專利名稱：用于制造鋰微電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造鋰微電池的方法，相繼包括在基板上形成第一和第二集電器(current collector)、陰極、包含鋰化化合物(lithiated compound)的電解質(zhì)和包含鋰的陽極。
背景技術(shù)：
目前，大多數(shù)的鋰微電池是通過借助用于限定構(gòu)成微電池的不同元件的最終形狀的掩模實現(xiàn)的薄層沉積而制造的。因此，在微電池中，通常通過在基板上進(jìn)行物理氣相沉積(PVD)實現(xiàn)集電器、陰極和電解質(zhì)。集電器例如由鉑制成而陰極由硫化鈦(TiS2)、鈦硫氧化物(TiOxSy)和釩氧化物(VxOy)制成。電解質(zhì)包括鋰化化合物，如鋰磷氮氧化物(LiPON)，并通過借助掩模利用蒸發(fā)實現(xiàn)的金屬鋰的沉積來限定陽極。
這種掩模技術(shù)非常適用于厘米級或更大的尺寸。可是，掩模技術(shù)引起微粒污染并且所用的掩?？蓜潅渖铣练e有該掩模的層，因此很容易嚴(yán)重?fù)p壞微電池。最后，當(dāng)微電池的構(gòu)件具有小的尺寸時，證明了掩模是有害的，特別是考慮到會發(fā)生的邊緣效應(yīng)(edge effect)。另外，現(xiàn)在的微電池發(fā)展成可利用任何類型的微電子技術(shù)結(jié)合在微型元件中。因此，用于制造微電池的技術(shù)必須與常規(guī)所用的微電子技術(shù)相兼容。
同樣，對于利用掩模的現(xiàn)有沉積技術(shù)，正被制造的微電池既不能被放置在空氣中也不能在兩個沉積步驟之間移動，因為水、空氣和濕氣對于微電池中包含的鋰化化合物或鋰是有害的。因此，制造方法的實施仍表明難以工業(yè)化、非常昂貴并與微電子領(lǐng)域中所用的技術(shù)不兼容。
一旦已經(jīng)制造了鋰微電池，就會暴露鋰化化合物的陽極，公知要在整個微電池上沉積保護(hù)殼(envelope)以保護(hù)陽極不受外部環(huán)境影響。保護(hù)殼例如由金屬層和聚對二甲苯(parylene)層形成。因此，在制造及直到最后的密封步驟期間，微電池保持在中性氣氛例如氬中。
為了消除陽極對空氣敏感的問題，文獻(xiàn)WO-A1-0060689描述了一種用于制造鋰電池的方法，其中在電池初始充電過程中，金屬鋰的陽極包含位于陽極集電器和覆蓋層之間的電化學(xué)鍍層。因此，在初始充電之前，電池不包含任何的陽極材料并能在空氣中承受250℃溫度的熱處理10分鐘，而不會削弱充電和放電能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是制造一種鋰微電池，其能夠很容易實現(xiàn)、廉價并與微電子領(lǐng)域中所使用的技術(shù)相兼容，并特別地涉及將這樣的微電池結(jié)合在微型元件例如集成電路上。
根據(jù)本發(fā)明，通過電解質(zhì)形成步驟包含至少以下依次操作的事實實現(xiàn)該目的-電解質(zhì)薄層在設(shè)置有集電器和陰極的基板上的沉積，-關(guān)于鋰為化學(xué)惰性的第一保護(hù)薄層在電解質(zhì)薄層上的沉積，以及隨后第一掩模薄層的沉積，-通過光刻在第一掩模薄層上制作掩模，-第一掩模薄層的選擇性蝕刻及隨后去除掩模，-第一保護(hù)薄層和電解質(zhì)薄層的選擇性蝕刻以在電解質(zhì)薄層中形成電解質(zhì)，以及第一保護(hù)薄層和第一掩模薄層的去除。
