專利名稱：設(shè)有光提取點(diǎn)狀物陣列的發(fā)光二極管及其制造過(guò)程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管的制造過(guò)程，尤其涉及具有改善光 提取效率的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
己知發(fā)光二極管為由多層結(jié)構(gòu)所組成，此多層結(jié)構(gòu)包括夾于n型 半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層間的發(fā)光層。此發(fā)光層可以是由活性氮化物 半導(dǎo)體化合物所組成的單層或多層結(jié)構(gòu)。施加于發(fā)光二極管電極之間 的電偏壓產(chǎn)生電子和/或空穴的注入，電子和/或空穴流過(guò)n型半導(dǎo)體 層與p型半導(dǎo)體層，并穿越發(fā)光層，在此發(fā)光層中電子/或空穴再結(jié) 合以產(chǎn)生光。自發(fā)光層所生成的光在各方向上傳播，且經(jīng)由每一個(gè)顯 露表面而離開(kāi)此發(fā)光二極管。為有效地實(shí)現(xiàn)其發(fā)光目的，通常需要引 導(dǎo)此光自發(fā)光二極管沿預(yù)定的發(fā)射方向射出。
一般而言，發(fā)光二極管的發(fā)光效率可由多種參數(shù)予以表達(dá)，其中 之一即為光提取效率，也就是射出發(fā)光二極管的光量與發(fā)光二極管產(chǎn) 生的光量的比值。實(shí)際上，由于經(jīng)由組成發(fā)光二極管的不同層的各種 內(nèi)部吸收的原因，射出發(fā)光二極管的光量少于發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光 量。為了增加光提取效率，已知方法之一是在發(fā)光二極管的多層結(jié)構(gòu) 內(nèi)設(shè)置反射層，以沿可用的方向再引導(dǎo)光射出。
為解決上述問(wèn)題，已知方法為在發(fā)光二極管的p型層上形成銀 (Ag)p型電極，此技術(shù)已被美國(guó)專利No.6,194，743所公開(kāi)。銀的高反
射性有益于形成能夠再引導(dǎo)光至襯底的反射P型電極，因此能避免p 型電極的光吸收。
另一種已知方法為將光學(xué)層置入多層結(jié)構(gòu)中，以促使光沿可用光 路徑傳播，此技術(shù)已被美國(guó)專利No.6,657,236所公開(kāi)。光學(xué)層形成以
陣列式排列的光提取元件，以散射自發(fā)光層所發(fā)出的光。美國(guó)專利No.No.6，870，191還揭露另一種技術(shù)，其中發(fā)光二極管 具有被蝕刻以形成凹部與凸部的藍(lán)寶石襯底。因此，自發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生 的光可以通過(guò)凹部與凸部被散射或繞射，進(jìn)而改善光提取率。此襯底 的蝕刻一般需要使用金屬掩膜，其會(huì)形成金屬殘余物，此金屬殘余物 將污染后續(xù)的長(zhǎng)晶步驟，故此方法并不經(jīng)濟(jì)且產(chǎn)生非預(yù)期的污染物。
前述的現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了各種技術(shù)方法，這些技術(shù)方法可能需要更 進(jìn)一步的改善以提高發(fā)光二極管的光強(qiáng)度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所述的發(fā)光二極管及其制造過(guò)程可改善發(fā)光二極管的光 提取效率。
根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光二極管包括以氮化物半導(dǎo)體組成的多層結(jié)構(gòu)， 此多層結(jié)構(gòu)堆疊在襯底上且包括發(fā)光層；多個(gè)電極，其提供驅(qū)動(dòng)電流 以點(diǎn)亮發(fā)光二極管；以及整合至多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層，其形成以陣列排 列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
根據(jù)實(shí)施例，光提取點(diǎn)狀物陣列包括并置的六角形圖案。在一些 例子中，光學(xué)層組成包括SiOx、 SiNx、 Si3N4、 SiC、 SiOxNy、 ZnSe、 Ti02或Ta20s等材料。在一些實(shí)施例中，光學(xué)層的厚度為小于800A， 且優(yōu)選地為約500A。在另一些實(shí)施例中，光提取點(diǎn)狀物具有六邊形 的表面區(qū)域。在一些變換中，發(fā)光二極管具有高于150mcd的光強(qiáng)度。
本案還公開(kāi)了形成發(fā)光二極管的制造工藝。根據(jù)實(shí)施例，此制造 過(guò)程包括形成具有至少一個(gè)發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)；形成用以提供驅(qū)動(dòng) 電流流經(jīng)多層結(jié)構(gòu)的電極；以及形成整合至多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層，且該 光學(xué)層包括以陣列排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
