專利名稱：曝光裝置以及曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于在半導(dǎo)體組件、液晶顯示組件、攝影組件、薄膜磁頭、其它微型組件(micro device)的制造工序所使用的曝光裝置及曝光方法。
背景技術(shù)：
微型組件之一的液晶顯示組件，通常，在玻璃基板(plate)上使透明薄膜電極以微影蝕刻(lithography)方法加以圖案化成為所期望的形狀，以形成薄膜晶體管TFT(Thin Film Transistor)等的開關(guān)組件(switchingelement)及電極配線加以制造。在使用此微影蝕刻方法的制造工序，使用形成于光罩(mask)上成為原畫的圖案(pattern)以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)加以投影曝光于涂布光阻(photoresist)等感光劑的基板上的投影曝光裝置。
目前技術(shù)為加以多用，進(jìn)行光罩與基板的相對位置對準(zhǔn)后，使形成于光罩的圖案以統(tǒng)括轉(zhuǎn)印于設(shè)定在基板上的一照射區(qū)域，于轉(zhuǎn)印后使基板以步進(jìn)(step)移動進(jìn)行其它照射區(qū)域的曝光的步進(jìn)重復(fù)(step.and.repeat)方式的投影曝光裝置(所謂stepper)。
近年來，在要求液晶顯示組件的大面積化，隨伴于此在微影蝕刻工序所使用的投影曝光裝置希望擴(kuò)大曝光區(qū)域。為擴(kuò)大投影曝光裝置的曝光區(qū)域雖然有必要使投影光學(xué)系統(tǒng)加以大型化，如要設(shè)計及制造極力低減殘留像差的大型投影光學(xué)系統(tǒng)時其成本變高。于是，為極力避免投影光學(xué)系統(tǒng)的大型化，提出所謂步進(jìn)掃描(step.and.scan)方式的投影曝光裝置，即，使在長度方向所設(shè)定的長度以與投影光學(xué)系統(tǒng)的物體面?zhèn)?光罩側(cè))的有效徑為同程度的縫隙(slit)狀的照明光照射于光罩，經(jīng)介光罩的縫隙狀光以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)照射于基板的狀態(tài)，使光罩與基板對投影光學(xué)系統(tǒng)以相對移動加以掃描，使形成于光罩的圖案(pattern)的一部分以順次轉(zhuǎn)印于設(shè)定在基板的一照射，轉(zhuǎn)印后使基板以步進(jìn)(step)移動對其它照射區(qū)域進(jìn)行同樣的曝光。
又，近年來，為更圖謀曝光區(qū)域的擴(kuò)大，提出所謂具有多數(shù)透鏡(multilens)方式的投影光學(xué)系統(tǒng)的投影曝光裝置，即，并非使用一個大型投影光學(xué)系統(tǒng)，使小型的部分投影光學(xué)系統(tǒng)以所定間隔多數(shù)配列于與掃描方向直交的方向(非掃描方向)的第一配列與，在此部分投影光學(xué)系統(tǒng)的配列間使部分光學(xué)系統(tǒng)所配置的第二配列加以配置于掃描方向(例如日本專利特開平7-57986公報)。
可是對于上述投影曝光裝置的光源，在波長約360nm程度的紫外區(qū)域是主要使用水銀燈等。此水銀燈的壽命，是大概為500h～1000h程度的關(guān)系，必進(jìn)行定期的燈交換，對曝光裝置的使用者成為一大負(fù)擔(dān)。又，為確保高照度需要高電力，又必要隨伴于此的發(fā)熱對策等，具有高運(yùn)轉(zhuǎn)成本的問題或，隨伴于經(jīng)時劣化等的要因的破裂危險性。
對此發(fā)光二極管(diode)的發(fā)光效率是比水銀燈等為高，因此可實(shí)現(xiàn)省電力，具有小發(fā)熱的特性可大幅度低減運(yùn)轉(zhuǎn)成本。又壽命也具有3000h程度的關(guān)系，交換所需的負(fù)擔(dān)也少，也無隨伴于經(jīng)時劣化要因破裂危險性。更且在最近，也開發(fā)達(dá)成以波長365nm的100mW程度的高光輸出的UV(Ultraviolet)-LED(Light Emitting Diode)。
本發(fā)明的課題是提供一種曝光裝置具有固體光源以及使用該曝光裝置的曝光方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的曝光裝置，使從光源射出的光束導(dǎo)至光罩，將上述光罩的圖案轉(zhuǎn)印于感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括照明光學(xué)系統(tǒng)，配置于上述光源與上述光罩間的光路中，依據(jù)從上述光源的光束照明上述光罩。上述光源具有多數(shù)個固體光源的固體光源單元(unit)，其中，多數(shù)個固體光源，以使上述感旋旋光性基板上的照度值為30mW/cm2以上的狀態(tài)加以配列。
依照此曝光裝置時，光源因具有使感旋旋光性基板上的照度值為30mW/cm2以上的狀態(tài)加以配列的多數(shù)個固體光源的固體光源單元的關(guān)系，可使像面照度成為在實(shí)用上曝光裝置所要求的值，能確保在實(shí)用上曝光裝置的處理能力(throughput)。
又，本發(fā)明的曝光裝置，以上述固體光源所放出的光束中以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°內(nèi)的光束范圍內(nèi)，平均放射輝度為1000mW/(cm2.Sr)以上。
依照此曝光裝置時，因具有在所放出的光束中的最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，平均放射輝度為1000mW/(cm2.Sr)以上的固體光源的關(guān)系，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)可使多數(shù)光束照射于感旋旋光性基板上，能提升曝光裝置的處理能力。在此，平均放射輝度，為在±1°內(nèi)的全角度的輝度平均值。
又，本發(fā)明的曝光裝置，使光罩的圖案轉(zhuǎn)印于感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括固體光源單元與照明光學(xué)系統(tǒng)。其中，固體光源單元是具有多數(shù)個固體光源，照明光學(xué)系統(tǒng)，使從該固體光源所射出的光束導(dǎo)至上述光罩。上述固體光源，在放出光束的中以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，平均放射輝度為1000mW/(cm2.Sr)以上。
依照此曝光裝置時，因具有在放出光束的中以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，平均放射輝度為1000mW/(cm2.Sr)以上的固體光源的關(guān)系，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)可使多數(shù)光束照射于感旋旋光性基板上，能提升曝光裝置的處理能力。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述固體光源至少具有10mW/個以上的輸出。依照此曝光裝置時，由于各個固體光源的輸出大的關(guān)系可確保在實(shí)用上曝光裝置所要求的像面照度。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述感光基板上的照度不均勻?qū)ζ骄凳窃凇?0％以內(nèi)。依照此曝光裝置時，可確保在實(shí)用上曝光裝置所要求的解像度或線幅均一性。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述固體光源的光射出部的面積，是在1cm2以下。在此所謂光出射部，是指在固體光源實(shí)際上發(fā)光的部分，與組裝(package)的大小無關(guān)。
又，本發(fā)明的的曝光裝置中，上述固體光源單元的上述多數(shù)個固體光源，以成為1個/cm2以上的狀態(tài)加以配列。
依照此曝光裝置時，由于可使多數(shù)固體光源加以配列的關(guān)系，可確保在實(shí)用上曝光裝置所要求的像面照度。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，從上述固體光源所放出的光束中對于最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線的分布，以在上述最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心的±2°(±35mrad)以上。
依照此曝光裝置時，因具有所放出的光束中對于最強(qiáng)放射度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線的分布，以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心是在±2°(±35mrad)以上的固體光源的關(guān)系，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)可使多數(shù)光束照射于感旋旋光性基板上，能提升曝光裝置的處理能力。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，從上述固體光源所放出的光束中對于最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與上述最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、每1cm2的上述固體光源的個數(shù)為n時，滿足θ2×n≥0.002的條件。
