專利名稱：0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及本導(dǎo)體制作工藝，更具體地說(shuō)，涉及一種引入了硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)CMOS工藝的0.6微米BICMOS工藝。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的性能要求中，越來(lái)越多的客戶要求減小接觸孔電阻、 減小多晶硅互連電阻、減小有源區(qū)串聯(lián)電阻并提高標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件 (Standard CMOS)的驅(qū)動(dòng)能力，而其他的雙極管、功率器件及肖特基器件 不受任何影響。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明旨在提供一種引入了硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的0.6微米 BICMOS工藝，能在不破壞其他的雙極管、功率器件及肖特基器件性能的 前提下大大地提高了準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)的驅(qū)動(dòng)能力，并大大地 降低電路的延遲效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明，提供一種0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，在BICMOS 標(biāo)準(zhǔn)前道工藝和標(biāo)準(zhǔn)后道工藝之間進(jìn)行，包括N+離子注入；P+離子注入； 源區(qū)、漏區(qū)注入；驅(qū)動(dòng)區(qū)擴(kuò)散；清洗液清洗；1500A氧化層沉積；硅化物 保護(hù)層光照；氧化層干法刻蝕；濕法去膠；前清洗步驟；難融金屬沉積； 第一步熱退火；選擇性腐蝕；第二步熱退火。根據(jù)本發(fā)明，使用該工藝得到的接觸孔電阻為4ohm/con。使用該工藝 得到的多晶硅互連電阻和有源區(qū)串聯(lián)電阻為3ohm/con。使用該工藝得到的 準(zhǔn)邏輯器件驅(qū)動(dòng)能力提高5%。使用該工藝得到的雙極管、功率器件及肖 特基器件，除多晶硅互連電阻、有源區(qū)串聯(lián)電阻及準(zhǔn)邏輯器件之外，不發(fā) 生變化。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，引入硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的BICOMS工藝
滿足了減小接觸孔電阻、減小多晶硅互連電阻、減小有源區(qū)串聯(lián)電阻、提高標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)驅(qū)動(dòng)能力并保持其他的雙極管、功率器 件及肖特基器件不受任何影響的要求。在不破壞其他的雙極管、功率器件 及肖特基器件性能的前提下大大地提高了準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)的 驅(qū)動(dòng)能力，能大大地降低電路的延遲效應(yīng)。


本實(shí)用新型的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢(shì)將通過(guò)下面結(jié)合附 圖和實(shí)施例的描述而變得更加明顯，在附圖中，相同的附圖標(biāo)記始終表示 相同的特征，其中，圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的剖析圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明 一實(shí)施例的硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明揭示了一種0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，在BICMOS標(biāo)準(zhǔn) 前道工藝和標(biāo)準(zhǔn)后道工藝之間進(jìn)行，參考圖2所示，該方法包括如下的步 驟N+離子注入；P+離子注入；源區(qū)、漏區(qū)注入；驅(qū)動(dòng)區(qū)擴(kuò)散；清洗液清 洗；1500A氧化層沉積；硅化物保護(hù)層光照；氧化層干法刻蝕；濕法去膠； 前清洗步驟；難融金屬沉積；第一步熱退火；選擇性腐蝕；第二步熱退火。參考圖1，示出了本發(fā)明的硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的剖析圖，圖中100 是CMOS自對(duì)準(zhǔn)硅化物的源、漏區(qū)；200是硅化物保護(hù)區(qū)。采用本發(fā)明的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝獲得的器件的性能如下 接觸孔電阻為4ohm/con;多晶硅互連電阻和有源區(qū)串聯(lián)電阻為3ohm/con; 準(zhǔn)邏輯器件驅(qū)動(dòng)能力提高5%;雙極管、功率器件及肖特基器件，除多晶 硅互連電阻、有源區(qū)串聯(lián)電阻及準(zhǔn)邏輯器件之外，不發(fā)生變化。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，引入硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝的BICOMS工藝 滿足了減小接觸孔電阻、減小多晶硅互連電阻、減小有源區(qū)串聯(lián)電阻、提 高標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)驅(qū)動(dòng)能力并保持其他的雙極管、功率器 件及肖特基器件不受任何影響的要求。在不破壞其他的雙極管、功率器件
及肖特基器件性能的前提下大大地提高了準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)的驅(qū)動(dòng)能力，能大大地降低電路的延遲效應(yīng)。雖然本發(fā)明的技術(shù)方案已經(jīng)結(jié)合較佳的實(shí)施例說(shuō)明于上，但是本領(lǐng)域 的技術(shù)人員應(yīng)該理解，對(duì)于上述的實(shí)施例的各種修改或改變是可以預(yù)見(jiàn)的， 這不應(yīng)當(dāng)被視為超出了本發(fā)明的保護(hù)范圍，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限 于上述具體描述的實(shí)施例，而應(yīng)該是符合此處所揭示的創(chuàng)新性特征的最寬 泛的范圍。
權(quán)利要求
1. 一種0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，其特征在于，在BICMOS標(biāo)準(zhǔn)前道工藝和標(biāo)準(zhǔn)后道工藝之間進(jìn)行，包括N+離子注入；P+離子注入；源區(qū)、漏區(qū)注入；驅(qū)動(dòng)區(qū)擴(kuò)散；清洗液清洗；1500A氧化層沉積；硅化物保護(hù)層光照；氧化層干法刻蝕；濕法去膠；前清洗步驟；難融金屬沉積；第一步熱退火；選擇性腐蝕；第二步熱退火。
2. 如權(quán)利要求1所述的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，其特征在于: 使用該工藝得到的接觸孔電阻為4ohm/con。
3. 如權(quán)利要求1所述的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，其特征在于 使用該工藝得到的多晶硅互連電阻和有源區(qū)串聯(lián)電阻為3ohm/con。
4. 如權(quán)利要求1所述的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，其特征在于 使用該工藝得到的準(zhǔn)邏輯器件驅(qū)動(dòng)能力提高5 % 。
5. 如權(quán)利要求1所述的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，其特征在于使用該工藝得到的雙極管、功率器件及肖特基器件，除多晶硅互連電阻、 有源區(qū)串聯(lián)電阻及準(zhǔn)邏輯器件之外，不發(fā)生變化。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝，在BICMOS標(biāo)準(zhǔn)前道工藝和標(biāo)準(zhǔn)后道工藝之間進(jìn)行，包括N+離子注入；P+離子注入；源區(qū)、漏區(qū)注入；驅(qū)動(dòng)區(qū)擴(kuò)散；清洗液清洗；1500A氧化層沉積；硅化物保護(hù)層光照；氧化層干法刻蝕；濕法去膠；前清洗步驟；難融金屬沉積；第一步熱退火；選擇性腐蝕；第二步熱退火。本發(fā)明的0.6微米硅化物保護(hù)自對(duì)準(zhǔn)工藝能在不破壞其他的雙極管、功率器件及肖特基器件性能的前提下大大地提高了準(zhǔn)邏輯器件(Standard CMOS)的驅(qū)動(dòng)能力，并大大地降低電路的延遲效應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101211831SQ20061014878
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2006年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月30日
發(fā)明者凱 邵, 游 鄭 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司