專利名稱：懸臂式探針以及制造該懸臂式探針的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子器件檢測(cè)系統(tǒng)的探針以及制造該探針的方法，具體地 說，涉及用于通過接觸微電子器件的焊盤來檢測(cè)電特性的懸臂式探針，以及 制造這種懸臂式探針的方法。
背景技術(shù)：
探針是用于測(cè)量微電子器件(例如，半導(dǎo)體器件)的電特性的機(jī)械工具。 眾所周知，半導(dǎo)體器件具有多個(gè)用于與外部電子系統(tǒng)進(jìn)行信號(hào)通信的悍盤(pad)。半導(dǎo)體器件可以處理通過焊盤輸入的電信號(hào)，然后通過焊盤將處 理結(jié)果傳輸?shù)酵獠侩娮酉到y(tǒng)。探針布置在探針板的印刷電路板上并與上述焊 盤物理接觸，因此它們形成與外部電子系統(tǒng)進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)碾娡ǖ?。眾所周知，探針板可以根?jù)探針的類型而分類為針式、立式和懸臂式。 第2001-0064603號(hào)或第2004-7021434號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)中公開了探針板。針 式探針板的缺點(diǎn)是，因?yàn)樘结樶橌w沒有足夠的恢復(fù)力，因此探針針體可能由 于重復(fù)使用而在水平和對(duì)準(zhǔn)方向上變形。另外，由于針式探針板的探針針體 自身的尺寸很大，因此不適合用于檢測(cè)高度集成的半導(dǎo)體器件。相反，由于 立式探針板較小而且探針以較窄的間距布置，因此立式探針板適合用于檢測(cè) 高度集成的半導(dǎo)體器件。但是，因?yàn)槭固结樑c焊盤接觸的力是沿著探針長(zhǎng)度 方向的，因此立式探針板也存在由于恢復(fù)力不足而變形的問題。根據(jù)圖1中所示的典型懸臂式探針板，與焊盤3接觸的尖端2聯(lián)接在懸 臂1的一端，并且懸臂1平行于焊盤3的頂面而固定在印刷電路板(未示出) 上。因此，在這種懸臂式探針板中，使探針(具體地說為尖端2)與焊盤3 接觸的力作用在與懸臂1的長(zhǎng)度方向垂直的方向上。這種懸臂式探針板的結(jié) 構(gòu)能夠提供足夠的恢復(fù)力。發(fā)明內(nèi)容[技術(shù)問題]然而，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，如圖2所示，與焊盤3接觸的尖端2的端部是矩形的，并且尖端2的四個(gè)側(cè)面中的兩個(gè)側(cè)面與懸臂1的長(zhǎng)度方向平 行。尖端2的四個(gè)側(cè)面中的其余兩個(gè)側(cè)面垂直于懸臂1的長(zhǎng)度方向。因而，如圖3和圖4所示，傳統(tǒng)懸臂式探針板產(chǎn)生了長(zhǎng)而深的刮痕。該長(zhǎng)而深的刮痕將會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性副產(chǎn)物，導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果差、探針板壽命縮短 或者微電子器件損壞。[技術(shù)方案]本發(fā)明的目的是提供一種能防止形成較深刮痕的懸臂式探針。本發(fā)明還涉及一種制造能防止形成較深刮痕的懸臂式探針的方法。在一些實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種懸臂式探針，其中，四邊形尖 端的兩個(gè)相對(duì)角部之間的對(duì)角線與懸臂的長(zhǎng)度方向平行。該探針包括沿 長(zhǎng)度方向而不是寬度和高度方向延伸的懸臂，以及形成在懸臂的一端并 從懸臂底部延伸的尖端。平行于懸臂底面的尖端的剖面是四邊形，具有 四個(gè)相對(duì)于懸臂長(zhǎng)度方向傾斜的側(cè)壁。當(dāng)遠(yuǎn)離懸臂時(shí)，尖端的端部的剖面變小。與懸臂底面平行的四邊形 剖面的對(duì)角線與懸臂的長(zhǎng)度方向平行。在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種制造懸臂式探針的方法，其 中，四邊形尖端的兩個(gè)相對(duì)角部之間的對(duì)角線與懸臂的長(zhǎng)度方向平行。