根據(jù)本發(fā)明的開發(fā)，第一保護(hù)薄層包括選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶硅碳氮化物、氫化非晶碳、氟化和氫化非晶碳、及氟化和氫化的非晶碳氮化物的第一材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一開發(fā)，第一掩模薄層包括與第一材料不同并選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶硅碳氮化物、硅氮化物和硅氧化物的第二材料。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陽極的形成包括至少以下步驟-陽極薄層在設(shè)置有集電器、陰極和電解質(zhì)的基板上的沉積，-第三保護(hù)層以及隨后的第二掩模薄層在陽極薄層上的沉積，-利用光刻技術(shù)在第二掩模薄層上制作掩模，-第二掩模薄層的選擇性蝕刻以及隨后去除掩模，-第三保護(hù)薄層和陽極薄層的選擇性蝕刻以在陽極薄層中形成陽極，以及保護(hù)薄層和掩模薄層的去除。


根據(jù)以下僅作為非限制性的實例所給出并在附圖中示出的本發(fā)明特定實施例的描述，其他優(yōu)點和特征變得更加顯而易見，其中圖1至圖5以截面示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在基板上制造集電器和陰極的連續(xù)步驟；圖6至圖9以截面示出了根據(jù)本發(fā)明形成電解質(zhì)的不同步驟；圖10以截面示出了根據(jù)圖6至9所形成的電解質(zhì)的密封步驟；圖11至圖14以截面示出了根據(jù)本發(fā)明形成陽極的不同步驟；圖15以截面示出了根據(jù)本發(fā)明所制造的鋰微電池；圖16示出了根據(jù)圖15的設(shè)置有保護(hù)層的鋰微電池的截面圖；圖17示出了根據(jù)圖15的設(shè)置有保護(hù)殼的鋰微電池的截面圖。
具體實施例方式
如圖5所示，鋰微電池制造的第一步驟包括在基板1的表面1a上形成第一和第二集電器2a和2b及陰極3?？衫萌魏晤愋偷墓椒ㄟM(jìn)行鋰微電池制造的第一步驟。
優(yōu)選地并且如圖1和2所示，為形成第一和第二集電器2a和2b，例如由鉑、鈦或金形成的并具有200nm厚度的薄層2利用物理氣相沉積(PVD)或化學(xué)氣相沉積(CVD)在整個基板1上沉積?；?例如可以是硅晶片或包含特殊應(yīng)用集成電路(ASIC)的硅晶片。然后，用光致抗蝕劑薄層覆蓋薄層2，該光致抗蝕劑薄層被光刻以形成第一和第二掩模元件4a和4b(圖1)。通過等離子體蝕刻分別由第一和第二掩模元件4a和4b確定基板1的表面1a上第一和第二集電器2a和2b的形狀和位置(圖2)。例如利用氬、氮和四氟化碳(CF4)的混合物進(jìn)行等離子體蝕刻。
然后利用PVD或CVD在設(shè)置有第一和第二集電器2a和2b的基板1的整個表面1a上沉積大約1.5μm的陰極薄層3a(圖3)，在第一集電器2a上形成陰極3。然后光致抗蝕劑薄層沉積在在整個陰極薄層3a上并然后被光刻從而形成第三掩模元件4c(圖4)。當(dāng)進(jìn)行等離子體蝕刻步驟時(圖5)，設(shè)置在第一集電器2a之上的第三掩模元件4c限定陰極3的形狀和位置。完全覆蓋第一集電器2a的陰極3可由任意類型為此目的的公知材料構(gòu)成，例如其可以由二硫化鈦(TiS2)、五氧化二釩(V2O5)或也稱作“TiOS”或TiOxSy的鈦硫氧化物所制成。
目前，不能利用進(jìn)行來制造集電器2a和2b以及陰極3的技術(shù)并且尤其是通過光刻和蝕刻來形成構(gòu)成包含對氧氣、氮氣和水非常敏感的鋰化化合物的鋰微電池的元件。事實上，在構(gòu)成元件的兩個制造步驟之間諸如去除光致抗蝕劑掩模元件的特定步驟以及基板1的移動，能夠引起微粒污染和/或?qū)︿嚮衔锏膿p壞。在進(jìn)行光刻和等離子體蝕刻之前，在包含鋰化化合物的薄層上可沉積保護(hù)薄層?？墒?，上述保護(hù)薄層不能充分防止鋰化化合物薄層的損壞，特別是在去除掩模元件的時候。
為了克服該缺陷，本發(fā)明使用由兩個不同疊置薄層所形成的雙掩模，所述疊置薄層都能使用微電子技術(shù)，特別是光刻和等離子體蝕刻，并能防止對鋰化化合物層的任何損壞。雙掩模包括關(guān)于鋰是惰性的并能進(jìn)行鋰化化合物薄層的蝕刻的材料。
