專利名稱：將離子束注入于半導體裝置的方法
技術領域：
本發(fā)明有關一種用以制造半導體裝置的方法，且特別是有關于一種用以注入(implanting)離子于半導體裝置之方法。
背景技術：
近來，更精確的控制雜質(zhì)是符合在大型半導體裝置體積與密度的趨勢。此外，有鑒于大量制造的技術，再制與處理能力是被要求的。因此，離子注入方法的實際應用變的更為重要。此離子注入方法使得雜質(zhì)離子化，并在一基板上的預定區(qū)域中通過掃描該雜質(zhì)得到加速它，藉以注入一預定數(shù)量的雜質(zhì)在所需要的區(qū)域中。
上述離子注入方法可選擇性地注入雜質(zhì)與注入具有高純度的雜質(zhì)。再者，此離子注入方法可以更精確的控制雜質(zhì)，藉以提供更佳的再制能力與均勻度。至于此離子注入方法，對于控制注入雜質(zhì)劑量是非常重要的，也就是控制雜質(zhì)量。在此，此劑量系通過測量離子束電流所控制。
至于用以制造半導體裝置的制程中，柵極之關鍵尺寸(criticaldimention，以下簡稱CD)的分布是直接影響產(chǎn)品制造的良率。因此，該CD的分布的控制在于半導體裝置商業(yè)領域中式非常重要的，藉以顯示大規(guī)模的努力以控制柵極的CD分布經(jīng)由掩模制程、蝕刻制程與側壁間隔物沉積制程。
然而，困難的是控制晶體管參數(shù)的變化根據(jù)基板的位置通過柵極之CD的分布以及用以形成柵極的側壁上的間隔物。在使用具有大直徑超過300mm基板的制程中，其變成大問題去控制在晶體管參數(shù)的變化，當半導體裝置變的連續(xù)的萎縮(shrunken)。也就是，柵極硬掩模與由蝕刻制程所圖樣化柵極，根據(jù)該基板的位置其系不具有固定的尺寸。因此，柵極的尺寸變的不一樣，藉以產(chǎn)生在由于不同柵極長度之晶體管參數(shù)的差異。
因此，控制柵極CD的分布，一種用以對基板的中央部分與邊緣部分不同地實行曝光制程。再者，努力以實行一種新的制程以及發(fā)展用以在基板改善分布的裝置，其介于用以在柵極側壁形成間隔物的制程以及通過使用蝕刻制程圖樣化柵極的制程。
然而，目前尚未發(fā)現(xiàn)一種用以改善基板分布的方法，以及一半導體裝置現(xiàn)在被發(fā)展是不需要控制晶體管參數(shù)的差異根據(jù)基板的位置。
此外，制程裕度(process margin)減少的更多是由于半導體裝置的連續(xù)收縮(shrinkage)，藉以引致造成在產(chǎn)品良率降低的問題，此產(chǎn)品系由柵極之CD的分布所制造的。
也就是，在柵極CD的最小尺寸為200nm，產(chǎn)品良率是不被減少的甚至柵極CD的分布是約±10％。然而，當柵極CD的最小尺寸是100nm以與柵極CD分布是±10％，產(chǎn)品良率的減少變成更嚴重的問題。因此，該分布應該被控制在約±5％的范圍。
然而，該制程裕度由于半導體裝置的連續(xù)收縮劇烈的減少，藉以使其困難以增加產(chǎn)品的良率，因為控制分布以及生產(chǎn)量的減少是困難的。
第1圖簡短的顯示習知離子注入裝置。
參考第1圖，習知離子注入實行離子注入至基板11的整個表面，通過來回地掃描離子束13在指示為□⊙之X的方向，也就是在水平方向，由于電場或磁場以及通過來回地在Y方向上掃描被固定在支撐物(holder)12的基板11，在也就是基本垂直X方向的垂直方向。在此，該離子束13由在支撐物12固定之基板11照射。在此時，基板11系在Y方向上來回地掃描通過連接至驅(qū)動裝置14之驅(qū)動軸15。
如上所述，習知離子注入器能實行一均勻的離子注入至該基板11的整個表面通過來回地在X方向上掃描離子束13。也就是，用再均勻的離子注入，來回在X與Y方向上掃描的速度是被相同的應用。
