專利名稱：半導體器件的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種在半導體襯底上隔著絕緣膜形成有薄膜元件的半導體 器件，更具體而言涉及一種以薄膜電感器元件作為薄膜元件的半導體器件。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)公知具有所謂的CSP (芯片尺寸封裝)結(jié)構(gòu)的半導體器件， 并已經(jīng)使用這種半導體器件來提高電路板的封裝密度，在該CSP結(jié)構(gòu)中， 半導體芯片和封裝的尺寸幾乎是相等的。具有這種CSP結(jié)構(gòu)的半導體器件具有多個接線柱，用于連接到例如連接到半導體芯片的連接焊盤的外部電 路，并通過在每一個接線柱的上表面上形成焊球來將半導體器件連接到電 路板。為了形成具有(例如)射頻無線通信功能的半導體芯片，必需要在半 導體芯片中形成諸如電容器元件和電感器元件等各種無源元件，以便實現(xiàn)PLL電路、VC0電路或濾波電路的RF功能。由于這些無源元件需要較大的 面積，因此如果要把這些無源元件結(jié)合到半導體芯片中芯片面積就不可避 免地增加。因此，有時必需要通過如下方式來形成這些無源元件在具有 集成電路的半導體襯底上的絕緣膜上形成薄膜元件，并將無源元件連接到 集成電路，由此抑制芯片面積的增加并提高封裝密度。在形成作為薄膜元件的薄膜電感器元件時，通過在兩個端子之間形成 螺旋導電層來形成該薄膜電感器元件。如果該薄膜電感器元件的兩個端子 形成在同一平面上且使螺旋導電層的匝數(shù)大于一，以便增大薄膜電感器元 件的電感值，則形成薄膜電感器元件的導電層一定會在某一部分彼此交叉。在導電層的該交叉部分中，兩個導電層隔著半導體襯底上的絕緣膜而 彼此交叉； 一個導電層是形成在絕緣膜下方的下導電層，而另一個導電層 是形成在絕緣膜上方的上導電層。下導電層比上導電層更接近襯底。當把半導體襯底用作襯底時，在接近襯底的下導電層中由于襯底的影響而使電感器特性值(Q值)減小。亦即， 當電流流經(jīng)下導電層時，因為襯底的電阻較低，由于感應而使半導體襯底 中也流過渦流。由于該渦流產(chǎn)生的損耗導致薄膜電感器元件Q值減小的現(xiàn) 象；下導電層離電感器元件的端子越近，并且下導電層的長度越長，則Q 值減小的影響也就越大。而且，如果導電層的交叉部分靠近薄膜電感器元件的兩個端子之一， 則從該端子所觀察到的電感器的Q值變得小于從另一個端子所觀察到的Q 值，這使得從兩個端子所觀察到的電感器特性彼此不同。要求電感器元件具有高Q值的高性能，并要求當從兩個端子觀察時電 感器元件具有對稱的特性。亦即，電感器元件是一種雙端子元件且沒有極 性。因此，在將電感器元件用作電路元件時，通常無需考慮待連接到電路 的端子，因此從兩個端子所觀察到的特性必需要相等。然而，在具有上述 布局的薄膜電感器元件中從兩個端子所觀察到的電感器特性值是不同的， 這使得很難將該元件用作電路元件。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的優(yōu)點在于能夠提供這樣的半導體器件，其在半導體襯底上隔著絕緣膜形成薄膜元件，并且在把薄膜電感器元件形成為薄膜元件時，該 半導體器件能夠使從薄膜電感器元件的兩個端子所觀察到的特性值基本相等。為了獲得以上優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的第一半導體器件包括半導體襯底; 形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述 絕緣膜上并包括第一端子、第二端子和導電層，所述導電層在所述第一端 子和所述第二端子之間形成為螺旋形狀，從而具有多匝和至少一個交點。 所述導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層，以及(ii) 形成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層連接到所述第一端子 和所述第二端子，在所述交點處隔著所述絕緣膜與所述第一導電層交叉， 并在所述交點附近電連接到所述第一導電層。在沿所述導電層的長度方向 從中點到所述第一端子和所述第二端子的方向上對稱地設置所述第一導電 層和所述第二導電層，所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點，并且將從所述第一端子到電連接到所述第一導電層的所述第二導電層 的一部分的長度與從所述第二端子到電連接到所述第一導電層的一部分的 長度之比設置為這樣的值，使得從所述第一端子所觀察到的所述薄膜電感器元件的Q值和從所述第二端子所觀察到的所述薄膜電感器元件的Q值之 間的差異為10%或更少。所述半導體襯底具有在其中形成集成電路的電路元件形成區(qū)，所述絕 緣膜形成在所述電路元件形成區(qū)上，且所述第一導電層形成在所述電路元 件形成區(qū)中。在所述半導體襯底上形成多個用于外部連接的連接端子，所 述薄膜電感器元件的第一端子和第二端子中的每一個都連接到所述多個連 接端子之一。所述第一導電層通過形成在所述交點附近的絕緣膜中的至少 一個孔而電連接到所述第二導電層。所述第一導電層形成在包括所述中點的位置中。在這種情況下，例如所述薄膜電感器元件具有兩匝，且包括由所述第二導電層制成并形成部 分被切除的環(huán)形形狀的外導電層；以及由所述第二導電層制成且形成在所 述外導電層內(nèi)部的內(nèi)導電層，所述內(nèi)導電層被形成為在與所述外導電層的 環(huán)形形狀被切除的同一側(cè)被切除的環(huán)形形狀；從所述外導電層的一個端部 形成到所述第一端子的引出導電層以及從所述內(nèi)導電層的一個端部形成到 所述第二端子的引出導電層；以及所述絕緣膜下方的連接導電層，其(i) 形成在所述交點處包括所述中點的位置中，(ii)由所述第一導電層制成， 且(iii)電連接到所述外導電層的端部和所述內(nèi)導電層的端部。在所述交點處，所述內(nèi)導電層或所述引出導電層隔著所述絕緣膜形成在所述連接導 電層上方。