該方法包括在基底上形成掩模圖案，該掩模圖案帶有使該基底的頂面 露出的第一開口；使用該掩模圖案作為蝕刻掩模而蝕刻該基底，并在該 第一開口下形成溝槽；去除該掩模圖案，從而使該基底的頂面露出；在 包括該溝槽的基底上形成成型圖案，該成型圖案帶有使該溝槽露出的第 二開口；形成填充該第二開口和該溝槽的導(dǎo)電膜；蝕刻該導(dǎo)電膜以進(jìn)行 平整化直到露出該成型圖案，并形成探針，該探針具有分別在該溝槽和 該第二開口中的尖端和懸臂；以及去除該成型圖案和該基底，從而使探 針剝離。第一開口是形成在第二開口一端的六面體空間。第一開口的側(cè) 壁相對(duì)于第二開口的長(zhǎng)度方向傾斜。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一開口的側(cè)壁相對(duì)于第二開口的長(zhǎng)度方向 傾斜40° 50°?；子蓪?duì)掩模圖案、成型圖案、導(dǎo)電膜具有蝕刻選擇性的材料形成。基底優(yōu)選由具有晶體結(jié)構(gòu)的材料形成。例如，基底由單晶硅形成。掩模 圖案由選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻膠中的至少一種形成。成 型圖案由選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻膠中的至少一種形成。 優(yōu)選地，基底在法向方向上具有<100>晶向。溝槽的形成包括使用選自氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化銨、乙二胺鄰苯二酚(EDP)中的一種蝕刻劑來蝕刻溝槽的步驟。在這種情況下，當(dāng)從溝槽的入口靠近溝槽底部時(shí)，溝槽下部的寬度可以變窄。 [有益效果]根據(jù)本發(fā)明，由于四邊形尖端的兩個(gè)相對(duì)角部之間的對(duì)角線與懸臂 的長(zhǎng)度方向平行，因此當(dāng)使探針過驅(qū)動(dòng)以進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，由尖端的角部產(chǎn) 生刮痕。由于通過尖端角部進(jìn)行的刮擦操作能夠減小刮痕的長(zhǎng)度和深度， 因此本發(fā)明的探針就能提供針對(duì)于檢測(cè)結(jié)果差、探針板壽命縮短、測(cè)量 目標(biāo)損壞等問題的改進(jìn)。而且，本發(fā)明的探針能夠容易地劃破形成在測(cè) 量目標(biāo)的焊盤上的自然氧化膜。并且，由于所產(chǎn)生的刮擦副產(chǎn)物較小， 因此就能使探針的清潔周期變長(zhǎng)。


圖1和圖2描述了傳統(tǒng)懸臂式探針。圖3和圖4示出了由傳統(tǒng)懸臂式探針產(chǎn)生的關(guān)于刮痕的照片和模擬 結(jié)果。圖5是描述本發(fā)明的懸臂式探針的平面圖。圖6~圖18中那些編號(hào)為雙號(hào)的圖是沿圖5中虛線I-I'的剖面圖，示 出了本發(fā)明的懸臂式探針制造方法的處理步驟。圖7~圖19中那些編號(hào)為單號(hào)的圖是沿圖5中虛線n-n'的剖面圖， 示出了本發(fā)明的懸臂式探針制造方法的處理步驟。圖20和圖21是描述本發(fā)明的懸臂式探針的立體圖。圖22和圖23示出了由本發(fā)明懸臂式探針產(chǎn)生的關(guān)于刮痕的照片和 模擬結(jié)果。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，在附圖中顯示了這些優(yōu)選實(shí)施例的例子。但是，本發(fā)明并不被本文隨后描述的實(shí)施例所限制，并且 對(duì)這些實(shí)施例的描述是為了更容易和完整地理解本發(fā)明的范圍和精神。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)層被稱為在其他層或基底"上"時(shí)，它可以直接在該 其他層或基底上，或者也可以存在中間層。同樣，在附圖中，為清楚起見而 擴(kuò)大了各區(qū)域和各層的厚度。還應(yīng)當(dāng)理解，雖然術(shù)語"第一"、"第二"、 "第三"等可以用在這里以便描述各元件、組成、區(qū)域、層和/或段，但這 些元件、組成、區(qū)域、層和/或段應(yīng)當(dāng)不限于這些術(shù)語。這些術(shù)語只用于將 一個(gè)元件、組成、區(qū)域、層或段與另一個(gè)元件、組成、區(qū)域、層或段區(qū)分開。 