專利名稱：半導(dǎo)體器件以及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件以及其制造方法，特別是涉及具備以包圍半導(dǎo)體集成電路的周圍的方式設(shè)置的密封環(huán)的半導(dǎo)體器件以及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造程序中，當(dāng)在半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體元件之后，通過沿著切割線部切斷半導(dǎo)體襯底，分離成單個(gè)的LSI芯片。這時(shí)，在切割線部的切斷面上，便露出在半導(dǎo)體元件的形成過程中層疊的多層的層間絕緣膜。
該層間絕緣膜以及層間絕緣膜界面成為水分的侵入路徑，成為半導(dǎo)體器件的誤動(dòng)作的原因等，從而有可能在信賴性方面成為問題。
另外，由于切割時(shí)的應(yīng)力，或由與封裝LSI芯片時(shí)使用的密封樹脂的熱膨脹系數(shù)差引起的應(yīng)力等，在層間絕緣膜上產(chǎn)生裂紋，該裂紋也有可能成為水分的侵入路徑。
作為這些問題的對(duì)策，采用以包圍半導(dǎo)體集成電路的形成區(qū)域的周圍的方式設(shè)置被稱為密封環(huán)或防護(hù)環(huán)的環(huán)狀結(jié)構(gòu)體的構(gòu)成。
密封環(huán)利用形成在半導(dǎo)體集成電路形成區(qū)域上的布線層和接觸部的形成工序而形成，并使用與布線層和接觸部相同的材料。
圖17是展示該發(fā)明的背景技術(shù)的密封環(huán)的構(gòu)成的剖面圖。
如圖17所示，密封環(huán)90設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上的電路形成區(qū)域和切割區(qū)域之間。
在圖17中，作為設(shè)置在硅襯底等半導(dǎo)體襯底1上的半導(dǎo)體元件的一例，展示了在由元件隔離絕緣膜2規(guī)定的有源區(qū)域上設(shè)置了MOS晶體管Q1的構(gòu)成。
MOS晶體管Q1具有隔著柵極絕緣膜31設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上的柵極32，設(shè)置在柵極32的側(cè)面上的側(cè)壁絕緣膜33，和分別設(shè)置在柵極32的柵縱向的兩側(cè)面外方的半導(dǎo)體襯底1的表面內(nèi)的源·漏層34而構(gòu)成。
并且，以覆蓋MOS晶體管Q1的方式在半導(dǎo)體襯底1上設(shè)置層間絕緣膜4，在其上，依次設(shè)置層間絕緣膜5、6、7、8、9、10以及11，從而成為多層結(jié)構(gòu)。再者，在各層間絕緣膜之間設(shè)置有蝕刻停止膜ES。
然后，在這些層間絕緣膜4～11上，在電路形成區(qū)域上，設(shè)置與MOS晶體管Q1電連接的布線層，和接觸部，從而構(gòu)成多層布線層。
即，以貫通層間絕緣膜4后到達(dá)源·漏層34的方式設(shè)有2個(gè)接觸部4a。
另外，以貫通層間絕緣膜5以及層間絕緣膜4上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有多個(gè)布線層5a。多個(gè)布線層5a之中的2個(gè)，以與設(shè)在層間絕緣膜4中的2個(gè)接觸部4a相連接的方式形成。
另外，以貫通層間絕緣膜6以及層間絕緣膜5上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有多個(gè)接觸部6a，多個(gè)接觸部6a之中的2個(gè)，以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層5a相連接的方式形成。
并且，多個(gè)接觸部6a之中，與MOS晶體管Q1的一方的源·漏層34電連接的1個(gè)，與設(shè)置在層間絕緣膜6中的布線層7a相連接。布線層7a設(shè)置在接觸部6a的上部，布線層7a以及接觸部6a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜7以及層間絕緣膜6上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有2個(gè)接觸部8a，一方的接觸部8a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的接觸部6a相連接的方式形成。
并且，2個(gè)接觸部8a與設(shè)置在層間絕緣膜7中的布線層9a相連接。布線層9a設(shè)置在接觸部8a的上部，布線層9a以及接觸部8a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜8以及層間絕緣膜7上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部10a，該接觸部10a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層9a相連接的方式形成。
并且，接觸部10a與設(shè)置在層間絕緣膜8中的布線層11a相連接。布線層11a設(shè)置在接觸部10a的上部，布線層11a以及接觸部10a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜9以及層間絕緣膜8上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部12a，該接觸部12a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層11a相連接的方式形成。
并且，接觸部12a與設(shè)置在層間絕緣膜9中的布線層13a相連接。布線層13a設(shè)置在接觸部12a的上部，布線層13a以及接觸部12a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜10以及層間絕緣膜9上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部14a，該接觸部14a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層13a相連接的方式形成。
并且，接觸部14a與設(shè)置在層間絕緣膜10中的布線層15a相連接。布線層15a設(shè)置在接觸部14a的上部，布線層15a以及接觸部14a通過雙重鑲嵌法形成。
