專利名稱：磁性膜及其磁化反轉(zhuǎn)方法和機(jī)構(gòu)、及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性膜、磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)方法、磁性膜的反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
近年來，磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為置換很多現(xiàn)有固體存儲(chǔ)器的替代存儲(chǔ)器而受到重視。所謂MRAM是利用納米區(qū)的與電子自旋有關(guān)的傳導(dǎo)現(xiàn)象的磁致電阻效應(yīng)的高速非易失性存儲(chǔ)器。特別是，利用自旋隧道磁致電阻(TMR)效應(yīng)的MRAM，由于得到大的讀出信號，所以在高記錄密度化或高速讀出方面是有利的，在近年的研究報(bào)告中證實(shí)了實(shí)用性。
在MRAM中，磁致電阻效應(yīng)膜作為存儲(chǔ)元件使用。該磁致電阻效應(yīng)膜的基本結(jié)構(gòu)如圖5所示，是B、C這兩個(gè)磁性膜夾著非磁性膜A層疊起來的夾層結(jié)構(gòu)，可以看到根據(jù)與非磁性膜A相接而形成的B、C這兩個(gè)磁性膜的過渡族金屬原子的磁化方向(下面，只稱為“磁性膜的磁化方向”)，其電阻值不同。具體地說，B、C這兩個(gè)磁性膜的磁化方向?yàn)橥较?平行)時(shí)電阻值較小，為反方向(反平行)時(shí)電阻值較大。MRAM利用這個(gè)性質(zhì)來讀出信號。例如，把B、C這兩個(gè)磁性膜的磁化方向平行時(shí)定為“0”、把反平行時(shí)定為“1”，通過把B、C這兩個(gè)磁性膜中的一個(gè)磁性膜C的磁化方向作成與記錄的信息對應(yīng)的方向把信息寫入。另外，把另一個(gè)磁性膜B的磁化方向固定。于是，當(dāng)把某一恒定的電壓施加到記錄著“0”的磁致電阻效應(yīng)膜上時(shí)，在該磁致電阻效應(yīng)膜中流動(dòng)的電流比較大，當(dāng)記錄著“1”時(shí)，流動(dòng)的電流比較小。因此，利用讀出放大器檢測該電流值的不同，由此，可以判別記錄著的信息是“0”還是“1”。即，能夠讀出信息。
在此，在作為磁性膜使用面內(nèi)磁化膜的MRAM的情況下，為了謀求提高記錄密度而減小存儲(chǔ)元件的尺寸時(shí)，由于反磁場或端面磁化卷曲的影響產(chǎn)生不能保持信息的問題。具體地說，NiFe/Cu/Co等磁致電阻效應(yīng)膜的飽和磁化的大小大于等于約800[emu/cc]((1/4π)×104[emu]＝1[Wb/m2])，存儲(chǔ)元件的寬度約為亞微米級別時(shí)，膜端面的磁極靠近、反磁場增加，由此，自旋在膜端面反轉(zhuǎn)，在側(cè)面成為平行地取向。
為了避免面內(nèi)磁化膜具有的上述問題，可以考慮例如把磁性膜的形狀作成長方形，但是，在該方法中由于不能減小存儲(chǔ)元件的尺寸故不能充分期待提高記錄密度。因此，例如如特開平11-213650號公報(bào)(US6219275)中所述，提出了通過使用垂直磁化膜來避免上述問題的提案。在垂直磁化膜的情況下，由于飽和磁化的大小在最大時(shí)也抑制到約為300[emu/cc]，反磁場能量比垂直磁各向異性常數(shù)小，所以即使元件的寬度減小，膜端面的磁極也不靠近，反磁場也不增加。因此，可以實(shí)現(xiàn)尺寸比使用由面內(nèi)磁化膜構(gòu)成的存儲(chǔ)元件的MRAM小的MRAM。作為用作MRAM存儲(chǔ)元件的垂直磁化膜，稀土類金屬和過渡族金屬的非晶合金膜是適合的，作為稀土類金屬一般使用Gd或Tb，作為過渡族金屬一般使用Fe或Co。
為了在MRAM上記錄信息，使寫入電流在存儲(chǔ)元件(磁致電阻效應(yīng)元件)附近布線的寫入線中流動(dòng)，利用由此產(chǎn)生的磁場使一個(gè)磁性膜的磁化方向成為與要記錄的信息對應(yīng)的方向。在此，為了使磁性膜的磁化方向反轉(zhuǎn)(磁化反轉(zhuǎn))所需要的磁場現(xiàn)在約為幾十[Oe](1[Oe]＝79.6[A/m])。但是，為了把這樣大的磁場施加到存儲(chǔ)元件上，必須使較大的寫入電流在寫入線中流動(dòng)，由于寫入線的截面面積而流過大到會(huì)因遷移等斷線的電流密度。即，使用由垂直磁化膜構(gòu)成的存儲(chǔ)元件能夠?qū)崿F(xiàn)MRAM的小型化，但是，可以預(yù)料，產(chǎn)生了由于在寫入線中可以通電的寫入電流的極限而不能向存儲(chǔ)元件記錄信息的新問題。還可以預(yù)料，還產(chǎn)生了功耗增大的問題。另一方面，如果增大寫入線的截面面積就可以解決上述問題，但是，那就成為與存儲(chǔ)器整體小型化相反的結(jié)果，也解決不了功耗增大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