因此，可以將第一元件、組成、區(qū)域、層或段稱為第二元件、組成、區(qū)域、 層或段，而不背離本發(fā)明的指導(dǎo)。此處說明和描述的每個(gè)實(shí)施例也包括它的 補(bǔ)充實(shí)施例。圖5是描述本發(fā)明的懸臂式探針的平面圖。圖6~圖18和圖7 圖19分別是沿圖5中虛線i-r和虛線n-n'的剖面圖，示出了本發(fā)明的懸臂式探針制造方法的處理步驟。參照?qǐng)D5、圖6和圖7，在基底10上形成掩模圖案20。為了在后續(xù) 的濕法蝕刻過程中能夠允許各向異性蝕刻，基底10優(yōu)選由晶體材料制成。 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基底10由在法向方向上為<100>晶向的單晶硅形 成。掩模圖案20的形成包括如下步驟在基底10上沉積掩模膜之后， 使該掩模膜形成圖案，從而形成使基底10的預(yù)定頂面露出的第一開口 22。此處，掩模圖案20由對(duì)基底IO具有蝕刻選擇性的材料形成。例如， 掩模圖案20可以由選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和光刻膠中的至少一 種制成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，掩模圖案20由氧化硅制成。用氧化硅形 成掩模圖案20可以通過將基底10熱氧化或通過化學(xué)氣相沉積(CVD) 來實(shí)現(xiàn)。可以將第一開口 22構(gòu)造成具有四個(gè)側(cè)壁的長(zhǎng)方體形狀，優(yōu)選為 規(guī)則正方體形狀。接著，使用掩模圖案20作為蝕刻掩模，將基底10各向異性地蝕刻 預(yù)設(shè)深度&，形成在制作探針尖端時(shí)作為模子使用的第一初級(jí)溝槽30。 對(duì)基底10的各向異性蝕刻過程可以通過使用選自CF4、 SF6、 C4F8、 02的處理氣體來完成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這一步驟使用SF6、 QF8或 02作為處理氣體。參照?qǐng)D5、圖8和圖9，使掩模圖案20形成圖案，從而擴(kuò)展第一開 口 22的寬度，圍繞著第一初級(jí)溝槽30形成使基底10的頂面露出的第一 擴(kuò)大開口 22'。使掩模圖案20形成圖案包括如下步驟在借助于光刻過 程形成光刻膠圖案(未示出)之后，通過使用該光刻膠圖案作為蝕刻掩 模來蝕刻掩模圖案20。然后，對(duì)通過第一擴(kuò)大開口 22'而局部露出的基底IO執(zhí)行濕法蝕刻 過程，從而擴(kuò)展第一初級(jí)溝槽30。因此，在第一擴(kuò)大開口 22'下面形成了 用于早先限定探針尖端形狀的第二初級(jí)溝槽32。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例， 第二初級(jí)溝槽32的形成通過使用選自氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化 銨、乙二胺鄰苯二酚(EDP)中的一種蝕刻劑來完成。在基底10由單晶 硅形成的情況下，蝕刻率隨基底IO晶向的不同而不同。因此，如圖所示， 第二初級(jí)溝槽32的側(cè)壁可以是垂直的或者相對(duì)于基底10的頂面傾斜一 角度(此處該角度為54.74°)。蝕刻率隨表面晶向的不同而不同的細(xì)節(jié) 在Marc J. Madou著作的"Fundamentals of Microfabrieation: The Science of Miniaturization (the second edition, CRC PRESS)"中公開。在晶向和蝕 刻率之間存在這種關(guān)系的情況下，在第二初級(jí)溝槽32的入口 fl和底部6 處，當(dāng)從第二溝槽的入口向第二溝槽的底部靠近時(shí)，第二初級(jí)溝槽32的 寬度變窄。在入口 "和底部&的中間區(qū)域c處，形成預(yù)設(shè)寬度的側(cè)壁。參照?qǐng)D5、圖10和圖11，使用掩模圖案25作為蝕刻掩模，各向異 性地蝕刻通過第一擴(kuò)大開口 22'露出的基底10，從而形成比第二初級(jí)溝槽 32深的溝槽35。溝槽35的形成可以通過使用選自CF4、 SF6、 C4F8、 02 的處理氣體來完成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，這一步驟使用SF6、 QFs或 02作為處理氣體。