專利名稱：半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其涉及一種在半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜及其形成方法。
背景技術(shù)：
通常，當(dāng)一NAND閃存裝置的尺寸縮小時，要求在形成隔離薄膜的工藝中一單元區(qū)域中的隔離薄膜的深度與周邊區(qū)域中的隔離薄膜的深度是不同的。
首先，由于半導(dǎo)體襯底的位錯而會產(chǎn)生大量的阱區(qū)泄漏。由于在用以形成一具有一雙深度的隔離薄膜的蝕刻工藝中所產(chǎn)生的損害或熱預(yù)算的短缺所產(chǎn)生的損害而會在阱區(qū)結(jié)構(gòu)中形成洞孔。因此，如果將一電壓施加至該結(jié)構(gòu)，則會形成一可能降低該電壓的泄漏路徑。
有鑒于NAND閃存的特性，將在一單元陣列內(nèi)的字線連接至一x-譯碼器。如果將一高偏壓施加至這些字線，則會在一具有一雙深度的隔離薄膜的邊界部分上形成一寄生晶體管。此會降低該內(nèi)存操作的性能。
因此，因為在一單元區(qū)域與一周邊區(qū)域的邊界部分上形成一具有一雙深度的隔離薄膜，所以需要有能解決上述所產(chǎn)生的問題的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
因此，有鑒于上述問題而提出本發(fā)明，且本發(fā)明的一目的在于提供一種在半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜及其制造方法，其中可解決因在一單元區(qū)域與一周邊區(qū)域的邊界部分上所形成的一雙深度(dual depth)的隔離薄膜而產(chǎn)生的問題。
為了達(dá)成上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種在半導(dǎo)體器件中形成一隔離薄膜的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域；實施一第一離子注入工藝，以形成一在該單元區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域中的深阱區(qū)及一在該邊界區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域中的第一摻雜區(qū)域；實施一第二離子注入工藝，以形成一在該單元區(qū)域的深阱區(qū)中的比該深阱區(qū)淺的阱區(qū)及一在該第一摻雜區(qū)域中的第二摻雜區(qū)域，藉此在該邊界區(qū)域中界定一具有該第一摻區(qū)域及該第二摻雜區(qū)的摻雜區(qū)；在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上實施一圖案化工藝，以形成一具有一第一深度的第一溝槽；實施一圖案化工藝，以暴露形成有該第一溝槽的周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域，及只在該周邊區(qū)域中形成一具有一比該第一深度深的第二深度的第二溝槽；以及只在這些所得溝槽中形成一用于溝槽掩埋的絕緣薄膜，藉此形成一在該單元區(qū)域中的具有一第一深度的隔離薄膜、一在該周邊區(qū)域中的具有一第二深度的隔離薄膜及一在該邊界區(qū)域中的具有一雙深度的隔離薄膜，該雙深度的隔離薄膜同時具有該第一深度的隔離薄膜及該第二深度的隔離薄膜。
該方法可進一步包括在完成該第一離子注入工藝后，實施一離子注入工藝，以暴露該深阱區(qū)的一預(yù)定區(qū)域及該周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域的步驟，因此形成一在該深阱區(qū)內(nèi)的一相鄰于該淺阱區(qū)的區(qū)域中的阱區(qū)及一在該周邊區(qū)域中的阱區(qū)。
該方法可進一步包括在完成該第二溝槽形成工藝之后，實施一離子注入工藝，以暴露相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域，藉此分別在相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域中形成一場停止阱(field stop well)。
該摻雜區(qū)域可與在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域中所形成的阱區(qū)分離。
可以以N型離子實施該第一離子注入工藝或該第二離子注入工藝。