在磁性膜上施加均勻磁場時(shí)，在該磁性膜的一部分上產(chǎn)生局部的磁化反轉(zhuǎn)而形成磁疇，之后，上述磁疇立刻擴(kuò)大、磁性膜全體磁化反轉(zhuǎn)。針對圖5所示的磁性膜C，具體地說明該情況。在磁性膜C上施加與磁化方向反平行的磁場時(shí)，磁性膜C遷移到能量高的狀態(tài)。之后，慢慢增大外部磁場時(shí)，如圖6(a)所示，在磁性膜C中產(chǎn)生局部的磁化反轉(zhuǎn)而形成微小的磁疇D。所形成的微小磁疇D，除了外部磁場以外還由于來自周圍的漏磁場而瞬時(shí)擴(kuò)大(圖6(b))，磁性膜C全體磁化反轉(zhuǎn)(圖6(c))。如上所述，磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)通過在磁性膜內(nèi)形成小磁疇而引起。
本發(fā)明的目的在于，利用磁性膜的上述特性至少解決上述問題之一。更具體地說，目的在于提供即使利用比迄今弱的磁場也能進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)的磁性膜和多層磁性膜。目的還在于提供即使利用比迄今小的電流也能夠使磁性膜進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)方法和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。而且還提供即使利用比迄今小的寫入電流也能夠記錄信息的MRAM。
用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的磁性膜或多層磁性膜，其主要特征在于局部地設(shè)有磁化反轉(zhuǎn)比其它部分相對更容易的部分。
此外，用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的磁性膜磁化反轉(zhuǎn)方法，其特征在于在磁性膜的整個(gè)面上施加磁場的同時(shí)，在該磁性膜的一部分上局部地施加比上述磁場相對更強(qiáng)的磁場，由此，使該磁性膜的磁化方向朝向施加磁場的方向。
此外，用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其主要特征在于具有在磁性膜的一部分上施加比其它部分相對更強(qiáng)的磁場的施加凸起。
此外，用于達(dá)到上述目的的本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其主要特征在于把由上述多層磁性膜構(gòu)成的磁致電阻效應(yīng)膜作為存儲(chǔ)元件。或者，其特征在于使用上述磁化反轉(zhuǎn)方法?；蛘?，其主要特征在于把上述磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)作為信息的寫入單元。


圖1為示出本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器實(shí)施方式的一個(gè)例子的示意圖。
圖2為示意地示出構(gòu)成圖1所示的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的放大剖面圖。
圖3為示意地示出構(gòu)成本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的另一例的放大剖面圖。
圖4為示意地示出構(gòu)成本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的又一例的放大剖面圖。
圖5為示意地示出磁致電阻效應(yīng)膜的磁化方向與電阻值的關(guān)系的剖面圖。
圖6A、6B和6C為示意地示出磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施方式1)基于圖1和圖2，詳細(xì)地說明用于實(shí)施本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最佳方式的一個(gè)例子。圖1為示出MRAM 100的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2為示意地示出構(gòu)成MRAM 100的存儲(chǔ)元件200和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300的放大圖。
關(guān)于MRAM 100，在構(gòu)成晶體管結(jié)構(gòu)的未圖示的半導(dǎo)體基板上形成層間絕緣膜，在該層間絕緣膜內(nèi)以柵格狀形成多個(gè)存儲(chǔ)元件200；和針對各存儲(chǔ)元件的、作為信息寫入單元和讀出單元而起作用的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300。圖中，在存儲(chǔ)元件的兩側(cè)配置有作為磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的寫入線，但是，也可以只配置在一側(cè)。
