稱設(shè)置有固定螺釘孔3，金屬帽2內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片7，金屬帽2起到保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體芯片7的作用，并可以防止靜電干擾，半導(dǎo)體芯片7上設(shè)置有漏極6，漏極6下側(cè)設(shè)置有柵極5，柵極5下側(cè)設(shè)置有源極4，固定翼板I后表面中部設(shè)置有金屬封裝蓋8，將半導(dǎo)體芯片7封裝在金屬帽2內(nèi)部，金屬封裝蓋8上設(shè)置有極柱伸出口 9，源極4、柵極5和漏極6通過極柱伸出口 9伸出來，以便于安裝在電路板上。
[0019]上述結(jié)構(gòu)中，將源極4、柵極5和漏極6通過焊錫焊接在電路板上，并將螺釘通過固定螺釘孔3將三極管固定在電路板上，便可以使用。
[0020]作為本實用新型的優(yōu)選方案，固定翼板I與金屬帽2通過焊接相連接，固定螺釘孔3通過在固定翼板I上沖壓形成，半導(dǎo)體芯片7裝夾在金屬帽2內(nèi)部，半導(dǎo)體芯片7與漏極6通過焊錫焊接相連接，半導(dǎo)體芯片7與柵極5通過焊錫焊接相連接，半導(dǎo)體芯片7與源極4通過焊錫焊接相連接，金屬封裝蓋8與固定翼板I通過焊接相連接，極柱伸出口 9通過在金屬封裝蓋8上沖壓形成。
[0021]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于:包括固定翼板、金屬帽、固定螺釘孔和半導(dǎo)體芯片，固定翼板前表面中部設(shè)置有金屬帽，固定翼板上下對稱設(shè)置有固定螺釘孔，金屬帽內(nèi)部設(shè)置有半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片上設(shè)置有漏極，漏極下側(cè)設(shè)置有柵極，柵極下側(cè)設(shè)置有源極，固定翼板后表面中部設(shè)置有金屬封裝蓋，金屬封裝蓋上設(shè)置有極柱伸出口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于:固定翼板與金屬帽通過焊接相連接，固定螺釘孔通過在固定翼板上沖壓形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于:半導(dǎo)體芯片裝夾在金屬帽內(nèi)部，半導(dǎo)體芯片與漏極通過焊錫焊接相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于:半導(dǎo)體芯片與柵極通過焊錫焊接相連接，半導(dǎo)體芯片與源極通過焊錫焊接相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型金屬封裝型MOS三極管，其特征在于:金屬封裝蓋與固定翼板通過焊接相連接，極柱伸出口通過在金屬封裝蓋上沖壓形成。
【文檔編號】H01L23/04GK205723493SQ201620363166
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年4月27日
【發(fā)明人】王興
【申請人】王興