此外，根據(jù)本發(fā)明的薄膜電感器元件例如具有兩匝，并包括由所述 第二導電層制成的半圓形的第一外導電層和半圓形的第二外導電層；在所 述第一外導電層和所述第二外導電層內(nèi)部被形成為部分切除的環(huán)形的內(nèi)導 電層；分別從所述第一外導電層的第一端部和所述第二外導電層的第一端 部形成到所述第一端子和所述第二端子的弓I出導電層；所述絕緣膜下方的 第一連接導電層，其(i)形成在所述交點處，(ii)由所述第一導電層制 成，且(iii)電連接到所述內(nèi)導電層的第一端部和所述第一外導電層的第 二端部；以及所述絕緣膜下方的第二連接導電層，其由所述第一導電層制成，且電連接到所述內(nèi)導電層的第二端部和所述第二外導電層的第二端部。 在所述交點處，所述第二外導電層隔著所述絕緣膜形成在所述第一連接導 電層上方。為了獲得以上優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的第二半導體器件包括半導體襯底； 形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述 絕緣膜上并包括第一端子、第二端子和導電層，所述導電層在所述第一端 子和所述第二端子之間形成為螺旋形狀，從而具有多匝和多個交點。所述 導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層，以及(ii)形 成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層連接到所述第一端子和 所述第二端子，在所述交點中的每一個處隔著所述絕緣膜與所述第一導電 層交叉，并在所述交點中的每一個附近電連接到所述第一導電層。從所述 第一端子沿所述薄膜電感器元件的長度方向的兩個相繼的交點和從所述導 電層的所述第二端子的兩個相繼的交點包括第一交點和第二交點，其中在 所述第一交點處所述導電層由所述第一導電層制成，而在所述第二交點處 所述導電層由所述第二導電層制成。所述導電層在以下兩部分中具有相等數(shù)目的交點，即沿所述導電層的 長度方向從所述第一端子和所述第二端子之間的中點到所述第一端子的部 分，以及沿朝向所述第二端子的所述導電層的長度方向從所述中點到所述 第二端子的部分。在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部 分中的所述第一導電層和所述第二導電層的布置順序與在沿所述長度方向 從所述中點到所述第二端子的部分中的所述第一導電層和所述第二導電層 的布置順序相反，其中所述第一導電層和所述第二導電層形成所述多個交 點中的每一個處的所述導電層，所述中點是所述第一端子和所述第二端子 之間的中點。此外，在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的 部分中的所述第一導電層和所述第二導電層的布置順序與沿所述長度方向 從所述中點到所述第二端子的部分中的所述第一導電層和所述第二導電層 的布置順序相同，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中 占。"、 o例如，根據(jù)本發(fā)明的薄膜電感器元件具有三匝和兩個交點，并且在沿 所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在所述兩個交點中的每一個處，以及在沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部分 中、在所述兩個交點中的每一個處，交替地形成所述第一導電層和所述第 二導電層，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點，所 述第一導電層和所述第二導電層形成所述導電層。再例如，根據(jù)本發(fā)明的薄膜電感器元件具有四匝和三個交點，并且在 沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在所述三個交 點中的每一個處，以及在沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部 分中、在所述三個交點中的每一個處，交替地形成所述第一導電層和所述 第二導電層，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點， 所述第一導電層和所述第二導電層形成所述導電層。再例如，根據(jù)本發(fā)明的薄膜電感器元件具有四匝和三個交點，在沿所 述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在所述三個交點中 的兩個相繼的交點處連續(xù)形成所述第一導電層，其中所述中點是所述第一 端子和所述第二端子之間的中點，所述第一導電層形成所述導電層，并且 在沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部分中、在所述三個交點 中的兩個相繼的交點處連續(xù)形成所述第二導電層，所述第二導電層形成所 述導電層。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體器件的主要部件的平面圖； 圖2A是取自圖1中的線IIA-IIA的截面圖； 圖2B是取自圖1中的線IIB—IIB的截面圖； 圖3是用于解釋第一實施例中的導電層布置方案的示意性截面圖； 圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體器件的主要部件的平面圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件的主要部件的平面圖； 圖6是用于解釋第三實施例中的導電層的布置方案的示意性截面圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件的主要部件的平面圖； 圖8是用于解釋第四實施例中的導電層的布置方案的示意性截面圖； 圖9是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件的主要部件的平面圖； 圖10是用于解釋第五實施例中的導電層的布置方案的示意性截面圖；圖ll是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導體器件的主要部件的平面圖；以及圖12是用于解釋第六實施例中的導電層的布置方案的示意性截面圖。
具體實施方式
