專利名稱：電容器裝載型半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在封裝體中整體裝載有用于去除半導(dǎo)體器件的噪聲的電容 器的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
以往，在將半導(dǎo)體芯片裝載在安裝141而成的半導(dǎo)體器件中，為了吸 收噪聲而在安裝半導(dǎo)體器件的電路a上安裝有芯片電容器。但是，在將 芯片電容器安裝在電路M上時(shí)，半導(dǎo)體芯片與芯片電容器的布線長度會 變長。因此，噪聲的吸收變得不充分，作為去耦電容器的性能下降。另夕卜， 包括芯片電容器從而具有不能使半導(dǎo)體器件整體小型化的問題。因此，正在進(jìn)行通過在內(nèi)裝有電容器的內(nèi)插件(interposer)或者半 導(dǎo)體芯片、與安裝M之間配置具有電容器功能的元件，來用于實(shí)現(xiàn)小型 化的開發(fā)。例如，在特開2001-326305號爿;^艮(下面，記作"專利文獻(xiàn)l")中， 公開了如下所述的結(jié)構(gòu)。在專利文獻(xiàn)l中，公開了在內(nèi)插件的與突起電極形成面相反一側(cè)的面 上形成了電容器的結(jié)構(gòu)。由此，能夠?qū)⒔M裝在內(nèi)插件的電容器配置在半導(dǎo) 體芯片的緊下方的極其接近的位置，所以能夠充分發(fā)揮作為去耦電容器的 性能。另外，能夠在內(nèi)插件的制造時(shí)同時(shí)設(shè)置多個(gè)電容器，所以也能夠降 低制造成本。另外，在特開2003-142624號>^才艮(下面，記作"專利文獻(xiàn)2")中， 公開了內(nèi)裝旁路電容器(bypass condenser)等無源元件的內(nèi)插件的制造方 法。在專利文獻(xiàn)2中，公開了一種制造方法，包括將內(nèi)裝有無源元件的內(nèi)插件形成在基體基板上的內(nèi)插件形成工序，在形成在基體基板上的狀態(tài)的內(nèi)插件安裝至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片安裝工序，將基體I4l從 內(nèi)插件分離、使內(nèi)插件的另一個(gè)面露出的基體J4l分離工序，和經(jīng)由從內(nèi)插件的另一個(gè)面露出的電極襯墊(pad)將內(nèi)插件安裝在安裝基板的內(nèi)插 件安裝工序。在該制造方法中，在到將半導(dǎo)體芯片安裝在內(nèi)插件為止的期間內(nèi)，內(nèi) 插件被固定在基體基板上。因此，內(nèi)插件被基體M加強(qiáng)。另外，在去除 基體基板后也一樣，由于安裝有半導(dǎo)體芯片，所以該半導(dǎo)體芯片起到加強(qiáng) 功能。由此，能夠一邊防止內(nèi)插件的制造工序中的變形、損傷， 一邊實(shí)現(xiàn) 內(nèi)裝有旁路電容器的薄型的內(nèi)插件。進(jìn)而，在特開2004-55769號z^才艮(下面，記作"專利文獻(xiàn)3")中， 公開了包括下述部件的結(jié)構(gòu)安裝基板，安裝在其上的半導(dǎo)體芯片，和能 夠在半導(dǎo)體芯片的高頻區(qū)域進(jìn)行穩(wěn)定工作的電容器。而且，電容器與半導(dǎo) 體芯片下表面的電極襯墊電連接。另外，形成有電容器的M的厚度構(gòu)成 為，比半導(dǎo)體芯片的突起電極的高度小或者相等。此時(shí)，電容器被制造在 硅、玻璃等具有平滑性的^上。而且，通過從基板側(cè)研磨電容器等，使 基板的厚度比半導(dǎo)體芯片的安裝在安裝基板時(shí)的突起電極的高度小或者為 相同程度的高度。由此，能夠使半導(dǎo)體芯片與電容器間的布線長度為最短 距離。在上述專利文獻(xiàn)l中，在形成內(nèi)插件時(shí)同時(shí)也形成電容器。作為該電 容器，使用STO (鍶鈦氧化物)等。但是，鍶鈦氧化物為了得到良好的電介質(zhì)特性，必須在較高的溫度下 形成，并且要求絕緣體基體材料的表面光滑。因此，作為絕緣體基體材料， 不是一般所使用的印刷a用的樹脂基體材料，必須使用硅、玻璃或者聚 酰亞胺樹脂等。另外，由于在絕緣體基體材料上形成電容器以及通孔、布 線圖形等，制造工序變得復(fù)雜，而且提高成品率也比較困難。另夕卜，在專利文獻(xiàn)2中，當(dāng)在基體14l上形成內(nèi)裝有電容器的內(nèi)插件、 并將半導(dǎo)體芯片安裝在該內(nèi)插件之后，去除基體基板而安裝在安裝基板上。即，該內(nèi)插件除了形成作為內(nèi)插件而必需的通孔、布線圖形等，還必須形成電容器。因此，使用硅M作為基體基板，形成BST膜(鋇鍶鈦氧化膜) 作為電容器用的電介質(zhì)膜。因此，在專利文獻(xiàn)2中也一樣，內(nèi)插件的制造 工序變得復(fù)雜，不能提高成品率。上述專利文獻(xiàn)1 、專利文獻(xiàn)2公開了在內(nèi)插件中內(nèi)裝有電容器的結(jié)構(gòu)。 但是，制造內(nèi)插件的工序如上所述變得復(fù)雜，所以不能提高成品率，難以 低成本地制造內(nèi)插件。與此相對，專利文獻(xiàn)3是在半導(dǎo)體芯片和安裝 1之間配置有薄膜電 容器的結(jié)構(gòu)。即，將僅形成有薄膜電容器的a配置在半導(dǎo)體芯片和安裝 基板之間來安裝，所以制造工序也變得簡單。然而，薄膜電容器使用硅基板、玻璃J41，并形成于其上。因此，必 須分別正確地控制半導(dǎo)體芯片的突起電極的高度和形成薄膜電容器的硅基 板的厚度。例如，在形成有薄膜電容器的硅基板的厚度變厚時(shí)，會出現(xiàn)半 導(dǎo)體芯片因倒裝芯片(flip chip)安裝時(shí)的加壓力而使電路形成面受到損傷 的情況。另外，向半導(dǎo)體芯片和安裝141之間可靠地填充底部填充(under fill)樹脂也變得困難，具有可信賴性降低的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)是，包括半導(dǎo)體芯片， 其設(shè)置有多個(gè)電極端子；薄片狀M，其具有膜狀電容器；和安裝基板， 其在一方的表面，具有與半導(dǎo)體芯片的電極端子相對應(yīng)地配置的芯片連接 端子和與薄片狀^的膜狀電容器的一方的電極端子相對應(yīng)地配置的接地端子，在另一方的表面，具有與芯片連接端子和接地端子相連接、用于安裝到外部J^1的外部連接端子；其中，薄片狀M凈皮插入在半導(dǎo)體芯片與 安裝基板之間；半導(dǎo)體芯片的電極端子和芯片連接端子被連接起來；膜狀 電容器的一方的電極端子與接地端子相連接，另一方的電極端子與半導(dǎo)體 芯片的電極端子中預(yù)先設(shè)定的電極端子相連接。通過該構(gòu)成，即使將具有電容器的薄片狀 1插入半導(dǎo)體芯片與安裝基板之間，也能使半導(dǎo)體器件的高度為與以往的構(gòu)成相同的程度。其結(jié)果為，能實(shí)現(xiàn)薄型且小型、并且能防止噪聲的內(nèi)裝有電容器的半導(dǎo)體器件。另外，因?yàn)榕c安裝基板分別地形成具有膜狀電容器的薄片狀基板，因此能使各自的制造工序簡化，并能使成品率提高。而且，通過對它們進(jìn)行檢查，僅使用合格品，也能使半導(dǎo)體器件的成品率提高，故能實(shí)現(xiàn)低成本 的半導(dǎo)體器件。


