專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
反射式液晶顯示器(RLCD)可分為「全反射式」與「半透射式」兩大類。全反射式LCD不用背光源，利用附在LCD面板上的反射板來反射外部光線，好處是極為省電，但是缺點(diǎn)是在較暗的場(chǎng)合看不到顯示屏幕內(nèi)容且對(duì)比度較差，因此一般會(huì)用前光源作為輔助光源。而半透射式LCD是當(dāng)外部光線足夠時(shí)就用外部光源，不足時(shí)可點(diǎn)亮背光源，是兼具省電以及具輔助光線的方式，因此是許多手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)的優(yōu)先選擇。
圖1為已知半透射式LCD結(jié)構(gòu)的一例的示意圖。已知半透射式LCD的結(jié)構(gòu)，包括有一下基底100，其上具有一絕緣層110；一像素區(qū)165，位于該絕緣層110上；一上基底160，相對(duì)于該下基底100；一濾色片150，位于上基底160的內(nèi)側(cè)表面上；一偏光板180，位于上基底160的外側(cè)表面，一公共電極140，位于該濾色片150上；一液晶層130，夾于下基底100與上基底160之間，一偏光板190，位于下基底100的外側(cè)表面，一反射層120，位于偏光板190與下基底100之間，通常為偏光板190鍍上數(shù)十至數(shù)百埃(1埃＝10-10公尺)厚的鋁形成反射層120。
然而，上述已知半透射式LCD在使用時(shí)，因?yàn)榄h(huán)境光(即反射光)170需通過玻璃基板100，而由于玻璃折射造成反射光與入射光不一定經(jīng)過同一像素電極165，亦即有象差(aberration)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示裝置，將反射電極制作于面板內(nèi)，使入射面板的光線無(wú)須經(jīng)過玻璃基板，以避免玻璃基板的折射而產(chǎn)生象差的問題。
本發(fā)明的液晶顯示裝置包括一基板、一門極線、一門極介電層、一主動(dòng)層(active layer)、一摻雜層、一金屬層、一鈍化層以及一像素電極層?；宥x有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域。門極線形成于基板上，門極介電層形成于門極線及基板上，主動(dòng)層形成于門極介電層上，摻雜層形成于主動(dòng)層上，金屬層形成于摻雜層上。門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層在薄膜晶體管區(qū)域構(gòu)成一薄膜晶體管，且金屬層在像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部及一金屬部，金屬部的厚度大小足以使入射的光線部分穿透部分反射而形成一半穿半反區(qū)。鈍化層(passivation layer)覆蓋薄膜晶體管區(qū)域及像素區(qū)域，像素電極層形成于鈍化層上。
薄膜晶體管區(qū)域包括一溝道區(qū)域以及一源/漏極區(qū)域，在溝道區(qū)域上，通過蝕刻金屬層以及摻雜層而使鈍化層直接位于主動(dòng)層上。
在接觸部中，鈍化層形成一開口，以暴露金屬層，在開口中，像素電極層直接形成于金屬層上。
基板可為一玻璃基板，金屬層可由Al、Mo、Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd或Ti/Al/TiN組成。
在一較佳實(shí)施例中，金屬層在金屬部的厚度較金屬層在接觸部的厚度小。
在上述的較佳實(shí)施例中，金屬層包括一第一金屬層以及一第二金屬層，在金屬部中，通過蝕刻法去除第一金屬層，而僅留下第二金屬層。第一金屬層包括Ti、TiN以及Mo，且第二金屬層包括Al或AlNd。
在上述的較佳實(shí)施例中，在源/漏極區(qū)域的金屬層的厚度與在接觸部的金屬層的厚度相等。
在上述的較佳實(shí)施例中，在金屬部中，金屬層的表面可形成凹凸的形狀。
本發(fā)明的液晶顯示裝置包括一基板、一門極線、一門極介電層、一主動(dòng)層、一摻雜層、一金屬層、一鈍化層以及一像素電極層?；宥x有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域。門極線形成于基板上，門極介電層形成于門極線及基板上，主動(dòng)層形成于門極介電層上，摻雜層形成于主動(dòng)層上，金屬層形成于摻雜層上。門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于薄膜晶體管區(qū)域構(gòu)成一薄膜晶體管，該金屬層在該像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部、一暴露該門極介電層的穿透區(qū)及一金屬部，金屬部的厚度大小足以使入射的光線反射而形成一反射區(qū)。鈍化層覆蓋薄膜晶體管區(qū)域及像素區(qū)域，像素電極層形成于鈍化層上。
在上述的較佳實(shí)施例中，金屬部中的金屬層的厚度與接觸部中的金屬層的厚度相等。
在上述的較佳實(shí)施例中，在金屬部中，金屬層的表面可形成凹凸的形狀。
