專利名稱：超高溫塑料封裝以及制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路的電路封裝(package)，并且，更具體地涉及包括具有高熔融溫度的聚合物的所述電路封裝。
背景技術：
各種塑料，如液晶聚合物(LCP)，被用于范圍廣泛的制成品，其包括消費品、醫(yī)療器件及電子集成電路用封裝。在許多情況下，塑料要在產(chǎn)品的一個或多個制造步驟過程中加熱，或以后加熱，例如在產(chǎn)品被使用中。例如，許多產(chǎn)品通過注塑方法制造，所述方法包括加熱塑料使其軟化，并將軟化塑料注入到模具中。塑料獲得模具的形狀，并且(理想地)在隨后的制造步驟過程中及所得產(chǎn)品的使用期限內(nèi)始終保持該形狀。通過使用比常規(guī)塑料有更高熔融溫度的塑料，可以改善某些制造方法和產(chǎn)品。其它制造方法和產(chǎn)品則可受益于使用另一種塑料，該塑料的熔融溫度可以在塑料成型為一種形狀后、但在隨后步驟之前提高，該隨后步驟涉及比塑料原熔點更高的溫度。例如在操作時，微電子電路封裝(例如一些用于高功率無線電發(fā)射機的集成電路)中的許多裝置會耗散大量的熱。在所述電路封裝中，焊劑被用來將微電子器件(“芯片”)安裝(attach)到金屬或其它的導熱部件(如安裝“法蘭”或“引線框架”)上，以使芯片到金屬部件的傳熱最大化。在典型的應用中，金屬部件被安裝到散熱裝置上，所述散熱裝置通過例如自然的空氣對流、強制氣流(典型地從風扇)或循環(huán)冷卻液冷卻?？墒褂酶鞣N焊劑將芯片安裝到電路封裝的金屬部件上，其包括金-錫(AuSn)和金-硅(AuSi)。將芯片安裝到金屬部件時，焊劑被加熱至超過常規(guī)塑料熔融溫度的溫度(例如對于AuSn為約280°C 約320°C，或?qū)τ贏uSi為約390°C 約430°C )。例如，大多數(shù)的常規(guī)塑料在約低于300°C時熔化，大多數(shù)的液晶聚合物在接近330°C或稍高的溫度下熔化。 因此，包括常規(guī)LCP的常規(guī)塑料不能用于電路封裝。作為替代，制造商典型地使用陶瓷材料。然而，陶瓷必須銅焊到電路封裝的其它部件上。銅焊是高溫(約800°C)方法，會在電路封裝中產(chǎn)生機械問題，例如失去平整度。此夕卜，涉及陶瓷的制造方法昂貴。另一方面，塑料成本相對不高，一些LCP具有電子電路封裝所要求的優(yōu)異的介電性能和其它特性。不幸的是，常規(guī)LCP和其它塑料的相對較低的熔點妨礙了它們在這類封裝中的實際應用。

發(fā)明內(nèi)容
公開了具有高的熔融溫度的塑料材料以及制造這類塑料材料的方法。該塑料材料包括高分子量聚合物。所述方法在初期聚合階段完成后，通過繼續(xù)或恢復塑料材料的聚合，可增加聚合物的分子量。初期聚合典型地發(fā)生在液態(tài)，可以產(chǎn)生中間固體材料(就塑料而言，例如液晶聚合物，為“固體”)。在任何情況下，通過初期聚合產(chǎn)生的材料(本文中稱為 “中間材料”)具有初始的熔融溫度。初期聚合后，中間材料被加熱并進行進一步(“二次”) 聚合，由此加長材料中的聚合物鏈?，F(xiàn)有的聚合物鏈結(jié)合(bond)在一起，形成更長的聚合物鏈。這些更長的聚合物鏈有更高的分子量，與中間材料相比，所得最終材料有更高的熔融溫度。例如，根據(jù)本公開方法，可以制得熔融溫度超過約400°C的塑料材料，當然也可以實現(xiàn)更高或較低些的熔融溫度。發(fā)明公開的塑料材料可用于制備微電子電路的封裝和其它有用產(chǎn)品的封裝。例如，可在初期聚合之前、之后或過程中，在金屬法蘭上注塑材料形成框架?？蚣苡不?，如本文所公開地對其進行加熱，進一步進行聚合并提高其熔融溫度。隨后，可以使用焊劑例如 AuSi，在不熔化框架下，將芯片安裝至法蘭。從本發(fā)明以下的詳細說明，本發(fā)明的這些和其它特征、優(yōu)點、方面和實施方案對本領域技術人員將更步變得顯而易見，其內(nèi)容如下。