再者，在以上說明的接觸部以及布線層中，在與層間絕緣膜之間具有阻擋金屬層BM1，是構(gòu)成接觸部以及布線層的材料不直接與層間絕緣膜接觸的構(gòu)成。
另外，在層間絕緣膜11上設(shè)置鈍化膜19，在鈍化膜19上設(shè)置有聚酰亞胺膜20。
密封環(huán)90，利用形成在上述各層間絕緣膜上的接觸部以及布線層的形成工序而形成。
即，在層間絕緣膜4中，用接觸部4a的形成工序形成密封層4b，在層間絕緣膜5中，用布線層5a的形成工序形成密封層5b，在層間絕緣膜6中，用接觸部6a以及布線層7a的雙重鑲嵌工序，分別形成密封層6b以及7b，在層間絕緣膜7中，用接觸部8a以及布線層9a的雙重鑲嵌工序，分別形成密封層8b以及9b，在層間絕緣膜8中，用接觸部10a以及布線層11a的雙重鑲嵌工序，分別形成密封層10b以及11b，在層間絕緣膜9中，用接觸部12a以及布線層13a的雙重鑲嵌工序，分別形成密封層12b以及13b，在層間絕緣膜10中，用接觸部14a以及布線層15a的雙重鑲嵌工序，分別形成密封層14b以及15b。
在此，由于密封層4b、6b、8b、10b、12b以及14b的寬度，比形成在各自的上部上的密封層5b、7b、9b、11b、13b以及15b的寬度形成的窄，因此密封層4b和5b、密封層6b和7b、密封層8b和9b以及密封層10b和11b、密封層12b和13b、密封層14b和15b的各個(gè)組合的剖面形狀是T字型。
另外，設(shè)置貫通層間絕緣膜11以及層間絕緣膜10上的蝕刻停止膜ES后到達(dá)密封層15b的密封層16b，在層間絕緣膜11上，以覆蓋密封層16b的上部的方式設(shè)置有密封層17b。
密封層17b用電路形成區(qū)域的最上層的布線層(圖未示)的形成工序形成，例如由鋁(Al)構(gòu)成。
另外，密封層16b用電連接電路形成區(qū)域的最上層的布線層和布線層15a的接觸部(圖未示)的形成工序形成，在密封層16b和層間絕緣膜之間具有阻擋金屬層BM2。
再者，密封層4b～17b以連續(xù)地層疊的方式設(shè)置，密封環(huán)90作為相對(duì)于從因切割而露出的層間絕緣膜4～11的切斷面侵入的水分，和因應(yīng)力而產(chǎn)生的裂紋的伸展的勢壘而起作用。
另外，作為上述密封環(huán)90以外的構(gòu)成，例如在專利文獻(xiàn)1中，公開了將密封環(huán)設(shè)為2重結(jié)構(gòu)，接近切割部的外側(cè)的密封環(huán)，采用從最上層到最下層層疊相同寬度的導(dǎo)體層的構(gòu)成，內(nèi)側(cè)的密封環(huán)利用布線層以及接觸部的形成工序而形成的構(gòu)成。
另外，在專利文獻(xiàn)2中，公開了在切割部的附近從最上層到最下層層疊相同寬度的導(dǎo)體層的密封環(huán)。
專利文獻(xiàn)1特開2000-277465號(hào)公報(bào)(圖5)專利文獻(xiàn)2特開2004-296904號(hào)公報(bào)(圖3、圖13)
近年，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的微細(xì)化以及高集成化、動(dòng)作的高速化進(jìn)步，隨之，布線的低電阻化的重要性提高，作為布線材料逐漸使用電阻較低的銅(Cu)。
在作為布線材料使用Cu時(shí)，一般用雙重鑲嵌法形成布線層以及接觸部，正如用圖17說明的那樣，構(gòu)成密封環(huán)90的密封層4b～15b之中，密封層6b～15b便用雙重鑲嵌法形成。
在此，在雙重鑲嵌法中，在以貫通層間絕緣膜的方式形成了之后成為接觸部的孔之后，暫時(shí)在該孔內(nèi)填充樹脂材料，并在該狀態(tài)下通過蝕刻形成成為布線層的槽。這是為了防止將已經(jīng)形成的下層的布線層蝕刻的情況。
但是，構(gòu)成密封環(huán)90的密封層6b～15b的容積，比相對(duì)應(yīng)的接觸部和布線層的容積大。這是為了以包圍電路形成區(qū)域的方式形成密封層6b～15b。
特別是，由于用與接觸部相同工序形成的密封層的容積比接觸部大的多，因此用樹脂材料填滿用于形成該密封層的槽的做法，在技術(shù)上較困難。如果在樹脂材料的填充不充分的狀態(tài)下進(jìn)行用于形成成為布線層的槽的蝕刻，有可能因蝕刻而將已經(jīng)形成的下層的密封層除去一部分，這時(shí)，在上層的密封層和下層的密封層之間產(chǎn)生空隙，兩者的連接部分變得脆弱，作為密封環(huán)的功能有可能降低。
另外，在具有降低層間絕緣膜的相對(duì)介電系數(shù)的傾向的現(xiàn)今，隨著相對(duì)介電系數(shù)的降低，層間絕緣膜彼此的緊貼性也存在降低的傾向。在此，像密封環(huán)90這樣的層疊剖面形狀為T字型的密封層的構(gòu)成，也具有防止層間絕緣膜彼此剝離的效果，但如果采用像專利文獻(xiàn)2所公開的那樣，從最上層到最下層層疊相同寬度的導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)的密封環(huán)，這種效果可能較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了消除上述的問題點(diǎn)而研制成的，其目的在于提供具備將密封環(huán)的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，從而確保作為相對(duì)于來自于切割部的切斷面的水分的侵入和裂紋的伸展的屏障的功能的密封環(huán)的半導(dǎo)體器件以及其制造方法。
本發(fā)明的第1方面所述的半導(dǎo)體器件，它是具備設(shè)在半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體集成電路、設(shè)在其上方的多層布線層，和以包圍所述半導(dǎo)體集成電路以及所述多層布線層的周圍的方式設(shè)置的密封環(huán)的半導(dǎo)體器件，所述密封環(huán)由分別設(shè)置在構(gòu)成所述多層布線層的多個(gè)層間絕緣膜中的導(dǎo)電性的密封層的層疊體構(gòu)成，所述密封層的層疊體具有將多個(gè)其剖面形狀為T字型的第1密封層連續(xù)地層疊的部分，和將多個(gè)其剖面形狀為矩形的第2密封層連續(xù)地層疊的部分。
