專利名稱：納米線存儲器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體存儲器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種具有納米線作為存儲節(jié)點的存儲器件及其制造方法。
背景技術：
最近，大部分存儲器件是具有現(xiàn)有的非易失存儲器件和易失存儲器件的優(yōu)點的復合(fused)存儲器件。復合存儲器件的示例包括鐵電RAM(FRAM)、磁RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)和電阻RAM(RRAM)。在存儲節(jié)點的結構中可以發(fā)現(xiàn)FRAM、MRAM、PRAM和RRAM之間的差別。
已經(jīng)引入了復合存儲器件的另一示例即碳納米管存儲器件。碳納米管存儲器件使用碳納米管作為存儲節(jié)點來保持非易失特性。
由于碳納米管存儲器件使用碳納米管作為存儲節(jié)點，與FRAM、MRAM、PRAM和RRAM相比，存儲節(jié)點的體積可以減小。此外，在碳納米管存儲器件中，使用合成電場形成碳納米管。因此，碳納米管可以形成在正確位置。
然而，在碳納米管存儲器件中(此后稱為常規(guī)存儲器件)，應當直接減小電極的尺寸以減小碳納米管之間的間距，而在進行此工藝時存在困難。
此外，應該調節(jié)碳納米管的長度從而提高可操作單元的產(chǎn)量。然而，在常規(guī)存儲器件中，難以調節(jié)碳納米管的長度。
此外，在常規(guī)存儲器件中，所有電極水平設置在相同平面上。因此，在提高集成度方面存在限制。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了可以提高電極的集成度的納米線存儲器件，在納米線存儲器件制造工藝中，納米線之間的間距可以減小而電極尺寸不減小且納米線長度可以減小。
本發(fā)明還提供了制造納米線存儲器件的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種存儲器件，包括襯底；形成在襯底上的第一電極；從第一電極末端延伸預定長度的第一納米線；在第一電極上以交疊第一電極的第二電極；和在與第一納米線相同方向上從對應于第一電極末端的第二電極末端延伸預定長度的第二納米線，其中在第一和第二電極之間存在絕緣層。
襯底可以包括依次堆疊的基底襯底和絕緣襯底。
第一和第二電極可以僅部分交疊。
此外，第一和第二納米線可以是碳納米管。
可以在襯底上進一步提供包括第一和第二電極以及第一和第二納米線的至少一組。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種存儲器件，包括襯底；在襯底上彼此分開預定間距的第一和第二下電極；連接第一和第二下電極的第一納米線；在第一下電極上以交疊第一下電極的第一上電極；在第二下電極上以交疊第二下電極的第二上電極；和連接第一和第二上電極的第二納米線，其中第一和第二上電極從第一和第二下電極分開相同間距，且在第一下電極和第一上電極之間以及第二下電極和第二上電極之間存在絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了制造存儲器件的方法，該方法包括在襯底上形成第一和第二電極以彼此交疊并彼此絕緣；在襯底上形成分別面對第一和第二電極的第一和第二偽電極以彼此交疊并彼此絕緣；形成連接第一電極和第一偽電極的第一納米線；形成連接第二電極和第二偽電極的第二納米線；形成以相同長度覆蓋第一和第二電極并覆蓋第一和第二納米線的掩模；和除去未被掩模覆蓋第一和第二偽電極和第一和第二納米線，并除去掩模。
形成第一和第二電極可以包括在襯底上形成第一電極；在襯底上形成覆蓋第一電極的絕緣夾層；在絕緣夾層上形成第二電極；和除去第一和第二電極周圍的絕緣夾層。
除去絕緣夾層還可以包括過度蝕刻襯底中未設置第一和第二電極的區(qū)域。
在襯底上形成第一和第二偽電極可以包括在襯底上形成覆蓋第一和第二電極的第一光致抗蝕劑層；在第一光致抗蝕劑層上形成第一偽電極；在第一光致抗蝕劑層上形成覆蓋第一偽電極的第二光致抗蝕劑層；在第二光致抗蝕劑層上形成第二偽電極；和除去第一和第二偽電極周圍的第一和第二光致抗蝕劑層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造存儲器件的方法，該方法包括在襯底上形成分開預定間距的第一和第二下電極；形成連接第一和第二下電極的第一納米線；在襯底上形成覆蓋第一和第二下電極以及第一納米線的掩模；在掩模上形成交疊第一下電極的第一上電極和交疊第二下電極的第二上電極，使得第一上電極和第二上電極分開預定間距，該預定間距與第一和第二下電極之間的預定間距相同；形成連接第一和第二上電極的第二納米線；和除去第一和第二上電極周圍的掩模。