因此，如圖6至圖9所示，包含至少一種鋰化化合物例如鋰磷氮氧化物(LiPON)的電解質(zhì)5，形成在設(shè)置有第一和第二集電器2a和2b及陰極3的基板1的表面1a上。電解質(zhì)5覆蓋整個陰極3、基板1的表面1a的置于第一和第二集電器2a和2b之間的部分以及部分的第二集電器2b(圖9)。如圖6所示，為了形成電解質(zhì)5，特別是限定其形狀和位置，包含至少一種鋰化化合物并具有大約1μm厚度的電解質(zhì)薄層5a被沉積在設(shè)置有集電器2a和2b以及陰極3的基板1的整個表面1a上。例如通過物理氣相沉積可實現(xiàn)電解質(zhì)薄層5a的沉積。為了保護(hù)電解質(zhì)薄層5a中所含的鋰化化合物，由關(guān)于鋰是化學(xué)惰性的材料所構(gòu)成的第一保護(hù)薄層6a和第一掩模薄層7a相繼沉積在整個電解質(zhì)薄層5a上，從而形成稱為雙掩模(double masking)的疊層。例如通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)獲得雙掩模。
第一保護(hù)層6a和第一掩模層7a優(yōu)選分別包括不同的第一和第二材料，所述材料可選自氫化非晶硅碳化物(SiCxHy，也標(biāo)注為SiCx:H，其中0＜x≤1)、氫化非晶硅碳氧化物(SiOxCyHz，也標(biāo)注為SiOxCy:H，其中0＜x≤2和0＜y≤1)以及氫化非晶硅碳氮化物(SiCxNyHz，也標(biāo)注為SiCxNy:H，其中0＜x≤1和0＜y≤1.33)。
第一保護(hù)層6a的第一材料也可選自氫化非晶碳(CHx或C:H)，氟化氫化非晶碳(也標(biāo)注為CFxHy或CFx:H)或氟化氫化非晶碳氮化物(CNxFyHz，也標(biāo)注為CNxFy:H)。第二掩模層7a的第二材料也可選自硅氮化物(SiN)或硅氧化物例如SiO2。因為鋰的基本材料(basic material)不與硅或碳反應(yīng)，所以氫化非晶碳(CHx或C:H)和/或氫化非晶硅(SiHx或Si:H)可用作關(guān)于鋰的惰性材料?？墒?，后面兩種材料自身不是充分地不可透的以確保鋰化材料層的密封性。
第一保護(hù)層6a完全覆蓋電解質(zhì)薄層5a以便形成所述電解質(zhì)薄層5a的緊密密封，而第一掩模薄層7a使得能夠在光刻步驟之后進(jìn)行電解質(zhì)層5a的蝕刻而不損壞電解質(zhì)。
因此，如圖7所示，光刻步驟包括在整個掩模薄層7a上沉積光致抗蝕劑薄層以及然后通過掩模對其曝光從而一旦去除了曝光部分(正性光致抗蝕劑的情況)獲得由光致抗蝕劑制成的第四掩模元件4d。覆蓋部分第一掩模層的第四掩模元件4d設(shè)置在整個陰極3、基板的表面1a的包含在第一和第二集電器2a和3b之間的部分、以及部分第二集電器2b的上方。
第一掩模層7a在光刻步驟中與光致抗蝕劑掩模元件以及與蝕刻等離子體直接接觸，其表現(xiàn)出不同于第一保護(hù)層的蝕刻特性并且其厚度優(yōu)選為大約幾百個納米。第一掩模層7a也表現(xiàn)出與第一保護(hù)層6a的良好粘合性，并通過消除能夠顯著修改掩模元件形狀的雜散光射線可用作用于光刻步驟的抗反射層。
第一保護(hù)層6a和第一掩模層7a以及電解質(zhì)薄層5a關(guān)于等離子體蝕刻具有不同的性質(zhì)。因此，可進(jìn)行選擇性蝕刻，從而在消除第四光致抗蝕劑掩模元件4d時不會損壞電解質(zhì)層5a。事實上，如果電解質(zhì)層沒有雙掩模保護(hù)，通常借助易于損壞電解質(zhì)層的鋰化化合物的溶劑消除掩模元件。因此，雙掩模技術(shù)能夠使鋰化材料不會與環(huán)境相接觸，特別是由于相繼蝕刻的選擇性。
因此，如圖8所示，優(yōu)選通過等離子體、限定保留的第一掩模層的形狀和位置的第四掩模元件4d來蝕刻第一掩模層7a。事實上，通過蝕刻僅去除掩模層7a的自由部分，即未被第四掩模元件4d覆蓋的部分。然后，通過任何類型的公知方法尤其是通過溶劑去除第四掩模元件4d。