依照此曝光裝置時，因具有所放出的光束中對于最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、每1cm2的固體光源個數(shù)為n時，滿足θ2×n≥0.002的條件的固體光源的關(guān)系，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)可使多數(shù)光束照射于感旋旋光性基板上，能提升曝光裝置的處理能力。
又，本發(fā)明的曝光裝置，其特征在于，從上述固體光源所射出的光的波長的半值幅度是在±20nm以下。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，更包括使上述光罩的圖案像形成于上述感旋旋光性基板上的投影光學(xué)系統(tǒng)。
又，本發(fā)明的曝光裝置，使光罩的圖案轉(zhuǎn)印于感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括固體光源單元、照明光學(xué)系統(tǒng)與，投影光學(xué)系統(tǒng)。其中，固體光源單元是具有多數(shù)固體光源，照明光學(xué)系統(tǒng)，是依據(jù)從上述固體單元的光束照明上述光罩，投影光學(xué)系統(tǒng)，是依據(jù)從上述光罩的光束，使上述光罩的圖案像形成于上述感旋旋光性基板上。上述固體光源的發(fā)光光譜的波長的半值度幅度是在±20nm以下，上述投影光學(xué)系統(tǒng)具有反射折射型光學(xué)系統(tǒng)。
依照此曝光裝置時，由于固體光源的發(fā)光光譜的波長的半值幅度是在±20nm以下的關(guān)系，可使反射折射型投影光學(xué)系統(tǒng)的色像差的發(fā)生量變小。
又，本發(fā)明的曝光裝置，所放出的光束中對于最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與上述最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)，上述投影光學(xué)系統(tǒng)的倍率為β、上述投影光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)為N.A.時，滿足0.2≤(|Sinθ|/|β|/N.A.≤5的條件。
依照此曝光裝置時，因具有使所放的光束中對于最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、投影光學(xué)系統(tǒng)的倍率為β，投影光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)為N.A.時，滿足0.2≤(|Sinθ|/|β|/N.A.≤5的條件的固體光源的關(guān)系，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)可使多數(shù)光束照射于感光基板上，能提升曝光裝置的處理能力。
又，本發(fā)明的曝光裝置，上述投影光學(xué)系統(tǒng)包括在上述光罩上具有互異視野的多數(shù)投影光學(xué)單元，上述照明光學(xué)系統(tǒng)包括各對應(yīng)于上述多數(shù)投影光學(xué)單元的多數(shù)視野的多數(shù)照明光學(xué)單元，上述各照明光學(xué)單元具有上述固體光源單元。
又，本發(fā)明的曝光裝置包括光源輸出設(shè)定部，接連于上述多數(shù)照明光學(xué)單元的各個所設(shè)的上述固體光源單元，可使上述多數(shù)固體光源單元的光輸出、由每各照明光學(xué)單元加以設(shè)定。
又，本發(fā)明的曝光裝置，更包括使上述感旋旋光性基板上的照度加以檢測的照度檢測手段，上述光源輸出設(shè)定部，是依據(jù)上述照度檢測手段的檢測結(jié)果，使在每個上述照明光學(xué)單元所設(shè)的上述多數(shù)固體光源單元的輸出以個別加以設(shè)定。
依照此曝光裝置時，使各照明光學(xué)單元的光輸出可進(jìn)行均一等的控制，能實(shí)行曝光不均勻產(chǎn)生的抑制等。
又，本發(fā)明的曝光裝置，更包括載置上述感旋旋光性基板的基板機(jī)臺，上述照度檢測手段設(shè)置于上述基板機(jī)臺上。
又，本發(fā)明的曝光裝置包括輸出檢測手段與，控制部。其中，輸出檢測手段是加以檢測上述照明光學(xué)系統(tǒng)的輸出，控制部依據(jù)由上述輸出檢測手段所檢測的結(jié)果，加以控制上述固體光源單元的光輸出。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述輸出檢測手段，包括照度檢測手段，加以檢測感旋旋光性基板上的照度。
又，本發(fā)明的曝光裝置，使上述多數(shù)固體光源的功率的總和為A(W)、照明上述光罩的照明光的功率的總和為B(W)時，滿足B/A≥0.4的條件。依照此光裝置時，可提升照明效率。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，將上述多數(shù)個固體光源配置成數(shù)組狀。依照此曝光裝置時，多數(shù)固體光源是以配列于數(shù)組狀的關(guān)系，可圖謀多數(shù)固體光源的積集化有助于固體光源單元的小型化。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述固體光源單元包括配列成二維數(shù)組狀的多數(shù)上述固體光源。依照此曝光裝置時，多數(shù)固體光源以配列于二維數(shù)組狀的關(guān)系，可更再圖謀固體光源單元的小型化。
又，本發(fā)明的曝光裝置，上述照明光學(xué)系統(tǒng)包括具有以二維加以配列的多數(shù)光學(xué)面的光學(xué)積分器，上述光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊纳鲜龉鈱W(xué)面的有效區(qū)域的全體形狀與上述多數(shù)固體光源的發(fā)光部的形狀大略為相似形狀。
依照此曝光裝置時，光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)面的有效區(qū)域的全體形狀與多數(shù)固體光源的發(fā)光部的形狀為大略相似形的關(guān)系，可以有效率使用從固體光源所射出的光，能提高像面的照度。
又，本發(fā)明的曝光裝置，上述固體光源單元包括多數(shù)纖維，其特征在于，在上述多數(shù)纖維的各個入射端，是以光學(xué)方式接連于上述多數(shù)個固體光源。
依照此曝光裝置時，可使固體光源的配置自由度變大，又能使多數(shù)纖維的射出端的配列形狀容易成為任意形狀。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，從上述固體光源所射出的光束，可直接入射于上述多數(shù)纖維的上述入射端。依照此曝光裝置時，不使構(gòu)成變?yōu)閺?fù)雜化以簡單構(gòu)成可使從固體光源所射出的光束加以入射于纖維。
又，本發(fā)明的曝光裝置包括聚光光學(xué)系統(tǒng)，配置于上述固體光源單元中的上述固體光源與上述纖維的入射端間。
又，本發(fā)明的曝光裝置，使上述固體光源的發(fā)光部的大小的最大值為ψ、從上述固體光源的發(fā)散光的內(nèi)具有最大射出角度的光的上述射出角度的正弦為NA1、上述纖維的核心直徑為D、上述光纖維可取入光的角度范圍的正弦為NA2時，滿足NA2≥ψ/D×NA1的條件。
依照此曝光裝置時，可使從固體光源所射出的光束以無損失狀態(tài)入射于纖維。
又，本發(fā)明的曝光裝置，上述照明光學(xué)系統(tǒng)包括具有以二維加以配列的多數(shù)光學(xué)面的光學(xué)積分器，上述光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊纳鲜龉鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀與上述多數(shù)纖維的射出端的全體形狀是為大略相似形。
依照此曝光裝置時，光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀與多數(shù)纖維的射出端的全體形狀為大略相似形的關(guān)系，可以有效率的使用照明光。
又，本發(fā)明的曝光裝置中，上述多數(shù)固體光源包括至少輸出特性互異的第一及第二固體光源。
依照此曝光裝置時，藉由使輸出特性互異的固體光源加以組合，可取得所期望的輸出特性。
又，本發(fā)明的曝光裝置更包括防止靜電帶電的帶電防止手段。依照此曝光裝置時，可防止由靜電加以破損固體電源。
又，本發(fā)明的曝光裝置中上述光源以定格輸出以下的輸出加以進(jìn)行照明光的射出。依照此曝光裝置時，以定格輸出以下的輸出進(jìn)行照明光的射出的關(guān)系，可延長固體光源的壽命。