通過參考附圖對本發(fā)明的示范性實施例的詳細描述，本發(fā)明的上述和其他方面將變得更為明顯，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的納米線存儲器件的平面圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1沿線I-I’所取的側視圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1沿線II-II’所取的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的納米線存儲器件的平面圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3沿線III-III’所取的側視圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3沿線IV-IV’所取的剖面圖；圖5到13是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1所示的納米線存儲器件的制造方法的剖面圖和平面圖；以及圖14到19是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3所示納米線存儲器件的制造方法的剖面圖和平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示范性實施例。在附圖中，為了清楚而夸大了層和區(qū)域的厚度。
首先，將描述根據(jù)本發(fā)明實施例的納米線存儲器件(此后稱為第一存儲器件)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的納米線存儲器件的平面圖，圖2A是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1沿線I-I’所取的側視圖，且圖2B是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1沿線II-II’所取的剖面圖。
參考圖1，第一和第二電極42和44設置在絕緣襯底40上。絕緣襯底40例如可以是SiO2襯底。絕緣襯底40的第一區(qū)A1是在納米線存儲器件制造工藝中形成的過度蝕刻部分。過度蝕刻部分的絕緣襯底40的厚度小于絕緣襯底40上設置第一和第二電極42和44的區(qū)域的厚度。第一和第二電極42和44例如可以是由Au形成的電極。為了優(yōu)異的附著性，第一和第二電極42和44可以由鉻層和Au層形成。第一和第二電極42和44彼此平行。在第一和第二電極42和44彼此平行的狀態(tài)下，第二電極44的一部分交疊第一電極42的一部分。第一電極42的一端被處理為圓形。第一納米線46連接到第一電極42的圓形端。第一納米線46從第一電極42的圓形端延伸預定長度。第二電極44的一端被處理為圓形且第二電極44的圓形端與第一電極42的圓形端在相同方向。第二納米線48連接到第二電極44的圓形端。第二納米線48從第二電極44的圓形端延伸預定長度。第二納米線48的長度可以與第一納米線46的長度相同。第一和第二納米線46和48彼此平行。第一和第二納米線46和48可以是碳納米管。然而，第一和第二納米線46和48可以是除諸如碳納米管的納米線的納米線。
參考圖2A和2B，絕緣襯底40設置在基底襯底38上?；滓r底38例如可以是半導體襯底。一部分第二電極44位于第一電極42上方。絕緣夾層50設置在第一和第二電極42與44之間。絕緣夾層50也設置在第二電極42與絕緣襯底40之間，如圖2B所示。絕緣夾層50例如可以是SiO2層。由于該絕緣夾層50，第一和第二電極42和44彼此電絕緣。然而，當?shù)谝缓偷诙{米線46和48彼此接觸時，第一和第二電極42和44彼此電連接。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的納米線存儲器件(此后稱為第二存儲器件)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的納米線存儲器件的平面圖，圖4A是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的圖3沿線III-III’所取的側視圖，且圖4B是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3沿線IV-IV’所取的剖面圖。