圖1A是在從本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件去除密封樹脂的狀態(tài)下從半導(dǎo)體芯片側(cè)觀察的俯視圖。圖1B是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 形成了密封樹脂的狀態(tài)下的沿著圖1A的1B-1B線剖開的剖視圖。圖2A是作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成要件的半導(dǎo)體芯片的俯視圖。圖2B是作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成要件的薄片狀M的俯視圖。圖2C是作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成要件的安裝基板的俯視圖。圖3A是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀a的制造方法中、在薄片基體材料上形成了下層電極膜和另一 方的電極端子的狀態(tài)的俯視圖。圖3B是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀基板的制造方法中、形成了電介質(zhì)膜的狀態(tài)的俯^f見圖。圖3C是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀基板的制造方法中、形成了上層電極膜和一方的電極端子的狀態(tài) 的俯視圖。圖4A是沿著圖3A的4A-4A線剖開的剖視圖。 圖4B是沿著圖3B的4B-4B線剖開的剖視圖。圖4C是沿著圖3C的4C-4C線剖開的剖視圖。圖5是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件的 兩面設(shè)置了膜狀電容器的結(jié)構(gòu)的薄片狀基板的剖視圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體 器件的結(jié)構(gòu)的剖3見圖。圖7A是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 中、表示半導(dǎo)體芯片的形狀的俯視圖。圖7B是沿著圖7A的7B-7B線剖開的剖視圖。圖8A是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 中、表示薄片狀基板的形狀的俯視圖。圖8B是沿著圖8A的8B-8B線剖開的剖視圖。圖9A是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件 的薄片狀J41的制造方法中、在薄片基體材料上形成了下層電極膜和另一 方的電極端子的狀態(tài)的俯視圖。圖9B是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件 的薄片狀基板的制造方法中、形成了電介質(zhì)膜的狀態(tài)的俯視圖。圖9C是在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀基板的制造方法中、形成了上層電極膜和一方的電極端子的狀態(tài) 的俯視圖。圖IOA是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體 器件中、在半導(dǎo)體芯片的形成有電極端子的面上粘貼有薄片狀J41的狀態(tài) 的俯視圖。圖IOB是沿著圖IOA的10B-10B線剖開的剖視圖。圖11是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo) 體器件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12是在本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 中、在半導(dǎo)體芯片的電路形成面上粘貼了薄片狀基板的狀態(tài)的俯視圖。圖13A是在本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件的薄片狀J^的制造方法中、在薄片基體材料上形成了下層電極膜和另一 方的電極端子的狀態(tài)的俯視圖。圖13B是在本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀基板的制造方法中、形成了電介質(zhì)膜的狀態(tài)的俯視圖。圖13C是在本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件 的薄片狀141的制造方法中、形成了上層電極膜和一方的電極端子的狀態(tài) 的俯視圖。圖14A是作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成要件的薄片狀基板的俯視圖。圖14B是作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成要件的薄片狀基板的其他的例子的俯視圖。符號說明10、 50、卯電容器裝載型半導(dǎo)體器件 12、 52、 92:半導(dǎo)體芯片 14、 54:硅基板16、 18、 56、 58、 60、 95、 96、 97:電極端子20、 64、 100、 140、 160:薄片狀基板22、 66、 102:薄片基體材料24、 68、 104:下層電極膜24a、 68a、 104a:另一方的電極端子24d:過孔(via )26、 72、 106:電介質(zhì)膜28、 74、 108:上層電極膜28a:共用連接部28b:延伸部28c、 74a、 108a: —方的電極端子 30、 76、 110:膜狀電容器 32、 80、 120:安裝基板34:基體材料36a、 36b、 84、 124:芯片連接端子 36c、 89、 125:接地端子38、 86、 126:外部連接端子39、 62、 88、 98、 128:突起電極40、 42、 44:引線 46:密封樹脂70、 112:貫通孔78:無效(dummy )端子130:導(dǎo)電性連接部件132:底部填充樹脂150:膜狀電感器150a、 170a:第一電極端子150b、 170b:第二電極端子170:膜狀電阻器具體實(shí)施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在下面的附圖 中，對于相同要件標(biāo)以相同符號，有時(shí)將說明省略。 (第一實(shí)施方式)圖1A是在從本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件去除密封樹脂的狀態(tài)下從半導(dǎo)體芯片側(cè)觀察的俯視圖；圖IB是沿圖lA的IB-IB線剖開的剖視圖。另外，從圖2A到圖2C是表示作為電容器裝載型半導(dǎo)體器件10的構(gòu) 成要件的半導(dǎo)體芯片12、薄片狀M20以及安裝J4132的結(jié)構(gòu)的俯視圖， 圖2A表示的是半導(dǎo)體芯片，圖2B表示的是薄片狀J41，圖2C表示的是 安裝基板。