本發(fā)明的液晶顯示裝置包括一基板、一門極線、一門極介電層、一主動(dòng)層、一摻雜層、一金屬層、一鈍化層以及一像素電極層?；宥x有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域。門極線形成于基板上，門極介電層形成于門極線及基板上，主動(dòng)層形成于門極介電層上，摻雜層形成于主動(dòng)層上，金屬層形成于摻雜層上。門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于薄膜晶體管區(qū)域系構(gòu)成一薄膜晶體管，且該金屬層于該像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部及一金屬部，金屬部的厚度大小足以使入射的光線反射而形成一反射區(qū)。鈍化層系覆蓋薄膜晶體管區(qū)域及像素區(qū)域，像素電極層形成于鈍化層上。
在上述的較佳實(shí)施例中，在金屬部中，金屬層的表面系形成凹凸的形狀。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為已知半透射式液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的示意圖。
圖3為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的示意圖。
圖4為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例中金屬層的表面制作成凹凸?fàn)畹氖疽鈭D。
圖5為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的示意圖。
符號(hào)說明100~下基底； 110~絕緣層；120~反射層； 130~液晶層；140~公共電極；150~濾色片；160~上基底； 170~外部光(反射光)；180～偏光板 190～偏光板200~基板；202~門極線；204~儲(chǔ)存電容；206~門極介電層；208~主動(dòng)層； 210~摻雜層；212~金屬層； 216~溝道區(qū)；218~源/漏極區(qū)； 220~接觸區(qū)；222~反射區(qū)； 224~薄膜晶體管區(qū)域；226~像素區(qū)域；228~鈍化層；230~開口；232~像素電極；300~基板；302~門極線；
304~儲(chǔ)存電容線； 306~門極介電層；308~主動(dòng)層； 310~摻雜層；312~金屬層； 316~溝道區(qū)域；318~源/漏極區(qū)； 320~接觸區(qū)；322~反射區(qū)； 324~薄膜晶體管區(qū)域；326~像素區(qū)域； 328~鈍化層；330~開口； 332～像素電極；3221～穿透區(qū)域 3222～反射區(qū)域500~基板； 502~門極線；504~儲(chǔ)存電容線； 506~門極介電層；508~主動(dòng)層； 510~摻雜層；512~金屬層； 516~溝道區(qū)518~源/漏極區(qū)； 520~薄膜晶體管區(qū)域；522~像素區(qū)域； 524~鈍化層；526~像素電極； 530～開口。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例圖2為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的示意圖。以沉積法形成一初始金屬層(未圖示)于基板200上。此初始金屬層可以為單一金屬層，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，初始金屬層亦可以為雙層或是多層的金屬層，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al、Ti/Al/TiN或Ti/AlNd。較佳者，初始金屬層為Ti/Al/TiN的堆棧層。上述的沉積方法可以為例如化學(xué)氣相沉積法CVD或是物理氣相沉積法CVD。
然后通過已知的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)型初始金屬層，以在基板200上形成門極線202和儲(chǔ)存電容204。接著以沉積方法在基板200、門極線202及儲(chǔ)存電容204上依序形成一門極介電層206、一主動(dòng)層208、一摻雜層210和一金屬層212。上述的沉積法可包括任何已知或新穎的沉積技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積法CVD、物理氣相沉積法CVD或原子層沉積法ALD。
門極介電層206可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅、或其組合，或是堆棧層。主動(dòng)層208可以為半導(dǎo)體層，例如硅或鍺。摻雜層210可以為摻雜的半導(dǎo)體層，例如摻雜磷的多晶硅或摻雜砷的多晶硅，其用以降低金屬層212和主動(dòng)層208的接觸電阻。金屬層212可以為單一金屬層，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，金屬層212亦可以為雙層或是多層的金屬層，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。較佳者，金屬層212為TiN/Al的堆棧層。
接著以曝光顯影的方法，將主動(dòng)層208、摻雜層210以及金屬層212蝕刻成如圖2所示的狀態(tài)。其中本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)可分成一薄膜晶體管區(qū)域224以及一像素區(qū)域226。