本發(fā)明的第6方面所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，具備在設(shè)置在形成在半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體集成電路的上方的第1層間絕緣膜上，依次形成蝕刻停止膜以及第2層間絕緣膜的工序(a)，在所述第2層間絕緣膜的與所述半導(dǎo)體集成電路的上方相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成貫通所述第2層間絕緣膜之后到達(dá)所述蝕刻停止膜的孔，同時(shí)形成包圍所述第2層間絕緣膜的與所述半導(dǎo)體集成電路的上方相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的周圍，并貫通所述第2層間絕緣膜后到達(dá)蝕刻停止膜的槽的工序(b)，在所述孔以及所述槽內(nèi)形成樹脂層的工序(c)，在所述工序(c)之后，形成具有所述孔的上方成為開口部的布線圖形并且覆蓋所述槽的上方的抗蝕劑掩模的工序(d)，將所述抗蝕劑掩模作為掩模，然后通過蝕刻將所述第2層間絕緣膜除去到規(guī)定深度，從而形成布線槽的工序(e)，在除去所述抗蝕劑掩模以及所述孔以及所述槽內(nèi)的所述樹脂層之后，除去所述孔底部以及所述槽底部的所述蝕刻停止膜的工序(f)，在所述工序(f)之后，在連通的所述布線槽以及所述孔內(nèi)，和所述槽內(nèi)填充導(dǎo)體層的工序(g)。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的第1方面所述的半導(dǎo)體器件，由于密封環(huán)由分別設(shè)置在構(gòu)成多層布線層的多個(gè)層間絕緣膜中的導(dǎo)電性的密封層的層疊體構(gòu)成，并且密封層的層疊體具有將多個(gè)剖面形狀為T字型的第1密封層連續(xù)地層疊的部分，和將多個(gè)剖面形狀為矩形的第2密封層連續(xù)地層疊的部分，因此通過設(shè)為在多層布線層的下層側(cè)連續(xù)地層疊多個(gè)第1密封層，在上層側(cè)連續(xù)地層疊多個(gè)第2密封層的構(gòu)成，將密封環(huán)的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，提高機(jī)械強(qiáng)度，從而可以確保作為相對(duì)于來自于切割部的切斷面的水分的侵入和裂紋的伸展的屏障的功能。
根據(jù)本發(fā)明的第6方面所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，可以利用在設(shè)置在半導(dǎo)體集成電路的上方的第2層間絕緣膜中通過雙重鑲嵌法形成布線層以及接觸部的工序的一部分，以包圍第2層間絕緣膜的與半導(dǎo)體集成電路的上方相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的周圍的方式，形成剖面形狀為矩形的密封環(huán)。


圖1是展示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的剖面圖。
圖2是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖3是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖4是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖5是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖6是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖7是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖8是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖9是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖10是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖11是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖12是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖13是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖14是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的剖面圖。
圖15是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖。
圖16是說明本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造工序的平面圖。
圖17是展示以往的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(裝置構(gòu)成)在圖1中展示了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
在圖1中，作為構(gòu)成設(shè)置在硅襯底等半導(dǎo)體襯底1上的半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體元件的一例，展示了在由元件隔離絕緣膜2規(guī)定的有源區(qū)域上設(shè)置了MOS晶體管Q1的構(gòu)成。并且，在半導(dǎo)體襯底1上的電路形成區(qū)域和切割區(qū)域之間設(shè)置有密封環(huán)100。
MOS晶體管Q1具有隔著柵極絕緣膜31設(shè)置在半導(dǎo)體襯底1上的柵極32，設(shè)置在柵極32的側(cè)面上的側(cè)壁絕緣膜33，和分別設(shè)置在柵極32的柵縱向的兩側(cè)面外方的半導(dǎo)體襯底1的表面內(nèi)的源·漏層34而構(gòu)成。
并且，以覆蓋MOS晶體管Q1的方式在半導(dǎo)體襯底1上設(shè)置有層間絕緣膜4，在其之上，依次設(shè)置有層間絕緣膜5、6、7、8、9、10以及11，從而成為多層結(jié)構(gòu)。
在此，層間絕緣膜4由用TEOS(tetra ethyl orthosilicate)形成的氧化硅薄膜(REOS氧化膜)形成，層間絕緣膜9～11例如由用CVD法形成的相對(duì)介電系數(shù)3.5左右的FSG(Fluorinated Silica Glass)膜構(gòu)成，層間絕緣膜5以及6～8例如由用等離子CVD法形成的相對(duì)介電系數(shù)小于等于3.0的SiOC(含碳SiO2)膜構(gòu)成。再者，在各層間絕緣膜之間設(shè)置有由相對(duì)介電系數(shù)9.0左右的氮化硅薄膜構(gòu)成的蝕刻停止膜ES。