又，本發(fā)明的曝光裝置更包括掃描手段，可變光圈與控制手段。其中，掃描手段使從上述光源所射出的光束與上述光罩的位置關(guān)系沿掃描方向以相對的加以掃描?？勺児馊ε渲糜谂c上述光罩大略共軛的位置，可加以變更上述掃描方向的開口幅度?？刂剖侄我罁?jù)關(guān)于從上述光源所射出的光束與上述光罩的相對位置的信息，使上述可變光的上述掃描方向的開口幅度加以可變控制。
依照此曝光裝置時，依據(jù)關(guān)于從光源所射出的光束與光罩的相對位置的信息，加以控制可變光圈的掃描方向的開口幅度的關(guān)系，可防止不需要加以曝光的光罩所附的信息、不需要加以曝光的光罩圖案等轉(zhuǎn)印于感旋旋光性基板上。
又，本發(fā)明的曝光方法，使用本發(fā)明的曝光裝置的曝光方法，其包括照明工序與轉(zhuǎn)印工序。其中，照明工序使從上述固體光源單元的光加以照明上述光罩。轉(zhuǎn)印工序使上述光罩的圖案加以轉(zhuǎn)印于上述感旋旋光性基板。
依照此曝光方法時，使用可確保在實(shí)用上曝光所要求的像面照度值的曝光裝置加以進(jìn)行曝光的關(guān)系，能確保在實(shí)用上曝光方法的處理能力。
本發(fā)明的曝光裝置以及使用此曝光裝置的曝光方法，適用于半導(dǎo)體組件、液晶顯示組件、攝像組件、薄膜磁頭與其它微型組件的制造。


圖1為表示關(guān)于第一實(shí)施例的曝光裝置全體的概略構(gòu)成的斜視圖。
圖2表示關(guān)于第一實(shí)施例的光源構(gòu)成圖。
圖3為表示關(guān)于第二實(shí)施例的曝光裝置全體的概略構(gòu)成的斜視圖。
圖4為關(guān)于第二實(shí)施例的照明光學(xué)系統(tǒng)的側(cè)面圖。
圖5關(guān)于第二實(shí)施例的照明光學(xué)系統(tǒng)的概略斜視圖。
圖6為表示關(guān)于實(shí)施例的纖維光源的構(gòu)成圖。
圖7為表示關(guān)于實(shí)施例的其它纖維光源的構(gòu)成圖。
圖8A～8C為關(guān)于實(shí)施例的從光源射出的光束斷面形狀的說明圖。
圖9A～9B為關(guān)于實(shí)施例的從光源射出的光束斷面形狀的說明圖。
圖10為表示關(guān)于實(shí)施例的纖維光源的射出端的形狀與蠅眼。積分器的單體的形狀成為相似形的圖。
圖11為在關(guān)于實(shí)施例的纖維光源，要以無損失的狀態(tài)使從固體光源射出的光取進(jìn)光纖所需條件的說明圖。
圖12為表示關(guān)于實(shí)施例的從纖維光源的射出端至蠅眼。積分器的構(gòu)成圖。
圖13為表示關(guān)于實(shí)施例的蠅眼。積分器的一個單體的形狀圖。
圖14為表示關(guān)于實(shí)施例的纖維光源的射出端的形狀圖。
圖15為關(guān)于實(shí)施例，使各固體光源的輸出特性的分散加以平均化狀態(tài)的圖解化圖。
圖16為表示關(guān)于實(shí)施例，的掃描型曝光裝置的構(gòu)成圖。
圖17為表示在實(shí)施例的掃描型曝光裝置設(shè)四片葉片的圖。
圖18為表示關(guān)于實(shí)施例的具有帶電防止手段的曝光裝置的構(gòu)成圖。
圖19為關(guān)于實(shí)施例的構(gòu)成微型組件的半導(dǎo)體組件的制造方法的流程圖。
圖20為關(guān)于實(shí)施例的構(gòu)成微型組件的液晶顯示組件的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照圖面，加以說明本發(fā)明的實(shí)施例。圖1表示關(guān)于第一實(shí)施例的投影曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
在圖1所示的投影曝光裝置具有以替代由高壓水銀燈所構(gòu)成的光源的光源(固體光源單元)1。即，光源1由使發(fā)光二極管(固體光源)以數(shù)組狀所配列的發(fā)光二極管數(shù)組所構(gòu)成，其位置決定于在使用由習(xí)知的水銀燈及回轉(zhuǎn)橢圓面所構(gòu)成具有反射面的橢圓鏡光源的場合的隨圓鏡的第二焦點(diǎn)位置。在此橢圓鏡的第二焦點(diǎn)位置，與后述的聚光(condenser)光學(xué)系統(tǒng)7的前側(cè)焦點(diǎn)位置在光學(xué)上為共軛位置。尚且，在配置光源1的位置，也可與聚光光學(xué)系統(tǒng)7的前側(cè)焦點(diǎn)位置在光學(xué)上為共軛位置的近傍。
圖2說明光源1的構(gòu)成圖。如此圖所示光源1，在矩形狀的基板1a上由多數(shù)個發(fā)光二極管(固體光源)1b配列成為數(shù)組狀。在此發(fā)光二極管1b以使后述的基板(感旋旋光性基板)P上的照度值成為30mW/cm2以上的狀態(tài)在基板1a上加以配列成為數(shù)組狀。又，發(fā)光二極管1b使以放出光束的最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，其平均放射輝度成為1000mW(cm2.Sr)以上者配列于基板1a。
又，發(fā)光二極管1b使至少具有10mW/個以上的輸出者配列于基板1a上。又，發(fā)光二極管1b使具有1cm2以下的光射出部面積者配列于基板1a上。更且，在光源1以使多數(shù)個的發(fā)光二極管1b成為1個/cm2以上的狀態(tài)配列于基板1a上。
又，發(fā)光二極管1b對于放出光束的中最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線使成為一半的放射強(qiáng)度的光線分布為在最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心的±2°以上者配列于基板1a上。更且，發(fā)光二極管1b，對于放出光束的中最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線使成為一半的放射強(qiáng)度的光線與，最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)，每1cm2的發(fā)光二極管1b的個數(shù)為n時，以滿足θ2×n≥0.002的條件者配列于基板1a上。又，發(fā)光二極管1b，使射出光(發(fā)光波譜)的波長的半值幅度為±20nm以下者配列于基板1a上。
與聚光光學(xué)系統(tǒng)7的前側(cè)焦點(diǎn)位置在光學(xué)上以共軛位置所配置的光源1的光束，由準(zhǔn)直透鏡(collimatelens)3變換成為大略平行光束后，入射于作為光學(xué)積分器(optical integrator)的蠅眼透鏡(fly eye lens)4。
蠅眼透鏡4使具有正折射力的多數(shù)透鏡組件以其光軸與基準(zhǔn)光軸AX平行的狀態(tài)藉由以縱橫且以稠密配列加以構(gòu)成。構(gòu)成蠅眼透鏡4的各透鏡單體(element)具有與在光罩上應(yīng)該加以形成的照射區(qū)域的形狀(進(jìn)而與在基板上應(yīng)該加以形成的曝光區(qū)域的形狀)相似的矩形狀斷面。又，構(gòu)成蠅眼透鏡4的各透鏡單體的入射側(cè)的光學(xué)面形成為使凸面向入射側(cè)的球面狀，射出側(cè)的光學(xué)面，形成為使凸面向射出側(cè)的球面狀。
因此，入射于蠅眼透鏡4的光束，由多數(shù)透鏡單體加以波面分割，在各透鏡單體的后側(cè)焦點(diǎn)面各形成一個光源像。即，在蠅眼透鏡4的后側(cè)焦點(diǎn)面，形成由多數(shù)光源像所構(gòu)成的實(shí)質(zhì)上的面光源即二次光源。尚且，蠅眼透鏡4的各透鏡單體射出面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀與多數(shù)固體光源的發(fā)光部的形狀，構(gòu)成為大略相似形狀。
從蠅眼透鏡4的后側(cè)焦點(diǎn)面所形成的二次光源的光束，入射于在其近傍所配置的σ光圈5。σ光圈5配置于與后述的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的入射瞳面在光學(xué)上大略為共軛的位置，具有可變開口部可加以規(guī)定二次光源的照明范圍。σ光圈5藉由加以變化可變開口部的開口徑，使決定照明條件的σ值(對于投影光學(xué)系統(tǒng)的瞳面開口徑在其瞳面上的二次光源像的口徑比)設(shè)定于所期望的值。
經(jīng)介σ光圈5的從二次光源的光經(jīng)反射鏡6受聚光光學(xué)系統(tǒng)7的聚光作用后，以重疊均一照明形成所定圖案的光罩M。在此由準(zhǔn)直透鏡3、蠅眼透鏡4、σ光圈5、反射鏡6及聚光光學(xué)系統(tǒng)7加以構(gòu)成照明光學(xué)系統(tǒng)。透過光罩M的圖案的光束，以經(jīng)介投影光學(xué)系統(tǒng)PL，使光罩圖案的像形成于感旋旋光性基板的基板P上。
尚且，在此投影曝光裝置，由多數(shù)發(fā)光二極管(固體光源)所構(gòu)成的光源1，在基板P(被照射面)，可得30mW/cm2以上的照度。又，由光源1，在基板P(被照射面)，可使照度不均勻抑制在對平均值(基準(zhǔn)值)的±20％以內(nèi)。在此，對基板P上的照度基準(zhǔn)值的照度不均勻I(％)，使基板P上的照度的最大值為Imax(W/cm2)、基板P上的照度的最小值為Imin(W/cm2)時，可由下式加以定義。