薄膜晶體管區(qū)域224包括一溝道區(qū)216以及一源/漏極區(qū)218，溝道區(qū)216為一開口，在溝道區(qū)216中，摻雜層210及金屬層212經(jīng)由蝕刻去除，而使主動(dòng)層208暴露，如此在主動(dòng)層208的源/漏極區(qū)域218上，形成接觸的結(jié)構(gòu)。
像素區(qū)域226包括一接觸部220以及一金屬部222。在本實(shí)施例中，通過蝕刻法使金屬部222中金屬層212的厚度小于接觸部220中金屬層212的厚度，但接觸部220中金屬層212的厚度與源/漏極區(qū)218中金屬層212的厚度相等。由于金屬層達(dá)到一定厚度后會(huì)將光線完全反射，如果欲將像素區(qū)域制作成光線半反射半穿透的狀態(tài)，則需考慮金屬層212的厚度。以兩種金屬為例，TiN在50以下，穿透率可達(dá)50％以上，Ti約40％，而反射率則分別為20％、30％。因此如上所述，將金屬部222中的金屬層212的厚度降低至一特定值以下時(shí)，則可使入射的光線部分反射而部分穿透，例如可選擇厚度50~200埃的Ti層，或50~200埃的TiN層。金屬層212可為一雙金屬堆積的結(jié)構(gòu)，包括一第一金屬層以及一第二金屬層，以適當(dāng)?shù)姆椒刂频诙饘賹拥暮穸?，在金屬?22中，通過蝕刻法去除第二金屬層并保留第一金屬層，從而可達(dá)到半穿透半反射的效果。第一金屬層可包括Ti、TiN以及Mo，且第二金屬層可包括Al或AlNd。
接著以一沉積方法(例如CVD或是等離子化學(xué)氣相沉積法PECVD)形成一鈍化層228(例如氮化硅層)覆蓋門極介電層206及上述蝕刻后的第二金屬層212、主動(dòng)層208。接著，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型鈍化層228，以在接觸區(qū)上形成一開口230。然后形成一像素電極層(例如銦錫氧化物ITO)于鈍化層228上，并填入開口230中，以供電性連接。最后，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型像素電極層，以做為液晶顯示裝置的像素電極232。
在上述的結(jié)構(gòu)中，供反射光線的金屬層212設(shè)置于玻璃基板200與像素電極232之間，入射的光線無(wú)須經(jīng)由玻璃基板200，因此可避免因玻璃基板200的厚度所造成的象差。
第二實(shí)施例除了上述第一實(shí)施例通過控制金屬層的厚度而形成半穿透半反射的反射區(qū)之外，也可形成部分穿透部分反射的反射區(qū)。第二實(shí)施例則描述此種構(gòu)造。
圖3為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的示意圖。其和上述實(shí)施例相同或相類似的部分在此不詳細(xì)描述。首先提供一基板300(例如玻璃基板、低堿玻璃基板或無(wú)堿玻璃基板)，并以一沉積方法形成一初始金屬層于基板300上。之后，通過已知的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)型初始金屬層，以在基板上形成門極線302和儲(chǔ)存電容線304。接下來，以沉積法，在基板300和門極線302及儲(chǔ)存電容線304上依序形成門極介電層306、主動(dòng)層308、摻雜層310和金屬層312。門極介電層306可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅、或其組合，或是堆棧層。主動(dòng)層308可以為半導(dǎo)體層，例如硅或鍺。摻雜層310可以為摻雜的半導(dǎo)體層，例如摻雜磷的多晶硅或摻雜砷的多晶硅。金屬層312可以為單一金屬層，例如Al或Mo，或是合金例如AlNd。此外，金屬層312亦可以為雙層或是多層的金屬層，例如Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al或Ti/AlNd。較佳者，金屬層312為TiN/Al的堆棧層。
接著以曝光顯影的方法，將主動(dòng)層308、摻雜層310以及金屬層312蝕刻成如圖3所示的狀態(tài)。其中本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)可分成一薄膜晶體管區(qū)域324以及一像素區(qū)域326。
薄膜晶體管區(qū)域324包括一溝道區(qū)316以及一源/漏極區(qū)318，溝道區(qū)316為一開口，在溝道區(qū)316中，摻雜層310及金屬層312經(jīng)由蝕刻去除，而使主動(dòng)層308暴露，如此在主動(dòng)層308的源/漏極區(qū)域318上，形成接觸的結(jié)構(gòu)。
像素區(qū)域326包括一接觸部320以及一部分穿透部分反射區(qū)322，部分穿透部分反射區(qū)322包括一穿透區(qū)3221以及一金屬部3222。通過蝕刻法使部分穿透部分反射區(qū)322中的穿透區(qū)3221的金屬層312、摻雜層310以及主動(dòng)層308被去除，而金屬部3222中未被去除的金屬層312的厚度與接觸部320中金屬層312的厚度相等。如此入射穿透區(qū)3221的光線會(huì)會(huì)穿透玻璃基板300，而入射金屬部3222的光線會(huì)被金屬層312反射，而達(dá)到部分穿透部分反射的效果。