結(jié)合附圖，參考本發(fā)明的詳細說明，可更全面理解本發(fā)明。圖1是現(xiàn)有技術聚合物分子的示意圖；圖2是用于合成圖1的聚合物分子的現(xiàn)有技術單體分子的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，二次聚合方法部分過程中溫度增加的圖例；圖4是圖3的二次聚合方法的另一部分過程中溫度增加的圖例；圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施方案制得的液晶聚合物材料的一組動態(tài)掃描量熱 (DSC)曲線；圖6是根據(jù)本發(fā)明的三個實施方案，用于合成其它聚合物分子的示例性聚合物分子的示意圖；圖7包括根據(jù)本發(fā)明的一些實施方案，用于合成聚合物分子的示例性單體單元的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明一個實施方案制得的電子電路封裝的示意圖；圖9是圖8電路封裝的替代實施方案的剖示圖；圖10是圖8電路封裝的另一個替代實施方案的剖示圖；以及圖11 (A-C)是圖9電路封裝的剖面圖，其顯示了鍵槽(keyway)制造三個階段的過程中的鍵槽。
具體實施例方式2004 $ 7 月 7 H11 W> 11 "Ultra High-Temperature Plastic Package and Method of Manufacture”的美國臨時專利申請60/577，530的內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。聚合物是由許多相同的、相對較簡單的分子重復排列，連接單元形成長的、類型規(guī)則的、典型為鏈而形成的化合物。聚合物鏈中的連接單元通常稱為“單體單元”。圖1是示例性聚合物的示意圖(聚氯乙烯)?！皢误w”為聚合物合成中用作構(gòu)造片段的實際分子。圖 2是用于聚氯乙烯的單體(氯乙烯)的示意圖。一些形式的聚合已為人所知，其包括加聚、縮聚及反應性聚合。在聚合過程中經(jīng)常使用熱、自由基或其它催化劑來改變單體。聚合過程中，單體的電子和/或原子重新排列，使單體鍵合在一起，形成聚合物鏈。由于電子和/或原子重新排列，聚合物鏈中的連接單體單元不等同于組成單體。例如，單體氯乙烯的碳原子之間的雙鍵200(圖2、在聚合過程中斷開，雙鍵的一個電子對用來將單體單元互相鍵合，如100所示 (圖 1)。液晶是一種表現(xiàn)出液體的一些特性及固體的另一些特性的材料。液晶的一種常見形式是液晶聚合物(LCP)，然而不是所有的液晶都是聚合物。形成液晶的材料的分子稱為 “介晶(mesogen)”。液晶的介晶可以形成長程有序的序列結(jié)構(gòu)，其中介晶基團的長軸在一個優(yōu)選方向取向。液晶產(chǎn)生類似液體的性能的原因在于這些介晶結(jié)構(gòu)可以相互間輕易流動。 產(chǎn)生類似固體的性能則是由于發(fā)生滑動時結(jié)構(gòu)自身不受干擾。在傳統(tǒng)的聚合方法中，聚合物通常從液態(tài)單體產(chǎn)生，在聚合鏈長成后，得到的材料通常會冷卻至固態(tài)。聚合物的分子量取決于聚合物的聚合度，即，所產(chǎn)生的聚合鏈的長度。單體典型地具有相對較小的分子量，然而，聚合物典型地包括多達數(shù)百萬的單體單元。因此，聚合物典型地有高的分子量。聚合物的性能，如熔融溫度、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度、熱變形溫度和延展性受聚合物分子量的影響。然而，聚合材料的所有分子典型地不會有相同的分子量。也即，在聚合過程中，一些分子比另一些長得更長。因為聚合材料的全部分子不一定有相同的長度，材料可能沒有單一的確定的熔融溫度。而是，材料可以隨溫度在相對較小范圍內(nèi)的逐步提高而變軟。傳統(tǒng)的聚合方法能力受限，難以制備分子量極高的材料，因此，難以有極高的熔融溫度和所要求的其它機械性能和電性能。本發(fā)明公開的方法可進一步聚合長鏈分子。也即， 聚合物中的聚合鏈結(jié)合在一起形成更長的鏈。與其它方法能實現(xiàn)的相比，這使得可產(chǎn)生有更長鏈的材料，因此有更高的分子量和更高的熔融溫度。例如，熔融溫度可以提高約100°c 或更高。重要的是，所公開方法在傳統(tǒng)的聚合方法之后操作。在本說明書中這被稱為“二次聚合”。因此，本公開方法可以在固體聚合材料上操作，雖然所述方法也可以在液態(tài)或其它狀態(tài)的聚合材料上進行。在一個示例性方法中，如圖3和圖4的兩個圖例所示，有初始熔融溫度(TMl)的聚合材料進一步(二次)聚合，以將其熔融溫度提高到TM2。