然而，如上解釋的均勻離子注入注入離子于基板以及從基板至基板而與柵極CD分布沒有任何的關系，藉以產(chǎn)生一大的差異在電子特性上，甚至在根據(jù)柵極CD分布的基板。
也就是，電子特性容易不同根據(jù)在基板上半導體裝置的位置。舉例來說，甚至離子注入的均勻度的等級是非常高的，半導體裝置參數(shù)在基板上邊緣部分容易與基板中央部分有所差異。因此，晶體管閾電壓的電子特性在半導體裝置參數(shù)是是被顯示為不同的在介于基板的中央部分以及基板的邊緣部分。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出一種用以在能夠補償產(chǎn)生于實行均勻離子注入至基板的整的表面介于在基板的中央部分與邊緣部分的閾電壓之差異之半導體裝置注入離子。
本發(fā)明之另一目的在于提出一種制造半導體裝置，能夠通過形成一非均勻的結輪廓(profile)改善在基板內(nèi)晶體管參數(shù)分布。
由本發(fā)明的一觀點來看，本發(fā)明提出一種通過非均勻離子注入以局部不同劑量注入離于一基板。
由本發(fā)明另一觀點來看，本發(fā)明提出一種以減少半導體裝置之裝置特性的變化的目的通過非均勻離子注入以局部不同劑量注入離子于半導體基板。
由本發(fā)明之再一觀點來看，本發(fā)明提出一種以減少包括半導體MOSFET裝置的閾電壓的裝置特性的波動為目的以不同劑量注入離子在MOSFETs的溝道區(qū)域進入半導體基板。
由本發(fā)明再一觀點來看，用在減少包括半導體MOSFET裝置的閾電壓的裝置特性變化的目的，本發(fā)明提出一種通過非均勻離子注入，以不同劑量注入離子在MOSFET的源/漏區(qū)域于半導體基板方法。
由本發(fā)明再一觀點來看，用以減少半導體裝置MOSFET之裝置特性的變化之目的，本發(fā)明提出一種通過非均勻離子注入以局部不同劑量注入離子在輕摻雜漏極區(qū)域以及MOSFET之源漏極延伸區(qū)域至半導體基板的方法。
由本發(fā)明再一觀點來看，本發(fā)明提出一種在x方向和基本垂直于X方向的Y方向注入離子至基板，包括下列步驟在中央部位與邊緣部位中，區(qū)分在X方向之掃描速度與在Y方向之掃描速度之一，非均勻注入被注入離子之劑量于基板之中央部位與邊緣部位。
由本發(fā)明再一觀點來看，本發(fā)明提出一種用于制造半導體裝置之方法，包含之步驟有注入離子于—基板以形成一在基板之預定區(qū)域中的晶體管之源極/漏極結；以及附加的注入離子于源極/漏極結之部分，以根據(jù)基板之區(qū)域補償晶體管之參數(shù)的差異。


第1圖為簡易顯示習知之離子注入設備圖。
第2圖為根據(jù)本發(fā)明第1實施例在X方向上通過掃描離子在基板邊緣部分增加比基板中央部分更多注入離子的劑量的圖表；第3圖為顯示習知均勻離子注入方法在晶圓直徑為200mm之基本束掃描均勻度；第4圖為發(fā)散圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明第1實施例基板的內(nèi)側被注入離子的劑量；第5圖為顯示根據(jù)本發(fā)明與習知方法閾電壓分布的比較圖；第6與7圖顯示根據(jù)本發(fā)明第2實施例之半導體裝置的離子注入方法；以及第8圖顯示根據(jù)本發(fā)明之第二實施例的經(jīng)由控制一如圖6之掃描區(qū)域的一種離子注入方法。
具體實施例方式
參考伴隨的圖式，根據(jù)本發(fā)明之第一實施例之半導體裝置中的離子注入法將被詳述。
根據(jù)本發(fā)明在X與Y方向的往復掃描速度系根據(jù)用于非均勻離子注入法之基板的位置而有不同的設定。