本實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件10包括設(shè)置有多個(gè)電極端子16、 18的半導(dǎo)體芯片12,具有通過膜形成方式制造的多個(gè)膜狀電 容器30的薄片狀14120，和具有用于安裝在外部M的外部連接端子38 的安裝J4132。而且，在安裝M32的一方的表面，包括與半導(dǎo)體芯片 12的電極端子16、 18相連接、與該電極端子16、 18相對應(yīng)地配置的芯片 連接端子36a、 36b。進(jìn)而，包括與薄片狀M20的膜狀電容器30的一方 的電極端子28c相連接、與該電極端子28c相對應(yīng)地配置的接地端子36c。 另夕卜，在安裝J4132的另一方的表面，包括將設(shè)置在該一方的表面的芯片 連接端子36a、 36b與接地端子36c連接的外部連接端子38,經(jīng)由其而安 裝在外部M上。另外，安裝基板32還包括設(shè)置在外部連接端子38上的 突起電極39。另外，薄片狀M20，被插入在半導(dǎo)體芯片12與安裝基板32之間。 而且，將半導(dǎo)體芯片12的電極端子16、 18與安裝J4132的芯片連接端子 36a、 36b連接。進(jìn)而，膜狀電容器30的一方的電極端子28c與安裝M 32的接地端子36c相連接，另一方的電極端子24a與半導(dǎo)體芯片12的電 極端子16、 18中的預(yù)先設(shè)定的電極端子16相連接。進(jìn)而，本實(shí)施方式的電容器裝載型半導(dǎo)體器件10如圖1A所示，以薄 片狀基板20的膜狀電容器30的另一方的電極端子24a和一方的電極端子 28c以及安裝M 32的芯片連接端子36a、 36b和接地端子36c分別露出 的配置而構(gòu)成。在這樣配置之后，半導(dǎo)體芯片12的電極端子16、 18與安 裝基板32的芯片連接端子36a、 36b，膜狀電容器30的一方的電極端子28c 與安裝M 32的接地端子36c，膜狀電容器30的另一方的電極端子24a 與半導(dǎo)體芯片12的電極端子16,分別通過引線40、 42、"相連接。另外，為了對這些引線40、 42、 44以及半導(dǎo)體芯片12進(jìn)行保護(hù)，如 圖1B所示配置有密封樹脂46。另外，在安裝基板32的外部連接端子38， 為了容易安裝在電路基板上而設(shè)置有突起電極39。下面，更詳細(xì)地對本實(shí)施方式的電容器裝載型半導(dǎo)體器件進(jìn)行說明。如圖2A所示，半導(dǎo)體芯片12在本實(shí)施方式中在珪基板14上通過公 知的半導(dǎo)體加工形成有電路(未圖示)。然后，在珪基&H的寬度方向的兩端部設(shè)置多個(gè)用于將該電路與安裝H132連接的電極端子16、 18。在 這多個(gè)電極端子16、 18中，電極端子16是需要通過電容器防止噪聲的電 極端子，它是預(yù)先設(shè)定的電極端子。如圖1A、圖1B以及圖2B所示，薄片狀J4120具有比半導(dǎo)體芯片12 大的形狀。而且，在薄片狀14120的與半導(dǎo)體芯片12的預(yù)先設(shè)定的電極 端子16相對應(yīng)的位置，配置有膜狀電容器30的另一方的電極端子24a。 進(jìn)而，在薄片狀基板20的長度方向的兩端部配置有膜狀電容器30的一方 的電極端子28c。另外，對于薄片狀基板20的詳細(xì)構(gòu)造在后面敘述。如圖2C所示，安裝I4132具有比薄片狀K20大的形狀。從而， 在將薄片狀^ 20配置并粘接固定在安裝g 32上時(shí)，芯片連接端子 36a、 36b、接地端子36c露出。另外，芯片連接端子36a、 36b、接地端子 36c被分別配置在與薄片狀141 20以及半導(dǎo)體芯片12的電極端子相對應(yīng) 的位置。另外，芯片連接端子36a、 36b、接地端子36c與設(shè)置在背面的外 部連接端子38分別通過未圖示的布線圖形和過孔而連接。另夕卜，在外部連 接端子38形成有突起電極39。作為這樣的安裝基板32的基體材料34，可使用例如玻璃環(huán)氧樹脂基 體材料、芳香族聚酰胺樹脂基體材料等樹脂基體材料或者陶瓷基體材料。 使用這樣的基體材料，在表面、背面或者進(jìn)而在內(nèi)層部也形成布線層，從 而制造安裝基板32。將具有上述的結(jié)構(gòu)的安裝14132、薄片狀^加以及半導(dǎo)體芯片l2 按照這個(gè)順序位置對合地粘接固定。然后，通過引線鍵合方式，將半導(dǎo)體 芯片12的電極端子16、 18與芯片連接端子36a、 36b，膜狀電容器30的 一方的電極端子28c與接地端子36c,膜狀電容器30的另一方的電極端子 24a與半導(dǎo)體芯片12的電極端子16,分別通過引線40、 42、 44相連接。此時(shí)，對于與膜狀電容器30相連接的電極端子16，在連接在膜狀電 容器30的另 一方的電極端子24a之后，將另 一方的電極端子24a與安裝基 板32的芯片連接端子36a連接，由此電極端子16與芯片連接端子36a被 直接電連接。另一方面，該電極端子16與膜狀電容器30的另一方的電極端子24a相連接，該另一方的電極端子24a從膜狀電容器30的下層電極膜 24延伸。另外， 一方的電極端子28c與膜狀電容器30的上層電極膜28經(jīng) 由上層電極膜28的共用連接部28a和延伸部28b而連接。另外，膜狀電容 器30是由下層電極膜24、電介質(zhì)膜26以及上層電極膜28層疊起來而構(gòu) 成的。上述那樣預(yù)先設(shè)定的電極端子16被直接連接在芯片連接端子36a。另 外，電極端子16，經(jīng)由另一方的電極端子24a連接在膜狀電容器30，進(jìn)而 通過一方的電極端子28c連接在接地端子36c。從圖3A到圖3C是用于說明薄片狀^20的制造方法的主要的工序 的俯視圖。圖3A是表示在薄片基體材料22上形成了下層電極膜24和另 一方的電極端子24a的狀態(tài)的俯視圖；圖3B是表示形成了電介質(zhì)膜26的 狀態(tài)的俯視圖；圖3C是表示形成了上層電極膜28和一方的電極端子28c 的狀態(tài)的俯視圖。另外，圖4A是沿著圖3A的4A-4A線剖開的剖視圖；圖4B是沿著圖 3B的4B-4B線剖開的剖4見圖；圖4C是沿著圖3C的4C-4C線剖開的剖視 圖。首先，如圖3A與圖4A所示，在薄片基體材料22上，通過例如'減射 而形成鋁(Al)、銅(Cu)等金屬薄膜。然后，通過光刻加工和蝕刻加工 制造預(yù)定形狀的圖形。另外，也可以是通過^f吏用掩模的成膜方式、與薄膜 制造同時(shí)形成預(yù)定的圖形的方法。在這里，作為薄片基體材料22，只要是具有柔軟性、表面平滑且具有 耐熱性的絕緣材料，都可以沒有制約地使用。例如，聚酰亞胺薄膜滿足上 述條件，是優(yōu)選的材料之一。該聚酰亞胺薄膜的厚度優(yōu)選為10 |i m至100 jam左右的范圍。接下來，如圖3B和圖4B所示，以覆蓋下層電極膜24的方式形成電 介質(zhì)膜26。作為電介質(zhì)膜26,可以使用例如PZT膜(鉛鋯鈦氧化膜)、 BST膜(鋇鍶鈥氧化膜)、STO膜(鍶鈦氧化膜)、氧化鉭膜(Ta2Os膜)、 氮化硅膜(Si3N4膜)等，用作薄膜電容器的材料。然后，它們通過例如濺射方式、溶膠凝膠方式、離子束蒸鍍方式、電子束蒸鍍方式、化學(xué)汽相成膜方式(CVD)或者等離子CVD方式等成膜，通過光刻加工和蝕刻加工 進(jìn)行加工，由此形成為預(yù)定形狀。