在一些實(shí)施例中，該制造過(guò)程包括在多層結(jié)構(gòu)的兩層之間的界面 上形成光學(xué)層。在一些應(yīng)用的例子中，光學(xué)層形成在襯底的表面上； 接著圖案化該光學(xué)層以形成基本上等距離的光提取點(diǎn)狀物陣列；以及 在該光學(xué)層上堆疊包括發(fā)光層在內(nèi)的多個(gè)層。
在一些變化中，該制造過(guò)程還包括形成覆蓋該光學(xué)層的緩沖層， 以及在此緩沖層上形成多個(gè)氮化半導(dǎo)體層。 在一些例子中，圖案化該光學(xué)層以形成基本上等距離的光提取點(diǎn) 狀物陣列的步驟中，包括執(zhí)行光刻過(guò)程以形成光阻圖案，再經(jīng)由光阻 圖案進(jìn)行蝕刻。
上述的描述為本發(fā)明的簡(jiǎn)示，且不應(yīng)被用來(lái)限制權(quán)利要求的范 圍，在此公開(kāi)的方法與結(jié)構(gòu)可被應(yīng)用于許多方式中，且在不違背本發(fā) 明與其廣泛觀點(diǎn)下，可進(jìn)行改變與修飾。如同權(quán)利要求所定義的，其 它的觀點(diǎn)、創(chuàng)造性的特征與本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將在下列的非限制性的詳細(xì) 描述中敘述。


圖1A至圖1H為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成發(fā)光二極管的制造 過(guò)程的示意圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，以陣列圖案所設(shè)置的光提取點(diǎn)狀物 的示意圖3為顯示發(fā)光二極管的特性參數(shù)根據(jù)本發(fā)明而分布的光提取 點(diǎn)狀物陣列圖案的厚度而變化的數(shù)據(jù)圖表；以及
圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用以評(píng)估發(fā)光二極管的光強(qiáng)度的系 統(tǒng)的示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
102:藍(lán)寶石襯底
104:光學(xué)層
106:光提取圖案
107:光提取點(diǎn)狀物
跳緩沖層
110:n型接觸層
112:發(fā)光層
114:p型接觸層
116:透明導(dǎo)電層
118、119:電極
120:鈍化層
D:樣品 S:感光器 P:測(cè)試平臺(tái)
具體實(shí)施例方式
本申請(qǐng)案描述一種發(fā)光二極管及其制造過(guò)程，其能改善發(fā)光二極 管的光提取效率及光亮度。發(fā)光二極管以多層結(jié)構(gòu)組成，其中包括多 層氮化物半導(dǎo)體化合物。此多層結(jié)構(gòu)含有被圖案化為多個(gè)光提取點(diǎn)狀 物組成的陣列的光學(xué)層，用以有效地折射與散射光改善光提取。本發(fā)
明敘述中的"氮化物半導(dǎo)體化合物"是指GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN或以至少Al、 In、 Ga與N等元素所組成的類似化合物。
圖1A至圖1H為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制造發(fā)光二極管的方法的 示意圖。在圖1A中，藍(lán)寶石襯底102起初經(jīng)過(guò)溫度清理過(guò)程。根據(jù) 實(shí)施例，此溫度清理過(guò)程包括加熱襯底102至高于1000。C的溫度， 同時(shí)于保持在1000毫帕(mbar)壓力環(huán)境中，以每分鐘約5標(biāo)準(zhǔn)公升 (standard liter per min， slm)導(dǎo)入氫氣(H2)及/或氮?dú)?N2)。對(duì)本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言顯而易知的是，襯底可以由其它合適透明材料組成，例如 硅、碳化硅(SiC)或其類似者。
參考圖1B，光學(xué)層104形成在襯底102上，在本發(fā)明的實(shí)施例 中，光學(xué)層104由二氧化硅(Si02)所制成。更一般地說(shuō)，其它化合物 材料也可能適用，包括SiOx、 SixNy(例如Si3N4)、 SiC、 SiOxNy、 ZnSe、 1102或1^05，其中x與y是指在每一化合物中適合的元素?cái)?shù)比。參 考附圖中的實(shí)施例，二氧化硅是通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成在襯底102的 表面上的，其中濺鍍或氣相技術(shù)亦可能用以形成二氧化硅。
參考圖1C，光學(xué)層104透過(guò)合適圖案層被蝕刻，以在襯底102 表面上形成陣列形式光提取圖案106。圖案層可為光阻層，其依據(jù)光 刻技術(shù)沉積、曝光與顯影形成光阻圖案。光提取圖案106優(yōu)選地包括 多個(gè)光提取點(diǎn)狀物107，其以陣列形式排列在襯底102表面上，其中 光提取點(diǎn)狀物的優(yōu)選分布圖案將參照?qǐng)D2在以下進(jìn)一步描述。
參考圖1D，緩沖層108形成在光提取圖案106上。在實(shí)施例中，