以下將基于附圖所示的實施例而詳細解釋根據(jù)本發(fā)明的各個方面的半 導體器件及其制造方法。 <第一實施例>圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。圖2A是取自圖1中的線IIA-IIA的截面圖，而圖2B是取自圖1中的線IIB—IIB的截面圖。該半導體器件被通稱為CSP (芯片尺寸封裝)且具有硅襯底(半導體襯底)1。如圖l、 2A和2B所示，在硅襯底l的上表面上提供電路元件形成區(qū)， 在電路元件形成區(qū)中形成具有預定功能的集成電路，在硅襯底1的上表面 的周邊部分中形成由例如基于鋁的金屬等制成的多個外部連接焊盤2a、 2b 和2c，并將其連接到集成電路。將附圖標記2b和2c表示的連接焊盤連接 到薄膜電感器元件13 (稍后描述)的兩個端子(第一和第二端子)并(例 如)彼此相鄰地設置。在硅襯底1的上表面上，形成第一導電層以充當形成薄膜電感器元件 13的連接導電層的下層。在硅襯底1上提供絕緣膜3和保護膜5。雖然這 里將絕緣膜3稱為"絕緣膜"，但可以將絕緣膜理解為絕緣層且通過涂布來 形成。在絕緣膜3和保護膜5的上表面上形成第二導電層，以充當上層， 該上層形成薄膜電感器元件13的底金屬層、外導電層、內(nèi)導電層和引出導 電層。第二導電層具有雙層結(jié)構(gòu)，從而形成底金屬層以及提供于底金屬層 上的導電層。在除了連接焊盤2a、 2b和2c的中心部分之外的硅襯底1的上表面上 形成由例如氧化硅等制成的絕緣膜3。通過形成在絕緣膜3中的孔4將連接 焊盤2a、 2b和2c的中心部分暴露出來。在絕緣膜3的上表面上形成由例 如基于聚酰亞胺的樹脂等制成的保護膜(絕緣膜)5。在保護膜5對應于絕緣膜3中的孔4的部分中形成孔6。
在保護膜5的上表面上用第二導電層構(gòu)成由例如銅等制成的第一、第 二和第三底金屬層IO、 11和12、外底金屬層17和內(nèi)底金屬層18。
分別在第一、第二和第三底金屬層10、 11和12的整個上表面上用第 二導電層構(gòu)成例如由銅制成的第一互連7、第一引出導電層8和第二引出導 電層9。
在外底金屬層17和內(nèi)底金屬層18的整個上表面上用第二導電層分別 構(gòu)成外導電層14和內(nèi)導電層15。
連接焊盤2a通過絕緣膜3和保護膜5中的孔4和6經(jīng)由第一底金屬層 10連接到第一互連7的第一端部。在第一互連7的第二端部的上表面上形 成由例如銅等制成的柱形電極21 。
接下來將描述薄膜電感器元件13。為方便起見，在以下描述中假設相 應的導電層包括在其上設置導電層的相應的底金屬層。例如，在以下描述 中，假設第一引出導電層8、第二引出導電層9、外導電層14和內(nèi)導電層 15分別包括第二底金屬層11、第三底金屬層12、外底金屬層17和內(nèi)底金 屬層18。
本實施例的薄膜電感器元件13具有兩個螺旋導電層以及一個三維交點 Cl。電感器元件13包括由第二導電層制成的外導電層14、由第二導電層制 成的內(nèi)導電層15、由第二導電層制成的第一引出導電層8和第二引出導電 層9以及由第一導電層制成的線性連接導電層16。外導電層14形成在保護 膜5上并且具有環(huán)形形狀(例如，在本實施例中為規(guī)則八邊形)，其中該環(huán) 形形狀的一部分被切除/不存在(即，部分被切除的環(huán)形，參見圖l)。內(nèi)導 電層15形成在保護膜5上、外導電層14內(nèi)部并且具有環(huán)形形狀(例如規(guī) 則的八邊形)，其中該環(huán)形形狀在與外導電層14相同的一側(cè)被切除/不存在。 分別形成第一引出導電層8和第二引出導電層9以從外導電層14的第一端 部和內(nèi)導電層15的第一端部延伸到連接焊盤2b和2c。線性連接導電層16 形成在硅襯底1的上表面的一部分上，其對應于外導電層14的第二端部和 內(nèi)導電層15的第二端部，以便耦合到外導電層14和內(nèi)導電層15的第二端 部。亦即，第一引出導電層8、外導電層14、連接導電層16、內(nèi)導電層15 以及第二引出導電層9彼此電連接，并且外導電層14、連接導電層16和內(nèi)導電層15形成兩個具有交點Cl的螺旋導電層，由此構(gòu)造出電感器。在交 點C1中，如圖1和圖2B所示，由第一導電層制成的連接導電層16和內(nèi)導 電層15的一部分彼此隔著絕緣膜3和保護膜5而交叉(即，絕緣膜3和保 護膜5位于連接導電層16和內(nèi)導電層15的該部分之間)。在這種情況下，在由例如銅等制成且形成在保護膜5的上表面上的外 底金屬層17、內(nèi)底金屬層18、第二底金屬層11和第三底金屬層12的整個 上表面上分別形成由例如銅等制成的外導電層14、內(nèi)導電層15、第一引出 導電層8和第二引出導電層9。而且，在硅襯底1的上表面的一部分上形成 由例如基于鋁的金屬等制成的連接導電層16，其對應于外導電層14的第二 端部和內(nèi)導電層15的第二端部。也可以在形成在硅襯底1的上表面上的集 成電路中預先形成連接導電層16。外導電層14的第一端部連接到第一引出導電層8的第二端部，外導電 層14的第二端部通過形成在絕緣膜3和保護膜5中的孔(通孔)19連接到 連接導電層16的第一端部。內(nèi)導電層15的第一端部連接到第二引出導電 層9的第二端部，內(nèi)導電層15的第二端部通過形成在絕緣膜3和保護膜5 中的孔20連接到連接導電層16的第二端部。此外，在連接導電層16上方 形成內(nèi)導電層15的第一端部，絕緣膜3和保護膜5處于它們之間，由此形 成內(nèi)導電層15和連接導電層16彼此交叉的交點Cl。此外，第一引出導電層8的第一端部通過絕緣膜3和保護膜5中的孔4 和6連接到連接焊盤2b，第二引出導電層9的第一端部通過絕緣膜3和保 護膜5中的孔4和6連接到連接焊盤2c。在保護膜5、第一互連7和薄膜電感器元件13的上表面上形成由例如 基于環(huán)氧樹脂的樹脂等制成的密封膜22,使得密封膜22的上表面與形成在 第一互連7的第二末端的上表面上的柱形電極21的上表面平齊。例如，在 柱形電極21的上表面上形成焊球23。在硅襯底1的上表面上形成連接導電層16，其由第一導電層制成并形 成薄膜電感器元件13的一部分，并因此受到硅襯底l的影響。于是，硅襯 底1中產(chǎn)生的渦流造成損耗，由此使連接導電層16的特性劣化(減小了 Q 值)。