參考圖3，第一和第二下電極62和64設置在絕緣襯底60上。絕緣襯底60例如可以是SiO2層。第一和第二下電極62和64彼此面對并彼此分開預定間距。絕緣襯底60未設置第一和第二下電極62和64部分的厚度小于設置第一和第二下電極62和64部分的厚度(見圖4A和4B)。這是由制造工藝中過度蝕刻納米線存儲器件引起的。分開的第一和第二下電極62和64通過第一納米線66彼此連接。通過第一納米線66彼此連接的第一和第二下電極62和64的端部被處理成圓形。第一納米線66可以是與第一存儲器件的第一和第二納米線46和48相同的材料。此外，第一和第二下電極62和64可以是與第一存儲器件的第一和第二電極42和44相同的材料。
接著，第一上電極72設置在第一下電極62上，且第二上電極74設置在第二下電極64上。第一下電極62和第一上電極72彼此分開預定距離。此外，第二下電極64和第二上電極74彼此分開預定距離。
第一上電極72可以具有與第一下電極62相同的形狀和材料。此外，第二上電極74可以具有與第二下電極64相同的形狀和材料。然而，一部分第一上電極72交疊一部分第一下電極62。此外，一部分第二上電極74交疊一部分第二上電極64。第一和第二上電極72和74之間的距離可以與第一和第二下電極62和64之間的距離相同。分開的第一和第二上電極72和74通過第二納米線76彼此連接。第二納米線76可以與第一納米線66的材料相同。
參考圖4A和4B，絕緣襯底60設置在基底襯底58上。溝槽G形成在絕緣襯底60中(見圖4A)。絕緣襯底60形成有溝槽G之處的厚度小于其他區(qū)域。第一和第二納米線66和76越過溝槽G并與絕緣襯底60分開。絕緣夾層80設置在第一下電極62與第一上電極72之間以及第二下電極64與第二上電極74之間。因此，當?shù)谝缓偷诙{米線66和76彼此分開時，第一下電極62和第一上電極72彼此電絕緣且第二下電極64和第二上電極74也彼此電絕緣。絕緣夾層80例如可以是光致抗蝕劑層。絕緣夾層80也設置在第一上電極72未交疊第一下電極62的第一上電極72的部分與絕緣襯底60之間。此外，絕緣夾層80還設置在第二上電極74未交疊第二下電極64的第二上電極74的部分與絕緣襯底60之間。
現(xiàn)在將描述制造第一和第二存儲器件的方法。
首先，將描述第一存儲器件的制造方法。
圖5到13是示出制造根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1所示的納米線存儲器件的方法的剖面圖和平面圖，其中下圖是平面圖且上圖是沿平面圖的線B-B’所取的剖面圖。
參考圖5，絕緣襯底40形成在基底襯底38上?；滓r底38可以是半導體襯底。絕緣襯底40例如可以由氧化硅膜形成。第一電極42形成在絕緣襯底40上的預定區(qū)域中。第一電極42可以由Au形成。鉻層(未顯示)可以進一步形成為第一電極42與絕緣襯底40之間的附著層。第一電極42的一端形成為圓形，如圖5的下圖平面圖所示。
參考圖6，覆蓋第一電極42的絕緣夾層50形成在絕緣襯底40上。絕緣夾層50例如可以由氧化硅膜形成。在此實施例中，絕緣夾層50可以使用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成。在絕緣夾層50的表面被平面化之后，第二電極44形成在絕緣夾層50上的預定區(qū)域中，如圖7所示。第二電極44可以具有與第一電極相同的形狀和材料。如圖7下圖的平面圖所示，第二電極44形成在第一電極42附近且一部分第二電極44交疊第一電極42。然后，可以調節(jié)交疊程度。在形成第二電極44之后，絕緣夾層50被干法蝕刻直到暴露絕緣襯底，其蝕刻速度比第一和第二電極42和44的蝕刻速度高。
絕緣襯底40的A1區(qū)被過度蝕刻。結果，如圖8所示，在未形成第一和第二電極42和44的區(qū)域A1中絕緣襯底40的厚度小于形成第一和第二電極42和44的區(qū)域的厚度。
接著，參考圖9，覆蓋第一和第二電極42和44的第一光致抗蝕劑層沉積在絕緣襯底40上。然后第一光致抗蝕劑層被烘烤并硬化。第一偽電極42a形成在硬化的第一光致抗蝕劑層55上。第一偽電極42a面對第一電極42，如圖9的平面圖所示。此外，第一偽電極42a形成為與第一電極42相同的形狀和相同材料。