并且，在這些層間絕緣膜4～11上，在電路形成區(qū)域中，設(shè)有與MOS晶體管Q1電連接的布線層和接觸部。
首先，在層間絕緣膜4上，以貫通層間絕緣膜4后到達(dá)源·漏層34的方式設(shè)有2個(gè)接觸部4a。
然后，以貫通層間絕緣膜5以及層間絕緣膜4上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)置多個(gè)布線層5a(第1層布線)，多個(gè)布線層5a之中的2個(gè)，以與設(shè)在層間絕緣膜4中的2個(gè)接觸部4a連接的方式形成。
另外，以貫通層間絕緣膜6以及層間絕緣膜5上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有多個(gè)接觸部6a，多個(gè)接觸部6a之中的2個(gè)，以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層5a相連接的方式形成。
并且，多個(gè)接觸部6a之中，與MOS晶體管Q1的一方的源·漏層34電連接的1個(gè)，與設(shè)置在層間絕緣膜6中的布線層7a(第2層布線)相連接。布線層7a設(shè)置在接觸部6a的上部，布線層7a以及接觸部6a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜7以及層間絕緣膜6上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有2個(gè)接觸部8a，一方的接觸部8a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的接觸部6a相連接的方式形成。
并且，2個(gè)接觸部8a與設(shè)置在層間絕緣膜7中的布線層9a(第3層布線)相連接。布線層9a設(shè)置在接觸部8a的上部，布線層9a以及接觸部8a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜8以及層間絕緣膜7上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部10a，該接觸部10a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層9a相連接的方式形成。
并且，接觸部10a與設(shè)置在層間絕緣膜8中的布線層11a(第4層布線)相連接。布線層11a設(shè)置在接觸部10a的上部，布線層11a以及接觸部10a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜9以及層間絕緣膜8上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部12a，該接觸部12a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層11a相連接的方式形成。
并且，接觸部12a與設(shè)置在層間絕緣膜9中的布線層13a(第5層布線)相連接。布線層13a設(shè)置在接觸部12a的上部，布線層13a以及接觸部12a通過雙重鑲嵌法形成。
另外，以貫通層間絕緣膜10以及層間絕緣膜9上的蝕刻停止膜ES的方式設(shè)有接觸部14a，該接觸部14a以與電連接在MOS晶體管Q1的源·漏層34上的布線層13a相連接的方式形成。
并且，接觸部14a與設(shè)置在層間絕緣膜10中的布線層15a(第6層布線)相連接。布線層15a設(shè)置在接觸部14a的上部，布線層15a以及接觸部14a通過雙重鑲嵌法形成。
再者，以上說明的接觸部以及布線層由銅(Cu)構(gòu)成，在接觸部以及布線層和層間絕緣膜之間，具有例如由TaN構(gòu)成的阻擋金屬層BM1，是構(gòu)成接觸部以及布線層的材料不直接與層間絕緣膜接觸的構(gòu)成。
另外，在層間絕緣膜11上設(shè)置有由通過等離子氮化形成的氮化硅薄膜構(gòu)成的鈍化膜19，在鈍化膜19上設(shè)置有聚酰亞胺膜20。
另一方面，在密封環(huán)部中，在層間絕緣膜4～11以及鈍化膜19中設(shè)置有密封環(huán)100。
密封環(huán)100利用形成在上述各層間絕緣膜上的接觸部以及布線層的形成工序而形成。
即，在層間絕緣膜4中，用接觸部4a的形成工序形成密封層4b，在層間絕緣膜5中，用布線層5a的形成工序形成密封層5b，在層間絕緣膜6中，用接觸部6a以及布線層7a的雙重鑲嵌工序分別形成密封層6b以及7b，在層間絕緣膜7中，用接觸部8a以及布線層9a的雙重鑲嵌工序分別形成密封層8b以及9b，在層間絕緣膜8中，用接觸部10a以及布線層11a的雙重鑲嵌工序分別形成密封層10b以及11b。
并且，由于密封層4b、6b、8b以及10b的寬度，比形成在各自的上部的密封層5b、7b、9b以及11b的寬度形成的窄，因此密封層4b和5b、密封層6b和7b、密封層8b和9b以及密封層10b和11b的各個(gè)組合的剖面形狀是T字型。再者，也有將像密封層6b和7b、密封層8b和9b以及密封層10b和11b那樣用雙重鑲嵌工序同時(shí)形成而成為一體的部分作為1個(gè)密封層處理的情況。
在此，密封層4b、6b、8b以及10b的寬度設(shè)定為小于等于0.3μm，但由于這是用與接觸部4a、6a、8a以及10a相同的工序形成，因此接觸部的寬度由布線規(guī)則規(guī)定。
通過像這樣將相當(dāng)于T字型的密封層的腳部的部分的寬度設(shè)為與接觸部的寬度相同，具有容易制造的優(yōu)點(diǎn)。
再者，密封層5b、7b、9b以及11b的寬度，最好設(shè)定為大于等于密封層4b、6b、8b以及10b的寬度的2倍。
另外，在層間絕緣膜9中，利用通過雙重鑲嵌法形成接觸部12a以及布線層13a的工序的一部分形成密封層21，在層間絕緣膜10中，利用通過雙重鑲嵌法形成接觸部14a以及布線層15a的工序的一部分形成密封層22。
在此，密封層21以及22的剖面形狀是矩形，其寬度設(shè)定為0.3μm左右，但由于這是用與接觸部12a以及14a相同的工序形成，因此接觸部的寬度由布線規(guī)則規(guī)定。
再者，以上說明的密封層由銅(Cu)構(gòu)成，在密封層和層間絕緣膜之間，具有例如由TaN構(gòu)成的阻擋金屬層BM1，是構(gòu)成接觸部以及布線層的材料不直接與層間絕緣膜接觸的構(gòu)成。
另外，設(shè)置貫通層間絕緣膜11以及層間絕緣膜10上的蝕刻停止膜ES后到達(dá)密封層15b的密封層16b，在層間絕緣膜11上，以覆蓋密封層16b的上部的方式設(shè)置有密封層17b。
