專利名稱：塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，特別是涉及一種利用多孔隙結(jié)構(gòu)氧化物形成于塑料基板上，以避免制作過程中所產(chǎn)生的熱能損害塑料基板的一種阻熱結(jié)構(gòu)以及形成方法。
背景技術(shù)：
在未來顯示器的發(fā)展趨勢(shì)，有兩個(gè)重要的發(fā)展趨勢(shì)，第一為如何以低成本來制造輕、薄以及可撓曲的顯示器，第二則為希望顯示器的相關(guān)電子元件特性能夠具有電子移動(dòng)速度快，反應(yīng)速度快等特性，所以多晶硅薄膜來取代非晶硅薄膜也逐漸形成主流。
由于目前平面顯示器多制作于玻璃基板上，雖然此種制作方法可實(shí)現(xiàn)大面積以及大量生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)，但是若要達(dá)到輕、薄、可撓曲的優(yōu)勢(shì)，則必須改變基板的材料。其中塑料基板的潛力以及優(yōu)勢(shì)最受到注目。雖然塑料基板可以滿足輕、薄以及可撓曲優(yōu)勢(shì)，不過在傳統(tǒng)的多晶硅薄膜晶體管的制作過程中，由于要將非晶硅通過激光回火(Laser Annealing)轉(zhuǎn)換成多晶硅，所以所需的制作溫度至少在攝氏600度，但是由于塑料基板的玻璃轉(zhuǎn)移溫度(glasstransition temperature，Tg)非常低，所以耐熱性不佳，無法承受較強(qiáng)的激光能量直接在塑料基板上成長(zhǎng)多晶硅薄膜。
雖然如此，整體來看，塑料基板的優(yōu)點(diǎn)還是相當(dāng)多，所以如何克服制作過程中對(duì)塑料基板的熱損害，所投入的研究以及申請(qǐng)的專利也相當(dāng)之多，例如U.S.Pat.No.5,817,550，該專利揭露了一種以低能量激光在塑料基板上形成多晶硅。該方法為先在塑料基板上面形成二氧化硅層。然后再沉積非晶硅(a-Si)于該二氧化硅層上，然后再以短脈沖(short-pulse)氯化氙(XeCl)的準(zhǔn)分子激光(308nm)，在不到千萬分之一秒(100ns)的制作時(shí)間內(nèi)，將該非晶硅轉(zhuǎn)換成多晶硅層。又如U.S.Pat.No.6,680,485，該專利也是揭露了一種以低能量的激光于低溫型塑料基板(low-temperature plastic substrate)上形成多晶硅薄膜晶體管，該低溫不超過攝氏250度。該方法為先在塑料基板上面形成一二氧化硅層厚度約為0.1至5.0微米。然后再沉積一厚度約為10至500納米的非晶硅(a-Si)于該二氧化硅層上，然后以至少一個(gè)的短脈沖(short-pulse)氯化氙(XeCl)的準(zhǔn)分子激光(308nm)，在該非晶硅層上形成局部或者是完全的多晶硅層，然后再進(jìn)行薄膜晶體管的制作。
綜合上述現(xiàn)有技術(shù)，雖然可以使得塑料基板上的制作溫度降低，或者是不需使用耐高溫的塑料材料，例如聚酸亞胺(Kapton)。但是仍有下列幾項(xiàng)缺點(diǎn)1)降低激光能量并縮減激光回火時(shí)間會(huì)影響多晶硅層的晶粒大小，以及其元件特性。
2)由于現(xiàn)有技術(shù)須先在該塑料基板上形成氧化層，以二氧化硅為例，要在塑料基板上面形成4微米的二氧化硅層大概需要三十到四十分鐘，如此一來嚴(yán)重影響到批量生產(chǎn)。
3)此外由于厚的氧化層雖然可以達(dá)到隔熱，不過厚度較厚的氧化層其易脆以及容易龜裂的情形會(huì)使得制作過程較不好控制，而導(dǎo)致元件無法使用。
因此，急需一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，其利用多孔隙結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，提高塑料基板的耐熱性，達(dá)到在塑料基板上形成多晶硅薄膜的目的。
本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)提高塑料基板耐熱性，以便于該塑料基板上形成薄膜晶體管，制作平面顯示器，達(dá)到輕、薄以及可撓曲的目的。
本發(fā)明所要解決的第三個(gè)技術(shù)問題在于提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)提高塑料基板耐熱性，以便于該塑料基板上形成高效能的電子元件，達(dá)到降低成本的目的。
本發(fā)明所要解決的第四個(gè)技術(shù)問題在于提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)及形成方法，利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，達(dá)到平整塑料基板的目的。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，包括有一塑料基板；一多孔隙層，形成于該塑料基板上，該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物；以及一緩沖層，該緩沖層形成于該多孔隙層之上；其中，該多孔隙層可以提供保護(hù)以避免制作過程中所產(chǎn)生的熱能損害該塑料基板。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，圓柱形中空結(jié)構(gòu)可選擇直立或者橫躺于該塑料基板上的其中之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，還包括有一模板層，其形成于該塑料基板以及該多孔隙層之間，該模板層為選擇硅、鈦、鋅以及鋁之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，還包括有一導(dǎo)電層，其形成于該塑料基板與該模板層之間。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，還具有一平坦層形成于該多孔隙層上。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，該平坦層為一高分子聚合物以及無機(jī)平坦層其中之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，該緩沖層之上還具有一非晶硅層，可通過一熱處理而形成一多晶硅層。