然而，絕緣膜3和保護膜5的總厚度將由第二導電層制成且形成薄膜 電感器元件13的部分的第一引出導電層8、第二引出導電層9、外導電層14和內(nèi)導電層15 (沿厚度方向)與硅襯底1的上表面分隔開，因此這些層 不容易受到硅襯底l的影響，其特性很難被劣化。在薄膜電感器元件13中，連接導電層16形成在外導電層14的第二端 部和內(nèi)導電層15的第二端部之間。在這種情況下，第一引出導電層8和外 導電層14的總長度以及第二引出導電層9和內(nèi)導電層15的總長度相等或 幾乎相等(即，它們之間的差值小)。因此，從薄膜電感器元件13的第一端部(第一端子連接焊盤2b)到 連接導電層16的距離等于或幾乎等于從薄膜電感器元件13的第二端部(第 二端子連接焊盤2c)到連接導電層16的距離(即距離之差很小)，并且 在薄膜電感器元件13的第一端部(連接焊盤2b)和第二端部(連接焊盤 2c)之間，在包括沿形成薄膜電感器元件13的導電層的長度方向的中點的 位置形成連接導電層16。圖3是類似于圖2的示意性截面圖，其中連接焊盤2b和2c之間的導 電層(即內(nèi)外導電層15和14、第一和第二引出導電層8和9以及連接導電 層16)實際上被線性伸展，以便解釋第一實施例中導電層布置的方案。注 意圖3是用于解釋布置方案的視圖，因此與圖2A和圖2B所示的截面圖相 比被部分簡化。在圖3中，參考符號M表示沿導電層的長度方向的連接焊盤2b和2c 之間的中點；Lib表示從導電層的第一端部(連接焊盤2b)到由第一導電 層制成的連接導電層16的距離；Llc表示從導電層的第二端部(連接焊盤 2c)到由第一導電層制成的連接導電層16的距離；Ld表示由第一導電層制 成的連接導電層16的長度。此外，圖3中的參考符號Cla和Clb表示對應 于圖1所示的交點Cl的部分。部分Cla和Clb實際存在于相同位置，并形 成圖1所示的交點Cl，在交點Cl處，連接導電層16和內(nèi)導電層15的一部 分隔著絕緣膜而彼此交叉。在根據(jù)本實施例的導電層布置中，在圖3所示的從導電層的中點M到 導電層的第一端部(連接焊盤2b)的方向A上，(由第二導電層制成的)外 導電層14和第一引出導電層8跟在(由第一導電層制成的)連接導電層16 之后。在圖3所示的從導電層的中點M到導電層的第二端部(連接焊盤2c) 的方向B上，而(由第二導電層制成的)內(nèi)導電層15和第二引出導電層9跟在(由第一導電層制成的)連接導電層16之后。因此，在從導電層的中 點到導電層的第一端部的方向A和從導電層的中點到導電層的第二端部的 方向B上，第一和第二導電層都是以相同的布置順序形成的。亦即，從中 點M開始，在方向A上沿導電層向前，首先提供第一導電層，然后提供第 二導電層。類似地，從中點M開始，在方向B上沿導電層向前，首先提供 第一導電層，然后提供第二導電層。由第二導電層制成的第一引出導電層8、第二引出導電層9、外導電層 14和內(nèi)導電層15形成在保護膜5上，因此不容易受到硅襯底1的影響，從 而該部分中的電感器Q值具有有利的值。然而，由第一導電層制成的連接 導電層16作為下層形成在硅襯底1上，因此該部分中的電感器的Q值在硅 襯底l的影響下而減小。因此，為了增大Q值，圖3所示的從端子到下導 電層的距離Lib和Llc優(yōu)選是長的。然而，如果由端子算起遠離形成電感 器元件的導電層的中點而形成下導電層，則如所公知的那樣，電感器的Q 值幾乎不依賴于下導電層的位置。另一方面，為了使從電感器元件的兩個 端部中的每一個所所觀察到的特性相等，從兩個端部中的每一個到下導電 層的距離優(yōu)選是相等的。因此，在該第一實施例中，從薄膜電感器元件13 的兩個端部中的每一個到由第一導電層制成的連接導電層16的距離相等或 幾乎相等(Lb"Lc)，由此靠近兩個端部之間的導電層的中點形成連接導電 層16。這樣就能夠使從兩個端子所觀察到的特性相等或幾乎相等，增大電 感器元件13的Q值。注意在以上描述中，導電層16是預先形成在硅襯底1的上表面上的集 成電路中的，但是，也可以在例如絕緣膜3上形成連接導電層16。在這種 情況下，絕緣膜3的膜厚將連接導電層16與硅襯底1隔開，從而能夠減小 硅襯底1對連接導電層16的影響并減小該部分中的Q值的降低程度，由此 提高電感器元件13的Q值?！吹诙嵤├祱D4是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。 像根據(jù)上述第一實施例的半導體器件那樣，根據(jù)第二實施例的半導體 器件包括由兩個螺旋導電層和一個交點形成的電感器。與根據(jù)第一實施例的半導體器件的不同之處在于，在交點處連接導電層16與第二引出導電層 9交叉，該第二引出導電層9是隔著絕緣膜3和保護膜5而形成在連接導電 層16上方的。亦即，在上述第一實施例中，如圖1所示，在交點C1處，連接導電層 16與環(huán)形內(nèi)導電層15的一部分交叉，且內(nèi)導電層15傾斜地與連接導電層 16交叉。相反，根據(jù)第二實施例，連接導電層16和第二引出導電層9彼此 垂直地相交。因此，可以使連接導電層16的長度(Ld)小于根據(jù)第一實施 例的連接導電層16的長度。如前所述，連接導電層16作為由第一導電層 制成的下層，其在硅襯底1的影響下減小了電感器的Q值，由此使特性劣 化。由于第二實施例可以將連接導電層16的長度減小到最小的必需長度， 因此能夠降低由連接導電層16導致的特性劣化，并提高電感器元件13的Q 值?！吹谌龑嵤├祱D5是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。像根據(jù)上述第一和第二實施例的半導體器件那樣，根據(jù)第三實施例的 半導體器件包括由兩個螺旋導電層和一個交點形成的電感器。根據(jù)第三實 施例的半導體器件與根據(jù)第一和第二實施例的半導體器件相比，顯著差異 在于形成兩個連接導電層作為下層。根據(jù)第三實施例的薄膜電感器元件13包括半圓形(或者更具體地說 在圖5所示的范例中為半八邊形)的彼此相對并提供于保護膜5的上表面 上的第一和第二外導電層14A和14B;內(nèi)導電層15，其具有環(huán)形形狀(例 如八邊形)且該環(huán)形形狀的一部分被切除/不存在，并且其位于第一和第二 外導電層14A和14B之內(nèi)且在保護膜5的上表面上；第一和第二引出導電 層8和9;以及在例如硅襯底1等的上表面上的兩個預定部分中形成的第一 和第二連接導電層16A和16B。