(傳統(tǒng)的聚合方法之后)材料的溫度從其初始溫度(TO)以約0. rc /小時(Rl) 約10°C /小時(R2)的速度提高，直到所述材料的溫度介于低于材料初始熔融溫度約10°C的第一溫度(Tl)和低于初始熔融溫度約 30°C的第二溫度(T2)之間。因此，提高所述材料的溫度，以使材料的時間-溫度特征曲線保持在區(qū)300和302之內(nèi)，直到所述材料的溫度在區(qū)302內(nèi)。一旦實現(xiàn)該溫度，保持材料溫度至少約一小時，如圖4的圖例所示。然后，以約 0. I0C /小時(R3) 約10°C /小時(R4)的速度提高所述材料的溫度，直到材料溫度介于低于所要求的新的熔融溫度約40°C的第三溫度(T3)和低于所要求的新的熔融溫度約50°C的第四溫度(T4)之間。因此，提高所述材料的溫度，以使材料的時間-溫度特征曲線保持在區(qū)400和402之內(nèi)。在一個實施方案中，材料的溫度提高到至少約340°C。在其它實施方案中，溫度分別地提高到至少約355°C和390°C。材料在二次聚合過程中所提高到的最高溫度在本說明書中稱為“最終溫度”。圖5顯示了根據(jù)所述公開方法制備的示例性液晶聚合物材料的一組動態(tài)掃描量熱(DSC)曲線。DSC是用于測定與材料轉(zhuǎn)變有關的熱流變化的熱分析方法。DSC測量根據(jù)吸熱(熱吸收)和放熱(熱釋放)過程，提供定性和定量兩種數(shù)據(jù)。DSC通常用于測定聚合材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和結(jié)晶熔點。每個曲線中的尖峰500顯示了材料相應的熔融溫度。 這些熔融溫度高于約400°C，而材料的初始熔融溫度為約280°C 約370°C。示例性的原始材料包括通常所說的“芳族聚酯”或液晶聚合物一類材料中的那些。在一個實施方案中，原聚合物鏈的末端含有以下基團的一個或多個C00H、OH或乙酸，如圖6所示。在二次聚合的一個實例中，原聚合物鏈的一些酸端基(COOH)與其它聚合物鏈的乙酸酯(acetate)端基結(jié)合，而原聚合物鏈的其它酸端基與其它聚合物鏈上殘留的OH端基結(jié)合，得到鏈非常長的聚合物。在該實例中，聚合物鏈中優(yōu)選存在4-羥基苯甲酸 (HBA)(或，更具體為對羥基苯甲酸)、氫醌、雙酚、對苯二甲酸和/或2-羥基-6-萘甲酸形式的聚酯單體單元。這些單體單元示意性地顯示在圖7中。在一個實施方案中，二次聚合得到交聯(lián)結(jié)構(gòu)。根據(jù)發(fā)明所公開的方法可以制備的一種示例性超高分子量材料為液晶聚合物， 艮口，含HBA單體單元的聚合物，所述聚合物在二次聚合過程中被加熱到約390°C的最終溫度。這類材料有大于約420°C的熔融溫度。類似制備的另一種示例性材料的分子量大于約 30,000gm/moL·類似制備的另一種示例性材料的拉伸強度大于約25，000psi。類似制備的另一種示例性材料的伸長率大于約2%。類似制備的另一種示例性材料不含多于約200個重復的酯基團。如所指出的，公開的塑料材料可用于制備微電子電路用封裝。圖8舉例說明所述封裝800。法蘭802由高度導熱的材料制成，例如高銅合金，或合適的其它材料。法蘭802 包括槽804，通過所述槽，法蘭可以以后機械裝配到散熱裝置(未顯示)上，例如通過螺栓。在聚合材料進行所公開的二次聚合之前，用聚合材料制成介電框架806。將框架 806注塑到法蘭802上。聚合材料的摻混溫度和注塑的成型溫度兩者均低于隨后的二次聚合方法所使用的最高溫度。圖9和圖10是圖8的電路封裝800的替代實施方案的剖示圖。 法蘭802任選地包括凹面鍵槽900 (圖9)或凸面鍵1000 (圖10)，在注塑過程中塑料材料被注入到所述鍵中或鍵周圍?？梢杂靡幌盗袡C加工逐步?jīng)_壓在法蘭802中，形成鍵槽900，如圖Il(A-C)所示。鍵1000可以類似地形成。由于聚合材料是在提高材料的熔融溫度之前注塑到法蘭802上的，因此常規(guī)的溫度、方法和設備都可以用于該注塑成型法。 框架806注塑到法蘭802上之后，進行如上所討論的公開的二次聚合方法，提高框架806的塑料材料的熔融溫度，以使塑料材料的最終應用溫度高于摻混溫度和成型溫度。 提高框架806的熔融溫度后，用焊劑810將芯片808(圖8)安裝到法蘭802的芯片-裝配區(qū)812。由于已經(jīng)提高了框架806的熔融溫度，當芯片808焊接到法蘭802上時，框架806 可以承受遇到的溫度而不會破壞框架806。線814將芯片808電聯(lián)接到引腳816。