藉由該第一離子注入工藝或該第二離子注入工藝所形成的摻雜區(qū)域可以只使用N型離子來形成。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種在半導(dǎo)體器件中形成一隔離薄膜的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域；實施一第一離子注入工藝，以暴露該單元區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的邊界區(qū)域的預(yù)定區(qū)域，藉此形成一在該單元區(qū)域中的第一阱區(qū)及一在該邊界區(qū)域中的第一摻雜區(qū)域；在該第一離子注入工藝的實施所得結(jié)構(gòu)上，實施一第二離子注入工藝，以暴露該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域，藉此形成一在形成有該第一阱區(qū)的單元區(qū)域中的第二阱區(qū)及一在該周邊區(qū)域中的第三阱區(qū)；在該第二離子注入工藝的實施所得結(jié)構(gòu)上，實施一第三離子注入工藝，以暴露在該單元區(qū)域中的除了形成有該第二阱區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域及該第一摻雜區(qū)域，藉此形成一在一相鄰于該第二阱區(qū)的區(qū)域中的第四阱區(qū)及一在該第一摻雜區(qū)域中的第二摻雜區(qū)域，藉此在該邊界區(qū)域上界定該摻雜區(qū)域；在該第三離子注入工藝的實施所得結(jié)構(gòu)上，對該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域?qū)嵤┮粓D案化工藝，藉此形成一具有一第一深度的溝槽；在形成該第一溝槽的所得結(jié)構(gòu)上，實施一圖案化工藝，以暴露該周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域，藉此只在該周邊區(qū)域中形成一具有比該第一深度深的一第二深度的第二溝槽；在形成該第二溝槽的所得結(jié)構(gòu)中，實施一第四離子注入工藝，以暴露相鄰于在該邊界部分上所形成的摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域，藉此在相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域中形成場停止阱；以及只在該所得結(jié)構(gòu)的第一及第二溝槽內(nèi)形成一用于溝槽掩埋的絕緣薄膜，藉此形成一在該單元區(qū)域中的具有一第一深度的隔離薄膜、一在該周邊區(qū)域中的具有一第二深度的隔離薄膜及一在該邊界區(qū)域中的具有一雙深度的隔離薄膜，該雙深度的隔離薄膜同時具有該第一深度的隔離薄膜及該第二深度的隔離薄膜。
在該第二離子注入工藝中所形成的區(qū)域最好具有一比在該第一離子注入工藝中所形成的區(qū)域淺的深度。
在該第二離子注入工藝中所形成的區(qū)域最好具有一相似于在該第一離子注入工藝中所形成的區(qū)域的深度。
該摻雜區(qū)域可與在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域中所形成的阱區(qū)分離。
可以以N型離子實施該第一離子注入工藝或該第三離子注入工藝。
可以以P型離子實施該第二離子注入工藝。
可以只使用N型離子來形成藉由該第一離子注入工藝或該第三離子注入工藝所形成的摻雜區(qū)域。
依據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種在半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜，其包括一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域，而該單元區(qū)域形成有一預(yù)定阱區(qū)；一形成于該單元區(qū)域中的具有一第一深度的隔離薄膜；一形成于該周邊區(qū)域中及具有一比該隔離薄膜的第一深度淺的第二深度的隔離薄膜；一形成于該邊界區(qū)域中的具有一雙深度的隔離薄膜，該雙深度同時具有該形成于該邊界區(qū)域中的隔離薄膜的第一深度及該隔離薄膜的第二深度；以及一與該單元區(qū)域的阱區(qū)分離且使該邊界區(qū)域的半導(dǎo)體襯底注入相同離子的摻雜區(qū)域，其中具有不同深度的兩層阱區(qū)形成于該摻雜區(qū)域中。
該隔離薄膜可進一步包括一在該單元區(qū)域的阱區(qū)與該摻雜區(qū)域間所提供的場停止阱。
可以以相同于相鄰該摻雜區(qū)域的該單元區(qū)域的阱區(qū)的離子來注入該摻雜區(qū)域。
圖1至圖7用以說明依據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的一種在一半導(dǎo)體器件中形成一隔離薄膜的方法的剖面圖。
主要元件符號說明10半導(dǎo)體襯底12屏蔽氧化薄膜14a 深N阱區(qū)14b 第一摻雜區(qū)域16a P阱區(qū)16b P阱區(qū)18a N阱區(qū)18b 第二摻雜區(qū)域20墊氮化薄膜22場停止阱24隔離薄膜24a 隔離薄膜24b 隔離薄膜A單元區(qū)域B周邊區(qū)域C區(qū)域D摻雜區(qū)域PR 光致抗蝕劑圖案T1 第一溝槽T2 第二溝槽