通過各向異性蝕刻操作，將第二初級(jí)溝槽32的底部輪廓轉(zhuǎn)錄至溝槽 35中。溝槽35的底部6和中間區(qū)域c的輪廓與第二初級(jí)溝槽32的對(duì)應(yīng) 部分相當(dāng)。并且，溝槽35的入口處的深度大于第二初級(jí)溝槽32的入口 " 處的深度。溝槽35成為用于限定本發(fā)明探針的尖端結(jié)構(gòu)的模子。此外，根據(jù)上述實(shí)施例，在進(jìn)行各向異性蝕刻過程從而形成第一初 級(jí)溝槽30和進(jìn)行各向同性蝕刻過程從而形成第二初級(jí)溝槽32之后，再次使用各向異性蝕刻過程從而形成溝槽35。但也允許改變溝槽35的形成 過程。舉例來說，處理步驟的順序可以改變，例如，部分地省略該形成 過程的一個(gè)步驟，或者向該形成過程中增加一個(gè)步驟。理解晶向與蝕刻 率之間的上述關(guān)系有利于本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)實(shí)施例進(jìn)行修改。因此，本 發(fā)明很顯然不限于上述特征。參照?qǐng)D5、圖12和圖13，在掩模圖案25上形成包括第二開口 45的 成型圖案40，從而限定探針的懸臂。成型圖案40的形成包括如下步驟 在掩模圖案25上沉積成型膜之后，使該成型膜形成圖案，從而形成使溝 槽35露出的第二開口。成型圖案40由對(duì)基底IO具有蝕刻選擇性的材料 形成。例如，成型圖案40可以由選自氧化硅、氮化硅、光刻膠中的至少 一種制成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，成型圖案40由通過光刻過程所制成的 光刻膠膜形成。如圖5所示，第二開口 45由較窄的寬度方向的側(cè)壁42和大于側(cè)壁 42寬度的長(zhǎng)度方向的側(cè)壁41限定。因此，根據(jù)本實(shí)施例，第二開口45 具有矩形剖面。但是，第二開口 45的形狀可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的需 要視情況進(jìn)行更改。根據(jù)本發(fā)明，第一開口 22的側(cè)壁相對(duì)于第二開口 45 的長(zhǎng)度方向的側(cè)壁傾斜。上述側(cè)壁之間的傾斜角^優(yōu)選為40° 50°。傾斜 角p更優(yōu)選為45。。為此，如圖5所示，第二開口 45形成得在長(zhǎng)度方向 上平行于第一開口 22的相對(duì)角部之間的對(duì)角線。第一開口 22和第二開口 45之間的這種布置關(guān)系能簡(jiǎn)單地應(yīng)用，即 使第二開口 45的形狀可能改變。如果第二開口 45的形狀改變，那么根 據(jù)將要由后續(xù)處理步驟形成的懸臂的變形方向，或者根據(jù)刮痕的方向， 來限定第二開口 45的長(zhǎng)度方向。例如，當(dāng)探針與焊盤接觸時(shí)，懸臂的變 形方向決定了刮痕的方向。另外，不管第二開口 45的結(jié)構(gòu)如何，沿長(zhǎng)度 方向限定刮痕的方向。按照上述限定的第二開口 45的長(zhǎng)度方向與第一開 口 22的對(duì)角線平行。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第一擴(kuò)大開口 22'也可以形成得具有四邊 形剖面。并且，如圖5所示，第一擴(kuò)大開口 22'的相對(duì)角部之間的對(duì)角線平行于第二開口 45的長(zhǎng)度方向。然而，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，不管第二開口 45的長(zhǎng)度方向如何，第一擴(kuò)大開口 22'可以形成自己的方向。根據(jù)本發(fā)明的修改實(shí)施例，允許在形成成型圖案40之前去除掩模圖 案25。在這種情況下，優(yōu)點(diǎn)在于，不需要在后續(xù)的剝離探針步驟中執(zhí)行 另外的用于去除掩模圖案25的蝕刻步驟。參照?qǐng)D5、圖14和圖15，在成型圖案40上形成導(dǎo)電膜50，從而填 充溝槽35和第二開口 45。導(dǎo)電膜50借助于電鍍、化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射 而形成。導(dǎo)電膜50由對(duì)基底IO具有蝕刻選擇性的金屬材料形成。例如， 導(dǎo)電膜50優(yōu)選由選自銅、鎳以及它們的合金中的一種制成。