然后，將蓋子(未顯示)裝配到框架806上，例如通過超聲波焊接、通過環(huán)氧或通過其它的合適方法。法蘭802、框架806和蓋子為芯片808提供密閉的腔體。腔體可以抽空或充填空氣、惰性氣體、環(huán)氧或其它合適的材料。法蘭802、框架806和蓋子可防止水分、氣體和其它雜質(zhì)滲入腔體。一些電路封裝不包括法蘭。在這些封裝中，將框架模制成引線框架，芯片電(有時機械和/或熱)連接到引線框架。以上描述的二次聚合適用于這類無法蘭的封裝和其它的電路封裝。為簡單起見，電路封裝中模制框架的任何金屬或其它材料在下文中均稱為法蘭。 此外，就電路封裝而描述的二次聚合方法可以應用于其它物件制造，包括模制到其它部件的部件。熱塑性塑料是可以重復加熱軟化和冷卻硬化的材料。因此，熱塑性塑料可以通過材料再加熱而再次成型。相比之下，熱固性塑料是在熱、催化劑、紫外線等的作用下，會進行或已進行化學反應(“固化”)的材料，會形成相對不熔的狀態(tài)。一旦固化，熱固性塑料不能恢復到未固化時的狀態(tài)。因此，熱固性塑料不能重復軟化或再成型。在本說明書中公開的方法可應用于熱塑性和熱固性材料。例如，電路封裝的框架可以由熱塑性或熱固性材料制成。因此，二次聚合方法可以應用于已成型且冷卻的熱塑料材料，使熔融溫度很高的熱塑性塑料得到更高的分子量。二次聚合方法也可以應用于熱固性材料，熱固性材料不再熔化。雖然本發(fā)明已通過上述示例性實施方案進行了描述，本領域技術人員應當理解， 在不偏離本說明書中公開的發(fā)明構(gòu)思下，可以對舉例說明的實施方案進行修改和變化。例如，雖然已經(jīng)說明了在制造電路封裝的情況下，二次聚合在注塑后進行，也可以在材料注塑之前在材料上進行二次聚合(在制造電路封裝和其它物件時)。此外，雖然已結(jié)合了各種示例性單體、初始聚合物、溫度、溫度增加速度、和溫度保持時間對優(yōu)選實施方案進行了說明， 本領域技術人員會理解可以對這些方面進行替換和修改。相應地，除了附后權利要求的保護范圍和精神，本發(fā)明不應看成受其限制。
權利要求
1.制造聚合物材料的方法，其包括 合成具有第一熔融溫度的第一聚合材料；將第一聚合材料以第一預定速度加熱至低于第一聚合材料熔融溫度的第一預定溫度；以及將第一聚合材料以第二預定速度加熱至第二預定溫度。
2.權利要求1的方法，其中合成第一聚合材料包括合成熱塑料材料。
3.權利要求1的方法，其中合成第一聚合材料包括合成熱固性材料。
4.權利要求1的方法，其還包括在加熱第一聚合材料至第一預定溫度后，將第一聚合材料的溫度保持在預定的范圍內(nèi)至少一段預定的時間。
5.權利要求1的方法，其中加熱第一聚合材料至第二預定溫度包括加熱第一聚合材料至高于第一聚合材料熔融溫度的溫度。
6.權利要求1的方法，其中加熱第一聚合材料至第二預定溫度包括對第一聚合材料充分加熱，以導致第一聚合材料中的聚合物分子與第一聚合材料中的其它聚合物分子結(jié)合。
7.權利要求1的方法，其中加熱第一聚合材料至第二預定溫度包括對第一聚合材料充分加熱，以導致第一聚合材料進一步聚合，并將聚合材料的熔融溫度提高到高于第一聚合材料熔融溫度的熔融溫度。
8.權利要求1的方法，其中合成第一聚合材料包括合成液晶聚合物。
9.提高塑料材料熔融溫度的方法，其包括以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高所述材料的溫度，直到所述材料的溫度達到低于該材料初始熔融溫度約10°c 約30°C的第一溫度；保持材料的溫度低于該材料的初始熔融溫度約10°c 約30°C至少約一小時；以及以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高所述材料的溫度，直到所述材料的溫度達到低于該材料所要求的熔融溫度約40°C 約50°C的第二溫度。
10.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第二溫度包括將所述材料的溫度提高到高于340°C。
11.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第二溫度包括將所述材料的溫度提高到高于355°C。
12.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第二溫度包括將所述材料的溫度提高到高于390°C。