具體實施例方式
現(xiàn)在，將配合
來描述依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例。因為提供優(yōu)選實施例的目的在于能使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員了解本發(fā)明，所以可以以不同方式來修改這些優(yōu)選實施例且稍后所述的優(yōu)選實施例并非用以限定本發(fā)明的范圍。同時，在描述一薄膜在另一薄膜或一半導(dǎo)體襯底"上"的情況中，該薄膜可以直接接觸該另一膜薄或該半導(dǎo)體襯底。或者，可以將一第三薄膜插入該薄膜與該另一薄膜或該半導(dǎo)體襯底之間。再者，在該附圖中，為了方便說明及清楚起見，相同元件符號用以指代相同或相似部件。
圖1至圖7是用以說明依據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的一種在一半導(dǎo)體器件中形成一隔離薄膜的方法的剖面圖。
參考圖1，在該半導(dǎo)體襯底10的整個表面上形成一屏蔽氧化薄膜(screenoxide film)12，在該半導(dǎo)體襯底10中界定有一單元區(qū)域A、一周邊區(qū)域B及一在該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域間的邊界區(qū)域上的區(qū)域C，其中將形成一具有一雙深度的隔離薄膜。
該屏蔽氧化薄膜12形成具有約80的厚度。形成該屏蔽氧化薄膜12用以防止藉由一墊氮化薄膜而施加至該半導(dǎo)體襯底10的應(yīng)力，其中該墊氮化薄膜是在實施一用以界定該隔離薄膜的工藝時所形成的。再者，形成該屏蔽氧化薄膜12用以防止在一用以形成一阱區(qū)等的離子注入工藝中所產(chǎn)生的溝道現(xiàn)象(channeling phenomenon)。
在形成有該屏蔽氧化薄膜12的整個表面上形成一用以界定一深N阱區(qū)的光致抗蝕劑圖案(未顯示)，以便暴露該單元區(qū)域A及該區(qū)域C，其中將在該區(qū)域C中形成一具有一雙深度的隔離薄膜。實施一使用該圖案做為一用于離子注入的掩模的離子注入工藝，以形成一在該單元區(qū)域A中的深N阱區(qū)14a及一在該區(qū)域C中的第一摻雜區(qū)域14b，其中將在該區(qū)域C中形成一具有一雙深度的隔離薄膜。
用以形成該深N阱區(qū)14a及該第一摻雜區(qū)域14b的離子注入工藝在具有約1.2至2Mev的能量且使用磷(P)離子的工藝條件下實施。
之后，其中將形成一具有一雙深度的隔離薄膜的摻雜區(qū)域(圖6的″D″)在該單元區(qū)域A中形成該深度N阱區(qū)14的工藝的同時形成，然而該摻雜區(qū)域與該單元區(qū)域A的深N阱區(qū)14a分離。將形成一具有一雙深度的隔離薄膜的摻雜區(qū)域(圖6的″D″)與該單元區(qū)域A的深N阱區(qū)14a分離的原因是要防止因在一單元操作時所施加的高偏壓而造成在一將形成一具有一雙深度的隔離薄膜的區(qū)域中形成一寄生晶體管。
參考圖2，在形成有該深N阱區(qū)14a及該第一摻雜區(qū)域14b的整個表面上形成一用以界定一P阱區(qū)的光致抗蝕劑圖案(未顯示)，以便暴露該單元區(qū)域A及周邊區(qū)域B的部分。實施一使用該圖案以做為一用于離子注入的掩模的離子注入工藝，以在該單元區(qū)域A及該周邊區(qū)域B中分別形成P阱區(qū)16a及16b。
在用以形成P阱區(qū)16a及16b的離子注入工藝中，注入硼離子，然而并未將離子注入該區(qū)域C，其中在該區(qū)域C中將形成一具有一雙深度的隔離薄膜。
參考圖3，形成一用以界定一N阱區(qū)的光致抗蝕劑圖案(未顯示)，以暴露該單元區(qū)域A的除了該P阱區(qū)16a以外的區(qū)域及暴露該第一摻雜區(qū)域14b。實施一使用該圖案以作為一用于離子注入的掩模的離子注入工藝，以形成在該單元區(qū)域A中的N阱區(qū)18a及一在該區(qū)域C中的第二摻雜區(qū)域18b，其中在該區(qū)域C中將形成一具有一雙深度的隔離薄膜。
將該第一摻雜區(qū)域14b及該第二摻雜區(qū)域18b界定成一摻雜區(qū)域D。
在此情況中，藉由注入磷(P)離子或砷(As)離子來實施用以形成該N阱區(qū)18a及該第二摻雜區(qū)域18b的離子注入工藝。
在此時，該離子注入工藝在具有低于用以形成該深N阱區(qū)14a的離子注入工藝的能量的工藝狀態(tài)下實施。這是因為該第二摻雜區(qū)域18b的深度比該第一摻雜區(qū)域14b的深度淺。