參考圖10，覆蓋第一偽電極42a的第二光致抗蝕劑層沉積在第一光致抗蝕劑層上。接著，第二光致抗蝕劑層被烘烤并硬化。第二偽電極44a形成在硬化的第二光致抗蝕劑層57上。第二偽電極44a可以由與第二電極44相同的材料形成并具有相同形狀。一部分第二電極44交疊一部分第一電極42，而且一部分第二偽電極44a交疊一部分第一偽電極42a。第一和第二偽電極42a和44a從第一和第二電極42和44分開。此外，第一和第二偽電極42a和44a分別面對第一和第二電極42和44。在形成第二偽電極44a之后，曝光并顯影第一偽電極42a周圍的第一光致抗蝕劑層55和第二偽電極44a周圍的第二光致抗蝕劑層57。
結果，如圖11所示，除了第一偽電極42a和第二偽電極44a以下的部分之外，硬化的第一和第二光致抗蝕劑層55和57被從所有的區(qū)域移除，使得暴露第一和第二電極42和44以及第一和第二偽電極42a和44a的部分。在這種狀態(tài)下，第一納米線46形成在第一電極42與第一偽電極42a之間。此外，第二納米線48形成在第二電極44與第二偽電極44a之間。第一和第二納米線46和48可以是納米線以外的碳納米管。第一和第二納米線46和48可以使用合成電場形成。此時，第一和第二納米線46和48可以形成為不同長度。
在第一和第二納米線46和48形成之后，為了使第一和第二納米線46和48的長度相同，沉積第三光致抗蝕劑層90以覆蓋第一和第二電極42和44以及一部分第一和第二納米線46和48，如圖12所示。在此實施例中，第三光致抗蝕劑層90覆蓋第一和第二納米線46和48，從而第一和第二納米線46和48可以具有距第一和第二電極42和44相同的長度。使用第三光致抗蝕劑層90作為蝕刻掩模將暴露的第一和第二偽電極42a和44a以及暴露的第一和第二納米線46和48除去。然后，第三光致抗蝕劑層90也被除去。結果，如圖13所示，連接到第一和第二電極42和44的第一和第二納米線46和48長度相等。
現(xiàn)在將描述制造第二存儲器件(見圖3)的方法。
圖14到19是示出制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3所示的納米線存儲器件的方法的剖面圖和平面圖，其中下圖是平面圖且上圖是沿平面圖的線B-B’所取的剖面圖。
參考圖14，絕緣襯底60形成在基底襯底58上。基底襯底58可以是半導體襯底。絕緣襯底60例如可以由氧化硅膜形成。第一和第二下電極62和64形成在絕緣襯底60上。第一和第二下電極62和64彼此分開預定的水平間距。第一和第二下電極62和64例如可以由導電材料Au形成。此外，鉻層也可以進一步形成為第一和第二下電極62和64與絕緣襯底60之間的附著層(未顯示)。第一和第二下電極62和64彼此面對的部分可以形成為圓形。
參考圖15，溝槽G通過干法蝕刻形成在第一和第二下電極62和64之間的絕緣襯底60中。結果，絕緣襯底60形成溝槽G之處的厚度小于形成第一和第二下電極62和64之處的厚度。
在形成溝槽G之后，如圖16所示，形成用于彼此連接第一和第二下電極62和64的第一納米線66。第一納米線66可以具有與如在第一存儲器件的制造方法中所述的第一納米線46相同的材料。
接著，如圖17所示，覆蓋第一和第二下電極62和64以及第一納米線66的的光致抗蝕劑層沉積在絕緣襯底60上并被烘烤，使得能夠形成硬化的光致抗蝕劑層100。
參考圖18，第一和第二上電極72和74形成在硬化的光致抗蝕劑層100上。第一和第二上電極72和74可以具有與第一和第二下電極62和64相同的形狀和材料。第一上電極72形成在第一下電極62上以平行于第一下電極62，使得僅部分第一上電極72交疊第一電極62。此外，第二上電極74形成在第二下電極64上以平行于第二下電極64，使得僅部分第二上電極74交疊第二下電極64。第一和第二上電極72和74從第一和第二下電極62和64分開相同間距。第一和第二上電極72和74通過第二納米線76彼此連接。第二納米線76可以形成為與第一納米線66相同的形式。接著，由第一和第二上電極72和74暴露的一部分硬化的光致抗蝕劑層100被顯影并除去。結果，如圖19所示，分別形成垂直堆疊從而部分交疊的上和下電極72和62以及74和64、以及連接上電極72和74與下電極62和64的第一和第二納米線66和76。
第二納米線76也可以在除去硬化的光致抗蝕劑層100之后形成。