本發(fā)明系基于技術原則以辨識在一基板中的柵極之關鍵尺寸(CD)，且通過施行非均勻離子法不造成該基板中的半導體裝置參數(shù)有不同。
例如，假使該半導體之中央部分中的柵極之CD系大于在基板的邊緣部分，則該半導體裝置之中央部位會比在基板之邊緣部分有更高的閾電壓(VT)。因此，在閾電壓(VT)中的差異，例如，通過透過非均勻離子注入法，表面溝道nMOSFET之閾電壓(VT)能夠被補償，通過調(diào)整用于溝道摻雜之注入離子之局部劑量，或者閾電壓調(diào)整注入在中央部位高于邊緣部位或通過調(diào)整它在邊緣部位高于中央部位。另一方面假使在基板邊緣部分中柵極之CD系高于在基板之中央部位者，該半導體裝置參數(shù)具有會高于中央部位的一邊緣部位的閾電壓(VT)。因此，在閾電壓(VT)中的差異，例如表面溝道nMOSFET之閾電壓(VT)能夠通過減少在邊緣區(qū)域中的被注入離子的劑量，使其少于中央?yún)^(qū)域的劑量，或通過透過非均勻離子注入法來增加中央部位中的被注入離子之劑量，得到補償。
如上所述由一基板內(nèi)之中央部分與邊緣部分之間的制程裕度(process margin)所創(chuàng)造的柵極之CD之分布能夠通過施行非均勻離子注入法來補償。因此，該半導體裝置參數(shù)之分布被減低，從而通過減低肇因于制程差量之失誤而增加產(chǎn)出。
通過使用在X方向的掃描，可有兩個非均勻離子注入法。第一個方法為在執(zhí)行離子注入法期間，根據(jù)基板的位置，區(qū)分在X方向中的掃描速度，從而制造被注入離子之劑量之不均勻分布。第二個方法是藉使用具有區(qū)分在X方向中的掃描速度之旋轉(zhuǎn)，造成被注入離子之劑量之不均勻分布。該旋轉(zhuǎn)可通過在各個X方向束掃描之間以多于一次的步進旋轉(zhuǎn)或在X方向離子束掃描時連續(xù)旋轉(zhuǎn)來達成。
第2圖為根據(jù)本發(fā)明在X方向上通過掃描離子在基板邊緣部分增加比基板中央部分更多注入離子的劑量的圖表。
參考第2圖，通過使用在X方向掃描，使得基于一平區(qū)域之上部與下部對稱，因此在基板之邊緣部分之被注入離子之劑量增加的比中央部分多。例如，假使在中央部分之被注入離子之劑量接近100％，則在邊緣部分之被注入離子之劑量相對為接近為140％。
接著，假使該離子系通過旋轉(zhuǎn)該基板而被注入，該在邊緣部分之被注入離子之劑量增加的比基板之中央部分者多，從而補償了柵極之CD之發(fā)散圖(scatter diagram)。例如，假使在中央部分之被注入離子之劑量接近200％則該在基板之邊緣部分之被注入離子之劑量為相對接近240％，從而補償了柵極之CD之發(fā)散圖。
第3圖為顯示習知均勻束注入方法在跨越束掃描方向之離子束掃描之發(fā)散圖。
參考第3圖，晶圓直徑內(nèi)之束流維持近乎常數(shù)。于此，晶圓直徑為200mm。
第4圖為發(fā)散圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明之基板的內(nèi)側被注入離子的劑量。此例中，發(fā)散圖被反轉(zhuǎn)。
當用于其它使用在X方向掃描之方法時，有第3種方法升高在中央部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于邊緣部分，以及第4種方法升高在邊于部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于中央部分。
在施行第3種與4種方法的實例中，在基板中的被注入離子之劑量的分布，能夠為環(huán)形分布、矩形分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布。