參考圖4，在該整個表面上形成一墊氮化薄膜20，以及在該墊氮化薄膜20的一預(yù)定區(qū)域上形成一用以界定一隔離薄膜的光致抗蝕劑圖案(未顯示)。對該墊氮化薄膜20、該屏蔽氧化薄膜12及該半導(dǎo)體襯底的一預(yù)定深度實施一使用該光致抗蝕劑圖案做為一蝕刻掩模的蝕刻工藝，藉此形成一第一溝槽T1。
在此情況中，在該周邊區(qū)域B中所要形成的隔離薄膜的厚度比在該單元區(qū)域A中所要形成的隔離薄膜的厚度厚。
參考圖5，形成一光致抗蝕劑圖案PR，以暴露形成有該第一溝槽T1的周邊區(qū)域B。使用該光致抗蝕劑圖案PR、該周邊區(qū)域B的經(jīng)圖案化的墊氮化薄膜、該屏蔽氧化薄膜及該半導(dǎo)體襯底的一預(yù)定深度作為一蝕刻掩模，以蝕刻形成有該第一溝槽T1的周邊區(qū)域B的半導(dǎo)體襯底10，藉此形成一第二溝槽T2。
在該周邊區(qū)域B中所形成的第二溝槽T2的厚度t2比在該單元區(qū)域A中所形成的第一渠構(gòu)T1的厚度t1厚。該第一溝槽T1及該第二溝槽T2的邊界部分位于該摻雜區(qū)域D的中心。
不同厚度的溝槽形成于該摻雜區(qū)域中。該摻雜區(qū)域形成有一N阱區(qū)。這為了防止因在一用以形成一具有一雙深度的一隔離薄膜的蝕刻工藝中所產(chǎn)生的損害及熱預(yù)算的短缺所導(dǎo)致的損害所造成的漏電流。
參考圖6，去除該所形成的光致抗蝕劑圖案PR，以及形成一用以界定一場停止阱的光致抗蝕劑圖案(未顯示)，以便暴露未形成有該深N阱區(qū)14a、該摻雜區(qū)域D、P阱區(qū)16a及16b及N阱區(qū)18a及18b的半導(dǎo)體襯底。實施一使用該圖案做為一用于離子注入的掩模的離子注入工藝，以形成一場停止阱22。
該場停止阱22形成于該隔離薄膜的周圍，其需要一20V或更高的阱區(qū)擊穿電壓(以下，稱為″BVDSS″)。在本實施例中，在該摻雜區(qū)域D的兩側(cè)的單元區(qū)域及周邊區(qū)域中分別形成該場停止阱22。在此時，該場停止阱22必須形成于該單元區(qū)域A的深N阱區(qū)14a與該摻雜區(qū)域D之間。
再者，該場停止阱22以遠(yuǎn)離該深N阱區(qū)14a有0.5至3.0μm的方式形成。這是為了確保BVDSS特性。
此外，形成該場停止阱是為了使該摻雜區(qū)域D與該單元區(qū)域的阱區(qū)及該周邊區(qū)域的阱區(qū)隔離。
參考圖7，在形成有該場停止阱22的整個表面上形成一用于溝槽掩埋的絕緣薄膜后，實施一拋光工藝(例如一CMP工藝)，直到暴露該墊氮化薄膜20為止，以形成一在該單元區(qū)域中的用于單元區(qū)域的隔離薄膜24a及一在該周邊區(qū)域中的用于周邊電路的隔離薄膜24b。
如果實施用以從形成有該隔離薄膜24的整個表面去除該墊氮化膜20的蝕刻工藝，則完成隔離薄膜24a及24b的形成工藝。
在位于該單元區(qū)域A與該周邊區(qū)域B間的界面的摻雜區(qū)域D上所形成的隔離薄膜具有一雙深度，該雙深度同時具有該單元區(qū)域的隔離薄膜的深度及該周邊區(qū)域的隔離薄膜的深度。
再者，該摻雜區(qū)域D完全與該單元區(qū)域A隔離，其中該摻雜區(qū)域D形成有該具有雙深度的隔離薄膜。這用以隔離由在一具有雙深度的隔離薄膜形成工藝中所產(chǎn)生的位錯所造成的漏電流。雖然形成一寄生晶體管，但是因為一N阱區(qū)BVDSS較高，所以此也可用以防止一漏電流流經(jīng)的路徑的形成。
依據(jù)本發(fā)明在該半導(dǎo)體器件中經(jīng)由一系列工藝所形成的隔離薄膜包括該半導(dǎo)體襯底10，在該半導(dǎo)體襯底10中界定有該單元區(qū)域A、該周邊區(qū)域B及在該單元區(qū)域A與該周邊區(qū)域B間的邊界區(qū)域C，其中該單元區(qū)域A形成有預(yù)定阱區(qū)14a、16a及18a；該隔離薄膜24a，形成于該單元區(qū)域A中且具有一第一深度；該隔離薄薄24b，形成于該周邊區(qū)域中且具有一比該隔離薄膜14b的第一深度深的第二深度；該隔離薄膜24，形成于該邊界區(qū)域C中且具有一同時包含有該隔離薄膜24a的第一深度及該隔離薄膜24b的第二深度的雙深度；該場停止阱22，與該單元區(qū)域的阱區(qū)分離，其中將相同離子注入該邊界區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，且該場停止阱22形成于該摻雜區(qū)域D、該單元區(qū)域的阱區(qū)和單元區(qū)域之間，該摻雜區(qū)域D形成有具不同深度的摻雜區(qū)域14b及18b。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明，一摻雜區(qū)域與一單元區(qū)域的一深N阱區(qū)分離。因而，本發(fā)明具有可去除缺陷(例如因在一單元操作時所施加的高偏壓而造成在一形成有一具有雙深度的隔離薄膜的區(qū)域中形成一寄生晶體管)的效果。
再者，依據(jù)本發(fā)明，在一摻雜區(qū)域中形成具不同厚度的溝槽，以及在該摻雜區(qū)域中形成一N阱區(qū)。因此，本發(fā)明具有可防止因在一用以形成一具有雙深度的隔離薄膜的蝕刻工藝中所產(chǎn)生的損害及在熱預(yù)算中所產(chǎn)生的損害所造成的漏電流的效果。