如圖8和圖9所示，通過第一保護(hù)層6a和電解質(zhì)薄層5a的選擇性蝕刻，優(yōu)選通過等離子體，在電解質(zhì)薄層5a中形成電解質(zhì)5。通過蝕刻僅去除第一保護(hù)層和電解質(zhì)薄層的未覆蓋有第一掩模層7a的部分。因此，一旦蝕刻第一掩模層7a，就由第一掩模層7a的形狀和位置限定電解質(zhì)5的形狀和位置。然后去除第一保護(hù)層6a和第一掩模層7a。
為了形成陽極，在制造過程中移動鋰微電池并進(jìn)而將其放置在空氣中會是必要的，這樣易于損壞包含鋰化成分的電解質(zhì)5。在這種情況下，在設(shè)置有集電器2a和2b、陰極3和電解質(zhì)5的基板1的整個表面1a上沉積第二保護(hù)層6b，從而以密封方式完全覆蓋電解質(zhì)5(圖10)。例如，第二保護(hù)層6b可利用與第一保護(hù)層6a相同的材料形成并通過PECVD進(jìn)行沉積。一旦鋰微電池返回到中性環(huán)境中，第二保護(hù)層6b將被去除。
在大多數(shù)情況下由金屬鋰形成的陽極也可通過微電子領(lǐng)域中所使用的技術(shù)來形成，也利用類似于為形成電解質(zhì)5所采用的雙掩模。因此，如圖11所示，去除第二保護(hù)層6b以暴露電解質(zhì)5、基板1的空閑表面1a和第二集電器2b的空閑部分。隨后，在基板1的整個表面1a上均勻地沉積優(yōu)選由金屬鋰制成的陽極薄層8a，使得陽極薄層8a覆蓋基板1的空閑表面、電解質(zhì)5和第二集電器2b的空閑部分(圖12)。然后在整個陽極薄層8a上相繼沉積第三保護(hù)薄層6c和第二掩模薄層7b，從而形成雙掩模。利用與第一保護(hù)薄層相同的材料形成第三保護(hù)薄層6c，而利用與第一掩模薄層7a相同的材料形成第二掩模薄層7b。
按照與電解質(zhì)5的形成相同的方式，在第二掩模薄層7b上沉積光致抗蝕劑薄層，并然后對其光刻以獲得用于在第二掩模層的選擇性等離子體蝕刻操作中限定第二掩模薄層7b的形狀和位置的第五掩模元件4e(圖14)。然后利用第二掩模層7b通過等離子體來選擇性蝕刻第三保護(hù)層6c和陽極薄層8a，從而限定陽極8的最后形狀和位置。在圖中，陽極8完全覆蓋電解質(zhì)5和第二集電器2b。然后去除第三保護(hù)層6c和第二掩模層7b而暴露陽極8(圖15)。第三保護(hù)層6c優(yōu)選由與第一保護(hù)層6a相同的材料形成，而第二掩模層7b優(yōu)選由與第一掩模層7a相同的材料形成。
一旦已經(jīng)形成鋰微電池，可在由集電器2a和2b、陰極3、電解質(zhì)5和陽極8所形成的整個堆疊上沉積第四保護(hù)層6d(圖16)。第四保護(hù)層6d優(yōu)選由與第一保護(hù)層相同的材料形成。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)堆疊尤其是陽極的緊密密封，從而保護(hù)其免于任何外部污染。然后鋰微電池可在空氣中移動或存儲而沒有損壞微電池的任何風(fēng)險。
在圖17所示的可選實施例中，第四保護(hù)層可由包括至少第一和第二疊置且不同的密封層9a和9b的保護(hù)殼9替換。在小于或等于150℃的沉積溫度利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在整個陽極8上相繼沉積第一和第二密封層9a和9b。第一密封層9a包括關(guān)于鋰是化學(xué)惰性的至少一種材料，該材料選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶碳、氟化非晶碳和氫化非晶硅。第二密封層9b包括選自氫化非晶硅碳氮化物、氫化非晶硅氮化物和氟化非晶碳的材料。在第二密封層9b的沉積之前，可利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在小于或等于150℃的沉積溫度沉積包含選自磷摻雜硅氧化物、氫化非晶碳和氟化非晶碳的材料的中間層9c。另外，由氫化非晶碳或氟化非晶碳制成的最終層9c通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在小于或等于150℃的沉積溫度也可沉積在第二密封層9b上。