I＝{(Imax-Imin)/(Imax+Imin)}×100％又，在此投影曝光裝置，光源1以定額以下的輸出加以進(jìn)行照明光的射出。因此，可延長固體光源的壽命。
然而，藉由在與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸直交的平面內(nèi)一面使基板P以二維驅(qū)動移動一面進(jìn)行統(tǒng)括曝光，在基板P的各曝光區(qū)域使光罩M的圖案加以逐次曝光。
尚且，基體P載置于基板機(jī)臺(stage)PS上，在基板機(jī)臺PS上，配置照度感應(yīng)器(照度檢測手段)8。又，在蠅眼透鏡4與反射鏡6之間的光路中，配置射束分裂器(beam splitter)9，由射束分裂器9所反射的光，入射于積分器感應(yīng)器(integrator sensor)10。由積分器感應(yīng)器10的檢測信號輸出到控制部11。又，由照度感應(yīng)器8的檢測信號也輸出到控制部11。
在此，積分器感應(yīng)器10的檢測信號與在基板P上的曝光光的照度的關(guān)系，預(yù)先以高精度加以檢測，記憶于控制部11內(nèi)的內(nèi)存。控制部11構(gòu)成為由積分器感應(yīng)器10的檢測信號能以間接監(jiān)視對基板P的曝光光的照度(平均值)及其積分值(積算曝光量的平均值)。然而，此控制部11在曝光中，以經(jīng)介積分器感應(yīng)器10加以算出對基板P的曝光光的照度積分值。在控制部11，逐次算出其照度的積分值，按照此結(jié)果在基板P上能以取得適當(dāng)曝光量的狀態(tài)，以設(shè)定光源1的輸出加以進(jìn)行控制。又，控制部11也可依據(jù)從照度感應(yīng)器8的輸出，加以控制光源1的輸出。在此，光源1的輸出控制，不但可以光源1全體為一體加以進(jìn)行，也可以構(gòu)成光源1的各發(fā)光二極管加以控制輸出。尚且，由照度感應(yīng)器8的檢出結(jié)果及積分器感應(yīng)器10所檢出結(jié)果，顯示于顯示部12。
在此投影曝光裝置，從光源1所放出光束的中對最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半的放射強(qiáng)度的光線與，最強(qiáng)的放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的倍率為β，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的開口數(shù)為N.A.時，滿足0.2≤(|Sinθ|/|β|)/N.A.≤5的條件。又，多數(shù)發(fā)光二極管1b的功率的總和為A(W)、照明光罩M的照明光的功率的總和為B(W)時，滿足B/A≥0.4的條件。
其次，說明關(guān)于此第一實(shí)施例的曝光裝置的實(shí)施例。在以下，列示表示第一實(shí)施例的裝置構(gòu)成的數(shù)值。
光源的大小 12×3cm發(fā)光二極管的數(shù) 24×6個發(fā)光二極的輸出 12.5mW/個發(fā)光二極管的大小4.5mmψ發(fā)光二極管的輝度50000mW/(nm.cm2.Sr)發(fā)光二極管的發(fā)光部 1mm×1mm發(fā)光二極管的波長的 半值幅度±10nm照明光學(xué)系統(tǒng)的透射率80％投影光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)(N.A.) 0.1投影光學(xué)系統(tǒng)的倍率(β) 等倍投影光學(xué)系統(tǒng)的透射率80％基板上的照度32mW基板上的照度不均勻 ±3％其次，參照圖面，說明關(guān)于此發(fā)明的第二實(shí)施例的曝光裝置。圖3表示關(guān)于第二實(shí)施例的曝光裝置的全體的概略構(gòu)成的斜視圖。在此實(shí)施例例舉對于由多數(shù)反射折射型的投影光學(xué)單元(unit)所構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)，一面使光罩M與基板P以相對移動，一面使形成于光罩M的液晶顯示組件的圖案DP的像轉(zhuǎn)印于涂布感旋旋光性材料(光阻)的作為感旋旋光性基板的基板P上的步進(jìn)。掃描方式的曝光裝置加以說明。
又，在以下的說明，設(shè)定在圖3中所示的XYZ直交坐標(biāo)系統(tǒng)，一面參照此XYZ直交坐標(biāo)系統(tǒng)一面對于各構(gòu)件的位置關(guān)系加以說明。XYZ直交坐標(biāo)系統(tǒng)，設(shè)定X軸及Y軸對基板P成為平行，Z軸設(shè)定于對基板P成為直交的方向。圖中的XYZ坐標(biāo)系統(tǒng)，以實(shí)際上使XY平面設(shè)定成為平行于水平面的面，Z軸設(shè)定于垂直上方向。又，在此實(shí)施例使光罩M及基板P移動的方向(掃描方向)設(shè)定于X軸方向。
此實(shí)施例的曝光裝置，具有由固體光源單元SU1～SU5及照明光學(xué)單元IL1～I(xiàn)L5所構(gòu)成的照明光學(xué)系統(tǒng)。其中，固體光源單元SU1～SU5，使在光罩機(jī)臺(在圖3未圖示)MS上以經(jīng)介光罩保持器(未圖示)以平行于XY平面所支持的光罩M加以均一照明。照明光學(xué)單元IL1～I(xiàn)L5對應(yīng)于各固體光源單元SU1～SU5。
在此，固體光源單元SU1～SU5，具有與在第一實(shí)施例的光源1(參照圖2)同樣的構(gòu)成。尚且，固體光源單元SU2～SU5，具有與固體光源單元SU1同樣的構(gòu)成的關(guān)系，以固體光源單元SU1為代表加以說明。
固體光源單元SU1，具有矩形狀的基板1a，在此基基板1a上多數(shù)個發(fā)光二極管(固體光源)1b以數(shù)組狀配列。在此發(fā)光二極管1b，以使后述的基板(感旋旋光性基板)P上的照度值成為30mW/cm2的狀態(tài)，以數(shù)組狀配列于基板1a上。又，發(fā)光二極管1b，使以放出光束的中最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心，在±1°的光束范圍內(nèi)，其平均放射輝度成為1000mW/(cm2.Sr)以上者配列于基板1a上。
又，發(fā)光二極管1b使至少具有10mW/個以上的輸出者配列于基板1a上。又，發(fā)光二極管1b使具有1cm2以下的光射出部面積者配列于基板1a上。更且，在固體光源單元SU1以使多數(shù)個的發(fā)光二極管1b成為1個/cm2以上的狀態(tài)配列于基板1a上。
又，發(fā)光二極管1b對于放出光束的中最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半的放射強(qiáng)度的光線分布以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心的±2°以上者配列于基板1a上。更且，發(fā)光二極管1b對于放出光束的中最強(qiáng)放出強(qiáng)度的光線成為一半的放射強(qiáng)度的光線與，最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)，每1cm2的發(fā)光二極管1b的個數(shù)為n時，以滿足θ2×n≥0.002的條件者配列于基板1a上。又，發(fā)光二極管1b使射出光(發(fā)光波譜)的波長的半值幅度為±20nm以下者配列于基板1a上。
圖4為固體光源單元SU1及照明光學(xué)單元IL1的側(cè)面圖，與圖3所示構(gòu)件同一的構(gòu)件附同一符號。尚且，在此圖所示的XYZ直交坐標(biāo)系統(tǒng)，與在圖3所示的直交坐標(biāo)系統(tǒng)為同一者。
在固體光源單元SU1與光罩M之間，以準(zhǔn)直透鏡20a、蠅眼。積分器(integrator)21a、開口光圈22a、半透明反射鏡(half-mirror)23a及聚光透鏡系統(tǒng)27a的順序加以配置。尚且，照明光學(xué)單元IL2～I(xiàn)L5的構(gòu)成，與照明光學(xué)單元IL1的構(gòu)成為同一的關(guān)系，其說明從略。
從固體光源單元SU1所射出的發(fā)散光束，由準(zhǔn)直透鏡20a變換成為大略平行的光束后，入射于蠅眼。積分器(光學(xué)積分器)21a。蠅眼。積分器21a，藉由使多數(shù)正透鏡單體，其中心軸線沿光軸AX2延伸的狀態(tài)以縱橫且稠密配列加以構(gòu)成。因此，入射于蠅眼。積分器21a的光束，由多數(shù)的透鏡加以波面分割，在其后側(cè)焦點(diǎn)面(即，射出面的近傍)形成由與透鏡單體數(shù)同數(shù)的光源像所構(gòu)成的二次光源。即，在蠅眼。積分器21a的后側(cè)焦點(diǎn)面，形成實(shí)質(zhì)上的面光源。尚且，如圖5所示，蠅眼。積分器21a的射出面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀(在圖以斜線所示的構(gòu)成蠅眼。積分器21a的一個單體的射出側(cè)的光學(xué)面的形狀)與，固體光源單元SU1發(fā)光部的全體形狀(由多數(shù)發(fā)光二極管所形成的發(fā)光部的形狀)構(gòu)成為大略相似形狀。