接著以一沉積方法(例如CVD或是等離子化學(xué)氣相沉積法PECVD)形成一鈍化層328(例如氮化硅層)覆蓋門極介電層306及上述蝕刻后的第二金屬層312、主動(dòng)層308。接著，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型鈍化層328，以在接觸區(qū)上形成一開口330。然后形成一像素電極層(例如銦錫氧化物ITO)于鈍化層328上，并填入開口330中，以供電性連接。最后，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型像素電極層，以做為液晶顯示裝置的像素電極332。
在上述的結(jié)構(gòu)中，供反射光線的金屬層312設(shè)置于玻璃基板300與像素電極332之間，入射的光線無(wú)須經(jīng)由玻璃基板300，因此可避免因玻璃基板300的厚度所造成的象差。
在本實(shí)施例中，亦可將金屬部3222的金屬層312的表面形成凹凸的形狀，以利將入射光線做各方向的散射，如圖4所示。此凹凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的寬度及深度可以產(chǎn)品的需求及設(shè)計(jì)的需要而決定的。
第三實(shí)施例除了半穿透半反射，部分穿透部分反射的結(jié)構(gòu)外，還可以形成全部做全反射的反射區(qū)。
圖5為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的示意圖。首先提供一基板500(例如玻璃基板、低堿玻璃基板或無(wú)堿玻璃基板)，并以沉積法形成一初始金屬層于基板上。之后，通過已知的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)型初始金屬層，以在基板500上形成門極線502和儲(chǔ)存電容線504。接下來，以沉積法在基板500和門極線502及儲(chǔ)存電容線504上依序形成門極介電層506、主動(dòng)層508、摻雜層510和金屬層512。
接著以曝光顯影的方法，將主動(dòng)層508、摻雜層510以及金屬層512蝕刻成如圖5所示的狀態(tài)。其中本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)可分成一薄膜晶體管區(qū)域520以及一像素區(qū)域522。
薄膜晶體管區(qū)域520包括一溝道區(qū)516以及一源/漏極區(qū)518，溝道區(qū)516為一開口，在溝道區(qū)516中，摻雜層510及金屬層512經(jīng)由蝕刻去除，而使主動(dòng)層508暴露，如此在主動(dòng)層508的源/漏極區(qū)域518上，形成接觸的結(jié)構(gòu)。
接著以一沉積方法(例如CVD或是等離子化學(xué)氣相沉積法PECVD)形成一鈍化層524(例如氮化硅層)覆蓋門極介電層506及上述蝕刻后的第二金屬層512、主動(dòng)層508。接著，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型鈍化層524，以在金屬層512上形成一開口530。然后形成一像素電極層(例如銦錫氧化物ITO)于鈍化層524上，并填入開口530中，以供電性連接。最后，以已知的光刻及蝕刻制程，構(gòu)型像素電極層，以做為液晶顯示裝置的像素電極526。如此入射像素區(qū)域522的光線全部會(huì)被反射。
除了上述第二實(shí)施例的金屬層表面可制作成凹凸的形狀外，第一、三實(shí)施例的表面亦可制作成凹凸的形狀，以增加散射光線的效果。
發(fā)明的技術(shù)效果本發(fā)明將金屬層制作在面板內(nèi)，使入射的光線無(wú)須經(jīng)過玻璃基板，從而可改善已知技術(shù)中所產(chǎn)生的象差的問題。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與等效替換，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括一基板，其定義有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域；一門極線，形成于該基板上；一門極介電層，形成于該門極線及該基板上；一主動(dòng)層，形成于該門極介電層上；一摻雜層，形成于該主動(dòng)層上；一金屬層，形成于該摻雜層上，其中該門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于該薄膜晶體管區(qū)域構(gòu)成一薄膜晶體管，且該金屬層在該像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部及一金屬部，該金屬部的厚度大小足以使入射的光線部分穿透部分反射而形成一半穿半反區(qū)；一鈍化層，覆蓋該薄膜晶體管區(qū)域及該像素區(qū)域；以及一像素電極層，形成于該鈍化層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中該薄膜晶體管區(qū)域包括一溝道區(qū)域以及一源/漏極區(qū)域，在該溝道區(qū)域上，通過蝕刻該金屬層以及該摻雜層而使該鈍化層直接位于該主動(dòng)層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中在該接觸部中，該鈍化層形成一開口，以暴露該金屬層，在該開口中，該像素電極層直接形成于該金屬層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中該金屬層在該金屬部的厚度較該金屬層在該接觸部的厚度小。