本發(fā)明不限于上述實施例。因此，雙掩模技術(shù)可適用于包含鋰化化合物的微電池的任何組成元件。例如，如果陰極包含鋰化化合物，則能夠以與電解質(zhì)5相同的方式形成，利用用于保護(hù)其不受任何外部污染影響并能夠進(jìn)行光刻和蝕刻步驟的保護(hù)層和掩模層。此外，任何公知類型的蝕刻可用于形成構(gòu)成鋰微電池的不同元件。因此，等離子體蝕刻可由于蝕刻替代。
因此，上述用于制造鋰微電池的方法與微電子領(lǐng)域中施行的技術(shù)相兼容，特別是能夠使上述鋰微電池結(jié)合在諸如集成電路的微型元件上。此外，不同于其中經(jīng)過掩模通過沉積形成微電池的構(gòu)成元件的現(xiàn)有技術(shù)，能夠通過蝕刻制造構(gòu)成微電池的元件防止了掩模與構(gòu)成元件之間的物理接觸。這降低了構(gòu)成元件上的劃痕以及可能的微粒污染的風(fēng)險，并還能提供更好的再生產(chǎn)性，從而提高了基板上或基板到基板的產(chǎn)率。
最后，不同于其中鋰微電池必須粘在集成電路上的現(xiàn)有技術(shù)的制造方法，能夠利用微電子領(lǐng)域中施行的技術(shù)還可降低成本，特別是對于結(jié)合在集成電路上的鋰微電池。
權(quán)利要求
1.一種用于制造鋰微電池的方法，相繼包括在基板(1)上形成第一和第二集電器(2a，2b)、陰極(3)、包含鋰化化合物的電解質(zhì)(5)和包含鋰的陽極(8)，其特征在于所述電解質(zhì)(5)的形成步驟至少包括以下的相繼操作-在設(shè)置有所述集電器(2a，2b)和所述陰極(3)的所述基板(1)上沉積電解質(zhì)薄層(5a)，-在所述電解質(zhì)薄層(5a)上沉積關(guān)于鋰是化學(xué)惰性的第一保護(hù)薄層(6a)，以及然后沉積第一掩模薄層(7a)，-通過光刻在所述第一掩模薄層(7a)上制作掩模(4d)，-選擇性蝕刻所述第一掩模薄層(7a)，然后去除所述掩模(4d)，-選擇性蝕刻所述第一保護(hù)薄層(6a)和所述電解質(zhì)薄層(5a)從而在所述電解質(zhì)薄層(5a)中形成電解質(zhì)(5)，以及去除所述第一保護(hù)薄層(6a)和所述第一掩模薄層(7a)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一保護(hù)薄層(6a)包括選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶硅碳氮化物、氫化非晶碳、氟化氫化非晶碳、氟化氫化非晶碳氮化物的第一材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述第一掩模薄層(7a)包括與所述第一材料不同且選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶硅碳氮化物、硅氮化物和硅氧化物的第二材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于一旦已經(jīng)形成所述電解質(zhì)(5a)，在包括所述集電器(2a，2b)、所述陰極(3)和所述電解質(zhì)(5)的整個所述基板(1)上沉積第二保護(hù)薄層(6b)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述第二保護(hù)薄層(6b)包括與所述第一保護(hù)薄層(6a)相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于所述陽極(8)的形成包括至少以下步驟-在設(shè)置有所述集電器(2a，2b)、所述陰極(3)和所述電解質(zhì)(5)的所述基板(1a)上沉積