各存儲(chǔ)元件200由依次層疊例如，作為第1磁性膜201的由膜厚10nm的Tb19(Fe50Co50)81構(gòu)成的垂直磁化膜、作為非磁性膜(隧道膜202)的2nm的氧化鋁膜、以及作為第2磁性膜203的由10nm的Gd20(Fe50Co50)80構(gòu)成的垂直磁化膜而形成的隧道磁致電阻效應(yīng)膜(TMR膜)構(gòu)成，上述層疊方向的電阻隨第1磁性膜201與第2磁性膜203的磁化方向的相對角不同而不同。再有，第1磁性膜201從圖2的下方朝向上方垂直地磁化，并且，第1磁性膜201的矯頑力比第2磁性膜203的矯頑力大，不因磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300施加的磁場而磁化反轉(zhuǎn)。
磁反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300具有多條以規(guī)定間隔并列的導(dǎo)線(寫入線301)；以及多條在與這些寫入線301正交的方向上以規(guī)定間隔并列、與存儲(chǔ)元件電連接的導(dǎo)線(位線302)。即，寫入線301與位線302以矩陣狀(格子狀)布線。磁反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300還具有設(shè)置在寫入線301與位線302的各交點(diǎn)上的磁場施加部303。再有，為了方便，圖1中省略了磁施加部303，圖2中省略了位線302。此外，雖未圖示但還包含用于使電流在寫入線、位線中流動(dòng)的電源部。此外，圖1和圖2中省略的周邊電路的結(jié)構(gòu)，可以利用在現(xiàn)有MRAM或其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等中使用的公知技術(shù)。
多條寫入線301中夾住沿著這些寫入線301的布線方向排成縱列的多個(gè)存儲(chǔ)元件200，相鄰的兩條構(gòu)成對，至少構(gòu)成對的寫入線301a和301b隔開在互相之間可以形成存儲(chǔ)元件200的形成區(qū)304并列。另外，方向相反的寫入電流在構(gòu)成對的兩條寫入線301a、301b中通電。
各位線302以橫截在該位線302的布線方向上排列的多個(gè)存儲(chǔ)元件200之上的方式布線，與這些存儲(chǔ)元件200的第2磁性膜203導(dǎo)通。
磁場施加部303由與寫入線301的背面(和與形成區(qū)304內(nèi)的存儲(chǔ)元件200對置的面相反一側(cè)的面)相接而直立設(shè)置的背面部305；從背面部305的上端以直角方向向形成區(qū)304延伸，與寫入線301的上表面相接的上表面部306；以及從背面部305的下端以直角方向向形成區(qū)304延伸，與寫入線301的下表面相接的下表面部307，以大致“コ”字形形成。上表面部306和下表面部307的端部還超過寫入線301伸到形成區(qū)304內(nèi)。
還分別在伸到形成區(qū)304內(nèi)的上表面部306和下表面部307的端部上，朝向形成區(qū)304內(nèi)伸出設(shè)置施加凸起308。在上表面部306上伸出設(shè)置的施加凸起308a與在下表面部307上伸出設(shè)置的施加凸起308b夾住在形成區(qū)304內(nèi)形成的存儲(chǔ)元件200互相對置，而且，具有朝向?qū)Ψ降氖┘油蛊?08側(cè)逐漸變細(xì)的尖銳的形狀。
根據(jù)上述，寫入電流在構(gòu)成對的寫入線301a、301b和位線302中通電時(shí)，在這些布線的交點(diǎn)附近產(chǎn)生合成磁場。通過設(shè)置在該交點(diǎn)上的磁場施加部303，對特定的存儲(chǔ)元件200垂直地施加所產(chǎn)生的磁場。此時(shí)，由于與其它部分相比更多的磁力線集中到尖銳的施加凸起308上，所以該施加凸起308附近的磁通密度相對地提高，在該施加凸起308附近產(chǎn)生與其它部分相比相對更強(qiáng)的磁場。因此，在磁場施加到存儲(chǔ)元件200的整個(gè)面上的同時(shí)，與其它部分相比更強(qiáng)的磁場施加到該整個(gè)面上的靠近施加凸起308的部分上。其結(jié)果，即使利用比現(xiàn)有弱的寫入電流，也能夠在存儲(chǔ)元件200的第2磁化膜203上施加用于形成引起該磁性膜203全體的磁化反轉(zhuǎn)的磁疇的充分的磁場。另外，由在位線302中通電的寫入電流產(chǎn)生的磁場不直接影響第2磁性膜203的磁化方向，而是增強(qiáng)由在寫入線301a和301b中通電的寫入電流產(chǎn)生的磁場，起到更可靠地進(jìn)行第2磁性膜203的磁化反轉(zhuǎn)的作用。在本實(shí)施方式中，磁場施加部如圖所示是與寫入線分開制作的，但是，也可以形成為一體。此外，在分開制造磁場施加部和寫入線時(shí)，特別優(yōu)選地，用具有比寫入線導(dǎo)磁率高的材料來制造施加凸起308。此外，在上方、下方都設(shè)置了施加凸起，但是，也可以只在進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)的磁性膜附近設(shè)置。