雖然在本發(fā)明的上述實施例中已經(jīng)具體示出了許多方面，但不應理解為局限于此處給出的實施例，而是，這些方面應該被理解為是示范性實施例的示例。例如，本領域的普通技術人員可以將圖1或3所示的存儲器件在襯底上排列成矩陣形式。此外，當電極被處理成與圖1和3所示形狀不同的形狀時，容易形成納米線(碳納米管)，且如果產(chǎn)量可以增加，電極形狀可以被處理成不同形狀。此外，納米線可以被碳納米管的納米結構所取代，例如碳納米線、碳納米纖維、硅納米線或GaAs納米線等。此外，如果垂直堆疊的上和下電極的厚度足夠防止納米線之間的自然接觸，則垂直堆疊的電極可以形成為完全彼此交疊。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的納米線存儲器件及其制造方法中，由于使用合成電場形成納米線，納米線可以形成在正確位置。如圖1和3所示，由于電極垂直堆疊，與常規(guī)碳納米管存儲器件相比，集成度可以提高。此外，由于連接相鄰電極的納米線的長度可以形成為預定長度，可操作的存儲單元的產(chǎn)量可以提高。此外，調節(jié)垂直堆疊的電極的交疊程度從而可以調節(jié)納米線之間的間距。
雖然參考本發(fā)明的示范性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但本領域的技術人員應該理解可以進行各種形式和細節(jié)的改變而不脫離由權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種存儲器件，包括襯底；第一電極，形成在所述襯底上；第一納米線，從所述第一電極末端延伸預定長度；第二電極，在所述第一電極上以交疊所述第一電極；和第二納米線，沿與所述第一納米線相同的方向從對應于所述第一電極末端的所述第二電極末端延伸預定長度，其中在所述第一和第二電極之間存在絕緣層。
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，其中所述襯底包括依次堆疊的基底襯底和絕緣襯底。
3.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，其中所述第一和第二電極僅部分交疊。
4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，其中所述第一和第二納米線是碳納米管。
5.根據(jù)權利要求1所述的存儲器件，還包括至少一組，該組包括在所述襯底上的第一和第二電極以及第一和第二納米線。
6.一種存儲器件，包括襯底；在所述襯底上的第一和第二下電極，彼此分開預定距離；第一納米線，連接所述第一和第二下電極；第一上電極，在所述第一下電極上以交疊所述第一下電極；第二上電極，在所述第二下電極上以交疊所述第二下電極；和第二納米線，連接所述第一和第二上電極，其中所述第一和第二上電極與所述第一和第二下電極分開相同間距，且在所述第一下電極與所述第一上電極之間以及所述第二下電極與所述第二上電極之間存在絕緣層。
7.根據(jù)權利要求6所述的存儲器件，其中所述襯底包括依次堆疊的基底襯底和絕緣襯底。
8.根據(jù)權利要求7所述的存儲器件，其中在所述第一和第二下電極之間的絕緣襯底中形成溝槽。
9.根據(jù)權利要求6所述的存儲器件，其中所述第一和第二上電極分別僅部分交疊所述第一和第二下電極。
10.根據(jù)權利要求6所述的存儲器件，其中所述絕緣層是光致抗蝕劑層。
11.根據(jù)權利要求6所述的存儲器件，其中所述第一和第二納米線是碳納米管。
12.一種存儲器件的制造方法，該方法包括在襯底上形成第一和第二電極以彼此交疊并彼此絕緣；在所述襯底上形成分別面對所述第一和第二電極的第一和第二偽電極以彼此交疊并彼此絕緣；形成連接所述第一電極和第一偽電極的第一納米線；形成連接所述第二電極和第二偽電極的第二納米線；形成以相同長度覆蓋所述第一和第二電極并覆蓋所述第一和第二納米線的掩模；和除去未被所述掩模覆蓋的第一和第二偽電極和第一及第二納米線，并除去所述掩模。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中在襯底上形成所述第一和第二電極包括在所述襯底上形成第一電極；在所述襯底上形成覆蓋所述第一電極的絕緣夾層；在所述絕緣夾層上形成第二電極；和除去在所述第一和第二電極周圍的絕緣夾層。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中除去所述絕緣夾層還包括過度蝕刻襯底中未設置所述第一和第二電極的區(qū)域。