第一外導電層14A的第一端部連接到第一引出導電層8的第二端部， 而第一外導電層14A的第二端部通過形成在絕緣膜3和保護膜5中的孔連 接到第一連接導電層16A的第一端部。第二外導電層14B的第一端部連接到第二引出導電層9的第二端部，而第二外導電層14B的第二端部通過形成在絕緣膜3和保護膜5中的孔連 接到第二連接導電層16B的第一端部。內(nèi)導電層15的第一端部通過形成在絕緣膜3和保護膜5中的孔連接到 第一連接導電層16A的第二端部，而內(nèi)導電層15的第二端部通過形成在絕 緣膜3和保護膜5中的孔連接到第二連接導電層16B的第二端部。第二外導電層14B的第二端部隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第一連 接導電層16A上，由此形成交點C2，在交點C2處第二外導電層14B和第一 連接導電層16A彼此交叉。另一方面，在第二連接導電層16B上僅形成絕 緣膜3和保護膜5，因此在第二連接導電層16B上未形成交點。此外，第一引出導電層8的第一端部連接到連接焊盤2b，第二引出導 電層9的端部連接到連接焊盤2c。圖6是類似于圖3的示意性截面圖，其中連接焊盤2b和2c之間的導 電層實際上被線性伸展，以便解釋第三實施例中的導體和導電層的布置方 案。在圖6中，參考符號M表示沿導電層的長度方向的連接焊盤2b和2c 之間的中點；L2b表示從導電層的第一端部(連接焊盤2b)到由第一導電 層制成的第一連接導電層16A的距離；L2c表示從導電層的第二端部(連接 焊盤2c)到由第一導電層制成的第二連接導電層16B的距離。此外，圖6 中的參考符號C2a和C2b表示對應于圖5所示的交點C2的部分。C2a和C2b 實際存在于同一位置，并形成圖5所示的交點C2，在該交點處第一連接導 電層16A和第二外導電層14B的第二端部隔著絕緣膜3和保護膜5彼此交 叉。在根據(jù)本實施例的導電層的布置中，從薄膜電感器元件13的第一端部 (第一端子連接焊盤2b)到第一連接導電層16A的距離(圖6中所示的 L2b)等于或幾乎等于從薄膜電感器元件13的第二端部(第二端子連接 焊盤2c)到第二連接導電層16B的距離(即，該距離之差很小)。因此，第 三實施例能夠使從薄膜電感器元件13的第一和第二端部分別到第一和第二 連接導電層16A和.16B的距離相等或幾乎相等。這樣就能夠使從薄膜電感 器元件13的兩個端部中的每一個所觀察到的薄膜電感器元件的特性相等或 幾乎相等。在圖6中，點M為薄膜電感器元件13的第一端部(連接焊盤2b)和第 二端部(連接焊盤2c)之間的導電層的中點M。根據(jù)第三實施例，在圖6 所示的從導電層的中點M到導電層的第一端部(連接焊盤2b)的方向A上，(由第一導電層制成的)第一連接導電層16A跟在(由第二導電層制成的) 內(nèi)導電層15之后，而(由第二導電層制成的)第一外導電層14A和第一引 出導電層8跟在(由第一導電層制成的)第一連接導電層16A之后。在圖6 所示的從導電層的中點M到導電層的第二端部(連接焊盤2c)的方向B上，(由第一導電層制成的)第二連接導電層16B跟在(由第二導電層制成的) 內(nèi)導電層15之后，而(由第二導電層制成的)第二外導電層14B和第二引 出導電層9跟在(由第一導電層制成的)第二連接導電層16B之后。因此， 在從導電層的中點到導電層的第一端部的方向A和從導電層的中點到導電 層的第二端部的方向B上，第一和第二導電層都是以相同布置順序形成的?！吹谒膶嵤├祱D7是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。根據(jù)第四實施例的半導體器件包括由三個螺旋導電層和兩個交點形成 的電感器。根據(jù)第四實施例，薄膜電感器元件13包括形成在保護膜5的上表面 上并具有一部分被切除/不存在的環(huán)形形狀的第一外導電層31;形成在保護 膜5的上表面上、第一外導電層31之外和之右(如圖7所示)的半圓形第 二外導電層32;形成在保護膜5的上表面上且位于第一外導電層31內(nèi)部的 1.5匝的螺旋內(nèi)導電層33;第一和第二引出導電層8和9;以及形成在例如 硅襯底1的上表面上的兩個預定部分中的第一和第二連接導電層34和35。第一外導電層31的第一端部連接到第一引出導電層8的第二端部，而 第一外導電層31的第二端部連接到第一連接導電層34的第一端部。第二外導電層32的第一端部連接到第二引出導電層9的第二端部，而 第二外導電層32的第二端部連接到第二連接導電層35的第一端部。內(nèi)導電層33的第一端部連接到第一連接導電層34的第二端部，而內(nèi) 導電層33的第二端部連接到第二連接導電層35的第二端部。內(nèi)導電層33的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第一連接導電層 34上方，由此形成內(nèi)導電層33和第一連接導電層34彼此交叉的第一交點 C3。同樣，第一外導電層31的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第二 連接導電層35上方，由此形成第一外導電層31和第二連接導電層35彼此 交叉的第二交點C4。此外，第一引出導電層8的第一端部連接到連接焊盤2b，而第二引出 導電層9的第二端部連接到連接焊盤2c。在本實施例中，例如，在薄膜電感器元件13的兩個端部(連接焊盤2b 和2c)之間的中線上設置第一和第二連接導電層34和35。亦即，在薄膜 電感器元件13的兩個端部之間的中線上設置具有三匝的螺旋薄膜電感器元 件13的兩個交點，且該薄膜電感器元件13具有相對于中線幾乎對稱的結(jié) 構(gòu)。圖8是類似于圖3的示意性截面圖，其中連接焊盤2b和2c之間的導 電層實際上被線性伸展，以便解釋第四實施例中的導體和導電層的布置方 案。圖8中的參考符號M表示沿導電層的長度方向的連接焊盤2b和2c之 間的中點。圖8中的參考符號C3a和C3b表示對應于圖7所示的第一交點 C3的部分。部分C3a和C3b實際存在于同一位置，并形成圖7所示的第一 交點C3，在該交點處第一連接導電層34和內(nèi)導電層33的一部分隔著絕緣 膜3和保護膜5彼此交叉。圖8中的參考符號C4a和C4b表示對應于圖7 所示的第二交點C4的部分。