密封層17b用電路形成區(qū)域的最上層的布線層(圖未示)的形成工序形成，例如由鋁(Al)構(gòu)成。
另外，密封層16b用電連接電路形成區(qū)域的最上層的布線層和布線層15a的接觸部(圖未示)的形成工序形成，由鎢(W)構(gòu)成，在密封層16b和層間絕緣膜之間，具有例如由TiN構(gòu)成的阻擋金屬層BM2。
再者，密封層4b～11b、21、22、16b以及17b以連續(xù)地層疊的方式設(shè)置，密封環(huán)100作為相對(duì)于從因切割而露出的層間絕緣膜4～11的切斷面侵入的水分，和因應(yīng)力而產(chǎn)生的裂紋的伸展的勢壘而起作用。
(制造方法)其次，用按順序展示制造工序的圖2～圖14說明圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先，在圖2所示的工序中，在半導(dǎo)體襯底1的主面內(nèi)設(shè)置層間絕緣膜2，從而規(guī)定有源區(qū)域，并形成MOS晶體管Q1等構(gòu)成半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體元件。再者，MOS晶體管Q1等半導(dǎo)體元件用周知的技術(shù)形成，因此省略制造方法的說明。
其次，在半導(dǎo)體襯底1上，例如用CVD法形成相對(duì)介電系數(shù)3.5左右的TEOS氧化膜，從而設(shè)置層間絕緣膜4。
然后，在電路形成區(qū)域上，設(shè)置貫通層間絕緣膜4后到達(dá)MOS晶體管Q1的源·漏層34的孔4c，另外，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜4后到達(dá)半導(dǎo)體襯底1的槽4d。在此，槽4d以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。
之后，利用濺射法以覆蓋孔4c以及槽4d的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著，利用CVD法或者電鍍法在孔4c以及槽4d內(nèi)填充鎢(W)，從而分別形成接觸部4a以及密封層4b。
其次，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜4的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用等離子CVD法形成SiOC膜，從而設(shè)置層間絕緣膜5。
然后，在電路形成區(qū)域上，設(shè)置多個(gè)貫通層間絕緣膜5以及層間絕緣膜4上的蝕刻停止膜ES的槽5c，另外，在密封環(huán)部上，設(shè)置貫通層間絕緣膜5以及層間絕緣膜4上的蝕刻停止膜ES后到達(dá)密封層4b的槽5d。在此，槽5d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，多個(gè)槽5c中的幾個(gè)(在圖中是2個(gè))以到達(dá)接觸部4a的方式設(shè)置。
之后，利用濺射法以覆蓋槽5c以及槽5d的內(nèi)面的方式形成TaN，從而作為阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在槽5c以及槽5d內(nèi)填充Cu，從而分別形成布線層5a以及密封層5b。
其次，在圖3所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜5的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用等離子CVD法形成SiOC膜，從而設(shè)置層間絕緣膜6。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜6上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上設(shè)置多個(gè)貫通層間絕緣膜6的孔6c，另外，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜6的槽5d。在此，槽5d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，多個(gè)孔6c中的幾個(gè)(圖中是2個(gè))設(shè)在布線層5a的上方，槽5d設(shè)在密封層4b的上方。
其次，在圖4所示的工序中，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜6上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上形成與多個(gè)孔6c之中規(guī)定的孔6c連通的槽7c，在密封環(huán)部上形成與槽6d連通的槽7d。在此，槽7c是與規(guī)定的布線圖形相吻合的布線槽，槽7d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。
在此，在圖15中展示了從上方看形成了孔6c、槽7c、6d以及7d的狀態(tài)的層間絕緣膜6時(shí)的平面圖。再者，圖15的A-A線上的剖面圖相當(dāng)于圖4。
其次，在圖5所示的工序中，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到孔6c以及槽6d的底部的蝕刻停止膜ES，以使得孔6c以及槽6d分別到達(dá)布線層5a以及密封層5b。
之后，利用濺射法以覆蓋孔6c、槽7c、6d以及7d的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在孔6c、槽7c、6d以及7d內(nèi)填充Cu，從而分別形成接觸部6a、布線層7a、密封層6b以及7b。像這樣同時(shí)形成接觸部和布線層的方式就是雙重鑲嵌法。
其次，在圖6所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜6的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用等離子CVD法形成SiOC膜，從而設(shè)置層間絕緣膜7。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜7上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上設(shè)置多個(gè)貫通層間絕緣膜7的孔8c，另外，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜7的槽8d。在此，槽8d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，多個(gè)孔8c中的幾個(gè)(圖中是2個(gè))設(shè)在接觸部6a的上方，槽8d設(shè)在密封層7b的上方。