緩沖層108以非摻雜GaN組成，其由足以覆蓋光提取點(diǎn)狀圖案106 的厚度形成于襯底102的表面上。其它的材料，例如AlGaN、 InGaN、 AlInGaN或其類似氮化物半導(dǎo)體化合物亦適于作為緩沖層108，此緩 沖層108是用以降低襯底102與具有后續(xù)形成于其上的氮化物半導(dǎo)體 層的光提取圖案106之間的晶格不匹配。緩沖層108可由有機(jī)金屬化 學(xué)氣相沉禾只(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)、氣相 夕卜延(vapor phase epitaxy, VPE)或分子束夕卜延(molecular beam epitaxy, MBE)技術(shù)進(jìn)行沉積。
接下來(lái)參考圖1E，在緩沖層108上堆疊多層結(jié)構(gòu)。在此實(shí)施例 中，多層結(jié)構(gòu)包括n型接觸層110、發(fā)光層112、 p型接觸層114與透 明導(dǎo)電層116。 n型接觸層110、發(fā)光層112、 p型接觸層114可通過(guò) 使用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積、氣相外延或分子束外延技術(shù)形成。透明 導(dǎo)電層116可為透明導(dǎo)電氧化物，例如由濺鍍所形成的氧化銦錫。
本說(shuō)明的實(shí)施例中，n型接觸層110例如為通過(guò)使用三甲基鎵 (TMG)、氨氣(NH3)及硅甲烷(SiH4)的有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD) 技術(shù)所形成的摻雜硅的n型摻雜元素的GaN。發(fā)光層112可包括由阻 擋層與阱層交叉堆疊(未顯示)形成多重量子井結(jié)構(gòu)，此阻擋層與阱層 包括通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積的氮(N)、銦(In)與鎵(Ga)的 氮化物半導(dǎo)體化合物。此p型接觸層114可包括通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣 相沉積技術(shù)所形成的鎂(Mg)摻雜雜質(zhì)的GaN。沉積條件可被調(diào)整以 使得p型接觸層114被沉積時(shí)具備活性摻雜雜質(zhì)，因此無(wú)需后續(xù)進(jìn)行 退火過(guò)程。
參考圖1F，將包括透明導(dǎo)電層116、p型接觸層114與發(fā)光層112 的部分區(qū)域蝕刻，直至顯露部份的n型接觸層110。
參考圖1G，在n型接觸層110的顯露區(qū)域上形成n型電極118， 且在p型接觸層116上形成p型電極119。
參考圖1H，形成密封鈍化層120以覆蓋透明導(dǎo)電層116與n型 GaN層110的顯露區(qū)域并外露電極118與119。鈍化層120可由例如 Si02所組成，外露電極118與119可經(jīng)由導(dǎo)電線或覆晶設(shè)置連接至電 源，以驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的發(fā)光。驅(qū)動(dòng)電流生成電子與空穴穿過(guò)n型接
觸層llO與p型接觸層114而移動(dòng)并于發(fā)光層112中再結(jié)合以產(chǎn)生光。
圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的陣列式光提取點(diǎn)狀圖案的平面圖。光 提取圖案106包括多個(gè)光提取點(diǎn)狀物107，其一致地以陣列式設(shè)置于 襯底102的表面上。光提取點(diǎn)狀物107優(yōu)選地以等距離設(shè)置，其中每 一光提取點(diǎn)狀物與其鄰近光提取點(diǎn)狀物為等距。換句話說(shuō)，在陣列圖 案中，每一對(duì)臨近的光提取點(diǎn)狀物107具有相同的點(diǎn)間距離"g"。
在說(shuō)明的實(shí)施例中，光提取點(diǎn)狀物107例如以六邊形圖案并列設(shè) 置，其中光提取點(diǎn)狀物107分別置于每一六邊形的角落與中心，兩鄰 近的光提取點(diǎn)之間的距離"g"為約0.5微米到10微米之間。如同圖2 所示，投影于平行于襯底的平面的光提取點(diǎn)狀物107可為環(huán)形(a)、矩 形(b)、六邊形(c)或八邊形(d)。每一光提取點(diǎn)狀物107的大小可通過(guò) 外接于每一光提取點(diǎn)狀物且具有約3微米直徑的外接圓所近似。由此 設(shè)置的光提取點(diǎn)狀物107的圖案分布可有效地反射與散射光，以改善 光提取效率。初期的測(cè)試顯示，將光提取點(diǎn)狀物107的陣列圖案設(shè)為 約2微米點(diǎn)間的距離及六邊形(c)的圖案時(shí)可改善光提取率。
本發(fā)明的發(fā)明人所進(jìn)行的研究顯示，光提取圖案的另一因素決定 發(fā)光二極管的光提取效率。
現(xiàn)參考圖3與圖4，以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例描述進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)，其 根據(jù)光提取圖案的不同厚度測(cè)量光提取效率。發(fā)光二極管的樣品以相 同的制造工藝形成，此制造過(guò)程例如為圖1A至圖1H所示的實(shí)施例。 每一樣品因光提取圖案的厚度而有差異，光提取圖案例如由Si02所 組成，且根據(jù)上述的光提取點(diǎn)狀的等距設(shè)置分布。為測(cè)量每一樣品的 發(fā)光，20毫安(mA)的固定電流被施加到發(fā)光二極管的每一樣品上。 圖4示出了測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用的實(shí)施例，其中平臺(tái)P上用以設(shè)置每一樣品 D，感光器S則用以測(cè)量樣品D因接收固定電流所發(fā)出的光強(qiáng)度。