接著，相較于在X方向中掃描，該非均勻離子注入法亦能夠通過使用在Y方向中掃描來施行以增進在基板中的半導體裝置參數(shù)之分布。
例如在執(zhí)行非均勻離子注入法的例子中，通過使用在Y方向中的掃描可有兩種非均勻離子注入法。第一個方法為在執(zhí)行離子注入法期間，根據(jù)基板的位置，區(qū)分在Y方向中的掃描速度，從而制造被注入離子之劑量之不均勻分布。第二個方法是藉使用具有區(qū)分在Y方向中的掃描速度之旋轉(zhuǎn)，造成被注入離子之劑量之不均勻分布。該旋轉(zhuǎn)可通過在各個Y方向束(beam)掃描之間以多于一次的步進旋轉(zhuǎn)或在Y方向離子束掃描時連續(xù)旋轉(zhuǎn)來達成。
當用于其它使用在Y方向掃描之方法時，有第3種方法升高在中央部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于邊緣部分，以及第4種方法升高在邊緣部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于中央部分。
在施行第3種與4種方法的實例中，在基板中的被注入離子之劑量的分布，能夠為環(huán)形分布、矩形分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布。
如上述，該離子系通過根據(jù)在X與Y方向使用掃描方法期間，區(qū)別該掃描速度來非均勻注入的。此時，掃描速率具有一與被注入離子之劑量的反相關系。
例如，在使用于X方向中的掃描方法的例子里，在中央部分的掃描速率應當快于在邊緣部分者，以增加基板之邊緣部分中的被注入離子的劑量。
反之，基板之邊緣部分之掃描速率應當快于在中央部分者，以增加基板之中央部分中的被注入離子的劑量。
如上說明，即使被注入離子之劑量系根據(jù)基板之區(qū)位有不同的設定，由離子注入制造的閾電壓VT系不均勻的形成在全部基板。
最后，為了增進在基板之半導體裝置參數(shù)之分布，在X方向之掃描方法與在Y方向之掃描方法能夠被同步施行于本發(fā)明。
例如，通過同時使用在X與Y方向中的掃描方法而施行非均勻離子注入法的例子中，有兩個方法被施行。第一個方法為在執(zhí)行離子注入法期間，根據(jù)基板的位置，同步區(qū)分在X與Y方向中的掃描速度，從而制造被注入離子之劑量之不均勻分布。第二個方法是藉使用具有區(qū)分在X與Y方向中的掃描速度之旋轉(zhuǎn)造成被注入離子之劑量之不均勻分布再者，當用于其它使用在X與Y方向掃描之方法時，有第3種方法升高在中央部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于邊緣部分，以及第4種方法升高在邊于部分中的被注入離子之劑量之分布使其高于中央部分。
在施行第3種與4種方法的實例中，在基板中的被注入離子之劑量的分布，能夠為環(huán)形分布、矩形分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布。
除了使用在X方向或Y方向之掃描方法之外，本發(fā)明能夠非均勻的形成一施加于離子注入法之一離子注入屏蔽(sreen)層。
即是，該離子注入掩模層系由堆棧氧化物層或氮化物層所制的。同樣，離子注入掩模層能由上述氧化物層或氮化物層之組合來形成。
再者，非均勻離子注入法之劑量分布能夠由如一結構相關概念(structure dependent conception)來實施。
第5圖為顯示根據(jù)本發(fā)明與習知方法閾電壓分布的比較圖。