在蠅眼。積分器21a的后側(cè)焦點(diǎn)面所形成的多數(shù)二次光源的光束，由配置于蠅眼。積分器21a的后側(cè)焦點(diǎn)面近傍的開口光圈22a加以限制后，入射于半透明反射鏡23a。由半透明反射鏡23a所反射的光束經(jīng)透鏡24a入射于照度感應(yīng)器25a。此照度感應(yīng)器25a，檢測與基板P在光學(xué)上為共軛位置的照度的感應(yīng)器，由此照度感應(yīng)器25a，在曝光中也不使處理能力)(throughput)低降可加以檢出基板P上的照度。尚且，照度感應(yīng)器25a的檢出值，輸入于主控制系統(tǒng)26。
一方面，透過半透明反射鏡(half-mirror)23a的光束，入射于聚光透鏡系統(tǒng)27a。尚且，開口光圈22a，與所對應(yīng)的投影光學(xué)單元PL1的瞳面在光學(xué)上大略配置于共軛的位置，具有規(guī)定供給于照明的二次光源的范圍的開口部。此開口光圈22a的開口部，其開口徑可為固定或可變。在此以開口光圈22a的開口部為可變者加以說明。開口光圈22a，藉由使此可變開口部的開口徑加以變化，以使決定照明條件的σ值(對于構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的各投影光學(xué)單元PL1～PL5的瞳面的開口徑的在其瞳面上的二次光源像的口徑比)設(shè)定于所期望的值。經(jīng)介聚光透鏡系統(tǒng)24a的光束，以重疊照明形成圖案DP的光罩M。
從固體光源源單元SU2～SU5所射出的光束也同樣，經(jīng)介照明光學(xué)單元IL2～I(xiàn)L5各以重疊照明光罩M。即，構(gòu)成照明光學(xué)系統(tǒng)的照明光學(xué)單元IL1～I(xiàn)L5，在光罩上照明在Y軸方向所排列的多數(shù)(在圖3合計為五個)臺形狀的區(qū)域。
尚且，主控制系統(tǒng)26，依據(jù)由照明光學(xué)單元IL1的照度感應(yīng)器25a所檢出的照度，及照明光學(xué)單元IL2～I(xiàn)L5的照度感應(yīng)器所檢出的照度，對光源輸出設(shè)定部加以輸出控制信號，以使由各照明光學(xué)單元IL1～I(xiàn)L5照明光罩M時的照度成為均一的狀態(tài)。其中，光源輸出設(shè)定部，設(shè)定對應(yīng)于各照明光學(xué)單元IL1～I(xiàn)L5所設(shè)的各固體光源單元SU2～SU5的光輸出。
從光罩M上的各照明區(qū)域的光，入射于投影光學(xué)系統(tǒng)PL。其中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL，以對應(yīng)于各照明區(qū)域的狀態(tài)在沿Y軸方向所配列的多數(shù)(在圖3合計為五個)投影光學(xué)單元PL1～PL5所構(gòu)成。在此，各投影光學(xué)單元PL1～PL5的構(gòu)成互為相同。以此，經(jīng)介由多數(shù)投影光學(xué)單元PL1～PL5所構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光，在未圖示的基板機(jī)臺上，使圖案DP的像形成于基板P上。其中，基板P以未圖示的基板保持具以平行保持于XY平面。
尚且，由此多數(shù)發(fā)光二極管(固體光源)所構(gòu)成的固體光源單元SU1～SU5，在基板P(被照射面)，可取得30mW/cm2以上的照度。又，由固體光源單元SU1～SU5，在基板P(被照射面)，可使照度不均勻?qū)ζ骄的芤种圃凇?0％以內(nèi)。
在上述的主控制系統(tǒng)26，接連硬盤(hard disk)等的記憶裝置28，在此記憶裝置28內(nèi)儲存曝光數(shù)據(jù)文件(data file)。在曝光數(shù)據(jù)文件，記憶在進(jìn)行基板P的曝光上所必要的處理及其處理順序，包含在每一處理時，關(guān)于涂布于基板P上的光阻數(shù)據(jù)(例如，光阻的分光特性)、必要的解像度、使用的光罩M、照明光學(xué)系統(tǒng)的補(bǔ)正量(照明光學(xué)特性信息)、投影光學(xué)系統(tǒng)的補(bǔ)正量(投影光學(xué)特性數(shù)據(jù))、及關(guān)于基板的平坦性的信息等(所謂，制法數(shù)據(jù))。
回至圖3，在上述的光罩機(jī)臺MS，設(shè)有使光罩機(jī)臺MS沿掃描方向的X軸方向移動的具有長行程的掃描驅(qū)動系統(tǒng)(未圖標(biāo))。又，設(shè)有使光罩機(jī)臺MS沿直交于掃描方向的Y軸方向移動微小量的同時可在Z軸周圍回轉(zhuǎn)微小量的一對定位(alignment)驅(qū)動系統(tǒng)(未圖標(biāo))。然而，光罩機(jī)臺MS的位置坐標(biāo)，由使用移動鏡的鐳射干涉儀(未圖標(biāo))加以檢測并且加以位置控制，由此等加以構(gòu)成。
同樣的驅(qū)動系統(tǒng)也可以設(shè)于基板機(jī)臺。即，設(shè)有使基板機(jī)臺沿掃描方向的X軸方向移動的具有長行程的掃描驅(qū)動系統(tǒng)(未圖標(biāo))，使基板機(jī)臺沿直交于掃描方向的Y軸方向移動微小量的同時可在Z軸周圍回轉(zhuǎn)微小量的一對定位驅(qū)動系統(tǒng)(未圖標(biāo))。然而，基板機(jī)臺的位置坐標(biāo)，由使用移動鏡31的鐳射干涉儀(未圖標(biāo))加以檢測并且加以位置控制，由此等加以構(gòu)成。更且，對于使光罩M與基板P在沿XY平面進(jìn)行相對位置對準(zhǔn)的手段，使一對定位系統(tǒng)32a、32b配置于光罩M的上方。更且，在基板機(jī)臺上，設(shè)照度感應(yīng)器33加以檢測基板P上的照明光的照度，檢出值輸入于照明光學(xué)系統(tǒng)IL的主控制系統(tǒng)26。主控制系統(tǒng)26，依據(jù)由照度感應(yīng)器33所檢出的基板P上的由照明光的照度，加以控制各固體光源單元SU2～SU5的光輸出。尚且，由主控制系統(tǒng)26的各固體光源單元SU2～SU5的光輸出的控制除以各固體光源單元SU2～SU5的每個光輸出的控制外，也可由構(gòu)成各固體光源單元SU2～SU5的各發(fā)光二極管的每個光輸出的控制加以進(jìn)行。
由此，藉由光罩機(jī)臺MS側(cè)的掃描驅(qū)動系統(tǒng)及基板機(jī)臺側(cè)掃描驅(qū)動系統(tǒng)的作用，對于由多數(shù)投影光學(xué)單元PL1～PL5所構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，藉由使光罩M與基板P以成一體的沿同一方向(X軸方向)移動，使光罩M上的圖案區(qū)域的全體轉(zhuǎn)印于基板P上的曝光區(qū)域的全體(掃描曝光)。
在此投影曝光裝置，對于由構(gòu)成固體光源單元的發(fā)光二極管1b所放出的光束中最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與，最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、投影光學(xué)系統(tǒng)PL的倍率為β，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的開口數(shù)為N.A.時，滿足0.2≤(|Sinθ|/|β|/N.A.≤5的條件。又，多數(shù)發(fā)光二極管1b的功率總和為A(W)、照明光罩的照明光的功率總和為B(W)時，滿足B/A≥0.4的條件。
依據(jù)關(guān)于上述各實(shí)施例的曝光裝置時，因光源具有使多數(shù)個發(fā)光二極管(固體光源)以數(shù)組狀配列的固體光源單元的關(guān)系，可使像面照度成為實(shí)用上曝光裝置所要求的值，在實(shí)用上的曝光裝置，可確保處理能力。
又，依據(jù)關(guān)于此實(shí)施例的曝光裝置時，因具有使多數(shù)固體光源以數(shù)組狀配列的光源的關(guān)系，可圖謀曝光裝置的小型化。又，不需要控制曝光光的照射、遮擋的機(jī)械快門(mechanical shutter)可使裝置結(jié)構(gòu)簡單化。更且，可消除在機(jī)械快門動作時產(chǎn)生的振動對曝光有不良影響的虞。
又，具有使多數(shù)固體光源以數(shù)組狀配列的光源的關(guān)系，與習(xí)知的水銀燈等比較時，可企圖光源的長壽命化。又，可實(shí)現(xiàn)省電化，低運(yùn)轉(zhuǎn)成本化。更且，光源的光輸出的控制也可容易加以進(jìn)行。
尚且，雖然在上述第一實(shí)施例，在照明光學(xué)系統(tǒng)使用蠅眼透鏡作為光學(xué)積分器，在上述第二實(shí)施例，在照明光學(xué)系統(tǒng)使用蠅眼。積分器，以替代于此，也可使用棒條(rod)型的積分器或圓筒(cylinder)型的積分器。
在使用棒條型的積分器的場合，以使光源(發(fā)光二極管)的形狀與棒條的斷面形狀成相似形為宜。又，在使用圓筒型的積分器的場合，以使矩形區(qū)域(光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)面的有效區(qū)域)與光源(發(fā)光二極管數(shù)組)的形狀成相似形為宜。其中，矩形區(qū)域，由構(gòu)成圓筒型積分器的一方的圓柱透鏡(cylinder lens)的間距與，與此直交所配置的他方的圓柱透鏡的間距加以形成。