15.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中在所述襯底上形成所述第一和第二偽電極包括在所述襯底上形成覆蓋所述第一和第二電極的第一光致抗蝕劑層；在所述第一光致抗蝕劑層上形成所述第一偽電極；在所述第一光致抗蝕劑層上形成覆蓋所述第一偽電極的第二光致抗蝕劑層；在所述第二光致抗蝕劑層上形成所述第二偽電極；和除去所述第一和第二偽電極周圍的所述第一和第二光致抗蝕劑層。
16.根據(jù)權利要求12所述的方法，還在所述襯底上形成包括所述第一和第二電極以及所述第一和第二納米線的一組。
17.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述襯底包括依次堆疊的基底襯底和絕緣襯底。
18.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中使用合成電場形成所述第一和第二納米線。
19.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中形成所述第一和第二電極包括形成所述第二電極以覆蓋所述第一電極的一部分。
20.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中在所述襯底上形成所述第一和第二偽電極還包括在所述襯底上形成覆蓋所述第一和第二電極的第一光致抗蝕劑層；在所述第一光致抗蝕劑層上形成所述第一偽電極；在所述第一光致抗蝕劑層上形成覆蓋所述第一偽電極的第二光致抗蝕劑層；在所述第二光致抗蝕劑層上形成所述第二偽電極；和除去在所述第一和第二偽電極周圍的第一和第二光致抗蝕劑層。
21.一種存儲器件的制造方法，該方法包括在所述襯底上形成分離預定間距的第一和第二下電極；形成連接所述第一和第二下電極的第一納米線；在所述襯底上形成覆蓋所述第一和第二下電極和所述第一納米線的掩模；在所述掩模上形成交疊所述第一下電極的第一上電極和交疊所述第二下電極的第二上電極，由此使所述第一上電極和第二上電極分開預定距離而設置，該預定距離與所述第一和第二下電極之間的距離相同；形成連接所述第一和第二上電極的第二納米線；和除去在所述第一和第二上電極周圍的掩模。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述襯底包括依次堆疊的基底襯底和絕緣襯底。
23.根據(jù)權利要求22所述的方法，其中形成所述第一和第二下電極包括在所述第一和第二下電極之間的絕緣襯底中形成溝槽。
24.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中形成所述第一上電極包括形成覆蓋一部分所述第一下電極的第一上電極，且形成所述第二上電極包括形成覆蓋一部分所述第二下電極的第二上電極。
25.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述掩模由光致抗蝕劑層形成。
26.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中使用合成電場形成所述第一和第二納米線。
27.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中除去所述掩模在形成所述第二納米線之前進行。
28.根據(jù)權利要求21所述的方法，還在襯底上形成包括所述第一和第二下電極、所述第一和第二上電極以及所述第一和第二納米線的一組。
29.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中所述第一納米線是碳納米管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種存儲器件及其制造方法。該存儲器件包括襯底；第一電極，形成在襯底上；第一納米線，從第一電極末端延伸預定長度；第二電極，在第一電極上以交疊所述第一電極；和第二納米線，在與第一納米線相同的方向從相應于第一電極末端的第二電極末端延伸預定長度，其中在所述第一和第二電極之間存在絕緣層。
文檔編號H01L21/768GK101034708SQ20061017255
公開日2007年9月12日 申請日期2006年12月31日 優(yōu)先權日2006年3月8日
發(fā)明者柳震奎, 金澈淳, 李廷勛 申請人:三星電子株式會社, 首爾國立大學校產(chǎn)學協(xié)力財團