參考第5圖，尤其在DRAM中，該習知方法在當具有一低閾電壓(VT)之分布時，產(chǎn)生一截止泄漏失效(off leakage fail)，當具有一高閾電壓(VT)之分布時，產(chǎn)生一tWR失效。
然而，本發(fā)明增進閾電壓(VT)之分布，從而補償肇因于基板之邊緣部分與中央部分之柵極的CD之分布的閾電壓(VT)的差異。因而，本發(fā)明預防截止泄漏失效(off leakage fail)與tWR失效。
本發(fā)明通過使用非均勻離子注入法提供一有效制造在基板之中央部分與邊緣部分之均勻半導體參數(shù)。此外，如果使用本發(fā)明，可增進裕度失效(margin fail)大約大于10％。
本發(fā)明描述了確認該柵極之CD之分布與形成在柵極側壁上的間隔物之寬度的分布，且試通過在形成結時，透過一局部源極/漏極離子注入法，通過根據(jù)基板之位置形成非均勻結輪廓試圖改善基板中的晶體管參數(shù)之分布。
第6與7圖顯示根據(jù)本發(fā)明第2實施例之半導體裝置的離子注入方法。
參考第6圖與第7圖，一用于形成源極/漏極結之離子注入法系施行于基板11之上。
在用于形成源極/漏極結之離子注入法完成之后，通過用以形成柵極與間隔物之已執(zhí)行制程，晶體管參數(shù)可能根據(jù)基板之位置被散布。
據(jù)此，本發(fā)明附加采用局部補償離子注入(CO IMP)制程，用于根據(jù)基板之位置，控制晶體管參數(shù)之分布，從而最小化由基板之不同位置產(chǎn)生的晶體管參數(shù)之差異。于此，補償離子注入(CO IMP)制程意謂補償N-/N+型結或P+型結。
例如，參考第6圖，補償離子注入(CO IMP)制程系附加的執(zhí)行至已完成有源極/漏極離子注入(S/D IMP)之基板11之中央部分。同樣，參考第7圖，補償離子注入(CO IMP)制程系附加的執(zhí)行至已完成有源極/漏極離子注入(S/D IMP)之基板21之邊緣部分。
如上示，在執(zhí)行該源極/漏極離子注入(S/D IMP)以形成形成在動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)之單元區(qū)域中的N-型結之后，該補償離子注入(CO IMP)制程局部的且附加的被施行到每個基板11與21、該形成在具有周邊區(qū)域之P型溝道(PMOSFET)的金屬氧化物半導體場效應晶體管之P+型結以及形成在具有周邊區(qū)域之N型溝道(NMOSFET)的金屬氧化物半導體場效應管之N+型結。
首先，假使局部的且附加的形成該補償離子注入(CO IMP)到一結，其中晶體管參數(shù)差異產(chǎn)生，即基板之該中央部分或邊緣部分，在形成在單元區(qū)域之N-型結或在形成周邊區(qū)域之N+型，該離子注入系通過放置一掩模導入以形成N-或N+型結或通過使用另外購置的個別掩模來形成。此時31P或75As被用來當作雜質(zhì)。
在形成N-或N+型結之后，在附加施行離子注入期間，可使用傾斜或旋轉(zhuǎn)。同樣的，一多于雙重模式的多重模式(multi-mode)亦可使用。這里該雙重模式為離子注入法之一。例如，該雙重模式意指以7°的傾斜角度與7°注入一半劑量，以7°傾斜角度來注入另一半。
在形成于周邊區(qū)域之P+型結中，如果局部且附加的施行補償離子注入(CO IMP)制程到產(chǎn)生該不同晶體管參數(shù)之結，即是基板之中央部分與邊緣部分，該離子注入系通過使用相同的掩模導入以形成P+型結或通過使用個別的掩模來形成。
局部且附加施行于P+型結之補償離子注入(CO IMP)制程之雜質(zhì)，系11B，49BF2與30BF。補償離子注入(CO IMP)制程系通過使用傾斜或旋轉(zhuǎn)來執(zhí)行的。同樣，比雙重模式還多的多重模式被使用來局部且附加補償離子注入(CO IMP)于P+型結中。
