專(zhuān)利名稱(chēng)：用于掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程，尤指一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程屬于一種相當(dāng)簡(jiǎn)單方便的接觸金屬化程序。但是，因?yàn)榘雽?dǎo)體制程的尺寸日趨微小，而半導(dǎo)體元件的操作電壓也隨之降低，所以傳統(tǒng)的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程已不再適用。
圖1示意地顯示在了自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Salicide)制程(W金屬化法)之后，已知的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的俯視圖，而圖2示意地顯示了在自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，已知的只讀存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)的剖面圖。
參照?qǐng)D1及圖2，一掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列是在基板上，由多條多晶硅字元線(Poly)11和與多晶硅字元線11正交的多條位元線12所構(gòu)成的，而位元線12為埋入P-摻雜Si中的N-摻雜區(qū)域的長(zhǎng)條帶狀物(BN+)，且在多條多晶硅字元線(Poly)11之間形成有間隙壁氧化物層(Spacer Oxide)13，因此，形成一只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)。
在圖1及圖2中，因?yàn)榈湫偷亩嗑Ч栝l極字元線技術(shù)仍然使用W金屬化法以形成一層TiSi2膜14于多晶硅閘極字元線11上，所以會(huì)有在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)通道(channel)旁邊相鄰的埋入的N+位元線12的短路問(wèn)題發(fā)生，但是，對(duì)于0.25μm或更小的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)，則使用自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Salicide)制程。然而，在整合金屬化制程中，為了致使所有的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物技術(shù)能夠適用于周邊互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列兩者，必須先解決所埋入的N+位元線的短路問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決埋入的N+位元線的短路問(wèn)題而提供一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法。
本發(fā)明提供一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，其是在一基板上形成由多條字元線及多條位元線所構(gòu)成的多晶硅閘極部分，并且在多晶硅閘極部分的兩側(cè)形成有間隙壁，該方法的特征在于包含步驟形成一SAB氧化物層以便覆蓋于一存儲(chǔ)器單元上；形成一光阻層(PR)于這些字元線之間，且該光阻層的厚度超過(guò)這些字元線的厚度；以光阻層為掩膜，去除SAB氧化物層；以及形成一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物于多晶硅閘極部分上。
依據(jù)本發(fā)明，提供有一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，其中，該光阻層的厚度約為字元線厚度的2到8倍。


為便于進(jìn)一步了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征及其他目的，茲通過(guò)附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。
圖1顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，已知的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意頂視圖。
圖2顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，已知的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
圖3顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意頂視圖。
圖4顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
圖5顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意頂視圖。
圖6顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例現(xiàn)在將于下文中參照附圖來(lái)做說(shuō)明。
圖3顯示了依據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意頂視圖，圖4顯示了依據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖5顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意頂視圖。圖6顯示了在實(shí)施自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物制程之后，根據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)的示意剖面圖。
參照?qǐng)D3及圖4，和圖1同樣地，依據(jù)本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元結(jié)構(gòu)是在一基板上，由多條多晶硅字元線21和與多晶硅字元線21正交的多條位元線22所構(gòu)成的，而位元線22為埋入P-摻雜Si中的N-摻雜區(qū)域的帶狀物。此外，在多條多晶硅字元線21之間形成有間隙壁氧化物層23。
然后，一SAB氧化物層24被形成，以便覆蓋多晶硅字元線旁邊的整個(gè)長(zhǎng)條帶狀物(BN+)溝槽，防止間隙壁蝕刻(spacer etch)。而后，形成一光阻層25于這些字元線21之間，并且該光阻層25的厚度超過(guò)這些字元線21的厚度。
而后，參照?qǐng)D5及圖6，以光阻層25做為掩膜，去除SAB氧化物層24。接著，形成一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物26于多晶硅閘極部分上。舉例來(lái)說(shuō)，自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物26可以是TiSix膜。因?yàn)槭Ｓ嗟腟AB氧化物將可防止多晶硅閘極部分之間的Si與Ti起反應(yīng)而形成TiSix，所以附近的埋入的N+長(zhǎng)條帶狀物(BN+)將會(huì)被隔離，而且多晶硅閘極部分將會(huì)與Ti起反應(yīng)而形成TiSix，因此，將會(huì)使多晶硅閘極部分的電阻減小。
依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，藉由延伸SAB光罩(photo mask)覆蓋范圍到存儲(chǔ)器單元陣列區(qū)域，用以排除Ti沉積在每?jī)蓚€(gè)埋入的N+長(zhǎng)條帶狀物與其他區(qū)域之間的開(kāi)放通道(open channels)上，不僅能夠防止埋入的N+長(zhǎng)條帶狀物(BN+)的短路發(fā)生，而且多晶硅閘極字元線及其他區(qū)域也有利于自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物金屬化法及優(yōu)于已知W金屬化法的優(yōu)點(diǎn)。
因此，依據(jù)本發(fā)明的使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法能夠徹底解決在金屬氧化物半導(dǎo)體通道旁邊相鄰的埋入的N+位元線的短路問(wèn)題，實(shí)質(zhì)地改善了已知的W金屬化法的缺點(diǎn)。
故由前述本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明可知，本發(fā)明提供一種新穎的使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器(ROM)單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，可有效地改善已知的W金屬化法的缺點(diǎn)，確實(shí)為一兼具新穎性及進(jìn)步性的設(shè)計(jì)，應(yīng)可符合專(zhuān)利的申請(qǐng)要件，依法提出申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1.一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，其是在一基板上形成由多條字元線及多條位元線所構(gòu)成的多晶硅閘極部分，并且在多晶硅閘極部分的兩側(cè)形成有間隙壁，該方法的特征在于包含步驟形成一SAB氧化物層，以便覆蓋于一存儲(chǔ)器單元上；形成一光阻層于這些字元線之間，且該光阻層的厚度超過(guò)這些字元線的厚度；以該光阻層為掩膜，去除該SAB氧化物層；以及形成一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物于該多晶硅閘極部分上。
2.如權(quán)利要求1所述的使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，其特征在于，該光阻層的厚度約為字元線厚度的2到8倍。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種使用于掩膜只讀存儲(chǔ)器單元陣列的自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物方法，其是在一基板上形成由多條字元線及多條位元線所構(gòu)成的多晶硅閘極部分，并且在多晶硅閘極部分的兩側(cè)形成有間隙壁，此方法的特征在于包含步驟形成一SAB氧化物層以便覆蓋于一存儲(chǔ)器單元上；形成一光阻層于這些字元線之間，且該光阻層的厚度超過(guò)這些字元線的厚度；以光阻層為掩膜，去除SAB氧化物層；以及形成一自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物于多晶硅閘極部分上，藉此，在間隙壁蝕刻覆蓋有氧化物的溝槽之后，能夠防止自行對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物形成，因此，得以避免所埋入的N+位元線的短路問(wèn)題發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1691311SQ20041001775
公開(kāi)日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2004年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者黃河, 李海艇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司