圖3的圖表集結(jié)了測(cè)試實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，其中光強(qiáng)度以及其它代表性 的發(fā)光二極管的電參數(shù)已被測(cè)量。圖表中第一行"晶片編號(hào)"指的是 樣品編號(hào)，第二行指的是在每一樣品中，光提取圖案以埃(A)所表示 的厚度。在圖表中所測(cè)試的電特性之間，以伏特表示的"Vfm"指的是 發(fā)光二極管的初始傳導(dǎo)電壓，"Vf"是用于點(diǎn)亮發(fā)光二極管的前向偏
壓，"Vr"是發(fā)光二極管崩潰狀態(tài)的反向偏壓，"V'是以微安培表示的
泄漏電流，"Iv"是以毫燭光(mimcandela， mcd)表示的發(fā)光二極管的光 強(qiáng)度，"V'是主波長(zhǎng)而"、"是尖峰波長(zhǎng)，這兩者的特性是以納米 (nanometer, nm)表示，且用以指出發(fā)光二極管的色發(fā)射。在此實(shí)驗(yàn)中， 樣品例如為發(fā)射于藍(lán)光范圍的發(fā)光二極管。
在圖3的圖表中，就約500A的光提取圖案的厚度(樣品3)而言， 可觀察到約150.2毫燭光的最大光強(qiáng)度，主波長(zhǎng)、則約458納米。相 較下，無(wú)光提取圖案的參考樣品(樣品l)所發(fā)出的光強(qiáng)度約126mcd， 設(shè)有厚度約800 A的光提取圖案(樣品4)的光強(qiáng)度則約135.5mcd。隨 光提取圖案的厚度增加至分別為1100A(樣品5)、 1500A(樣品6)與 2500A(樣品7)，觀察到的光強(qiáng)度對(duì)厚度約800A的光提取圖案并無(wú)大 幅地改變，尤其如果考慮到測(cè)試及/或測(cè)量誤差。設(shè)有厚度約3500A 的光提取圖案(樣品8)，其發(fā)光二極管的光強(qiáng)度值反而降低至 124.9mcd。
圖3的圖表也顯示電特性Vfm、 Vf、 ^與L具有微小變化，其指
出發(fā)光二極管的電特性不受光提取圖案的厚度改變所影響。 根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行的測(cè)試而顯示，光提取圖案的層厚度可改變發(fā)光
二極管的光強(qiáng)度。因此，根據(jù)圖3的結(jié)果，改善的發(fā)光二極管需應(yīng)用 光提取圖案的特定厚度范圍，此特定厚度范圍為小于800A且優(yōu)選地 為約500A。根據(jù)實(shí)施例，生產(chǎn)時(shí)，以500A為參考值，可能設(shè)定的 厚度范圍例如約400A至600A間，此范圍可視需要而增寬，以配合 制造過(guò)程或設(shè)計(jì)的需求。
根據(jù)此發(fā)明，通過(guò)形成陣列式的光提取點(diǎn)狀物，增進(jìn)了光提取， 進(jìn)而改善了發(fā)光二極管的光強(qiáng)度。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可輕易地 明了根據(jù)本發(fā)明的光提取圖案所提供的改善特性可應(yīng)用于任何發(fā)光 二極管。尤其本發(fā)明的光提取圖案可應(yīng)用于具有不同多層結(jié)構(gòu)的發(fā)光 二極管。除此外，該層光提取點(diǎn)狀物可設(shè)置于發(fā)光二極管的不同層次 (levd)，以配合光發(fā)射的不同方向。
因此對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)已經(jīng)在特定實(shí)施例的內(nèi)容中進(jìn)行了描 述，這些實(shí)施例是用作示例性的而非限制性的。許多變化、修飾、加
添與改善是可能存在的，由此，在此多個(gè)例子可被部分地提供以作為 單一例子，在示例性的架構(gòu)中，以分立元件呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)與功能可被以 組合結(jié)構(gòu)或元件應(yīng)用。這些與其它變化、修飾、添加與改善可以落入 附帶的權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管，其包括多層結(jié)構(gòu)，其包括堆疊在襯底表面上的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層；多個(gè)電極，其用于提供流經(jīng)所述多層結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流；以及光學(xué)層，其被整合至所述多層結(jié)構(gòu)，其中，所述光學(xué)層形成以陣列排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn) 狀物具有小于約800A的厚度。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光學(xué)層由包括 SiOx、 SixNy、 SiC、 SiOxNy、 ZnSe、 Ti02或Ta205等材料所組成的化 合物，其中x與y為化學(xué)元素比率。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，在所述多層結(jié)構(gòu)的 兩個(gè)材料層之間的界面配置有所述光提取點(diǎn)狀物的陣列。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光提取點(diǎn)狀物 的陣列包括以并置的六邊形圖案分布所述光提取點(diǎn)狀物。