本發(fā)明還提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該阻熱結(jié)構(gòu)形成于一塑料基板上，該形成方法包括有下列步驟步驟1，在一陽極氧化模板上形成多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)；步驟2，去除該陽極氧化鋁模板；步驟3，將該多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)涂布于該塑料基板上形成一多孔隙層；以及步驟4，形成一緩沖層于該多孔隙層之上。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該涂布為將該多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)通過溶膠-凝膠，再通過旋轉(zhuǎn)涂布于該塑料基板上。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該多孔隙結(jié)構(gòu)為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一。
本發(fā)明還提供一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該阻熱結(jié)構(gòu)形成于一塑料基板上，該形成方法包括有下列步驟步驟1，在該塑料基板上形成一材料層；步驟2，以陽極氧化方式將該材料層氧化形成具有一厚度模板的一多孔隙模板層；以及步驟3，形成一緩沖層于該多孔隙層之上。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，還包括形成一平坦層于該緩沖層與該多孔隙層之間。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該平坦層為選擇一高分子聚合物以及無機(jī)平坦層其中之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該材料層為選擇硅、鈦、鋅以及鋁之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物，該中空結(jié)構(gòu)氧化物為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一。
上述塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特點(diǎn)在于，該步驟2前可先形成一導(dǎo)電層在該塑料基板與該模板層之間，然后再進(jìn)行該步驟2至步驟3。
本發(fā)明的功效如下1)利用多孔隙結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，提高塑料基板的耐熱性，達(dá)到在塑料基板上形成多晶硅薄膜的目的。
2)利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)提高塑料基板耐熱性，以便于該塑料基板上形成薄膜晶體管，制作平面顯示器，達(dá)到輕、薄以及可撓曲的目的。
3)利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)提高塑料基板耐熱性，以便于該塑料基板上形成高效能的電子元件，達(dá)到降低成本的目的。
4)利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，達(dá)到平整塑料基板的目的。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1A為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例剖面示意圖；圖1B為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例示意圖；圖2A為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的球形中空結(jié)構(gòu)氧化物示意圖；圖2B為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的圓盤形中空結(jié)構(gòu)氧化物示意圖；圖2C為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的圓柱形中空結(jié)構(gòu)氧化物示意圖；圖3A至圖3D為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的形成方法流程示意圖；圖4A至4F為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的形成方法流程示意圖；
圖5A至圖5F為利用本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的上柵極型晶體管實(shí)施流程示意圖；圖6A至圖6F為利用本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的下柵極型晶體管實(shí)施流程示意圖。