其次，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜7上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上形成與多個(gè)孔8c中規(guī)定的孔8c連通的槽9c，在密封環(huán)部上形成與槽8d連通的槽9d。在此，槽9c是與規(guī)定的布線圖形相吻合的布線槽，槽9d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。
其次，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到孔8c以及槽8d的底部的蝕刻停止膜ES，以使得孔8c以及槽8d分別到達(dá)接觸部6a以及密封層7b。
之后，利用濺射法以覆蓋孔8c、槽9c、8d以及9d的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在孔8c、槽9c、8d以及9d內(nèi)填充Cu，從而分別形成接觸部8a、布線層9a、密封層8b以及9b。
其次，在圖7所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜7的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用等離子CVD法形成SiOC膜，從而設(shè)置層間絕緣膜8。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜8上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上設(shè)置貫通層間絕緣膜8的孔10c，另外，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜8的槽10d。在此，槽10d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，孔10c設(shè)在布線層9a的上方，槽10d設(shè)在密封層9b的上方。
其次，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜8上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻SiOC膜，在電路形成區(qū)域上形成與孔10c連通的槽11c，在密封環(huán)部上形成與槽10d連通的槽11d。在此，槽11c是與規(guī)定的布線圖形相吻合的布線槽，槽11d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。
其次，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到孔10c以及槽10d的底部的蝕刻停止膜ES，以使得孔10c以及槽10d分別到達(dá)布線層9a以及密封層9b。
之后，利用濺射法以覆蓋孔10c、槽11c、10d以及11d的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在孔10c、槽11c、10d以及11d內(nèi)填充Cu，從而分別形成接觸部10a、布線層11a、密封層10b以及11b。
其次，在圖8所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜8的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用CVD法形成FSG膜，從而設(shè)置層間絕緣膜9。在此，層間絕緣膜9的厚度設(shè)定為大于等于層間絕緣膜6～8的2倍的厚度。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜9上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻FSG膜，在電路形成區(qū)域上設(shè)置貫通層間絕緣膜9的孔12c，另外，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜9的槽21a。在此，槽21a與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，孔12c設(shè)在布線層11a的上方，槽21a設(shè)在密封層11b的上方。
之后，在層間絕緣膜9上涂布樹脂材料，從而在孔12c以及槽21a內(nèi)填充樹脂層B1，由于槽21a的容積比孔12c大的多，因此用樹脂層B1填滿槽21a的做法在技術(shù)上較困難，成為在槽21a內(nèi)不能完全地填充樹脂層B1的狀態(tài)。
其次，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜9上將抗蝕劑掩模R1形成圖形?？刮g劑掩模R1具有與之后形成的布線層13a的圖形相吻合的布線圖形，在與孔12c的上部相對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)有開口部OP1。另一方面，在槽21a內(nèi)填充抗蝕劑掩模R1。
其次，用抗蝕劑掩模R1蝕刻FSG膜，如圖9所示，在電路形成區(qū)域上設(shè)置成為布線槽的槽13c。再者，在形成槽13c之際，由于在孔12c內(nèi)填充有樹脂層B1，因此下層的蝕刻停止膜ES和布線層11a不會(huì)暴露在腐蝕劑下。
之后，通過除去抗蝕劑掩模R1以及樹脂層B1，在電路形成區(qū)域上孔12c和槽13c連通，在密封環(huán)部上再次出現(xiàn)槽21a。
再者，構(gòu)成樹脂層B1的樹脂材料是從抗蝕劑材料除去了感光成分的材料，在除去抗蝕劑掩模R1的工序中，可以用灰化等除去。
在此，在圖16中展示了從上方看形成了孔12c、槽13c以及21d的狀態(tài)的層間絕緣膜9時(shí)的平面圖。再者，圖16的B-B線上的剖面圖相當(dāng)于圖9。
其次，在圖10所示的工序中，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到孔12c以及槽21a的底部的蝕刻停止膜ES，以使得孔12c以及槽21a分別到達(dá)布線層11a以及密封層11b。