接下來，如圖3C和圖4C所示，形成上層電極膜28。該上層電極膜 28,經(jīng)由共用連接部28a將所有的膜狀電容器30—起連接。進(jìn)而，從共用 連接部28a設(shè)置的延伸部28b與一方的電極端子28c相連接。另外，上層 電極膜28、共用連接部28a、延伸部28b以及一方的電極端子28c，通過 相同的材料以及制造方式 一起形成。上層電極膜28也可以使用與下層電極膜24同樣的材料，使用同樣的 成膜方法和加工方法加工。另外，在通過光刻加工和蝕刻加工形成上層電 極膜28的情況下，在上層電極膜28的蝕刻加工時(shí)，下層電極膜24、電介 質(zhì)膜26優(yōu)選選擇藥液或蝕刻氣體不能腐蝕的材料。另外，也可以通過鍍敷 而在共用連接部28a、延伸部28b等進(jìn)一步形成用于降低電阻值的銅(Cu ) 等金屬膜。另外，如本實(shí)施方式所示，在最終通過引線連接時(shí)，優(yōu)選將另一方的 電極端子24a和一方的電極端子28c的表面通過鋁(Al)或金(Au )覆蓋。如上所述，本實(shí)施方式的電容器裝載型半導(dǎo)體器件IO，將形成有必要 個(gè)數(shù)的膜狀電容器30的薄片狀a20插入配置在半導(dǎo)體芯片12與安裝基 板32之間。因此，與使用芯片電容器的情況相比，能夠減小占電路M的 面積，所以能夠使電路基板更小型。另外，不需要為了形成為上述結(jié)構(gòu)而對半導(dǎo)體芯片12進(jìn)行特別的加 工。進(jìn)而，能夠?qū)惭b基敗32和具有膜狀電容器30的薄片狀基板20分開 制造，所以能夠使制造工序簡單化，提高制造成品率。其結(jié)果，能夠僅使 用安裝基板32和薄片狀基板20的合格品制造電容器裝載型半導(dǎo)體器件 10，所以能夠提高整體的成品率。另外，在本實(shí)施方式中，以膜狀電容器的一方的電極端子連接于設(shè)置 于安裝M的接地端子的構(gòu)成為例進(jìn)行了說明，但不限于此。例如，在半 導(dǎo)體芯片具有接地端子時(shí)，也可以將一方的電極端子連接于該半導(dǎo)體芯片的接地端子。即，由于半導(dǎo)體芯片的接地端子連接于安裝M的設(shè)置于相對應(yīng)的位置的接地端子，因此也可以為上述那樣的連接構(gòu)成。另外，在本實(shí)施方式中，以半導(dǎo)體芯片的電極端子沿著長度方向設(shè)置的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了說明，但并不局限于此。例如，也可以將電極端子設(shè)置 在半導(dǎo)體芯片的四邊。另外，在本實(shí)施方式中，以將膜狀電容器僅形成在薄片狀基板的一個(gè)面的例子進(jìn)行了說明，但并不局限于此。例如，如圖5所示，也可以在薄 片基體材料22的兩個(gè)面形成膜狀電容器30，經(jīng)由過孔24d等將一方的電 極端子與另一方的電極端子連接。通過該結(jié)構(gòu)，能夠更多地制造膜狀電容 器30。而且，即使在預(yù)先設(shè)定的電極端子有多個(gè)的情況下、需要較大的電 容值的情況下，也能夠充分地應(yīng)對。 (第二實(shí)施方式)圖6是用于說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體 器件50的結(jié)構(gòu)的剖^L圖。圖7A是表示該實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件50的半導(dǎo) 體芯片52的形狀的俯視圖；圖7B是沿著圖7A的7B-7B線剖開的剖視圖。圖8A是表示該實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件50的薄片 狀基板64的形狀的俯視圖；圖8B是沿著圖8A的8B-8B線剖開的剖視圖。從圖9A到圖9C是用于說明該實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體 器件50的薄片狀M 64的制造方法的俯視圖。圖9A是在薄片基體材料 66上形成了下層電極膜68和另一方的電極端子68a的狀態(tài)的俯視圖；圖 9B是在其上形成了電介質(zhì)膜72的狀態(tài)的俯視圖；圖9C是形成了上層電 極膜74和一方的電極端子74a的狀態(tài)的俯視圖。圖IOA是表示在半導(dǎo)體芯片52的形成有電極端子56、 58、 60的面上 粘貼有薄片狀脈64的狀態(tài)的俯視圖；圖10B是沿著圖10A的10B-10B 線剖開的剖視圖。下面，使用圖6到圖10B，對本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo) 體器件50的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如以圖6為主所表示那樣，本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體 器件50包括設(shè)置有多個(gè)電極端子56、 58、 60的半導(dǎo)體芯片52，具有通 過膜形成方式制造的多個(gè)膜狀電容器76的薄片狀^ 64，和安裝在外部 基板的安裝皿80。而且，在安裝^別的一方的表面，包括與半導(dǎo)體 芯片52的電極端子56、 58、 60相對應(yīng)地配置的芯片連接端子84和與薄片 狀基板64的膜狀電容器76的一方的電極端子74a相對應(yīng)地配置的接地端 子89。進(jìn)而，在安裝基板80的另一方的表面，包括與芯片連接端子84和 接地端子89相連接的、用于安裝在外部基敗的外部連接端子86。另外， 安裝基板80還包括設(shè)置在外部連接端子86上的突起電極88。另外，薄片狀14164,被插入在半導(dǎo)體芯片52與安裝M 80之間。 從而，半導(dǎo)體芯片52的電極端子56、 58與芯片連接端子84連接在一起。 進(jìn)而，膜狀電容器76的一方的電極端子74a與接地端子89連接，另一方 的電極端子68a與半導(dǎo)體芯片52的電極端子56、 58中的預(yù)先設(shè)定的電極 端子56相連接。另外，在半導(dǎo)體芯片52，在電極端子56、 58、 60的表面還i殳置有突 起電極62。另外，薄片狀^64在與突起電極62相對應(yīng)的位置具有貫通 孔70， 一方的電極端子74a以及另一方的電極端子68a延伸到貫通孔70 地形成。而且，薄片狀J4！64被粘貼在半導(dǎo)體芯片52的突起電極62的形成面， 并且在薄片狀皿64的貫通孔70內(nèi)插入有半導(dǎo)體芯片52的突起電極62。 此時(shí)，突起電極62比薄片狀J4164突出，該突出出來的突起電極62與芯 片連接端子84、接地端子89連接在一起。另外，薄片狀基板64在本實(shí)施 方式中為與半導(dǎo)體芯片52相同的外形。在這樣地在半導(dǎo)體芯片52上粘貼有薄片狀基板64的狀態(tài)下，如圖6 所示那樣位置對合地固定在安裝基板so上，將突起電極62與安裝J4！ so 的芯片連接端子84通過導(dǎo)電性連接部件130連接。進(jìn)而，注入底部填充樹 脂132來包住連接部，并使底部填充樹脂132固化。在安裝基板80，設(shè)置 有與芯片連接端子84相連接的外部連接端子86，通過設(shè)置在該外部連接端子86的表面的突起電極88而安裝在外部電路基tl上。