雖然已參考優(yōu)選實施例進行了上述說明，但是可理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神及范圍及權(quán)利要求的情況下，可實施對本發(fā)明的改變及修改。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離薄膜的方法，該方法至少包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域；實施一第一離子注入工藝，以形成一在該單元區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域中的深阱區(qū)及一在該邊界區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域中的第一摻雜區(qū)域；實施一第二離子注入工藝，以形成一淺于該單元區(qū)域中的深阱區(qū)的阱區(qū)以及第一摻雜區(qū)域中的第二摻雜區(qū)域，藉此在該邊界區(qū)域中界定一具有該第一摻雜區(qū)域及該第二摻雜區(qū)的摻雜區(qū)；在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上實施一圖案化工藝，以形成一具有一第一深度的第一溝槽；實施一圖案化工藝，以暴露其中形成有該第一溝槽的周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域，及只在該周邊區(qū)域中形成一具有一比該第一深度深的第二深度的第二溝槽；以及只在所得結(jié)構(gòu)的溝槽中形成一用于溝槽掩埋的絕緣薄膜，藉此形成一在該單元區(qū)域中的具有一第一深度的隔離薄膜、一在該周邊區(qū)域中的具有一第二深度的隔離薄膜及一在該邊界區(qū)域中的具有一雙深度的隔離薄膜，該雙深度的隔離薄膜同時具有該第一深度的隔離薄膜及該第二深度的隔離薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括當(dāng)完成該第一離子注入工藝后，實施一離子注入工藝，以暴露該深阱區(qū)的一預(yù)定區(qū)域及該周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域的步驟，因此形成一在該深阱區(qū)內(nèi)的一相鄰于該淺阱區(qū)的區(qū)域中的阱區(qū)及一在該周邊區(qū)域中用于該周邊區(qū)域的阱區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括當(dāng)完成該第二溝槽形成工藝之后，實施一離子注入工藝，以暴露相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域的步驟，藉此分別在相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域中形成一場停止阱。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中該摻雜區(qū)域與在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域中所形成的阱區(qū)分離。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一離子注入工藝或該第二離子注入工藝由N型離子注入。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中藉由該第一離子注入工藝或該第二離子注入工藝所形成的摻雜區(qū)域僅使用N型離子來形成。
7.一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離薄膜的方法，該方法至少包括下列步驟提供一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域；實施一第一離子注入工藝，以暴露該單元區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的邊界區(qū)域的預(yù)定區(qū)域，藉此形成一在該單元區(qū)域中的第一阱區(qū)及一在該邊界區(qū)域中的第一摻雜區(qū)域；在實施該第一離子注入工藝的所得結(jié)構(gòu)上，實施一第二離子注入工藝，以暴露該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域，藉此形成一在形成有該第一阱區(qū)的單元區(qū)域中的第二阱區(qū)及一在該周邊區(qū)域中的第三阱區(qū)；在實施該第二離子注入工藝的所得結(jié)構(gòu)上