如上述，局部且附加補償離子注入(CO IMP)系通過控制與掃描離子注入之區(qū)域而被采用。
第8圖顯示一種根據(jù)本發(fā)明之離子注入方法經(jīng)由控制一如圖6之掃描區(qū)域。
參考第8圖，在X與Y方向之掃描區(qū)域11A系關于用于局部且附加的補償離子注入(CO IMP)施行后而被設定。之后，一X/Y譯碼器系被設定，接著，離子注入選擇性的施行于受過局部離子注入的區(qū)域。此時，局部被施行的離子注入系通過控制在X或Y方向中的速率，或X及Y方向中的速率兩者而被采用的。此外，局部執(zhí)行的離子注入能夠通過差別關于X與Y方向之被注入離子之劑量之比率而被采用。
表1顯示在習知離子注入法與根據(jù)本發(fā)明之離子注入法之間的比較。
表1

如表1所示，本發(fā)明使用了在源極/漏極離子注入(S/D IMP)之后，局部與附加實行了補償離子注入(CO IMP)。透過局部與附加施行補償離子注入(CO IMP)，即可最小化根據(jù)基板之位置的晶體管參數(shù)之差異。
在形成一結之后，本發(fā)明局部且附加的執(zhí)行一離子注入，從而使其可控制肇因于柵極之關鍵尺寸(CD)之分布、沉積間隔物于柵極之側壁之制程以及一蝕刻制程的變化。同樣的，通過非均勻注入，非均勻離子注入法能夠以局部不同劑量被施行至在溝道區(qū)域上的注入離子、源極/漏極區(qū)域、輕摻雜的漏極區(qū)或MOSFET之源極漏極延伸區(qū)進入半導體基板，用于減低包含半導體MOSFET裝置之閾電壓之裝置特性的變化之目的。此外，本發(fā)明提供最小化根據(jù)基板之位置的晶體管參數(shù)之差異的功效，從而增加肇因于其之差量之產(chǎn)出。
本發(fā)明包含了韓國專利申請?zhí)?004-0032799與2004-0077964，其分別于2004年5月10日與2004年9月30日于韓國專利局申請的標的，其之全部內(nèi)容在此并入?yún)⒖肌?br> 雖然本發(fā)明已經(jīng)被特殊之實施例所描述，很明顯的熟悉此項技藝者將可藉此對其做出各種改變與修改，但是不能背離如同聲明在下的申請專離范圍之精神與領域
主要組件符號說明11…基板11A…掃描區(qū)域13…離子束21…基板。
權利要求
1.一種用于通過非均勻離子注入以局部不同劑量向半導體裝置注入離子之方法。
2.一種用于減低半導體裝置之裝置特性之變化為目的，通過非均勻離子注入以局部不同劑量向半導體裝置注入離子之方法。
3.一種用于以減低包含有半導體MOSFET裝置之閾電壓之裝置特性之波動為目的通過非均勻離子注入在MOSFET之溝道區(qū)上以局部不同劑量之離子于半導體裝置中之方法。
4.一種用于以用于減低包含有半導體MOSFET裝置之閾電壓之裝置特性之變化為目的通過非均勻離子注入而注入具有局部不同劑量之離子之MOSFET之源極/漏極于半導體裝置中之方法。
5.一種用于以用于減低包含有半導體MOSFET裝置之裝置特性之變化為目的通過非均勻離子注入而注入具有局部不同劑量之離子之MOSFET之輕摻雜漏極區(qū)與源極延伸區(qū)之一于一半導體裝置的方法。
6.一種注入離子于一在X方向與基本上垂直于X方向之Y方向中的基板之方法，該方法包含下列步驟以在中央部位與邊緣部位中，區(qū)別在X方向之掃描速度與在Y方向之掃描速度之一，非均勻注入被注入離子之劑量于基板之中央部位與邊緣部位。
7.如權利要求第6項之方法，其中該在中央部位之被注入離子之劑量系被升高，且在邊緣部分之被注入離子之劑量系被降低。