另外，作為導(dǎo)電 性連接部件130，可以使用例如導(dǎo)電性粘接劑、焊料等。本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件50中，薄片狀基敗64 的外形與半導(dǎo)體芯片52相同，所以即^^安裝在安裝基板80上也較小。另 外，相對于半導(dǎo)體芯片52，不需要特別的加工，所以能夠低成本地制造。另外，為了保護(hù)薄片狀J4164的膜狀電容器76可以設(shè)置保護(hù)膜，但 也可以不特意設(shè)置保護(hù)膜，而通過底部填充樹脂132保護(hù)。另外，如圖7A和圖7B所示，半導(dǎo)體芯片52在本實(shí)施方式中在硅基 板54上通過公知的半導(dǎo)體加工形成有電路(未圖示)。而且，在硅皿 54的外周部設(shè)置有多個(gè)用于將該電路與安裝基板80連接的電極端子56、 58、 60。在這多個(gè)電極端子56、 58、 60中，電極端子56是需要通過電容 器防止噪聲的電極端子，它是預(yù)先設(shè)定的電極端子。進(jìn)而，電極端子60 為接地端子，與安裝基板80的接地端子89相連接。另外，如圖8A和圖8B所示，薄片狀基板64為與半導(dǎo)體芯片52相同 的外形，在要設(shè)置半導(dǎo)體芯片52的突起電極62的位置形成有貫通孔70。下面，使用圖9A到圖9C，對上述薄片狀J4164的詳細(xì)構(gòu)造以及制 造方法進(jìn)行說明。首先，如圖9A所示，在薄片基體材料66上，通過例如濺射而形成鋁 (AI)、銅(Cii)等金屬薄膜。然后，通過光刻加工和蝕刻加工制造預(yù)定 形狀的圖形。另外，也可以是通過4吏用掩模的成膜方式、與薄膜制造同時(shí) 形成預(yù)定的圖形的方法。在這里，作為薄片基體材料66，只要是具有柔軟性、表面平滑且具有 耐熱性的絕緣材料，都可以沒有制約地使用。例如，聚酰亞胺薄膜滿足上 述條件，是優(yōu)選的材料之一。該聚酰亞胺薄膜的厚度優(yōu)選為10 ju m至100 jam左右的范圍。接下來，如圖9B所示，以覆蓋下層電極膜68的方式形成電介質(zhì)膜72。 作為電介質(zhì)膜72，可以通過與第一實(shí)施方式相同的材料以及制造方法形 成。例如，可以使用PZT膜(鉛鋯鈥氧化膜)、BST膜(鋇鍶鈦氧化膜)、STO膜(鍶鈦氧化膜)、氧化鉭膜(Ta20s膜)、氮化硅膜(SbN4膜)等， 用作薄膜電容器的材料。它們通過例如濺射方式、溶膠凝膠方式、離子束 蒸鍍方式、電子束蒸鍍方式、化學(xué)汽相成膜方式(CVD)或者等離子CVD 方式等成膜，通過光刻加工和蝕刻加工進(jìn)行加工，由此形成為預(yù)定形狀。接下來，如圖9C所示，形成上層電極膜74。該上層電極膜74在本實(shí) 施方式中形成為將兩個(gè)膜狀電容器76—起連接，并延伸到一方的電極端 子74a。另外，上層電極膜74與一方的電極端子74a，通過相同的材料以 及制造方式一起形成。上層電極膜74也可以使用與下層電極膜68同樣的材料，使用同樣的 成膜方法和加工方法加工。另外，在通過光刻加工和蝕刻加工形成上層電 極膜74的情況下，在上層電極膜74的蝕刻加工時(shí)，下層電極膜68、電介 質(zhì)膜72優(yōu)選選擇藥液或蝕刻氣體不能腐蝕的材料。通過上面的工序，形成了包括下層電極膜68、電介質(zhì)膜72以及上層 電極膜74的膜狀電容器76。另外，在本實(shí)施方式中，在與半導(dǎo)體芯片52的電極端子56、 60相連 接的另 一方的電極端子68a以及一方的電極端子74a以外的包圍貫通孔70 的區(qū)域也設(shè)置無效端子78。通過i殳置該無效端子78，在連接安裝基板80 的芯片連接端子84與突起電極62時(shí)，該無效端子78也通過導(dǎo)電性連接部 件130粘接固定，所以能夠提高機(jī)械性的連接可靠性。另外， 一方的電極端子74a與另一方的電極端子68a，優(yōu)選其表面層 至少為相同材料。進(jìn)而，為了降低從上層電極膜74到一方的電極端子743 的電阻值，可以鍍敷銅(Cu)等金屬膜。另外，從圖10A的俯視圖可知，薄片狀g64與半導(dǎo)體芯片52為相 同的外形，所以半導(dǎo)體芯片52只能看見被插入貫通孔70的突起電極62。另外，在薄片狀基板64，按照下層電極膜68、電介質(zhì)膜72以及上層 電極膜74的順序?qū)⑺鼈冃纬?，并設(shè)置有多個(gè)械力口工成預(yù)定的形狀而制造的 膜狀電容器76。另外，對于膜狀電容器76而言，半導(dǎo)體芯片52的預(yù)先設(shè) 定的電極端子56與從下層電極膜68延伸的另 一方的電極端子68a相連接，從上層電極膜74延伸的一方的電極端子74a與半導(dǎo)體芯片52的作為接地 端子的電極端子60相連接。另外，半導(dǎo)體芯片52的突起電極62，被插入薄片狀J^L64的貫通孔 70，比薄片狀基板64突出。然后，以在半導(dǎo)體芯片52上粘貼薄片狀14164、從貫通孔70使突起 電極62露出的狀態(tài)，如上述那樣與安裝M80位置對合地進(jìn)行固定，將 突起電極62與安裝基板80的芯片連接端子84通過導(dǎo)電性連接部件130 連接。此時(shí)， 一方的電極端子74a與另一方的電極端子68a，通過連接突起 電極62和芯片連接端子84的導(dǎo)電性連接部件130，與突起電極62和芯片 連接端子84的連接同時(shí)地，被連接在接地端子89以及預(yù)先設(shè)定的電極端 子56、 60。另夕卜，作為導(dǎo)電性連接部件130，可以使用例如導(dǎo)電性粘接劑、 焊料等。然后，注入底部填充樹脂132來包住連接部，并^f吏底部填充樹脂132 固化，就得到了圖6所示的本實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件 50。另外，在本實(shí)施方式中，以膜狀電容器僅形成在薄片狀a的一個(gè)面 的例子進(jìn)行了說明，但并不局限于此。例如，與第一實(shí)施方式同樣，也可 以在薄片基體材料的兩個(gè)面形成膜狀電容器，經(jīng)由過孔等連接到一方的電 極端子與另一方的電極端子。通過該結(jié)構(gòu)，能夠更多地制造膜狀電容器。 而且，即使在預(yù)先設(shè)定的電極端子有多個(gè)的情況下、需要較大的電容值的 情況下也能夠充分地應(yīng)對。 (第三實(shí)施方式)圖11是用于說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo) 體器件卯的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖12是在半導(dǎo)體芯片92的電路形成面上粘貼了薄片狀J41100的狀 態(tài)的俯4見圖。從圖13A到圖13C是用于說明該實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件90的薄片狀基板100的制造方法的俯視圖。圖13A是在薄片基體 材料102上形成了下層電極膜104和另 一方的電極端子104a的狀態(tài)的俯浮見 圖；圖13B是在其上形成了電介質(zhì)膜106的狀態(tài)的俯視圖；圖13C是形成 了上層電極膜108和一方的電極端子108a的狀態(tài)的俯視圖。另外，圖11 表示的是以圖12所示的11-11線的位置為基準(zhǔn)剖切時(shí)的剖面部。