之后，用濺射法以覆蓋孔12c、槽13c以及21a的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在孔12c、槽13c以及21a內(nèi)填充Cu，從而分別形成接觸部12a、布線層13a以及密封層21。
其次，在圖11所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜8的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用CVD法形成FSG膜，從而設(shè)置層間絕緣膜10。在此，層間絕緣膜10的厚度設(shè)定為大于等于層間絕緣膜6～8的2倍的厚度。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜10上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻FSG膜，在電路形成區(qū)域上設(shè)置貫通層間絕緣膜10的槽22a。在此，槽22a與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，孔14c設(shè)在布線層13a的上方，槽22a設(shè)在密封層21的上方。
之后，在層間絕緣膜10上涂布樹脂材料，從而在孔14c以及槽22a內(nèi)填充樹脂層B2，由于槽22a的容積比孔14c大的多，因此用樹脂層B2填滿槽22a的做法在技術(shù)上較困難，成為在槽22a內(nèi)不能完全地填充樹脂層B2的狀態(tài)。
其次，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜10上將抗蝕劑掩模R2形成圖形?？刮g劑掩模R2具有與之后形成的布線層15a的圖形相吻合的布線圖形，在與孔14c的上部相對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)有開口部OP2。另一方面，在槽22a內(nèi)填充抗蝕劑掩模R2。
其次，用抗蝕劑掩模R2蝕刻FSG膜，如圖12所示，在電路形成區(qū)域上設(shè)置成為布線槽的槽15c。再者，在形成槽15c之際，由于在孔14c內(nèi)填充有樹脂層B2，因此下層的蝕刻停止膜ES和布線層13a不會(huì)暴露在腐蝕劑下。
之后，通過除去抗蝕劑掩模R2以及樹脂層B2，在電路形成區(qū)域上孔14c和槽15c連通，在密封環(huán)部上再次出現(xiàn)槽22a。
其次，在圖13所示的工序中，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到孔14c以及槽22a的底部的蝕刻停止膜ES，以使得孔14c以及槽22a分別到達(dá)布線層13a以及密封層13b。
之后，用濺射法以覆蓋孔14c、槽15c以及22a的內(nèi)面的方式形成TaN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM1，接著用CVD法或電鍍法在孔14c、槽15c以及22a內(nèi)填充Cu，從而分別形成接觸部14a、布線層15a以及密封層22。
其次，在圖14所示的工序中，例如用CVD法以覆蓋層間絕緣膜10的主面整面的方式形成SiN膜，從而設(shè)置蝕刻停止膜ES。
之后，在蝕刻停止膜ES上，例如用CVD法形成FSG膜，從而設(shè)置層間絕緣膜11。
然后，經(jīng)由照相制板工序在層間絕緣膜11上將抗蝕劑掩模(圖未示)形成圖形，并用該抗蝕劑掩模蝕刻FSG膜，在密封環(huán)部上設(shè)置貫通層間絕緣膜11的槽16d。在此，槽16d與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。再者，槽16d設(shè)在密封層15b的上方。
其次，在蝕刻SiN膜的條件下，除去露出到槽16d的底部的蝕刻停止膜ES，以使得槽16d到達(dá)密封層15b。
再者，在電路形成區(qū)域上，在圖14中沒有圖示的部分上，經(jīng)由與槽16d相同的工序也形成到達(dá)布線層15a的孔。
之后，用濺射法以覆蓋槽16d的內(nèi)面的方式形成TiN，從而設(shè)置阻擋金屬層BM2，接著例如用濺射法在槽16d內(nèi)填充鎢，從而形成密封層16b。
其次，以覆蓋密封層16b上的方式，在層間絕緣膜11上例如通過濺射法用鋁形成密封層17b。在此，密封層17b與密封層4b同樣地以包圍電路形成區(qū)域的方式設(shè)置。
再者，在電路形成區(qū)域上，在圖14中沒有圖示的部分上，經(jīng)由與密封層17b相同的工序也形成最上層的布線層(第7層布線)。
之后，以包括密封層17b而覆蓋層間絕緣膜11上的方式，例如用等離子氮化形成氮化硅薄膜，從而設(shè)置鈍化膜19，通過在鈍化膜19上設(shè)置聚酰亞胺膜20，完成具有密封環(huán)100的半導(dǎo)體器件。
(效果)在具有以上說明的密封環(huán)100的半導(dǎo)體器件中，到形成第4層布線的層間絕緣膜8為止，設(shè)為層疊一直以來使用的剖面形狀為T字型的密封層的構(gòu)成，在形成第5以及第6層布線的層間絕緣膜9以及10中，設(shè)為層疊剖面形狀為矩形的密封層的構(gòu)成。
即，作為密封環(huán)的功能，要求作為相對(duì)于來自于切割部的切斷面的水分的侵入和裂紋的伸展的屏障的功能，因此最好水平方向，即與半導(dǎo)體襯底1的主面平行的方向的尺寸較大，機(jī)械強(qiáng)度較大，與密封層4b、6b、8b以及10b相比，增加形成在各自的上部的密封層5b、7b、9b以及11b的寬度。
第4層布線以下用局部布線規(guī)則以及/或中間布線規(guī)則設(shè)計(jì)，由于接觸部的寬度小于等于0.3μm，因此特別好的是增加密封層5b、7b、9b以及11b的寬度，從而提高機(jī)械強(qiáng)度。
另外，分別形成第2～4層布線的層間絕緣膜6～8，用相對(duì)介電系數(shù)小于等于3.0的SiOC膜形成，可一旦相對(duì)介電系數(shù)像這樣低，層間絕緣膜彼此的緊貼性也較低，在切割部的切斷面上容易引起層間絕緣膜的剝離。
但是，在該層間絕緣膜6～8中，通過增大增加密封層5b、7b、9b以及11b的寬度后填充的Cu的體積，提高防止層間絕緣膜6～8的剝離的效果。
另一方面，第5以及第6層布線用半全局布線規(guī)則以及/或全局布線規(guī)則設(shè)計(jì)，由于接觸部的寬度大于等于0.3μm，因此通過將密封層21以及22的剖面形狀設(shè)為矩形，并使其寬度與接觸部的寬度相同，在對(duì)抗水分的侵入和裂紋的伸展方面可以得到足夠的機(jī)械強(qiáng)度。