其中，附圖標(biāo)記1-塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)11-塑料基板，12-多孔隙層121-中空結(jié)構(gòu)氧化物，13-緩沖層2-塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)21-塑料基板，22-導(dǎo)電層23-模板層，24-多孔隙層241-中空結(jié)構(gòu)氧化物25-平坦層，26-緩沖層31-塑料基板，32-多孔隙層32a-球形中空結(jié)構(gòu)，32b-圓盤形中空結(jié)構(gòu)32e-圓柱形中空結(jié)構(gòu)4-流程4a~4d-步驟41-陽極氧化鋁模板(Anodic Aluminum Oxide，AAO)41a-模柱孔，43-中空結(jié)構(gòu)氧化物44-塑料基板，45-多孔隙層46-緩沖層5-流程5a~5e-步驟51-塑料基板，52-導(dǎo)電層53-材料層，54-多孔隙模板層54a-模柱孔，54b-厚度模板56-平坦層，57-緩沖層6-上柵型晶體管，61-塑料基板62-多孔隙層，62a-中空結(jié)構(gòu)氧化物
63-緩沖氧化層，64-非晶硅層65-多晶硅層，65a-源/漏極區(qū)66-柵極介電層，67-柵極金屬電極68-絕緣層，69-金屬接觸電極7-下柵型晶體管71-塑料基板，72-多孔隙層72a-中空結(jié)構(gòu)氧化物，73-緩沖氧化層74-柵極金屬電極，75-柵極介電層76-非晶硅層，77-多晶硅層77a-源/漏極區(qū)，78-絕緣層79-金屬接觸電極具體實(shí)施方式
為了提高塑料基板在產(chǎn)業(yè)上的利用性，本發(fā)明利用選擇熱傳導(dǎo)系數(shù)較小的材料以及在空氣下熱傳速度慢的概念，在多孔隙模板上形成多孔隙氧化物，然后利用此多孔隙氧化物為塑料基板的隔熱層，以提高激光結(jié)晶的能量，使塑料基板避免在制作過程中因高溫而產(chǎn)生的熱損害。
為了更清楚了解本發(fā)明的意義，請(qǐng)參閱圖1A所示，該圖為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的第一較佳實(shí)施例剖面示意圖。該塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)1具有一塑料基板11、一多孔隙層12以及一緩沖層13。該多孔隙層12，其形成于該塑料基板11上，該多孔隙層12為具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物121。該緩沖層13形成于該多孔隙層12上。通過該多孔隙層12阻隔在制作過程中所產(chǎn)生的熱能，防止該塑料基板11受到熱損害以及平整該塑料基板11。其中，該中空結(jié)構(gòu)氧化物121為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一者，且該多孔隙層32為選擇球形中空結(jié)構(gòu)32a(參閱圖2A)、圓盤形中空結(jié)構(gòu)32b(參閱圖2B)以及圓柱形中空結(jié)構(gòu)32c(參閱圖2C)之一。該圓柱形中空結(jié)構(gòu)32c，其可以直立排列或者是平躺散布于該多孔隙層12內(nèi)。該緩沖層13，在本實(shí)施例中為二氧化硅層。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1B所示，該圖為本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的第二較佳實(shí)施例示意圖。該塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)2具有一塑料基板21、一導(dǎo)電層22、一模板層23、一多孔隙層24、一平坦層25以及一緩沖層26。該導(dǎo)電層22形成于該塑料基板21與該模板層23之間。該導(dǎo)電層22可為氧化銦錫(indium tinoxide，ITO)，可提高該多孔隙層24的均勻性。該模板層23，形成于該導(dǎo)電層22以及該多孔隙層24之間，該模板層23為選擇硅、鈦、鋅以及鋁之一。該多孔隙層24具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物241，該中空結(jié)構(gòu)氧化物241為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一。該平坦層25，形成于該多孔隙層24上，可以使該多孔隙層表面平整，該平坦層25為高分子聚合物或無機(jī)平坦層。該緩沖層26形成于該平坦層25上，在本實(shí)施例中該緩沖層為二氧化硅層。
從上述說明，可以了解本發(fā)明的阻熱結(jié)構(gòu)，接下來將針對(duì)本發(fā)明結(jié)構(gòu)的相關(guān)制作方法，作一詳細(xì)說明。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3A至圖3D，為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的形成方法流程示意圖。該流程4在一塑料基板44上形成阻熱結(jié)構(gòu)，該流程4包括有下列步驟步驟4a，在一陽極氧化鋁模板41(Anodic aluminum oxide，AAO)上形成多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物43；步驟4b，去除該陽極氧化鋁模板41；步驟4c，將該多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物43涂布于該塑料基板44上形成一多孔隙層45；步驟4d，形成一緩沖層46在該多孔隙層45上。