(實(shí)施方式2)基于圖3，說明用于實(shí)施本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最佳方式的另一個(gè)例子。圖3為示意地示出構(gòu)成該磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件200和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300的放大圖。
構(gòu)成在這里說明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件200和磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300，具有與圖1和圖2所示的基本相同的結(jié)構(gòu)。因此，對與圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)賦予相同的符號并省略其說明。
在存儲(chǔ)器元件200的第2磁性膜203上，局部地形成與其它部分相比相對更容易磁化的部分(磁化容易部204)。該磁化容易部204例如是，使第2磁性膜203的一部分的膜結(jié)構(gòu)改變，減小了垂直磁各向異性的部分。用于使磁性膜進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)所需要的磁場強(qiáng)度與該磁性膜的垂直磁各向異性成正比。因此，垂直磁各向異性比其它部分小的磁化容易部204，用與比其它部分相對更弱的磁場進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)。
在構(gòu)成圖3所示的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)300的磁場施加部303中，未伸出設(shè)置圖2所示的施加凸起308。因此，由于寫入電流在寫入線301a、301b和未圖示的位線中通電而產(chǎn)生的磁場通過磁場施加部303大致均勻地施加到存儲(chǔ)元件200的整個(gè)面上，不像實(shí)施方式1那樣把局部強(qiáng)的磁場施加到第2磁性膜203上。但是，在圖3所示的存儲(chǔ)元件200的第2磁性膜203上，形成了具有上述特性的磁化容易部204。因此，即使與現(xiàn)有相比寫入電流小，在存儲(chǔ)元件200上施加的磁場的強(qiáng)度是對于使磁化容易部204以外的部分進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)不充分的強(qiáng)度，只要是對于使磁化容易部204進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)充分的強(qiáng)度，就可以在第2磁性膜203上形成上述磁疇，可引起第2磁性膜203全體磁化反轉(zhuǎn)。
作為在存儲(chǔ)元件200的第2磁性膜203上局部地形成垂直磁各向異性相對較小的部分的方法，可以考慮通過激光照射來加熱，使第2磁性膜203的膜結(jié)構(gòu)局部地改變的方法。但是，如果在第2磁性膜203的整個(gè)面上照射激光使磁特性改變，則第2磁性膜203喪失磁各向異性，不能進(jìn)行信息的記錄和保持。當(dāng)然，局部地減小第2磁性膜203的垂直磁各向異性的方法，不限于用激光照射來加熱。
此外，在磁性膜的一部分上存在著膜厚較薄的部分時(shí)，來自周圍的浮游磁場以與磁化方向相反的方向施加到該部分上。因此，在與磁化方向相反的方向上施加磁場時(shí)，膜厚較薄的部分用與其它部分相比較弱的磁場進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)。因此，如圖4所示，通過與其它部分相比相對地減薄第2磁性膜203的所希望部位的膜厚，也能夠形成磁化容易部204。作為局部地減薄第2磁性膜203的膜厚的方法的一個(gè)例子，可以考慮照射聚焦離子束。
此外，圖中以設(shè)置磁場施加部的形式進(jìn)行了圖示，但是，也可以不設(shè)置磁場施加部，只利用來自寫入線的磁場使磁化反轉(zhuǎn)。在另外設(shè)置磁場施加部時(shí)，可以使用比寫入線導(dǎo)磁率高的材料。
(實(shí)施方式3)
在本實(shí)施方式中，說明磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)方法。在通常MRAM中使用的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)中，施加來自寫入線的均勻的磁場來進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)。與此不同，在本實(shí)施方式中，其特征在于在磁性膜的整個(gè)面上施加磁場的同時(shí)，在該磁性膜的一部分上局部地施加比上述磁場相對更強(qiáng)的磁場。由此，使磁性膜的磁化方向朝向施加磁場的方向。按照該方法，在MRAM的磁化反轉(zhuǎn)方法中，不使單元結(jié)構(gòu)大型化而能夠謀求節(jié)省電力。如第1實(shí)施方式中所說明的那樣，通過對磁場施加機(jī)構(gòu)下工夫也可以構(gòu)成該磁化反轉(zhuǎn)方法，或者通過對磁性膜局部地進(jìn)行加工也可以構(gòu)成該磁化反轉(zhuǎn)方法。此外，與磁性膜的磁化方向無關(guān)，可以是垂直磁化膜也可以是面內(nèi)磁化膜，都能夠應(yīng)用該方法。