陽極薄層(8a)，-在所述陽極薄層(5a)上沉積第三保護(hù)層(6c)，以及然后沉積第二掩模薄層(7b)，-通過光刻在所述第二掩模薄層(7b)上制作掩模(4e)，-選擇性蝕刻所述第二掩模薄層(7b)，然后去除所述掩模(4e)，-選擇性蝕刻所述第三保護(hù)薄層(6c)和所述陽極薄層(8a)從而在所述陽極薄層(8a)中形成所述陽極(8)，以及去除所述保護(hù)薄層(6c)和掩模薄層(7b)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于第三保護(hù)薄層(6c)包括與所述第一保護(hù)薄層(6a)相同的材料，而所述第二掩模薄層(7b)包括與所述第一掩模薄層(7a)相同的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于一旦已經(jīng)形成所述陽極(8)，在由所述集電器(2a，2b)、所述陰極(3)、所述電解質(zhì)(5)和所述陽極(8)形成的堆疊上沉積第四保護(hù)層(6d)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述第四保護(hù)薄層(6d)包括與所述第一保護(hù)薄層(6a)相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于一旦已經(jīng)形成所述陽極(8)，在由所述集電器(2a，2b)、所述陰極(3)、所述電解質(zhì)(5)和所述陽極(8)所形成的堆疊上沉積覆蓋整個所述堆疊從而保護(hù)所述堆疊免于任何外部污染的保護(hù)殼(9)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述保護(hù)殼(9)包括至少第一和第二不同的疊置密封層(9a，9b)，所述第一密封層(9a)包括關(guān)于鋰是化學(xué)惰性的至少一種材料，該材料選自氫化非晶硅碳化物、氫化非晶硅碳氧化物、氫化非晶碳、氟化非晶碳和氫化非晶硅，所述第二密封層(9b)包括選自氫化非晶硅碳氮化物、氫化非晶硅氮化物和氟化非晶碳的材料，所述第一和第二密封層(9a，9b)通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在小于或等于150℃的沉積溫度相繼沉積在整個所述陽極(8)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于包括在所述第二密封層(9b)的沉積之前，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在小于或等于150℃的沉積溫度沉積包括選自摻磷的硅氧化物、氫化非晶碳和氟化非晶碳的材料的中間層(9c)。
全文摘要
本發(fā)明涉及鋰微電池的制造方法。在鋰微電池的制造過程中，通過在設(shè)置有集電器(2a，2b)和陰極(3)的基板(1)上相繼沉積電解質(zhì)薄膜(5a)、關(guān)于鋰是化學(xué)惰性的第一保護(hù)薄膜(6a)和第一掩模薄膜(7a)形成包含鋰化化合物的電解質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，在第一掩模薄膜上進(jìn)行光刻步驟以產(chǎn)生用于選擇性蝕刻第一掩模薄層(7a)的掩模，并隨后選擇性蝕刻第一保護(hù)薄層(6a)和電解質(zhì)薄膜(5a)使得在電解質(zhì)薄膜(5a)中形成電解質(zhì)。該技術(shù)能夠通過光刻和蝕刻形成電解質(zhì)而不會對該電解質(zhì)引起任何損壞。
文檔編號H01M2/02GK1879247SQ200480033214
公開日2006年12月13日 申請日期2004年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者弗雷德里克·蓋拉德, 馬克·普利桑尼爾, 拉斐爾·薩洛特, 斯蒂法妮·羅奇 申請人:原子能委員會