該陽極氧化鋁模板41具有多個(gè)模柱孔41a。利用電化學(xué)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或者是溶膠-凝膠(sol-gel)的方式形成該多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物43在該陽極氧化鋁柱孔41a的間隙間，然后再利用蝕刻的方式去除該陽極氧化鋁模板41，以取出該多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物43。接著再將該多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物43通過溶膠-凝膠(sol-gel)法，通過旋轉(zhuǎn)涂布(Spin coating)于該塑料基板44上，以形成一多孔隙層45。最后再形成該緩沖層46于該多孔隙層上。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4A至4F，為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的形成方法流程示意圖。該流程5在一塑料基板51上形成阻熱結(jié)構(gòu)，該流程包括有下列步驟步驟5a，在該塑料基板51上形成一材料層53；步驟5b，以陽極氧化方式將該材料層53氧化形成具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)54a的厚度模板54b；
步驟5c，形成一平坦層56于該多孔隙層模板層54上；步驟5d，形成一緩沖層57于該平坦層56上。
由于本實(shí)施例的制作流程在該塑料基板51上形成一層可以制作多孔隙材料(例如，硅或鋁)的材料層53，然后再以陽極氧化的方式將該材料層制作成該多孔隙模板層54(二氧化硅或三氧化二鋁)。不過，為了增加該中空結(jié)構(gòu)氧化物54a和塑料基板51的附著力，該多孔隙模板層54可不需要完全去除，保留特定厚度的該厚度模板54b在該中空結(jié)構(gòu)氧化物54a和該塑料基板51之間以增加附著力。然后再于該多孔隙層54上以旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成該平坦層56，該平坦層56為一高分子聚合物或無機(jī)平坦層。最后在該平坦層56上形成該緩沖層57。
另外，為了提高該多孔隙層54的均勻度，可以在該塑料基板51和該材料層53間形成一導(dǎo)電層52。在本實(shí)施例中，該導(dǎo)電層52為一氧化銦錫(indiumtin oxide，ITO)。然后在進(jìn)行步驟5b至步驟5d，如此可以確保陽極氧化完全，也可以控制該多孔隙層54的均勻性。
從上述流程步驟，可以了解本發(fā)明的制作流程。為了更詳細(xì)了解本發(fā)明的應(yīng)用，例如在塑料基板上形成多晶硅的薄膜晶體管，接下來將以兩個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖5A至圖5F，為利用本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的上柵極型晶體管實(shí)施流程示意圖。該上柵極型晶體管6其制作流程為，先在一塑料基板61上涂布或形成一多孔隙層62(參閱圖5A)。該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物62a。該多孔隙層的表面粗糙度(surface roughness)小于5納米。除了可阻熱以保護(hù)該塑料基板61免受熱損害，另外因塑料基板61表面較不平整，薄膜晶體管元件無法在上面制作，所以該多孔隙層62同時(shí)也可當(dāng)作平坦層使用。再在于該多孔隙層62上形成一緩沖氧化層63以及一非晶硅層64(參閱圖5B)。然后再以激光回火使該非晶硅層64再結(jié)晶以形成一多晶硅層65(參閱圖5C)。
接著以離子注入(implant)的方式在該多晶硅層上進(jìn)行N型或P型摻雜，以形成一對(duì)源/漏極區(qū)65a(參閱圖5D)。然后再沉積柵極介電層66(Gatedielectric)與門極金屬電極67(Gate metal)(參閱圖5E)。接著形成一絕緣層68(interlayer)以及在該保護(hù)層68上對(duì)應(yīng)該對(duì)源/漏極區(qū)65a上形成接觸孔，并形成金屬接觸電極69(Metal interconnect)(參閱圖5F)。其中該緩沖氧化層63的目的是為使氣相含硅物種較易于該緩沖氧化層63上產(chǎn)生成核反應(yīng)，幫助非晶硅層64成形以及阻止緩沖氧化層63下面的雜質(zhì)直接滲透到(penetrate)非晶硅層64內(nèi)。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖6A至圖6F，為利用本發(fā)明塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的下柵極型晶體管實(shí)施流程示意圖。該下柵型晶體管7其制作流程為，先在一塑料基板71上涂布或形成一多孔隙層72(參閱圖6A)。該多孔隙層72具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物72a。該多孔隙層72的表面粗糙度(surface roughness)小于5納米。除了可阻熱以保護(hù)該塑料基板71免受熱損害，另外因塑料基板71表面較不平整，薄膜晶體管元件無法在上面制作，所以該多孔隙層72同時(shí)也可當(dāng)作平坦層使用。再于該多孔隙層72上形成一緩沖氧化層73(參閱圖6B)。