尚且，雖然在上述第一實(shí)施例，以步進(jìn)。重復(fù)型投影曝光裝置為例加以說明，在第二實(shí)施例，以步進(jìn)。掃描型的投影曝光裝置為例加以說明，也可使本發(fā)明適用于接近(proximity)方式的曝光裝置。在此種場合，由于不需有投影光學(xué)系統(tǒng)存在的關(guān)系可提高像面照度。
又，在第二實(shí)施例的步進(jìn)。掃描型的投影曝光裝置，雖然使固體光源單元配置于每個照明光學(xué)單元，從固體光源單元SU1～SU5對照明光學(xué)單元供給照明光，也可使一個固體光源單元配置于任意光導(dǎo)纖維(random lightguide fiber)的入射端，使從五個射出端的各射出的照明光入射于照明光學(xué)單元IL～I(xiàn)L5。其中，任意光導(dǎo)纖維，使多數(shù)的纖維芯線以任意捆扎成束加以構(gòu)成。
又，在上述各實(shí)施例，雖然使用發(fā)光二極管為固體光源，也可使用鐳射二極管等的其它種類的固體光源。
又，在上述各實(shí)施例，對于多數(shù)固體光源，也可使用具有多數(shù)發(fā)光點(diǎn)的固體光源基片(chip)、使基片以多數(shù)個數(shù)組狀配列的固體光源基片數(shù)組，更且，使多數(shù)發(fā)光點(diǎn)組入于一片基板的型式者等。尚且，固體光源組件不拘于無機(jī)、有機(jī)。
又，在上述各實(shí)施例，對于光源，也可使用纖維光源。其中，纖維光源，使多數(shù)個固體光源與對應(yīng)于各固體光源所設(shè)的多數(shù)光纖(opticalfiber)等的光導(dǎo)(light guide)(纖維)加以組合者。在此種場合，使第一實(shí)施例的光源1變更為纖維光源，在光源1的發(fā)光二極管1b的位置加以配置使纖維光源的纖維射出端在其位置。又，使第二實(shí)施例的固體光源單元SU1～SU5變更為纖維光源，在固體光源單元SU1～SU5的發(fā)光二極管1b的位置加以配置使纖維光源的纖維射出端在其位置。
圖6表示使固體光源71與對應(yīng)于各固體光源71所設(shè)的光纖72以多數(shù)個加以捆合成束的纖維光源69的圖。在圖6所示的纖維光源69，從固體光源71所出射的光，入射于光纖72的入射端，從光纖72的射出端加以射出。即，光纖72的各入射端與固體光源71以光學(xué)方式接連。又，圖7表示纖維光源70的圖，其中，纖維光源70，使固體光源71、對應(yīng)于各固體光源71所設(shè)的透鏡(聚光光學(xué)系統(tǒng))73及光纖72以多數(shù)個捆合成束者。在圖7所示的纖維光源70，從固體光源71所出射的光，入射于透鏡73，由透鏡73所聚光的光入射于光纖72的入射端，從光纖72的射出端加以射出。即，光纖72的各入射端，與固體光源71以光學(xué)方式加以接連。
在圖6所示的纖維光源69及在圖7所示的纖維光源70，藉由使用具有適當(dāng)開口數(shù)的光纖72，可使通常為橢圓形的固體光源71的光束斷面(beamprofile)75(參照第8A圖)加以形成為圓形的光束斷面76(參照第8B圖及第8C圖)。
又，藉由使多數(shù)個光纖的射出部份以任意的形狀加以捆合成束時，可使光源的射出端的形狀(射出端的配置形狀)成形為最適合的形狀。例如，在第9A圖所示也可成形于矩形狀，也可成形于如第9B圖所示的形狀。又，如在圖10所示，可使纖維光源69、70的光纖的射出端捆束的形狀與蠅眼。積分器80的一個單體81的形狀成為相似形的狀態(tài)，能極為容易使多數(shù)個光纖的射出端部分的形狀加以成形。因此，可以有效率加以使用照明光。
在此，圖11，表示在圖7所示的纖維光源70的一個固體光源71、其所對應(yīng)所設(shè)的透鏡(聚光光學(xué)纟統(tǒng))73及光纖72的圖。在圖7所示的纖維光源70，固體光源71的發(fā)散光的內(nèi)具有最大射出角度的光的開口數(shù)(最大射出角度(半角)的正弦(Sin)、以下，稱為最大開口數(shù))為NA1、固體光源71的發(fā)光部的大小(直徑)的最大值為ψ，光纖72可導(dǎo)入光的角度范圍(半角)的正弦、所謂光纖72的開口數(shù)為NA2、光纖72的入射端的核心(core)直徑為D時，滿足NA2≥ψ/D×NA1的條件。藉由滿足此條件，可使從固體光源71所射出的光能以無損失的取入于光纖72，以維持從固體光源71所射出的光的光量，能從光纖72的射出端加以射出。
又，在使用石英纖維為光纖的場合，使固體光源71的最大開口數(shù)為NA1、固體光源71的發(fā)光部的大小(直徑)的最大值為ψ、石英纖維的入射端的核心直徑為D時，滿足0.3≥ψ/D×NA1的條件。藉由滿足此條件，可使從固體光源所射出的光以無損失的狀態(tài)取入于石英纖維，以維持從固體光源所出射的光的光量，能從光纖72的射出端加以射出。
又，圖12表示從纖維光源69、70的射出端至蠅眼。積分器80的構(gòu)成圖、圖13表示在蠅眼。積分器80的一個單體81的入射面的形狀圖、圖14表示纖維光源69、70的射出端83的形狀圖。在此，蠅眼。積分器80的單體81的入射面的一方長度為a、他方長度為b、在使多數(shù)個光纖72捆合成束的射出端83的形狀一方長度為A、他方長度為B、位置于光纖72與蠅眼。積分器80之間的準(zhǔn)直透鏡82的焦點(diǎn)距離為f1、蠅眼。積分器80的焦點(diǎn)距離為f2時，A×f2/f1≤a及B×f2/f1≤b的關(guān)系成立。
又，纖維光源由m組的纖維光源69、70所構(gòu)成的場合(m為自然數(shù))、從m組的光纖72所射出的光輸出的總量為W、光纖72的射出端的核心直徑為d時，以滿足[mx{d(f2/f1)}2π/(4×a×b)]×W≥30(mW)的條件為宜。藉由滿足此條件，可使對蠅眼。積分器80的一個單體81的光源像的充填率成為最適合的狀態(tài)，對曝光裝置可取得實(shí)用上的照度。尚且，在此種場合，使光纖72的射出端捆束的形狀與蠅眼。積分器80的單體81的形狀以成相似形為宜。
又，在圖6所示的纖維光源69及在圖7所示的纖維光源70，在光纖72的射出端以時間變化的光量的最大值為Pmax、最小值為Pmin時，在其光纖72的射出端的光量的平均波動(ripple)幅度ΔP，由ΔP＝(Pmax-Pmin)/(Pmax+Pmin)加以算出。在此，于蠅眼。積分器80的入射端所要求的光量的波動幅度為ΔW時，固體光源71的數(shù)n滿足n≥(ΔP/ΔW)2的條件。
藉由滿足此條件，從纖維光源69、70的射出端所射出的光輸出的分散，藉由使固體光源71的數(shù)n比(ΔP/ΔW)2較多時可加以平均化，由其平均化效果可提供具有安定的光輸出的纖維光源69、70。
又，在圖6所示的纖維光源69及圖7所示的纖維光源70，各固體光源71的波長、光量等的輸出特性有分散的場合，藉由使此等輸出特性相異的多數(shù)個固體光源71使用為纖維光源的光源時，可使在纖維光源69、70的射出端的輸出特性的分散加以平均化。又，藉由使具有相異輸出特性的固定光源加以組合時可取得所期望的特性。在纖維光源69、70的射出端平均化的光，更由蠅眼。積分器80加以平均化。圖15為使各固體光源71的輸出特性的分散加以平均化狀態(tài)的圖解化圖。使各具有相異輸出特性的固體光源71加以平均，化將其圖解化者為AVE。如此，在使輸出特性相異的多數(shù)個固體光源71加以組合者使用于纖維光源69、70的場合，由平均化效果可取得具有安定的光輸出的照明光。
又，在曝光裝置為掃描型曝光裝置的場合，也可具有同步隱蔽(blind)。圖16為掃描型曝光裝置的構(gòu)成圖。此曝光裝置，對投影光學(xué)系統(tǒng)，一面使光罩機(jī)臺及基板機(jī)臺移動，一面使光罩的圖案轉(zhuǎn)印于基板上的掃描曝光裝置，具有同步隱蔽(可動隱蔽機(jī)構(gòu))91。對于其它的點(diǎn)，具有與第一實(shí)施例同一的構(gòu)成。
如圖16所示，在光罩近傍，配置固定隱蔽BL0與，可動隱蔽機(jī)構(gòu)91，如圖17所示，此可動隱蔽機(jī)構(gòu)，由四片可動葉片BL1、BL2、BL3、BL4所構(gòu)成。由可動葉片BL1、BL2的邊緣(edge)決定掃描曝光方向的開口AP的幅度，由可動葉片BL3、BL4的邊緣決定非掃描方向的開口AP的長度。又，以四片的可動葉片BL～BL4的各邊緣所規(guī)定的開口AP的形狀，以包含于投影透鏡PL的圓形像場(image field)IF內(nèi)的狀態(tài)加以決定。
通過固定隱蔽BL0的開口與可動隱蔽91的開口AP的照明光照射光罩M。即，僅對由各可動葉片BL1～BL4所形成的開口AP與固定隱蔽的開口重疊的區(qū)域，加以進(jìn)行光罩M的照明。在通常的曝光狀態(tài)，雖然固定隱蔽BL 0的開口像結(jié)像于光罩M的圖案面，在光罩M上的特定掃描曝光區(qū)域的周邊即在進(jìn)行遮光部分的近傍區(qū)域的曝光的場合，由四片可動葉片BL1～BL4加以防止照明光入射于遮光部分的外側(cè)。即，在光罩機(jī)臺的掃描時，加以監(jiān)視關(guān)于從照明光學(xué)系統(tǒng)所射出的光束與光罩M的相對位置的信息。依據(jù)此監(jiān)視信息，在判斷光罩M上的特定掃描曝光區(qū)域的曝光開始時或在曝光終了時對遮光部分的近傍區(qū)域開始曝光的場合，以移動可動葉片BL1、BL2的邊緣位置，加以控制掃描曝光方向的開口AP的幅度。由此，可防止不需要的圖案等對基板加以轉(zhuǎn)印。尚且，在此曝光裝置，雖然在光罩M近傍設(shè)可動隱蔽機(jī)構(gòu)91，只要與光罩M成為共軛的位置或其近傍位置，也可在其它位置設(shè)可動隱蔽機(jī)構(gòu)。