13.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高含至少一個 COOH端基的聚合物的溫度。
14.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高含至少一個OH 端基的聚合物的溫度。
15.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高含至少一個乙酸端基的聚合物的溫度。
16.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高熱塑料材料的溫度。
17.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高熱固性材料的溫度。
18.權利要求9的方法，其中提高所述材料的溫度到第一溫度包括提高聚合物的溫度， 所述聚合物具有至少一個選自以下組中的單體單元氫醌； 雙酚；間苯二甲酸； 對羥基苯甲酸； 對苯二甲酸；和 2-羥基-6-萘甲酸。
19.權利要求9的方法，其進一步包括形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
20.制造聚合材料的方法，其包括 合成中間聚合材料；以及合成所述中間聚合材料后，進一步聚合該中間聚合材料。
21.權利要求20的方法，其中進一步聚合所述中間聚合材料包括 在所述中間聚合材料形成固體材料后，進一步聚合該中間聚合材料。
22.權利要求20的方法，其中進一步聚合該中間聚合材料包括 當所述中間聚合材料是液體時，進一步聚合該中間聚合材料。
23.權利要求20的方法，其中進一步聚合該中間聚合材料包括以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高所述中間聚合材料的溫度，直到該中間聚合材料的溫度達到低于該中間聚合材料的初始熔融溫度約10°c 約30°C的第一溫度；保持該中間聚合材料的溫度低于該中間聚合材料的初始熔融溫度約10°C 約30°C至少約一小時；以及以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高該中間聚合材料的溫度，直到該材料的溫度達到低于預定溫度約40°C 約50°C的第二溫度，其中所述預定溫度高于所述中間聚合材料的初始熔融溫度。
24.權利要求23的方法，其中提高所述中間聚合材料的溫度至第二溫度包括將該中間聚合材料的溫度提高到高于約340°C。
25.權利要求23的方法，其中提高所述中間聚合材料的溫度至第二溫度包括將該中間聚合材料的溫度提高到高于約355°C。
26.權利要求23的方法，其中提高所述中間聚合材料的溫度至第二溫度包括將該中間聚合材料的溫度提高到高于約390°C。
27.權利要求20的方法，其中進一步聚合該中間聚合材料包括加長該中間聚合材料中的現(xiàn)有聚合物鏈。
28.權利要求20的方法，其中進一步聚合該中間聚合材料包括使該中間聚合材料中的現(xiàn)有聚合物鏈與該中間材料中現(xiàn)有的其它聚合物鏈結(jié)合。
29.權利要求20的方法，其中合成中間聚合材料包括合成包含對羥基苯甲酸的中間聚合材料。
30.權利要求20的方法，其中合成中間聚合材料包括合成源自對羥基苯甲酸的中間聚合材料。
31.權利要求20的方法，其中合成中間聚合材料包括合成包含4-羥基苯甲酸的中間聚合材料。
32.權利要求20的方法，其中合成中間聚合材料包括合成包含熱塑料材料的中間聚合材料。
33.權利要求20的方法，其中合成中間聚合材料包括合成包含熱固性材料的中間聚合材料。
34.制造電路封裝的方法，其包括將聚合材料模制成型到法蘭上，從而形成框架；以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高所述框架的溫度，直到該框架的溫度達到低于所述聚合材料的初始熔融溫度約10°C 約30°C的第一溫度；保持所述聚合材料的溫度低于該聚合材料的初始熔融溫度約10°C 約30°C至少約一小時；以及以約0. 10°C /小時 約10°C /小時的速度提高所述框架的溫度，直到該框架的溫度達到低于該框架所要求的熔融溫度約40°C 約50°C的第二溫度。
35.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第二溫度包括將該框架的溫度提高到高于340°C。