，實施一第三離子注入工藝，以暴露在該單元區(qū)域中的除了形成有該第二阱區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域及該第一摻雜區(qū)域，藉此形成一在一相鄰于該第二阱區(qū)的區(qū)域中的第四阱區(qū)及一在該第一摻雜區(qū)域中的第二摻雜區(qū)域，藉此在該邊界區(qū)域上界定該摻雜區(qū)域；在實施該第三離子注入工藝的所得結(jié)構(gòu)上，在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域的預(yù)定區(qū)域上實施一圖案化工藝，藉此形成一具有一第一深度的溝槽；在其中形成有該第一溝槽的所得結(jié)構(gòu)中，實施一圖案化工藝，以暴露該周邊區(qū)域的一預(yù)定區(qū)域，藉此只在該周邊區(qū)域中形成一具有比該第一深度深的一第二深度的第二溝槽；在形成有該第二溝槽的所得結(jié)構(gòu)中，實施一第四離子注入工藝，以暴露相鄰于在該邊界部分所形成的摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域，藉此在相鄰于該摻雜區(qū)域的單元區(qū)域及周邊區(qū)域中形成場停止阱；以及只在該所得結(jié)構(gòu)的第一及第二溝槽內(nèi)形成一用于溝槽掩埋的絕緣薄膜，藉此形成一在該單元區(qū)域中的具有一第一深度的隔離薄膜、一在該周邊區(qū)域中的具有一第二深度的隔離薄膜及一在該邊界區(qū)域中的具有一雙深度的隔離薄膜，該雙深度的隔離薄膜同時具有該第一深度的隔離薄膜及該第二深度的隔離薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中在該第二離子注入工藝中所形成的區(qū)域具有一比在該第一離子注入工藝中所形成的區(qū)域淺的深度。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中在該第二離子注入工藝中所形成的區(qū)域具有一相似于在該第一離子注入工藝中所形成的區(qū)域的深度。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該摻雜區(qū)域與在該單元區(qū)域及該周邊區(qū)域中所形成的阱區(qū)分離。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第一離子注入工藝或該第三離子注入工藝由N型離子注入。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該第二離子注入工藝由P型離子注入。
13.如權(quán)利要求7所述的方法，其中藉由該第一離子注入工藝或該第三離子注入工藝所形成的摻雜區(qū)域僅使用N型離子來形成。
14.一種在半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜，至少包括一半導(dǎo)體襯底，在該半導(dǎo)體襯底中界定有一單元區(qū)域、一周邊區(qū)域及該單元區(qū)域與該周邊區(qū)域的一邊界區(qū)域，而該單元區(qū)域形成有一預(yù)定阱區(qū)；形成于該單元區(qū)域中的一隔離薄膜，其具有一第一深度；一隔離薄膜，其形成于該周邊區(qū)域中且具有一比該隔離薄膜的第一深度淺的第二深度；一具有雙深度的隔離薄膜，其同時具有形成于該邊界區(qū)域的隔離薄膜的第一深度及該隔離薄膜的第二深度；以及一摻雜區(qū)，其與該單元區(qū)域的阱區(qū)分離且使該邊界區(qū)域的半導(dǎo)體襯底注入相同離子，其中具有不同深度的兩層阱區(qū)形成于該摻雜區(qū)域中。
15.如權(quán)利要求14所述的隔離薄膜，進一步包括一在該單元區(qū)域的阱區(qū)與該摻雜區(qū)域之間所提供的場停止阱。
16.如權(quán)利要求14所述的隔離薄膜，其中該摻雜區(qū)域注入有相同于相鄰該摻雜區(qū)域的該單元區(qū)域的阱區(qū)的離子。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體器件中的隔離薄膜及其形成方法。隔離薄膜形成于一周邊區(qū)域的一摻雜區(qū)域中，其中該摻雜區(qū)域與一單元區(qū)域的一深阱區(qū)被隔離開來，以及該隔離薄膜比在該單元區(qū)域的一隔離薄膜要厚些，以便不會產(chǎn)生一寄生晶體管(Parasitic transistor)及可防止一漏電流。
文檔編號H01L21/762GK1862788SQ20051013622
公開日2006年11月15日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月11日
發(fā)明者樸成基 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司