下面，使用圖ll到圖13C，對本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo) 體器件卯的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如以圖11為主所表示那樣，本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體 器件90包括設(shè)置有多個(gè)電極端子95、 96、 97的半導(dǎo)體芯片92，具有通 過膜形成方式制造的多個(gè)膜狀電容器110的薄片狀基板100，和安裝在外 部M的安裝基板120。而且，在安裝J4！ 120的一方的表面，包括與半 導(dǎo)體芯片92的電極端子95、 96、 97相對應(yīng)地配置的芯片連接端子124和 與薄片狀J4！ 100的膜狀電容器110的一方的電極端子108a相對應(yīng)地配置 的接地端子125。進(jìn)而，在安裝基板120的另一方的表面，包括與芯片連 接端子124和接地端子相連接的、用于安裝在外部M的外部連接端子 126。另外，安裝基板120還包括設(shè)置在外部連接端子126上的突起電極 128。在這里，半導(dǎo)體芯片92的電極端子95、 96、 97被分為連接在膜狀 電容器110的另 一方的電極端子104a與芯片連接端子124雙方的電極端子 95，連接在一方的電極端子108a與安裝基敗120的接地端子雙方的電極端 子97，和直接連接在芯片連接端子124的電極端子96。這里，電極端子 95是預(yù)先設(shè)定的電極端子，電極端子97是接地端子。然后，如從圖12的俯視圖可知地那樣，薄片狀MlOO,其中的連接 在半導(dǎo)體芯片92的電極端子95、97的區(qū)域以外的電極端子96的區(qū)域被形 成缺口，半導(dǎo)體芯片92的電極端子96與突起電極98露出。即，薄片狀基 板100比半導(dǎo)體芯片92的外形小，并且至少4吏形成有貫通孔的這一部分的 薄片狀M 100延伸到半導(dǎo)體芯片92的外形地設(shè)置，其中所述貫通孔中插 入有電極端子95、 97的突起電極98。下面，使用圖13A到圖13C,對上述薄片狀皿100的詳細(xì)構(gòu)造以及 制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖13A所示，在薄片基體材料102上，通過例如'減射而形成 鋁(Al)、銅(Cu)等金屬薄膜。然后，通過光刻加工和蝕刻加工以預(yù)定 形狀的圖形制造下層電極膜104和另一方的電極端子104a。另外，也可以 是通過使用掩^f莫的成膜方式、與薄膜制造同時(shí)形成這些圖形的方法。在這里，作為薄片基體材料102，只要是具有柔軟性、表面平滑且具 有耐熱性的絕緣材料，都可以沒有制約地使用。例如，聚酰亞胺薄膜滿足 上述條件，是優(yōu)選的材料之一。該聚酰亞胺薄膜的厚度優(yōu)選為10 M m至100 ja m左右的范圍。接下來，如圖13B所示，以覆蓋下層電極膜104的方式形成電介質(zhì)膜 106。作為電介質(zhì)膜106，可以通過與第一實(shí)施方式以及第二實(shí)施方式相同 的材料以及制造方法形成。例如，可以使用PZT膜(鉛鋯鈦氧化膜)、 BST膜(鋇鍶鈦氧化膜)、STO膜(鍶鈦氧化膜)、氧化鉭膜(Ta2Os膜)、 氮化硅膜(Si3N4膜)等，用作薄膜電容器的材料。它們通過例如濺射方式、 溶膠凝膠方式、離子束蒸鍍方式、電子束蒸鍍方式、化學(xué)汽相成膜方式 (CVD)或者等離子CVD方式等成膜，通過光刻加工和蝕刻加工進(jìn)行加 工，由此形成為預(yù)定形狀。接下來，如圖13C所示，形成上層電極膜108。該上層電極膜108在 本實(shí)施方式中形成為將兩個(gè)膜狀電容器110—起連接，并延伸到一方的 電極端子108a。另外，上層電極膜108與一方的電極端子108a，通it^目同 的材料以及制造方式一起形成。上層電極膜108也可以使用與下層電極膜104同樣的材料，使用同樣 的成膜方法和加工方法加工。另外，在通過光刻加工和蝕刻加工形成上層 電極膜108的情況下，在上層電極膜108的蝕刻加工時(shí)，下層電極膜104 以及電介質(zhì)膜106優(yōu)選選擇藥液或蝕刻氣體不能腐蝕的材料。通過上面的工序，形成了包括下層電極膜104、電介質(zhì)膜106以及上 層電極膜108的膜狀電容器110。即，在本實(shí)施方式中，其特征在于薄片狀基敗100的另一方的電極 端子104a與一方的電極端子108a以外的電極端子96的區(qū)域被形成缺口 。 因此，貫通孔112僅設(shè)置在另一方的電極端子104a與一方的電極端子 108a。另外， 一方的電極端子108a與另一方的電極端子104a，優(yōu)選其表面 層至少為相同材料。進(jìn)而，為了降低從上層電極膜108到一方的電極端子 108a的電阻值，可以鍍敷銅(Cu)等金屬膜。然后，如圖12所示，以在半導(dǎo)體芯片92上粘貼有薄片狀基板100的 狀態(tài)，如圖11所示那樣位置對合并固定在安裝J41 120上，將突起電極 98與安裝M 120的芯片連接端子124通過例如導(dǎo)電性粘接劑等導(dǎo)電性連 接部件130連接。進(jìn)而，注入底部填充樹脂132來包住連接部，并使底部 填充樹脂132固化。另外，在安裝基板120，設(shè)置有與芯片連接端子124 相連接的外部連接端子126，通過設(shè)置在該外部連接端子126的表面的突 起電極128而安裝在外部電路基板上。本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件中，薄片狀MlOO比 半導(dǎo)體芯片92的外形小，所以即使安裝在安裝^L1加上也較小。另夕卜， 相對于半導(dǎo)體芯片92，不需要特別的加工，所以能夠低成本地制造。另外，為了保護(hù)薄片狀基板100的膜狀電容器110可以設(shè)置保護(hù)膜， 但也可以不特意設(shè)置保護(hù)膜，而通過底部填充樹脂132保護(hù)。在本實(shí)施方式所涉及的電容器裝載型半導(dǎo)體器件中，設(shè)置在薄片狀基 板的貫通孔，僅設(shè)置在膜狀電容器的一方的電極端子和另一方的電極端子， 所以在將薄片狀基板粘貼在半導(dǎo)體芯片時(shí)，能夠?qū)⑼黄痣姌O容易地插入貫 通孔。因此，能夠使作業(yè)簡單化。 (第四實(shí)施方式)圖14A是表示作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo) 體器件的構(gòu)成要件的薄片狀基&的結(jié)構(gòu)的俯碎見圖。另外，第四實(shí)施方式所 涉及的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件，對于薄片狀M以外的結(jié)構(gòu)，與第一實(shí) 施方式相同。因此，參照圖1A,對相同構(gòu)成要件使用相同符號來說明，薄片狀J41以外的構(gòu)成要件的說明從略。如圖14A所示，本實(shí)施方式所涉及的薄片狀基t1140，包括通過膜形 成方式制造的膜狀電容器30和膜狀電感器150。在這里，膜狀電感器150 具有第一電極端子150a和第二電極端子150b。