專利名稱：自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的發(fā)展，多晶硅線寬及線寬之間的間距正變得越來(lái)越窄，這就對(duì)自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層(Salicide block)在多晶硅線條之間的填充能力問(wèn)題有著越來(lái)越高的要求。當(dāng)填充能力不足時(shí)就會(huì)產(chǎn)生如圖1中所示的情況，由于填充能力的不足而在多晶硅線條之間產(chǎn)生空洞。
同時(shí)，出于對(duì)填充能力的考慮，要求生長(zhǎng)的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層應(yīng)盡量薄，但是這卻又不可避免的會(huì)造成針孔的現(xiàn)象，從而造成對(duì)器件的影響。如圖2所示，由于形成薄的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層而產(chǎn)生的針孔現(xiàn)象，造成在原本需要阻擋硅化物的地方生長(zhǎng)了硅化物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，它可以解決自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層在多晶硅線條之間的填充能力問(wèn)題，并有效克服針孔現(xiàn)象，降低漏電流。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，它包括現(xiàn)有的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝，其中，在生長(zhǎng)二氧化硅層時(shí)，分兩步進(jìn)行，首先，利用CVD(Chemicalvapor desposition化學(xué)汽相淀積)方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅，再利用HDP(High density plasma高密度等離子體)方法在第一層二氧化硅上面生長(zhǎng)第二層二氧化硅。
由于采用本發(fā)明的方法，二氧化硅層的生長(zhǎng)分兩步，并采用不同的工藝形成。由于第二步HDP方法是一種邊生長(zhǎng)邊刻蝕的過(guò)程，所以用HDP方法可以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的填充性能。但是在它的刻蝕過(guò)程中可能會(huì)造成硅片的損傷，因此，在這之前先用CVD方法生長(zhǎng)二氧化硅作為HDP的阻擋保護(hù)層。這樣可以使生長(zhǎng)的二氧化硅層更加致密，同時(shí)又避免了硅片的損傷；同時(shí)，采用不同工藝分兩步生長(zhǎng)二氧化硅層，可以使各層產(chǎn)生的針孔相互錯(cuò)開，從而可以提高自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層在多晶硅線條之間的填充能力問(wèn)題，并有效克服針孔現(xiàn)象，達(dá)到降低漏電流的目的。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
圖1是采用現(xiàn)有的工藝方法生長(zhǎng)的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層由于填充能力不強(qiáng)而產(chǎn)生的缺陷示意圖；圖2是采用現(xiàn)有的工藝方法生長(zhǎng)的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層由于產(chǎn)生針孔而造成的缺陷示意圖；圖3是現(xiàn)有的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層生長(zhǎng)工藝方法流程圖；圖4是本發(fā)明自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層生長(zhǎng)工藝方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示，現(xiàn)有的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層生長(zhǎng)工藝方法包括如下步驟采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積)生長(zhǎng)一層二氧化硅、涂膠、自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化物阻擋層(SAB)掩膜板光罩、進(jìn)行HF(氫氟酸)刻蝕、生長(zhǎng)自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化物(Salicide)層。
本發(fā)明自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層生長(zhǎng)工藝流程如圖4所示，它包括如下步驟采用CVD方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅、利用HDP的方法在第一層二氧化硅上面再生長(zhǎng)第二層二氧化硅、涂膠、SAB掩膜板光罩、進(jìn)行HF刻蝕、生長(zhǎng)Salicide層。
本發(fā)明的工藝流程與現(xiàn)有的工藝流程一樣，首先都是采用CVD的方法生長(zhǎng)一層二氧化硅，但是采用本發(fā)明的方法生長(zhǎng)的第一層二氧化硅，比現(xiàn)有的工藝生長(zhǎng)的二氧化硅層厚度要薄許多，約為現(xiàn)有工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅厚度的1/3左右，約為150-300埃(現(xiàn)有的工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅厚度一般在400-1000埃)。本發(fā)明首先采用CVD的方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅的作用主要是用來(lái)阻擋在隨后采用HDP方法生長(zhǎng)二氧化硅層時(shí)可能造成的損傷。由于CVD方法固有的缺陷，此時(shí)生長(zhǎng)的二氧化硅也必然具有較多的針孔。其次，本發(fā)明在用CVD方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅后，又用HDP的方法生長(zhǎng)第二層二氧化硅，其厚度約為現(xiàn)有工藝流程生長(zhǎng)的二氧化硅厚度的1/2左右，約為200-400埃。由于HDP方法生長(zhǎng)二氧化硅更為致密，所以其針孔的現(xiàn)象得到了很大的改善。雖然用HDP的方法生長(zhǎng)二氧化硅同樣也會(huì)有一定數(shù)量的針孔，但是此時(shí)，由于許多針孔與采用CVD方法生長(zhǎng)的第一層二氧化硅的針孔相互錯(cuò)開，使得針孔的現(xiàn)象出現(xiàn)的幾率降到了最低。同時(shí)，HDP的方法生長(zhǎng)二氧化硅也更耐salicide(自對(duì)準(zhǔn)難溶金屬硅化物)生長(zhǎng)之前HF刻蝕，所以采用本發(fā)明的方法生長(zhǎng)的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層具有更強(qiáng)的阻擋硅化物的性能。
權(quán)利要求
1.一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，包括現(xiàn)有的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝，其特征在于在生長(zhǎng)二氧化硅層時(shí)，分兩步進(jìn)行，首先，利用CVD方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅，再利用HDP方法在第一層二氧化硅上面生長(zhǎng)第二層二氧化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，其特征在于所述第一層二氧化硅的厚度為150-300埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，其特征在于所述第二層二氧化硅的厚度為200-400埃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層的制作工藝方法，先利用CVD的方法生長(zhǎng)第一層二氧化硅，再利用HDP的方法在第一層二氧化硅上面生長(zhǎng)第二層二氧化硅。本發(fā)明可解決自對(duì)準(zhǔn)硅化物阻擋層在多晶硅線條之間的填充能力問(wèn)題，并有效克服針孔現(xiàn)象，達(dá)到降低漏電流的目的。
文檔編號(hào)H01L21/316GK1971857SQ20051011070
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2005年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月24日
發(fā)明者陳華倫, 周貫宇 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司