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中該金屬層包括一第一金屬層以及一第二金屬層，在該金屬部中，通過蝕刻法去除該第二金屬層，而僅留下該第一金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中該第一金屬層包括Ti、TiN以及Mo，且該第二金屬層包括Al或AlNd。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中在該源/漏極區(qū)域的該金屬層的厚度與在該接觸區(qū)域的該金屬層的厚度相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中在該反射區(qū)域中，該金屬層的表面形成凹凸的形狀。
9.一種液晶顯示裝置，包括一基板，其定義有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域；一門極線，形成于該基板上；一門極介電層，形成于該門極線及該基板上；一主動(dòng)層，形成于該門極介電層上；一摻雜層，形成于該主動(dòng)層上；一金屬層，形成于該摻雜層上，其中該門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于該薄膜晶體管區(qū)域系構(gòu)成一薄膜晶體管，且該金屬層于該像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部、一暴露該門極介電層的穿透區(qū)及一金屬部，該金屬部的厚度大小足以使入射的光線反射而形成一反射區(qū)；一鈍化層，覆蓋該薄膜晶體管區(qū)域及該像素區(qū)域；以及一像素電極層，形成于該鈍化層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中該金屬部中的該金屬層的厚度與該接觸部中的該金屬層的厚度相等。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其中在該金屬部中，該金屬層的表面形成凹凸的形狀。
12.一種液晶顯示裝置，包括一基板，其定義有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域；一門極線，形成于該基板上；一門極介電層，形成于該門極線及該基板上；一主動(dòng)層，形成于該門極介電層上；一摻雜層，形成于該主動(dòng)層上；一金屬層，形成于該摻雜層上，其中該門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于該薄膜晶體管區(qū)域構(gòu)成一薄膜晶體管，且該金屬層在該像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部及一金屬部，該金屬部的厚度大小足以使入射的光線反射而形成一反射區(qū)；一鈍化層，覆蓋該薄膜晶體管區(qū)域及該像素區(qū)域；以及一像素電極層，形成于該鈍化層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其中在該反射區(qū)域中，該金屬層的表面形成凹凸的形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或9或12所述的液晶顯示裝置，其中該基板為一玻璃基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或9或12所述的液晶顯示裝置，其中該金屬層為Al、Mo、Ti/Al、TiN/Al、Mo/Al、Ti/Al/TiN或Ti/AlNd組成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或9或12所述的液晶顯示裝置，其中該主動(dòng)層包括硅或鍺。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括一基板、一門極線、一門極介電層、一主動(dòng)層、一摻雜層、一金屬層、一鈍化層以及一像素電極層。基板定義有一薄膜晶體管區(qū)域以及一像素區(qū)域。門極線形成于基板上，門極介電層形成于門極線及基板上，主動(dòng)層形成于門極介電層上，摻雜層形成于主動(dòng)層上，金屬層形成于摻雜層上。門極線、門極介電層、主動(dòng)層、摻雜層及金屬層于薄膜晶體管區(qū)域構(gòu)成一薄膜晶體管，且金屬層在像素區(qū)域構(gòu)成一接觸部及一金屬部，金屬部的厚度大小足以使入射的光線部分穿透部分反射而形成一半穿半反區(qū)。鈍化層覆蓋薄膜晶體管區(qū)域及像素區(qū)域，像素電極層形成于鈍化層上。通過金屬層形成于像素的下方，使入射的光線無(wú)須通過基板，而直接由金屬層反射以避免象差。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1896851SQ20051008466
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2005年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者邱俊昌, 徐文義, 李冠儀 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司