部分C4a和C4b實際存在于同一位置，并形成 圖7所示的第二交點C4，在該交點處第二連接導電層35和第一外導電層 31的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。對于根據(jù)本實施例的導電層的布置而言，兩個交點C3和C4中的每一 個的一部分位于導電層的中點M和導電層的第一端部(連接焊盤2b)之間， 兩個交點C3和C4中的每一個的一部分位于導電層的中點M和導電層的第 二端部(連接焊盤2c)之間。對于這種結(jié)構(gòu)而言，在第一交點C3處提供的(由第一導電層制成的) 第一連接導電層34以及包括在第二交點C4處提供的其一部分的(由第二 導電層制成的)第一外導電層31是沿著圖8所示的方向A提供的，該方向A從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡谝欢瞬?連接焊盤2b)延伸。亦即，第 一和第二導電層都存在于圖8中的方向A上。此外，包括在第一交點C3處 提供的其一部分的(由第二導電層制成的)內(nèi)導電層33以及在第二交點C4 處提供的(由第一導電層制成的)第二連接導電層35是沿著圖8所示的方 向B提供的，該方向B從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬?連接焊盤 2c)延伸。亦即，第一和第二導電層都存在于圖8中的方向B上。于是，在從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡谝欢瞬垦由斓膶щ妼硬糠种小?沿著方向A在第一和第二交點C3和C4處以所述順序設置(由第一導電層 制成的)第一連接導電層34和(由第二導電層制成的)第一外導電層31。 此外，在從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬垦由斓膶щ妼硬糠种小⒀?著方向B在第一和第二交點C3和C4處以所述順序設置(由第二導電層制 成的)內(nèi)導電層33和(由第一導電層制成的)第二連接導電層35。因此， 沿方向A的每一個交點處的第一和第二導電層的布置順序與沿方向B的每 一個交點處的第一和第二導電層的布置順序相反，反之亦然。而且，在圖8所示的從薄膜電感器元件13的導電層的中點M到導電層 的第一端部的方向A上，(由第一導電層制成的)第一連接導電層跟在(由 第二導電層制成的)內(nèi)導電層之后，而(由第二導電層制成的)第一外導 電層31和第一引出導電層8跟在(由第一導電層制成的)第一連接導電層 34之后。在圖8所示的從導電層的中點M到導電層的第二端部的方向B上， (由第一導電層制成的)第二連接導電層35跟在(由第二導電層制成的) 內(nèi)導電層33之后，而(由第二導電層制成的)第二外導電層32和第二引 出導電層9跟在(由第一導電層制成的)第二連接導電層35之后。因此， 在從導電層的中點到導電層的第一端部的方向A和從導電層的中點到導電 層的第二端部的方向B上，第一和第二導電層都是以相同順序布置的。如上所述，根據(jù)第四實施例的半導體器件，其導電層的多個部分形成 交點，所述交點提供在薄膜電感器元件13的導電層的中點M和導電層的兩 個端部中的每一個之間，使得沿著方向A (從中點M到第一端部)和沿著方 向B (從中點M到第二端部)提供相等數(shù)目的形成所述交點的導電層部分。 此外，第一和第二導電層都是沿著方向A (從中點M到第一端部)以及沿著 方向B (從中點M到第二端部)提供的。因此，對于從兩個端部中的每一個所觀察到的電感器特性而言，能夠使由作為下層的第一導電層導致的Q值 的降低相等或幾乎相等，并使從薄膜電感器元件13的兩個端部中的每一個 所觀察到的特性相等或幾乎相等。注意在以上的描述中，第一和第二連接導電層34和35設置于中線上， 電感器元件13具有幾乎關于中線對稱的結(jié)構(gòu)，并且從導電層的中點到導電 層的端部之一中的每一個的部分都具有提供于兩個交點中的每一個處的部 分。然而，上述實施例僅僅為范例。亦即，根據(jù)第四實施例，第一和第二 連接導電層34可以關于中線對稱或不對稱，電感器元件13可以具有關于 中線不對稱的結(jié)構(gòu)，條件是半導體器件具有多個交點，且第一和第二導電 層都提供于從薄膜電感器元件13的導電層的中點到導電層的兩個端部之一 的部分中的每一個中。〈第五實施例〉圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。根據(jù)第五實施例的半導體器件包括由四個螺旋導電層和三個交點形成 的電感器。根據(jù)第五實施例，薄膜電感器元件13包括(i)第一外導電層41，其 形成在保護膜5的上表面上并具有一部分被切除/不存在的環(huán)形形狀，(ii) 半圓形第二外導電層42，其形成在保護膜5的上表面上、第一外導電層41 之外和之右(如圖9所示)，(iii)第一內(nèi)導電層43，其形成在保護膜5的 上表面上并具有一部分被切除/不存在的環(huán)形形狀，且位于第一外導電層41 的內(nèi)部，(iv) 1.5匝的螺旋第二導電層44，其形成在保護膜5的上表面上， 且位于第一內(nèi)導電層43的內(nèi)部，(v)第一和第二引出導電層8和9，以及 (vi)第一、第二和第三連接導電層45、 46和47,其形成在例如硅襯底1 等的上表面的三個預定部分中。第一外導電層41的第一端部連接到第一引出導電層8的第二端部，而 第一外導電層41的第二端部連接到第一連接導電層45的第一端部。第二外第一內(nèi)導電層43的第一端部連接到第二連接導電層46的第二端部， 而第一內(nèi)導電層43的第二端部連接到第三連接導電層47的第一端部。第二內(nèi)導電層44的第一端部連接到第一連接導電層45的第二端部， 而第二內(nèi)導電層44的第二端部連接到第三連接導電層47的第二端部。第二內(nèi)導電層44的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第三連接導 電層47上方，由此形成第二內(nèi)導電層44和第三連接導電層47彼此交叉的 第一交點C5。第一內(nèi)導電層43的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第 一連接導電層45上方，由此形成第一內(nèi)導電層43和第一連接導電層45彼 此交叉的第二交點C6。