另外，在形成密封層21以及22之際，正如用圖8以及圖11說明的那樣，用樹脂材料填滿槽21a以及22a的做法在技術(shù)上較困難。特別是，由于層間絕緣膜9以及10的厚度大于等于層間絕緣膜6～8的2倍，因此槽21a以及22a的容積極大，用樹脂材料不能填滿的現(xiàn)象，與形成在層間絕緣膜6～8上的密封層6b、8b以及10b相比顯著地發(fā)生。
當(dāng)在這種狀態(tài)下，要應(yīng)用雙重鑲嵌法而使寬度比槽21a以及22a更寬的槽連通時(shí)，在沒有將樹脂材料填滿槽21a以及22a的狀態(tài)下，下層的蝕刻停止膜和密封層暴露在腐蝕劑下，已經(jīng)形成的下層的密封層有可能被部分地蝕刻除去。
但是，由于在形成密封層21以及22時(shí)只利用雙重鑲嵌法的一部分的工序，因此上層的密封層和下層的密封層之間的連接部分不會(huì)變得脆弱，也沒有作為密封環(huán)的功能降低的情況。
另外，由于分別形成第5、第6布線層的層間絕緣膜9以及10，用相對(duì)介電系數(shù)3.5左右的FSG膜形成，因此與層間絕緣膜6～8相比，層間絕緣膜彼此的緊貼性較高，也很難發(fā)生層間絕緣膜的剝離。因而，即便密封層21以及22的剖面形狀為矩形，也可以防止層間絕緣膜9以及10的剝離。
再者，在以上的說明中，展示了將布線層設(shè)為7層結(jié)構(gòu)的例子，并說明了在設(shè)置了用局部布線規(guī)則以及/或中間布線規(guī)則形成的布線層的層間絕緣膜中，設(shè)置剖面形狀為T字型的密封層，在設(shè)置了用半全局布線規(guī)則以及/或全局布線規(guī)則形成的布線層的層間絕緣膜中，設(shè)置剖面形狀為矩形的密封層的例子，但本發(fā)明的應(yīng)用不限于此，只要剖面形狀為T字型的密封層(第1密封層)設(shè)置在剖面形狀為矩形的密封層(第2密封層)之下，不用被布線層數(shù)和布線規(guī)則限制，并起到上述的效果。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具備設(shè)在半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體集成電路、設(shè)在其上方的多層布線層和以包圍所述半導(dǎo)體集成電路以及所述多層布線層的周圍的方式設(shè)置的密封環(huán)，其中所述密封環(huán)由分別設(shè)置在構(gòu)成所述多層布線層的多個(gè)層間絕緣膜中的導(dǎo)電性的密封層的層疊體構(gòu)成；所述密封層的層疊體具有將多個(gè)其剖面形狀為T字型的第1密封層連續(xù)地層疊的部分；和將多個(gè)其剖面形狀為矩形的第2密封層連續(xù)地層疊的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第1密封層在設(shè)置了所述多層布線層之中的第1布線層的第1層間絕緣膜中，由與所述第1布線層相同的材質(zhì)形成；所述第2密封層在設(shè)置了所述多層布線層之中的在第1布線層之上的第2布線層的第2層間絕緣膜中，由與所述第2布線層相同的材質(zhì)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中相當(dāng)于所述第1密封層的T字的腳部的部分的寬度小于等于0.3μm；所述第2密封層的寬度大于等于所述第1密封層的所述T字的腳部的2倍。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第1層間絕緣膜的相對(duì)介電系數(shù)小于3.5；所述第2層間絕緣膜的相對(duì)介電系數(shù)大于等于3.5。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中相當(dāng)于所述第1密封層的T字的腳部的部分的寬度，與連接所述多層布線層之中的所述第1布線層之間的接觸部的寬度相同；所述第2密封層的寬度，與連接所述多層布線層之中的第2布線層之間的接觸部的寬度相同。
6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具備(a)在設(shè)置在形成在半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體集成電路的上方的第1層間絕緣膜上，依次形成蝕刻停止膜以及第2層間絕緣膜的工序；(b)在所述第2層間絕緣膜的與所述半導(dǎo)體集成電路的上方相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上，形成貫通所述第2層間絕緣膜之后到達(dá)所述蝕刻停止膜的孔，同時(shí)形成包圍所述第2層間絕緣膜的與所述半導(dǎo)體集成電路的上方相對(duì)應(yīng)的區(qū)域的周圍并貫通所述第2層間絕緣膜后到達(dá)所述蝕刻停止膜的槽的工序；(c)在所述孔以及所述槽內(nèi)形成樹脂層的工序；在所述工序(c)之后(d)形成具有所述孔的上方成為開口部的布線圖形并且覆蓋所述槽的上方的抗蝕劑掩模的工序；(e)將所述抗蝕劑掩模作為掩模，通過蝕刻將所述第2層間絕緣膜除去到規(guī)定深度，以形成布線槽的工序；(f)在除去所述抗蝕劑掩模、所述孔以及所述槽內(nèi)的所述樹脂層之后除去所述孔底部以及所述槽底部的所述蝕刻停止膜的工序；在所述工序(f)之后(g)在連通的所述布線槽以及所述孔內(nèi)、和所述槽內(nèi)填充導(dǎo)體層的工序。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述工序(a)包括用相對(duì)介電系數(shù)大于等于3.5的絕緣膜形成所述第2層間絕緣膜的工序。
全文摘要
提供具備將密封環(huán)的結(jié)構(gòu)最優(yōu)化，從而確保作為相對(duì)于來自于切割部的切斷面的水分的侵入和裂紋的伸展的屏障的功能的密封環(huán)的半導(dǎo)體器件以及其制造方法。在半導(dǎo)體襯底(1)上的電路形成區(qū)域和切割區(qū)域之間設(shè)置有密封環(huán)(100)。密封環(huán)(100)具有層疊剖面形狀呈T字型的密封層的部分和層疊剖面形狀呈矩形的密封層的部分。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1956173SQ20061013654
公開日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月25日
發(fā)明者森本昇, 藤澤雅彥, 兒玉大介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技