本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式，也可以適當(dāng)?shù)亟M合來構(gòu)成，例如，如果在與第1實(shí)施方式的施加凸起對應(yīng)的部分上形成磁化容易部就能夠以更小的施加磁場進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)，通過使垂直磁各向異性降低且使膜厚減薄也能夠以更小的施加磁場進(jìn)行磁化反轉(zhuǎn)。
權(quán)利要求
1.一種磁性膜，其特征在于，局部地設(shè)有磁化反轉(zhuǎn)比其它部分相對更容易的部分。
2.一種多層磁性膜，由至少兩個(gè)磁性膜層疊而成，其特征在于在上述兩個(gè)磁性膜中的矯頑力相對較弱的磁性膜上，局部地設(shè)有磁化反轉(zhuǎn)比其它部分相對更容易的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層磁性膜，其特征在于上述兩個(gè)磁性膜夾著非磁性膜層疊。
4.一種磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)方法，其特征在于在磁性膜的整個(gè)面上施加磁場的同時(shí)，在該磁性膜的一部分上局部地施加比上述磁場相對更強(qiáng)的磁場，由此，使該磁性膜的磁化方向朝向施加磁場的方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)方法，其特征在于上述磁性膜是由至少兩個(gè)磁性膜夾著非磁性膜層疊而成的。
6.一種磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其特征在于具有導(dǎo)線；以及把通過對該導(dǎo)線通電而產(chǎn)生的磁場施加到磁性膜上的磁場施加部，該磁場施加部具有在上述磁性膜的一部分上局部地施加上述所產(chǎn)生的磁場的尖銳的施加凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其特征在于上述磁性膜是由至少兩個(gè)磁性膜夾著非磁性膜層疊而成的。
8.一種磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于至少具有多個(gè)由根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層磁性膜構(gòu)成的存儲(chǔ)元件；以及把磁場施加到各存儲(chǔ)元件上，能夠使該存儲(chǔ)元件的磁化方向朝向施加磁場的方向的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
9.一種磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其特征在于至少具有多個(gè)由層疊多個(gè)磁性膜而成的磁致電阻效應(yīng)膜構(gòu)成的存儲(chǔ)元件；以及把磁場施加到各存儲(chǔ)元件上，能夠使該存儲(chǔ)元件的磁化方向朝向施加磁場的方向的根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。
全文摘要
提供一種磁性膜及其磁化反轉(zhuǎn)方法和機(jī)構(gòu)、及磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器能夠以小的寫入電流寫入信息。本發(fā)明的磁性膜，局部地具有磁化反轉(zhuǎn)比其它部分相對更容易的部分。本發(fā)明的磁性膜的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)具有在磁性膜的一部分上施加比其它部分相對更強(qiáng)的磁場的施加凸起。本發(fā)明的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，把由上述多層磁性膜構(gòu)成的磁致電阻效應(yīng)膜作為存儲(chǔ)元件，或者，把上述磁化反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)作為信息的寫入單元。
文檔編號H01L27/105GK1591676SQ20041006861
公開日2005年3月9日 申請日期2004年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月3日
發(fā)明者池田貴司 申請人:佳能株式會(huì)社