36.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第二溫度包括將該框架的溫度提高到高于355"C。
37.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第二溫度包括將該框架的溫度提高到高于390°C。
38.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第一溫度包括提高含至少一個 COOH端基的聚合物的溫度。
39.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第一溫度包括提高含至少一個OH 端基的聚合物的溫度。
40.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第一溫度包括提高含至少一個乙酸端基的聚合物的溫度。
41.權利要求34的方法，其中提高所述框架的溫度至第一溫度包括提高聚合物的溫度，所述聚合物具有至少一個選自以下組中的單體單元氫醌；雙酚；對羥基苯甲酸；對苯二甲酸；和2-羥基-6-萘甲酸。
42.權利要求34的方法，其進一步包括在所述框架中形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
43.權利要求34的方法，其中模制成型聚合材料到法蘭上包括將熱塑料材料模制成型到法蘭上。
44.權利要求34的方法，其中模制成型聚合材料到法蘭上包括將熱固性材料模制成型到法蘭上。
45.權利要求34的方法，其進一步包括在低于第一溫度且低于第二溫度的摻混溫度下?lián)交焖鼍酆喜牧?；及其中模制成型所述聚合材料包括在低于第一溫度并且低于第二溫度的成型溫度下模制成型所述聚合材料?br> 46.權利要求35的方法，其中提高所述框架的溫度至第二溫度包括提高該框架的溫度，以使該框架的最終使用溫度高于所述摻混溫度且高于成型溫度。
47.制造物件的方法，其包括 將聚合材料模制成物件的部件；以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高該聚合材料的溫度，直到該聚合材料的溫度達到低于該聚合材料的初始熔融溫度約10°C 約30°C的第一溫度；保持該聚合材料的溫度低于該聚合材料的初始熔融溫度約10°C 約30°C至少約一小時；以及以約0. IO0C /小時 約10°C /小時的速度提高該聚合材料的溫度，直到該聚合材料的溫度達到低于該聚合材料所要求的熔融溫度約40°C 約50°C的第二溫度。
48.權利要求47的方法，其中提高該聚合材料的溫度至第二溫度包括將該聚合材料的溫度提高到高于340°C。
49.權利要求47的方法，其中提高該聚合材料的溫度至第二溫度包括將該聚合材料的溫度提高到高于355 °C。
50.權利要求47的方法，其中提高該聚合材料的溫度至第二溫度包括將該聚合材料的溫度提高到高于390°C。
51.一種組合物，其包含液晶聚合物，所述液晶聚合物含多個HBA單體單元，并且其熔融溫度高于約420°C。
52.一種組合物，其包含液晶聚合物，所述液晶聚合物含多個HBA單體單元，并且其分子量大于約30，OOOgm/mol ο
53.一種組合物，其包含液晶聚合物，所述液晶聚合物含多個HBA單體單元，并且其伸長率大于約2%。
54.一種組合物，其包含液晶聚合物，所述液晶聚合物含多個HBA單體單元，其中該液晶聚合物的至少一些分子的每個都包含至少約200個重復的酯基團。
全文摘要
用于微電子電路的封裝包括框架，所述框架由高分子量塑料材料制成，例如液晶聚合物(LCP)，可安裝到法蘭或引線框架。塑料材料被注塑到法蘭上。塑料材料的初期聚合可以發(fā)生在液態(tài)下，產(chǎn)生具有初始熔融溫度的中間材料?？蚣茏⑺芎?，框架受熱并進行進一步(“二次”)聚合，從而延長了塑料材料中的聚合物鏈。這些更長的聚合物鏈有更高的分子量，與中間材料相比，得到的最終材料有更高的熔融溫度。得到的超高分子量的聚合物可以承受高溫，例如焊接過程中所遇到的溫度。因此，進一步(二次)聚合后，可以將芯片焊接到法蘭上，而不會破壞塑料框架。
文檔編號C08G85/00GK102482428SQ200980161021
公開日2012年5月30日 申請日期2009年8月20日 優(yōu)先權日2009年8月20日
發(fā)明者M·齊莫爾曼 申請人:怡得樂Qlp公司