第一外導電層41的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5 形成在第二連接導電層46上方，由此形成第一外導電層41和第二連接導 電層46彼此交叉的第三交點C7。此外，第一引出導電層8的第一端部連接到連接焊盤2b，而第二引出 導電層9的第二端部連接到連接焊盤2c。在本實施例中，例如，在薄膜電感器元件13的兩個端部(連接焊盤2b 和2c)之間的中線上設置第一、第二和第三連接導電層45、 46和47。亦 即，在薄膜電感器元件13的兩個端部之間的中線上設置具有四匝的螺旋薄 膜電感器元件13的三個交點，且該薄膜電感器元件13具有相對于所述中 線幾乎對稱的結(jié)構(gòu)。圖10是類似于圖3的示意性截面圖，其中連接焊盤2b和2c之間的導 電層實際上被線性伸展，以便解釋第五實施例中的導體和導電層的布置方 案。圖10中的參考符號M表示沿導電層的長度方向的連接焊盤2b和2c之 間的中點。圖10中的參考符號C5a和C5b表示對應于圖9所示的第一交點 C5的部分。部分C5a和C5b實際存在于同一位置，并形成圖9所示的第一 交點C5，在該交點處第三連接導電層47和第二內(nèi)導電層44的一部分隔著 絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。此外，圖10中的參考符號C6a和C6b表示 對應于圖9所示的第二交點C6的部分。部分C6a和C6b實際存在于同一位 置，并形成圖9所示的第二交點C6，在該交點處第一連接導電層45和第一 內(nèi)導電層43的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。再者，圖10中 的參考符號C7a和C7b表示對應于圖9所示的第三交點C7的部分。部分C7a和C7b實際存在于同一位置，并形成圖9所示的第三交點C7，在該交點處 第二連接導電層46和第一外導電層41的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5 彼此交叉。對于根據(jù)本實施例的導電層布置而言，三個交點C5、 C6和C7中的每 一個的一部分位于導電層的中點M和導電層的第一端部(連接焊盤2b)之 間，三個交點C5、 C6和C7中的每一個的一部分位于導電層的中點M和導 電層的第二端部(連接焊盤2c)之間。對于這種結(jié)構(gòu)而言，包括提供于第一交點C5處的一部分的(由第二導 電層制成)第二內(nèi)導電層44、提供于第二交點C6處的(由第一導電層制成 的)第一連接導電層45、以及包括提供于第三交點C7處的一部分的(由第 二導電層制成的)第一外導電層41是沿著圖10所示方向A提供的，該方 向A從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡谝欢瞬?連接焊盤2b)延伸。亦即， 第一和第二導電層都存在于圖10中的方向A上。此外，提供于第一交點C5 處的(由第一導電層制成的)第三連接導電層47、包括提供于第二交點C6 處的一部分的(由第二導電層制成的)第一內(nèi)導電層43以及提供于第三交 點C7處的(由第一導電層制成的)第二連接導電層46是沿著圖IO所示方 向B提供的，該方向B從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬?連接焊盤 2c)延伸。亦即，第一和第二導電層都存在于圖10中的方向B上。于是，在從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡谝欢瞬垦由斓膶щ妼硬糠种校?沿著方向A在第一、第二和第三交點C5、 C6和C7處以所述順序設置(由 第二導電層制成的)第二內(nèi)導電層44、(由第一導電層制成的)第一連接導 電層45和(由第二導電層制成的)第一外導電層41。此外，在從導電層的 中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬垦由斓膶щ妼硬糠种?，沿著方向B在第一、第 二和第三交點C5、 C6和C7處以所述順序設置(由第一導電層制成的)第 三連接導電層47、(由第二導電層制成的)第一內(nèi)導電層43和(由第一導 電層制成的)第二連接導電層46。因此，沿方向A在每一個交點處的第一 和第二導電層的布置順序與沿方向B在每一個交點處的第一和第二導電層 的布置順序相反，反之亦然。如上所述，根據(jù)第五實施例的半導體器件，其導電層的多個部分形成 在薄膜電感器元件13的導電層的中點M和導電層的兩個端部中的每一個之間提供的交點，使得沿著方向A (從中點M到第一端部)和沿著方向B (從 中點M到第二端部)提供相等數(shù)目的形成交點的導電層部分。此外，第一 和第二導電層都是沿著方向A (從中點M到第一端部)以及沿著方向B (從 中點M到第二端部)提供的。因此，對于從兩個端部中的每一個所觀察到 的電感器特性而言，能夠使由作為下層的第一導電層導致的Q值的降低相 等或幾乎相等，并使從薄膜電感器元件13的兩個端部中的每一個所觀察到 的特性相等或幾乎相等。注意在以上描述中，第一、第二和第三連接導電層45、 46和47設置 于中線上，電感器元件13具有幾乎關于中線對稱的結(jié)構(gòu)，并且從導電層的 中點到端部之一的每一個部分都具有提供于三個交點中的每一個處的部 分。然而，上述實施例僅僅為范例。亦即，第一、第二和第三連接導電層 45、 46和47可以關于中線對稱或不對稱，并且電感器元件13可以具有關 于中線不對稱的結(jié)構(gòu)，條件是該半導體器件具有多個交點，且每一個交點 處的第一和第二導電層都提供于從薄膜電感器元件13的導電層的中點到導 電層的兩個端部之一的部分的每一個中?！吹诹鶎嵤├祱Dll是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施例的半導體器件的主要部件的平面圖。像根據(jù)第五實施例的半導體器件那樣，根據(jù)第六實施例的半導體器件 包括由四個螺旋導電層和三個交點形成的電感器。根據(jù)第六實施例的半導 體器件和根據(jù)第五實施例的半導體器件之間的差別在于，根據(jù)第六實施例， 第一內(nèi)導電層43具有兩個螺旋匝，第二內(nèi)導電層44具有半圓形。