又，在曝光裝置也可設(shè)帶電防止手段。圖18，具有帶電防止手段的曝光裝置的構(gòu)成圖。在對于其它的點(diǎn)，具有與第一實(shí)施的曝光裝置同一的構(gòu)成。在此曝光裝置，個別設(shè)收容光源的筐體92與，收容照明光學(xué)系統(tǒng)及投影光學(xué)系統(tǒng)等的曝光裝置本體的筐體93，筐體92與筐體93，以電氣接連更且加以接地。即，筐體92與筐體93保持于同電位。又，個別設(shè)供給電力于光源的電源部84與供給電力于曝光裝置本體的電源部85，各加以接地。因此，可防止曝光裝置的光源及曝光裝置本體帶靜電，能防止由靜電對固體電源的破損。
又，以替代上述各實(shí)施例的光罩，也可使用產(chǎn)生投影圖案的可變圖案產(chǎn)生裝置。此種可變圖案產(chǎn)生裝置，可分別為自發(fā)光型畫像顯示組件與，非發(fā)光型畫像顯示組件。對于自發(fā)光型畫像顯示組件可例舉陰極射線管CRT(Cathode ray tube)、無機(jī)EL顯示(display)、有機(jī)EL顯示(OLEDOrganic Light Emitting Diode)、LED顯示、LD顯示、電場放射顯示(FEDfield emission display)、電漿顯示(PDPPlasma Display Panel)等。又，非發(fā)光型畫像顯示組件，稱為空間光調(diào)制器(spatial Light Modulator以下略記為SLM)，使光的振幅、相位或偏光的狀態(tài)以空間方式加以調(diào)制的組件，可分別為透射型空間光調(diào)制器可例舉透射型液晶顯示組件(LCDLiquid Crystal Display)、電致彩色顯示(ECDElectrochromic Display)等，對于反射型空間光調(diào)制器，可例舉可變微反射鏡裝置(DMDDeformableMicro-mirror Device)、或數(shù)字微反射鏡裝置(Digital Micro-mirrorDevice)、反射鏡數(shù)組、反射型液晶顯示組件、電泳顯示(EPDElectroPhoretic Display)、電子紙(或電子墨水)、光繞射型光閥(Grating LightValve)等。
其次，對于在微影蝕刻工序使用本發(fā)明的實(shí)施例的曝光裝置的微型組件的制造方法加以說明。圖19，說明構(gòu)成微型組件(micro device)的半導(dǎo)體組件的制造方法的流程圖。首先，在圖19的階段S40，在一組(lot)晶圓上蒸鍍金屬膜。在其次的階段S42，在其一組的晶圓上的金屬膜上涂布光阻層(photoresist)。其后，在階段S44，使用關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例的曝光裝置，在光罩M上的圖案像以經(jīng)介其投影光學(xué)系統(tǒng)(投影光學(xué)單元)，以順次曝光轉(zhuǎn)印于其一組的晶圓上的各照射區(qū)域。即，使用照明裝置照明光罩M，使用投影光學(xué)系統(tǒng)將光罩M上的圖案像以投影加以曝光轉(zhuǎn)印于基板上。
其后，在階段S46，進(jìn)行此一組的晶圓的光阻層的顯像后，在階段S48，藉由在此一組的晶圓上以光阻圖案為罩幕(mask)進(jìn)行蝕刻，使對應(yīng)于光罩上的圖案的電路圖案加以形成于各晶圓上的各照射區(qū)域。其后，藉由進(jìn)行更上層的電路圖案的形成等，加以制造半導(dǎo)體組件等的組件。依照上述的半導(dǎo)體組件的制造方法，能以良好處理加以取得有極微細(xì)的電路圖案的半導(dǎo)體組件。
又，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例的曝光裝置，藉由在基板(玻璃基板)上形成所定圖案(電路圖案、電極圖案等)，可取得構(gòu)成微型組件的液晶顯示組件。圖20，藉由使用此實(shí)施例的曝光裝置在基板上形成所定圖案，說明構(gòu)成微型組件的液晶顯示組件的制造方法的流程圖。
在圖20的圖案形成工序S50，使用本實(shí)施例的曝光裝置將光罩的圖案轉(zhuǎn)印曝光于感旋旋光性基板(涂布光阻的玻璃基板等)，加以實(shí)行所謂光微影蝕刻工序。藉由此光微影蝕刻工序，在感光基板上形成包含多數(shù)電極等的所定圖案。其后，經(jīng)曝光的基板，藉由經(jīng)顯像工序、蝕刻工序、光阻剝離工序等的各工序，在基板上形成所定圖案，向其次的彩色濾光器(filter)形成工序S52移行。
其次，在彩色濾光器形成工序S52，加以形成對應(yīng)于R(Red)、G(Green)；B(Blue)的三個點(diǎn)(dot)組以矩陣(matrix)狀多數(shù)配列、或R、G、B的三支彩條(stripe)的濾光器組以多數(shù)水平掃描線方向配列的彩色濾光器。然而，在彩色濾光器形成工序S52后，實(shí)行單元(cell)組立工序S54。在單元組立制S54，使用在圖案形成工序S50所得的具有所定圖案的基板、及在彩色濾光器形成工序S52所得的彩色濾光器等加以組立液晶面板(panel)(液晶單元)。
在單元組立工序S54，例如，在圖案形成工序S50所得的具有所定圖案的基板與在彩色濾光器形成工序S52所得的彩色濾光器之間注入液晶，加以制造液晶面板(液晶單元)。其后，在組件(module)組立工序S56，加以裝設(shè)實(shí)行經(jīng)組立的液晶面板(液晶單元)的顯示動作的電路、后照光(back light)等的各零件以完成為液晶顯示組件。依照上述的液晶顯示組件的制造方法時，可以良好處理能力取得具有極微細(xì)電路圖案的液晶顯示組件。
依照此微型組件的制造方法時，使用可確保在實(shí)用上曝光所要求的像面照度值的曝光裝置的關(guān)系，能確保實(shí)用上曝光方法的處理能力。
依照本發(fā)明的曝光裝置時，因光源具有以多數(shù)個固體光源以數(shù)組狀配列的固體光源單元的關(guān)系，可使像面照度成為實(shí)用上曝光裝置所要的值，能確保實(shí)用上曝光裝置的處理能力。
又，依照本發(fā)明的曝光方法時，因使用確保實(shí)用上曝光所要求的像面照度值的曝光裝置加以曝光的關(guān)系，能確保實(shí)用上的曝光裝置的處理能力。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，使從一光源所射出的光束導(dǎo)至一光罩，將該光罩的一圖案轉(zhuǎn)印于一感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括一照明光學(xué)系統(tǒng)，配置于該光源與該光罩之間的一光路中，依據(jù)從該光源的光束加以照明該光罩，其特征在于包括一固體光源單元，具有多數(shù)個固體光源加以配列成為使該感旋旋光性基板上的照度值在30mW/cm2以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該固體光源，使所放出的光束中以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，其平均放射輝度在1000mW/(cm2.Sr)以上。
3.一種曝光裝置，使一光罩的一圖案轉(zhuǎn)印于一感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括一固體光源單元，具有多數(shù)個固體光源；一照明光學(xué)系統(tǒng)，使從該固體光源單元所射出的光束導(dǎo)至上述光罩；其特征在于該固體光源，使所放出的光束中以最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心在±1°的光束范圍內(nèi)，其平均放射輝度為1,000mW/(cm2.Sr)以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源，至少具有10mW/個以上的輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該感旋旋光性基板上的照度不均勻，對于平均值在±20％以內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源的光射出部的面積、在1cm2以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源單元的該些多數(shù)個固體光源，以使成為1個/cm2以上的狀態(tài)加以配列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源，對于所放出的光束中的一最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線的分布，以在該最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線為中心的±2°以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源，對于所放出的光束中的一最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與該最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、每1cm2的該固體光源的個數(shù)為n時，滿足以下的條件θ2x≥0.002。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于從該固體光源所射出的光的波長的半值幅度，在±20nm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于更再包括一投影光學(xué)系統(tǒng)，使該光罩的一圖案形成于該感旋旋光性基板上。