導(dǎo)電膜50 形成得其厚度能夠完全填充溝槽35和第二開口 45。參照?qǐng)D5、圖14和圖15，蝕刻導(dǎo)電膜50以進(jìn)行平整化，直到露出 成型圖案40的頂面，從而得到分別填充溝槽35和第二開口 45的尖端52 和懸臂53。尖端52和懸臂53構(gòu)成本發(fā)明的探針55。由于探針55是通 過蝕刻導(dǎo)電膜50而生成的，因此尖端52和懸臂53 —體構(gòu)成。探針55 的形成通過包括借助于化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)蝕刻導(dǎo)電膜50的步驟來完成。參照?qǐng)D5、圖18和圖19，去除成型圖案40、掩模圖案25和基底10， 從而將探針55從基底10上剝離。剝離探針55的處理步驟通過對(duì)探針55 具有蝕刻選擇性的蝕刻配方來完成。通過使用溝槽35作為模子而形成了尖端52，同時(shí)通過使用第二開 口 45作為模子而形成了懸臂53。因而，尖端52和懸臂53的結(jié)構(gòu)由溝槽 53和第二開口 45的結(jié)構(gòu)和設(shè)置決定。也就是說，如圖20和圖21所示，懸臂53沿著其長(zhǎng)度方向延伸，其 長(zhǎng)度大于寬度和高度。尖端52設(shè)置在懸臂53的一端，從懸臂53的底部 延伸(為了描述的方便，圖20和圖21將懸臂53顯示成底部朝上)。與 懸臂53的底面平行的尖端52的剖面為四邊形形狀。并且，尖端52的四 個(gè)側(cè)面相對(duì)于懸臂53的長(zhǎng)度方向以角度^傾斜。如前所述，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，傾斜角( )在40。 50。范圍內(nèi)。 傾斜角p更優(yōu)選為45°。換句話說，根據(jù)本實(shí)施例，尖端52的四邊形剖 面的對(duì)角線與懸臂53的長(zhǎng)度方向平行。另外，如前面參照?qǐng)DIO和圖ll所述的那樣，當(dāng)遠(yuǎn)離懸臂53的底部時(shí)，尖端52的端部的剖面變小。圖22和圖23示出了由本發(fā)明懸臂式探針產(chǎn)生的關(guān)于刮痕的照片和 模擬結(jié)果。具體地，圖22是示出了由100 //附的過驅(qū)動(dòng)接觸操作產(chǎn)生的 刮痕的顯微照片。由本發(fā)明探針形成的刮痕為長(zhǎng)16.2//m、寬10.5^m的 六邊形形狀。然而，參照?qǐng)D3，在相同的過驅(qū)動(dòng)條件下，由傳統(tǒng)探針形成 的刮痕為長(zhǎng)20.2々m、寬7.9^n的矩形形狀。另外，本發(fā)明探針造成的刮 痕的深度為1700 A，而傳統(tǒng)探針造成的刮痕的深度為6300 A。因此，由本發(fā)明探針造成的刮痕的長(zhǎng)度和深度都小于由傳統(tǒng)探針造 成的刮痕的長(zhǎng)度和深度。本發(fā)明探針?biāo)z留的刮擦副產(chǎn)物小于傳統(tǒng)探針 所遺留的刮擦副產(chǎn)物。考慮到前述的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)，刮擦廢物會(huì)導(dǎo)致檢 測(cè)結(jié)果差、探針板壽命縮短以及測(cè)量目標(biāo)損壞，可以理解，本發(fā)明的探 針提供了比傳統(tǒng)技術(shù)更好的改進(jìn)的效果。這些改進(jìn)來自于在過驅(qū)動(dòng)操作中尖端和焊盤之間接觸方案的不同。 也就是說，根據(jù)本發(fā)明，由于四邊形尖端的對(duì)角線與懸臂的長(zhǎng)度方向平 行，因此刮痕是由尖端的角部造成的。圖22中的六邊形刮痕示出了這樣 的結(jié)果。在傳統(tǒng)技術(shù)中，由于四邊形尖端的側(cè)壁與懸臂的長(zhǎng)度方向垂直 或平行，因此刮痕是由尖端的一個(gè)側(cè)邊造成的?？偟膩碚f，本發(fā)明與現(xiàn) 有技術(shù)在技術(shù)方案上的不同之處在于，本發(fā)明中造成刮痕的尖端部分是 角部，而在現(xiàn)有技術(shù)中造成刮痕的尖端部分是側(cè)壁，這就導(dǎo)致了前述的 本發(fā)明改進(jìn)效果。另外，考慮到施加到一個(gè)面上的壓力與該處的接觸面積成反比，因 此，如同本發(fā)明的探針那樣，由尖端角部進(jìn)行的刮擦操作就能夠通過容 易地劃破焊盤上的自然氧化膜而實(shí)現(xiàn)。[工業(yè)應(yīng)用]本發(fā)明適用于檢測(cè)具有焊盤的微電子器件。