而且，膜狀電感器(L)150 的第一電極端子150a，與圖1A所示的半導(dǎo)體芯片12的電極端子16、 18 中的預(yù)先設(shè)定的電極端子16相連接，第二電極端子150b與膜狀電容器(C) 30的另一方的電極端子24a或者下層電極(未圖示)相連接。進(jìn)而，膜狀 電容器30的另一方的電極端子24a，與安裝皿32的芯片連接端子36a 相連接。在這里，所謂預(yù)先設(shè)定的電極端子16，是半導(dǎo)體芯片12的電源 端子、需要進(jìn)行外部噪聲的抑制的電源端子以及需要進(jìn)行信號傳送的頻率 范圍的限制的電源端子。通過上述，在半導(dǎo)體芯片12的預(yù)先設(shè)定的電極端子16的輸出級，除 了附加由膜狀電容器30進(jìn)行的噪聲防止功能，還在薄片狀Ml40上，形 成所謂LC濾波器(filter)。由此，得到了用于噪聲防止的濾波器功能。在這里，膜狀電感器150是這樣形成的通過例如賊射方式、離子束 蒸鍍方式、電子束蒸鍍方式、化學(xué)汽相成膜方式(CVD )或者等離子CVD 方式等，形成例如銅(Cu)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、 金(Au)等的單體或?qū)盈B膜的膜，并4吏用光刻加工和蝕刻加工，形成成為 預(yù)定電感器的導(dǎo)體圖形。上面，以曲折(meander)形狀的導(dǎo)體圖形進(jìn)行 了表示，但也可以形成為線圏形。另外，在本實(shí)施方式中，以將膜狀電感器和膜狀電容器串聯(lián)連接的例 子進(jìn)行了說明，但也可以并聯(lián)連接。由此，能夠構(gòu)成具有必要的特性的LC 濾波器。另外，在本實(shí)施方式中，以將膜狀電感器的笫一電極端子連接在半導(dǎo) 體芯片的電極端子上的例子進(jìn)行了說明，但并不局限于此。例如，也可以 是這樣的結(jié)構(gòu)將連接在膜狀電感器的第二電極端子上的膜狀電容器的另 一方的電極端子與半導(dǎo)體芯片的電極端子相連接，將膜狀電感器的第一電 極端子連接在安裝a的芯片連接端子上。進(jìn)而，除了 LC濾波器構(gòu)成以外，與膜狀電容器相同，也可以單獨(dú)使用膜狀電感器。由此，能夠應(yīng)用于 多樣的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)噪聲防止功能等。下面，使用圖14B,對本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型 半導(dǎo)體器件中所使用的薄片狀基板的其他的例子進(jìn);f亍說明。圖14B是表示作為本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電容器裝栽型半導(dǎo) 體器件的構(gòu)成要件的薄片狀^i4l的其他的例子的俯視圖。薄片狀J41160， 代替圖14A所示的薄片狀M 140的膜狀電感器150，設(shè)置有膜狀電阻器 170。如圖14B所示，薄片狀基板160，包括通過膜形成方式制造的膜狀電 容器30和膜狀電阻器170。在這里，膜狀電阻器170具有第一電極端子170a 和第二電極端子170b。而且，膜狀電阻器(R) 170的第一電極端子170a， 與圖1A所示的半導(dǎo)體芯片12的電極端子16、 18中的預(yù)先"^殳定的電極端 子16相連接，第二電極端子170b與膜狀電容器(C) 30的另一方的電極 端子24a或者下層電極(未圖示)相連接。進(jìn)而，膜狀電容器30的另一方 的電極端子24a，與安裝^32的芯片連接端子36a相連接。在這里，所 謂預(yù)先設(shè)定的電極端子16，是半導(dǎo)體芯片12的電源端子、需要進(jìn)行外部 噪聲的抑制的電源端子以及需要進(jìn)行信號傳送的頻率范圍的限制的電源端 子。通過上述，在半導(dǎo)體芯片12的預(yù)先設(shè)定的電極端子16的輸出級，除 了附加由膜狀電容器30進(jìn)行的噪聲防止功能，還在薄片狀基板160上，形 成所謂RC濾波器。由此，得到了用于噪聲防止的濾波器功能。在這里，膜狀電阻器170是這樣形成的通過例如濺射方式、離子束 蒸鍍方式、電子束蒸鍍方式、化學(xué)汽相成膜方式(CVD )或者等離子CVD 方式等，形成例如氮化鉭(TaN)、鎳鉻系合金、鉑(Pt)等的膜，并使 用光刻加工和蝕刻加工，形成成為預(yù)定電阻值的電阻圖形。另外，上面，以將膜狀電阻器與膜狀電容器串聯(lián)連接的例子進(jìn)行了說 明，但也可以并聯(lián)連接。由此，能夠構(gòu)成具有必要的特性的RC濾波器。另外，上面，以將膜狀電阻器的第一電極端子連接在半導(dǎo)體芯片的電極端子上的例子進(jìn)行了說明，但并不局限于此。例如，也可以是這樣的結(jié)構(gòu)將連接在膜狀電阻器的第二電極端子上的膜狀電容器的另一方的電極 端子與半導(dǎo)體芯片的電極端子相連接，將膜狀電阻器的第一電極端子連接 在安裝a的芯片連接端子上。另夕卜，在本實(shí)施方式中，使用圖14A或圖14B，以LC濾波器以及RC 濾波器的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)^f亍了說明，但并不局限于此。例如，也可以在薄片狀 !4B殳置膜狀電容器、膜狀電感器以及膜狀電阻器，形成LCR濾波器的 結(jié)構(gòu)。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有噪聲的抑制性優(yōu)異、另外頻帶的選擇性優(yōu)異的 特性的電容器裝載型半導(dǎo)體器件。另外，在第一實(shí)施方式到第四實(shí)施方式中，將膜狀電容器的下層電極 膜連接在另一方的電極端子，將上層電極膜連接在一方的電極端子，但本 發(fā)明并不局限于此。也可以為將下層電極膜連接在一方的電極端子、將上 層電極膜連接在另一方的電極端子的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，電介質(zhì)膜設(shè)置為與各自 的膜狀電容器相對應(yīng)的形狀，分別分割而形成，但也可以以通過一個(gè)圖形 覆蓋四個(gè)膜狀電容器的方式形成。進(jìn)而，上層電極膜也可以為連接到所有 的膜狀電容器那樣的圖形形狀。另外，在第一實(shí)施方式到第四實(shí)施方式中，以通過薄膜技術(shù)制造膜狀 電容器的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于此。也可以將下層電極膜、 電介質(zhì)膜、導(dǎo)體圖形、電阻圖形以及上層電極膜全都使用印刷形成方式、 噴墨形成方式或者描繪方式等印刷加工技術(shù)制造?；蛘?，也可以同時(shí)使用 薄膜技術(shù)和印刷加工技術(shù)制造。進(jìn)而，在第二實(shí)施方式以及第三實(shí)施方式中，對于將半導(dǎo)體芯片的電 極端子設(shè)置在四邊的情況進(jìn)行了說明，但也可以是第一實(shí)施方式所示的結(jié) 構(gòu)。另外，在第二實(shí)施方式以及第三實(shí)施方式中，薄片狀J4^為與半導(dǎo)體 芯片相同的外形，但并不局限于此。也可以比半導(dǎo)體芯片大且比安裝141 小。因此，在第三實(shí)施方式中，對與芯片連接端子直接連接的電極端子的 區(qū)域可以不形成缺口而使之為開口部。如果將薄片狀基板的外形形成為比半導(dǎo)體芯片大，則即使不將半導(dǎo)體芯片的電極端子作為接地端子，也能將 一方的電極端子直接與設(shè)置在安裝基板的接地端子連接。進(jìn)而，也能使增 加電容器的個(gè)數(shù)、增加面積而增大電容變得容易。本發(fā)明的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件形成為下述結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體芯片與 安裝該半導(dǎo)體芯片的安裝M之間、插入至少具有膜狀電容器的薄片狀基 板，在半導(dǎo)體芯片中對需要去除噪聲的電極端子連接膜狀電容器；并且較 薄且小型，并能夠?qū)崿F(xiàn)噪聲防止，所以在各種半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有用。