6、 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn) 狀物設(shè)置于每一個(gè)六邊形圖案的角落與中間。
7、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光提取節(jié)點(diǎn)具 有六邊形的形狀。
8、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述發(fā)光二極管的 光強(qiáng)度大于約150mcd。
9、 一種形成發(fā)光二極管的制造過(guò)程，其包括 形成包括至少一個(gè)發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)；形成用以提供流經(jīng)所述多層結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流的電極；以及 形成整合至所述多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層，其中所述光學(xué)層包括以陣列 排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
10、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn)狀 物具有小于約800A的厚度。
11、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，在形成整合至所述多 層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層的步驟中，包括在多層結(jié)構(gòu)中的兩層之間的界面形成 所述光學(xué)層。
12、 如權(quán)利要求11所述的制造過(guò)程，其中，形成整合至所述多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層的步驟包括-在襯底的表面上形成光學(xué)層；圖案化所述光學(xué)層，以形成基本上等距離的光提取點(diǎn)狀物的陣 列；以及在所述光學(xué)層上堆疊包括所述發(fā)光層的多層材料層。
13、 如權(quán)利要求12所述的制造過(guò)程，其中，在所述光學(xué)層上堆 疊包括所述發(fā)光層的多層材料層的步驟中，包括形成覆蓋所述光學(xué)層的緩沖層；以及 在所述緩沖層上形成多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層。
14、 如權(quán)利要求12所述的制造過(guò)程，其中，圖案化所述光學(xué)層 以形成基本上等距離的光提取點(diǎn)狀物的陣列的步驟中，包括執(zhí)行光刻 過(guò)程以形成光阻圖案，再經(jīng)由所述光阻圖案進(jìn)行蝕刻。
15、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述光學(xué)層組成包括 SiOx、 SixNy、 SiC、 SiOxNy、 ZnSe、 Ti02或Ta205等材料組成，其中 x與y為化學(xué)元素比率。
16、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述光提取點(diǎn)狀物的 陣列包括以并置的六邊形圖案分布所述光提取點(diǎn)狀物。
17、 如權(quán)利要求16所述的制造過(guò)程，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn) 狀物設(shè)置在每一個(gè)六邊形圖案的角落與中間。
18、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，至少一個(gè)光提取點(diǎn)狀 物具有六邊形的形狀。
19、 如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述發(fā)光二極管的光 強(qiáng)度大于約150mcd。
全文摘要
一種發(fā)光二極管，其包括被整合至多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層，此光學(xué)層形成以陣列排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。光提取點(diǎn)狀物的陣列包括并置的六邊形圖案的分布，光提取點(diǎn)狀物的層厚度小于800，且優(yōu)選地為約500。
文檔編號(hào)H01L33/20GK101097975SQ20061016591
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者張瑞正, 李家銘, 綦振瀛, 陳世玲, 陳宗良 申請(qǐng)人:泰谷光電科技股份有限公司