在該多孔隙層73上形成一柵極金屬電極74(Gate metal)。接著再沉積柵極介電層75(Gate dielectric)于該金屬電極74上，并在該柵極介電層75上形成一非晶硅層76(參閱圖6C)。然后再通過激光回火使該非晶硅層76再結(jié)晶以形成一多晶硅層77(參閱圖6D)。接著以離子布值的方式在該多晶硅層77上進(jìn)行N型或P型摻雜，以形成一對(duì)源/漏極區(qū)77a(參閱圖6E)。接著沉積一絕緣層78(interlayer)并在該保護(hù)層78上對(duì)應(yīng)該對(duì)源/漏極區(qū)77a上形成接觸孔，并形成金屬接觸電極79(Metal interconnect)(參閱圖6F)。其中該緩沖氧化層73的目的是為阻止緩沖氧化層73下面的雜質(zhì)直接滲透到(penetrate)非晶硅層76內(nèi)。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有一塑料基板；一多孔隙層，形成于該塑料基板上，該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物；以及一緩沖層，該緩沖層形成于該多孔隙層之上；其中，該多孔隙層可以提供保護(hù)以避免制作過程中所產(chǎn)生的熱能損害該塑料基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，圓柱形中空結(jié)構(gòu)可選擇直立或者橫躺于該塑料基板上的其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括有一模板層，其形成于該塑料基板以及該多孔隙層之間，該模板層為選擇硅、鈦、鋅以及鋁之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括有一導(dǎo)電層，其形成于該塑料基板與該模板層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，還具有一平坦層形成于該多孔隙層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，該平坦層為一高分子聚合物以及無機(jī)平坦層其中之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，該緩沖層之上還具有一非晶硅層，可通過一熱處理而形成一多晶硅層。
8.一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該阻熱結(jié)構(gòu)形成于一塑料基板上，該形成方法包括有下列步驟步驟1，在一陽極氧化模板上形成多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)；步驟2，去除該陽極氧化鋁模板；步驟3，將該多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)涂布于該塑料基板上形成一多孔隙層；以及步驟4，形成一緩沖層于該多孔隙層之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該涂布為將該多個(gè)多孔隙結(jié)構(gòu)通過溶膠-凝膠，再通過旋轉(zhuǎn)涂布于該塑料基板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該多孔隙結(jié)構(gòu)為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一。
11.一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該阻熱結(jié)構(gòu)形成于一塑料基板上，該形成方法包括有下列步驟步驟1，在該塑料基板上形成一材料層；步驟2，以陽極氧化方式將該材料層氧化形成具有一厚度模板的一多孔隙模板層；以及步驟3，形成一緩沖層于該多孔隙層之上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括形成一平坦層于該緩沖層與該多孔隙層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該平坦層為選擇一高分子聚合物以及無機(jī)平坦層其中之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該材料層為選擇硅、鈦、鋅以及鋁之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物，該中空結(jié)構(gòu)氧化物為選擇硅氧化物、鈦氧化物、鋅氧化物以及鋁氧化物之一。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該步驟2前可先形成一導(dǎo)電層在該塑料基板與該模板層之間，然后再進(jìn)行該步驟2至步驟3。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種塑料基板上的阻熱結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)在于，包括有一塑料基板；一多孔隙層，形成于該塑料基板上，該多孔隙層具有多個(gè)中空結(jié)構(gòu)氧化物；以及一緩沖層，該緩沖層形成于該多孔隙層之上；其中，該多孔隙層可以提供保護(hù)以避免制作過程中所產(chǎn)生的熱能損害該塑料基板。本發(fā)明利用多孔隙結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，提高塑料基板的耐熱性，達(dá)到在塑料基板上形成多晶硅薄膜的目的，便于該塑料基板上形成薄膜晶體管，制作平面顯示器，達(dá)到輕、薄以及可撓曲的目的，并且便于該塑料基板上形成高效能的電子元件，降低成本，利用多孔隙阻熱結(jié)構(gòu)形成于塑料基板上，達(dá)到平整塑料基板的目的。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1770473SQ20041008884
公開日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者張榮芳, 翁得期, 謝建德, 黃志仁, 陳宇宏 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院