權(quán)利要求
1.一種電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置有多個(gè)電極端子；薄片狀基板，其至少具有膜狀電容器；和安裝基板，其在一方的表面，具有與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子相對應(yīng)地配置的芯片連接端子和與所述薄片狀基板的所述膜狀電容器的一方的電極端子相對應(yīng)地配置的接地端子，在另一方的表面，具有與所述芯片連接端子和所述接地端子相連接、用于安裝到外部基板的外部連接端子；其中，所述薄片狀基板被插入在所述半導(dǎo)體芯片與所述安裝基板之間；所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子與所述芯片連接端子被連接起來；所述膜狀電容器的所述一方的電極端子與所述接地端子相連接，另一方的電極端子與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子中預(yù)先設(shè)定的電極端子相連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的電容器裝栽型半導(dǎo)體器件，其特征在于 當(dāng)在所述安裝1^上配置了所述薄片狀^L、在所述薄片狀M上配置了所述半導(dǎo)體芯片時(shí)，所述薄片狀基板與所述安裝基板具有所述膜狀 電容器的所述一方的電極端子、所述另一方的電極端子、所述安裝M的 所述芯片連接端子和所述接地端子分別露出的形狀；所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子與所述芯片連接端子、所述膜狀電容 器的所述一方的電極端子與所述接地端子、以及所述膜狀電容器的所述另 一方的電極端子與所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子，分別通過引線而連接。
3. 如權(quán)利要求l所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述半導(dǎo)體芯片，在所述電極端子的表面進(jìn)一步設(shè)置有突起電極； 所述薄片狀M，在與所述突起電極相對應(yīng)的位置具有貫通孔，所述一方的電極端子以及所述另一方的電極端子延伸到所述貫通孔；所述薄片狀M被粘貼在所述半導(dǎo)體芯片的所述突起電極形成面，并 且在所述薄片狀基板的所述貫通孔中插入有所述半導(dǎo)體芯片的所述突起電極；比所述薄片狀14l突出的所述突起電極與所述芯片連接端子被連接起來。
4. 如權(quán)利要求l所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述半導(dǎo)體芯片，在所述電極端子的表面進(jìn)一步設(shè)置有突起電極； 所述薄片狀基板中，所述一方的電極端子以及所述另一方的電極端子延伸到所述半導(dǎo)體芯片的預(yù)先設(shè)定的所述電極端子的形成區(qū)域，并且在所 述區(qū)域的所述薄片狀基板，設(shè)置有插入所述突起電極的貫通孔；所述薄片狀J^1被粘貼在所述半導(dǎo)體芯片的所述突起電極形成面，并 且在所述薄片狀M的所述貫通孔中插入有所述半導(dǎo)體芯片的預(yù)先設(shè)定的 所述突起電極；比所述薄片狀皿突出的所述突起電極與所述芯片連接端子被連接起來。
5. 如權(quán)利要求3所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于所 述薄片狀基板具有與所述半導(dǎo)體芯片相同的外形。
6. 如權(quán)利要求4所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于所 述薄片狀141具有比所述半導(dǎo)體芯片的外形小的外形，所述薄片狀1^1的 至少設(shè)置有所述貫通孔的部分被設(shè)置成延伸到所述半導(dǎo)體芯片的外形。
7. 如權(quán)利要求3所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于所 述一方的電極端子以及所述另一方的電極端子，通過連接所述突起電極和 所述芯片連接端子的導(dǎo)電性連接部件，與所述突起電極和所述芯片連接端 子的連接時(shí)同時(shí)地，被連接到所述接地端子以及預(yù)先設(shè)定的所述電極端子。
8. 如權(quán)利要求l所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于形 成在所述薄片狀基板的所述膜狀電容器，形成在所述薄片狀基板的兩個(gè)面。
9. 如權(quán)利要求l所述的電容器裝載型半導(dǎo)體器件，其特征在于 所述薄片狀a，進(jìn)一步包括與所述膜狀電容器相連接的膜狀電感器或者膜狀電阻器；所述膜狀電感器或者所述膜狀電阻器具有第一電極端子和第二電極端子，所述第一電極端子凈皮連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述電極端子中的預(yù)先 設(shè)定的電極端子，并且所述第二電極端子被連接到所述膜狀電容器的所述 另一方的電極端子。
全文摘要
具有包括下述部件的結(jié)構(gòu)，這些部件為半導(dǎo)體芯片(12)，其設(shè)置有多個(gè)電極端子(16、18)；薄片狀基板(20)，其至少具有膜狀電容器；和安裝基板(32)，其在一方的表面，具有與半導(dǎo)體芯片(12)的電極端子(16、18)相對應(yīng)地配置的芯片連接端子(36a、36b)和與薄片狀基板(20)的膜狀電容器的一方的電極端子(28c)相對應(yīng)地配置的接地端子(36c)，在另一方的表面，具有與芯片連接端子(36a、36b)和接地端子(36c)相連接、用于安裝到外部基板的外部連接端子。
文檔編號H01L25/00GK101233614SQ200680028039
公開日2008年7月30日 申請日期2006年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月6日
發(fā)明者光明寺大道, 山本憲一, 末次大輔 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社