8.如權利要求第6項之方法，其中該在中央部位之被注入離子之劑量系被降低，且在邊緣部分之被注入離子之劑量系被升高。
9.如權利要求第7項之方法，其中該被注入離子劑量之分布包含環(huán)型分布、矩型分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布其中一種。
10.如權利要求第8項之方法，其中該被注入離子劑量之分布包含環(huán)型分布、矩型分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布其中一種。
11.一種注入離子于一在X方向與基本上垂直于X方向之Y方向中的基板之方法，該方法包含下列步驟以在中央部位與邊緣部位中，區(qū)分在X方向之掃描速度與在Y方向之掃描速度二者，非均勻注入被注入離子之劑量于基板之中央部位與邊緣部位。
12.如權利要求第11項之方法，其中該在中央部位之被注入離子之劑量系被升高，且在邊緣部分之被注入離子之劑量系被降低。
13.如權利要求第11項之方法，其中該在中央部位之被注入離子之劑量系被降低，且在邊緣部分之被注入離子之劑量系被升高。
14.如權利要求第12項之方法，其中該被注入離子劑量之分布包含環(huán)型分布、矩型分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布其中一種。
15.如權利要求第13項之方法，其中該被注入離子劑量之分布包含環(huán)型分布、矩型分布、左右對稱型分布與上下對稱型分布其中一種。
16.一種用于制造半導體裝置之方法其包含之步驟有注入離子于一基板以形成一在基板之預定區(qū)域中的晶體管之源極/漏極結；以及附加注入離子于源極/漏極結之部分，以根據(jù)基板之區(qū)域補償晶體管之參數(shù)的差異。
17.如權利要求第16項之方法，其中所述附加的注入系被執(zhí)行至基板之中央部位。
18.如權利要求第16項之方法，其中附加的注入系被執(zhí)行至基板之邊緣部位。
19.如權利要求第16項之方法，其中附加的注入系通過使用用于形成源極/漏極結之掩模導入與一附加購置的個別掩模之一來執(zhí)行的。
20.如權利要求第16項之方法，其中附加的注入系在設定用于局部執(zhí)行離子注入之X與Y方向之掃描區(qū)后，通過控制在X方向之掃描速率、Y方向之掃描速率，以及X與Y方向之掃描速率兩者之其中之一來施行的。
21.如權利要求第20項之方法，其中附加的注入系通過區(qū)別關于X與Y方向之被注入離子之劑量的比例來施行的。
22.如權利要求第16項之方法，其中使用在N-與N+型結之一之附加注入之摻雜物，系為31P與75As之一。
23.如權利要求第16項之方法，其中使用在P+型結之附加注入之摻雜物，系為11B，49BF2與30BF。
24.如權利要求第16項之方法，其中附加注入系通過使用一傾斜、旋轉(zhuǎn)與一多重模式來施行的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于注入離子于一半導體裝置的方法，其能夠補償再施行均勻離子注入至基板之全部表面時產(chǎn)生的基板中央部分與邊緣部分之間的閾電壓之差異，以及用于制造一半導體裝置的其它方法，其能夠通過形成一非均勻溝道摻雜層或通過形成一非均勻結輪廓(profile)來增進基板之內(nèi)部晶體管參數(shù)之分布。
文檔編號H01L21/265GK1697136SQ200410081799
公開日2005年11月16日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權日2004年5月10日
發(fā)明者孫容宣, 秦丞佑, 李民鏞, 盧徑奉 申請人:海力士半導體有限公司