權(quán)利要求
1.一種制造探針的方法，包括在基底上形成帶有第一開口的掩模圖案，所述第一開口使所述基底的頂面的預(yù)定區(qū)域露出；使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模而蝕刻所述基底，從而在所述第一開口下面形成溝槽；去除所述掩模圖案，從而使所述基底的頂面露出；在包括所述溝槽的基底上形成帶有第二開口的成型圖案，所述第二開口使所述溝槽露出；形成帶有尖端和懸臂的探針，所述尖端和所述懸臂分別布置在所述溝槽和所述第二開口中；以及去除所述成型圖案和所述基底，從而將所述探針剝離，其中所述第一開口是形成在所述第二開口一端的六面體空間，并且所述第一開口的側(cè)壁相對(duì)于所述第二開口的長(zhǎng)度方向傾斜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一開口的側(cè)壁相對(duì)于所 述第二開口的長(zhǎng)度方向傾斜40。 50。。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述基底由對(duì)所述掩模圖案、 所述成型圖案和導(dǎo)電膜具有蝕刻選擇性的材料形成，并且所述基底由具有晶體結(jié)構(gòu)的材料形成。
4. 根據(jù)要求1或3所述的方法，其中所述基底由單晶硅形成， 并且所述基底在法向方向上具有<100>晶向。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中所述掩模圖案由選自氧化 硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻膠中的至少一種形成，并且所述成型圖案由選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、光刻膠中的 至少一種形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溝槽的形成包括使用選自氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化銨、乙二胺鄰苯二酚(EDP)中的一 種蝕刻劑來蝕刻所述溝槽，并且，當(dāng)從所述溝槽的入口向所述溝槽的底部靠近時(shí)，所述溝槽下 部的寬度變窄。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中導(dǎo)電膜的形成通過使用選自電 鍍、化學(xué)氣相沉積、濺射中的至少一種方法來完成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述探針的形成包括形成導(dǎo)電膜，從而填充所述第二開口和所述溝槽；以及 平整化地蝕刻所述導(dǎo)電膜，從而使所述成型圖案露出。
9. 一種探針，包括懸臂，它的長(zhǎng)度大于寬度和高度；以及 尖端，它設(shè)置在所述懸臂的一端，從所述懸臂的底面延伸， 其中與所述懸臂底部平行的所述尖端的剖面是四邊形，具有四個(gè)相 對(duì)于所述懸臂的長(zhǎng)度方向傾斜的側(cè)邊。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的探針，其中當(dāng)遠(yuǎn)離所述懸臂時(shí)，所述尖 端的端部的剖面變小。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的探針，其中與所述懸臂底面平行的所述 尖端的四邊形剖面的對(duì)角線平行于所述懸臂的長(zhǎng)度方向。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種懸臂式探針以及制造該懸臂式探針的方法。該懸臂式探針包括懸臂和尖端，該懸臂的長(zhǎng)度大于它的寬度和高度，該尖端從懸臂的底部延伸并且形成在懸臂的一端。與懸臂底部平行的尖端的剖面是矩形，具有四個(gè)相對(duì)于懸臂的長(zhǎng)度方向傾斜的側(cè)邊。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101238567SQ200680028649
公開日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月10日
發(fā)明者曹容輝, 金基俊 申請(qǐng)人:飛而康公司