12.一種曝光裝置，使一光罩的一圖案轉(zhuǎn)印于一感旋旋光性基板上的曝光裝置，包括一固體光源單元，具有多數(shù)個固體光源；一照明光學(xué)系統(tǒng)，配置于該固體光源單元與該光罩之間的一光路中，依據(jù)從該固體光源單元的光束加以照明該光罩；以及一投影光學(xué)系統(tǒng)，依據(jù)從該光罩的光束，使該光罩的該圖案像加以形成于該感旋旋光性基板上；其特征在于該固體光源的發(fā)光光譜的波長的半值幅度，在±20nm以內(nèi)；并且該投影光學(xué)系統(tǒng)，包括反射折射型光學(xué)系統(tǒng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的曝光裝置，其特征在于對于所放出的光束中的一最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線成為一半放射強(qiáng)度的光線與該最強(qiáng)放射強(qiáng)度的光線所成的角為θ(rad)、該投影光學(xué)系統(tǒng)的倍率為β，該投影光學(xué)光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)為N.A.時，滿足以下的條件0.2≤(|Sinθ|/|β|)/N.A.≤5。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該投影光學(xué)系統(tǒng)，包括在該光罩上具有互異視野的多數(shù)投影光學(xué)單元；該照明光學(xué)系統(tǒng)，包括對應(yīng)于該些多數(shù)投影光學(xué)單元的多數(shù)視野的多數(shù)照明光學(xué)單元；以及該些多數(shù)照明光學(xué)單元的每個，具有該固體光源單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其特征在于包括一光源輸出設(shè)定部，接連于該些多數(shù)照明光學(xué)單元的各個所設(shè)的該固體光源單元，可以每各照明光學(xué)單元加以設(shè)定該些多數(shù)光源單元的光輸出。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的曝光裝置，其特征在于更再包括一照度檢測手段，加以檢測該感旋旋光性基板上的一照度；以及該光源輸出設(shè)定部，依據(jù)該照度檢測手段的檢測結(jié)果，加以個別設(shè)定該照明光學(xué)單元每各所設(shè)的該些多數(shù)固體光源單元。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光裝置，其特征在于更再包括一基板機(jī)臺，載置該感旋旋光性基板；以及該照度檢測手段，設(shè)置于該基板機(jī)臺上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1至17任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于包括一輸出檢測手段，加以檢測該照明光學(xué)系統(tǒng)的輸出；以及一控制部，依據(jù)由該輸出檢測手段所檢測的結(jié)果，加以控制該固體光源單元的光輸出。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的曝光裝置，其特征在于該輸出檢測手段，具有一照度檢測手段加以檢測該感旋旋光性基板上的照度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1至19任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于使該些多數(shù)固體光源的功率的總和為A(W)、照明該光罩的照明光的功率的總和為B(W)時，滿足以下的條件B/A≥0.4。
21.根據(jù)權(quán)利要求1至20的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該些多數(shù)個固體光源，配置于數(shù)組狀。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的曝光裝置，其特征在于該固體光源單元，包括以二維數(shù)組狀加以配列的多數(shù)該固體光源。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的曝光裝置，該照明光學(xué)系統(tǒng)，包括一光學(xué)積分器，具有以二維配列的多數(shù)光學(xué)面；其特征在于該光學(xué)積分器的射出面?zhèn)鹊脑摴鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀與該些多數(shù)固體光源的發(fā)光部的全體形狀為大略相似形狀。
24.根據(jù)權(quán)利要求1至23的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，該固體光源單元，具有多數(shù)纖維，其特征在于該些多數(shù)纖維的各個入射端，與該些多數(shù)個固體光源以光學(xué)方式加以接連。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光裝置，其特征在于從該固體光源所射出的光束，以直接入射于該些多數(shù)纖維的該入射端。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的曝光裝置，其特征在于包括一聚光光學(xué)系統(tǒng)，配置于該固體光源單元中的該固體光源與該纖維的該入射端之間。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的曝光裝置，其特征在于使該固體光源的發(fā)光部的大小的最大值為ψ，在從該固體光源的發(fā)散光內(nèi)具有最大的一射出角度的光的該射出角度的正弦為NA1，該纖維的核心直徑為D，該光纖維可取入光的角度范圍的正弦為NA2時，滿足以下的條件NA2≥ψ/D×NA1。
28.根據(jù)權(quán)利要求24至27的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，該照明光學(xué)系統(tǒng)，包括一光學(xué)積分器，具有以二維配列的多數(shù)光學(xué)面，其特征在于該多數(shù)纖維的射出面?zhèn)鹊脑摴鈱W(xué)面的有效區(qū)域的形狀與該多數(shù)纖維的射出端的全體形狀為大略相似形。
29.根據(jù)權(quán)利要求1至28的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該些多數(shù)固體光源，至少包括輸出特性互異的一第一及一第二固體光源。
30.根據(jù)權(quán)利要求1至29的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于更再包括一帶電防止手段，防止靜電的帶電。
31.根據(jù)權(quán)利要求1至30的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于該光源，以一定格輸出以下的一輸出進(jìn)行照明光的射出。
32.根據(jù)權(quán)利要求1至31的任何一項(xiàng)所述的曝光裝置，其特征在于更再包括一掃描手段，使從該光源所射出的光束與該光罩的位置關(guān)系，沿一掃描方向加以相對掃描；一可變光圈，配置于與該光罩大略共軛的位置，可使該掃描方向的一開口幅度加以變更；一控制手段，依據(jù)關(guān)于該光源所射出的光束與該光罩的相對位置信息，使該可變光圈的該掃描方向的該開口幅度加以可變控制。
33.一種曝光方法，使用權(quán)利要求1至32所述的曝光裝置的曝光方法，其特征在于包含照明工序，藉由從該固體光源單元的光，加以照明該光罩；以及轉(zhuǎn)印工序，使該光罩的該圖案轉(zhuǎn)印于該感光基板。
全文摘要
一種曝光裝置具有固體光源。曝光裝置使從光源1射出的光束導(dǎo)至光罩M，將上述光罩的圖案轉(zhuǎn)印于感旋光性基板P上。上述曝光裝置包括照明光學(xué)系統(tǒng)，配置于上述光源1與上述光罩之間的光路中，依據(jù)從上述光源的光束照明上述光罩。上述光源1具有多數(shù)個固體光源的固體光源單元，其中，多數(shù)個固體光源配列構(gòu)成為使上述感旋光性基板上的照度值成為30mW/cm
文檔編號H01L21/027GK1708828SQ200380102080
公開日2005年12月14日 申請日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月25日
發(fā)明者小山元夫, 田中正司, 加藤一之, 登道男 申請人:株式會社尼康