與第五 實施例類似，根據(jù)第六實施例，第三連接導電層47連接第一內(nèi)導電層43 的第二端部和第二內(nèi)導電層44的第二端部。圖12是類似于圖3的示意性截面圖，其中連接焊盤2b和2c之間的導 電層實際上被線性伸展，以便解釋第六實施例中的導體和導電層的布置方 案。在圖12所示的結(jié)構(gòu)中，第一內(nèi)導電層43的一部分隔著絕緣膜3和保 護膜5形成在第三連接導電層47上方，由此形成第一內(nèi)導電層43和第三連接導電層47彼此交叉的第一交點C8。第一內(nèi)導電層43的一部分隔著絕 緣膜3和保護膜5形成在第一連接導電層45上方，由此形成第一內(nèi)導電層 43和第一連接導電層45彼此交叉的第二交點C9。第一外導電層41的一部 分隔著絕緣膜3和保護膜5形成在第二連接導電層46上方，由此形成第一 外導電層41和第二連接導電層46彼此交叉的第三交點CIO。圖12中的參考符號M表示沿導電層的長度方向的連接焊盤2b和2c之 間的中點。圖12中的參考符號C8a和C8b表示對應于圖11所示的第一交 點C8的部分。部分C8a和C8b實際存在于同一位置，并形成圖11所示的 第一交點C8，在該交點處第三連接導電層47和第一內(nèi)導電層43的一部分 隔著絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。圖12中的參考符號C9a和C9b表示對 應于圖11所示的第二交點C9的部分。此外，部分C9a和C9b實際存在于 同一位置，并形成圖11所示的第二交點C9，在該交點處第一連接導電層 45和第一內(nèi)導電層43的一部分隔著絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。再者， 圖12中的參考符號C10a和C10b表示對應于圖11中所示的第三交點C10 的部分。部分C10a和C10b實際存在于同一位置，并形成圖ll所示的第三 交點CIO，在該交點處第二連接導電層46和第一外導電層41的一部分隔著 絕緣膜3和保護膜5彼此交叉。對于根據(jù)本實施例的導電層布置而言，三個交點C8、 C9和C10中的每 一個的一部分位于導電層的中點M和導電層的第一端部(連接焊盤2b)之 間，三個交點C8、 C9和C10中的每一個的一部分位于導電層的中點M和導 電層的第二端部(連接焊盤2c)之間。對于這種結(jié)構(gòu)而言，提供于第一交點C8處的(由第一導電層制成的) 第三連接導電層47、提供于第二交點C9處的(由第一導電層制成的)第一 連接導電層45、以及包括提供于第三交點C10處的一部分的(由第二導電 層制成的)第一外導電層41是沿著圖12所示的方向A提供的，該方向A 從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡谝欢瞬?連接焊盤2b)延伸。亦即，第一 和第二導電層都存在于圖12.中的方向A上。此外，提供于第一交點C8處 的(由第二導電層制成的)第一內(nèi)導電層43的部分、提供于第二交點C9 處的(由第二導電層制成的)第一內(nèi)導電層43的部分以及提供于第三交點 C10處的(由第一導電層制成的)第二連接導電層46是沿著圖12所示的方向B提供的，該方向B從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬?連接焊盤 2c)延伸。亦即，第一和第二導電層都存在于圖12中的方向B上。于是，在從導電層的中點到導電層的第一端部以及由第二導電層制成 的第一內(nèi)導電層43延伸的導電層部分中，沿著方向A在第一、第二和第三 交點C8、 C9和C10處以所述順序設置(由第一導電層制成的)第三連接導 電層47、(由第一導電層制成的)第一連接導電層45和(由第二導電層制 成的)第一外導電層41。此外，在從導電層的中點M向?qū)щ妼拥牡诙瞬?延伸的導電層部分中，沿方向B在第一、第二和第三交點C8、 C9和C10處 以所述順序設置(由第二導電層制成的)第一內(nèi)導電層43以及(由第一導 電層制成的)第二連接導電層46，使得第一內(nèi)導電層43提供于交點C8和 C9處，而第二連接導電層46提供于交點C10處。因此，在每一個交點處第 一和第二導電層的設置順序是相反的。如上所述，像圖6所示的半導體器件那樣，根據(jù)第六實施例的半導體 器件，其導電層的多個部分形成在薄膜電感器元件13的導電層的中點M和 兩個端部中的每一個之間提供的交點，使得沿著方向A(從中點M到第一端 部)和沿著方向B (從中點M到第二端部)提供相等數(shù)目的形成交點的導電 層部分。此外，第一和第二導電層都是沿著方向A (從中點M到第一端部) 并沿著方向B (從中點M到第二端部)提供的。因此，對于從兩個端部中的 每一個所觀察到的電感器特性而言，能夠使由作為下層的第一導電層導致 的Q值的降低相等或幾乎相等，并使從薄膜電感器元件13的兩個端部中的 每一個所觀察到的特性相等或幾乎相等。具體而言，根據(jù)第六實施例，在從導電層的中點M到導電層的第一端 部(連接焊盤2b)的方向A上、在第一交點C8和第二交點C9處形成作為 下層的第一導電層，并在從導電層的中點M到導電層的第二端部(連接焊 盤2c)的方向B上、在第一交點C8和第二交點C9處形成作為上層的第二 導電層。隨著從薄膜電感器元件的端子到下導電層的距離增大，由下導電 層導致的電感器特性Q值的減小的影響也減小。因此，與根據(jù)上述第五實 施例的布置相比，根據(jù)第六實施例的布置可以進一步減小從薄膜電感器元 件13的兩個端部中的每一個所觀察到的特性之間的差異。以下將簡要解釋在每一個上述實施例中、檢驗從薄膜電感器元件13的第一端部(連接焊盤2b)所觀察到的Q值、以及從第二端部(連接焊盤2c) 所觀察到的Q值之間差異的結(jié)果。當薄膜電感器元件13的外部尺度為lmm或更小(或700um或更小) 且線寬和線間距為10到幾十微米時，在圖1所示的匝數(shù)為二的第一實施例 中Q值差異大約為3.7%，在圖3所示的匝數(shù)為二的第二實施例中大約為 1.8%，在圖4所示的匝數(shù)為二的第三實施例中大約為1.8%，在圖5所示的 匝數(shù)為三的第四實施例中大約為7. 7%，在圖6所示的匝數(shù)為四的第五實施 例中大約為8.7%，在圖7所示的匝數(shù)為四的第六實施例中大約為4.4%。如 上所述，本發(fā)明每一個實施例的布置都可以將從兩個端部的每一個所觀察 到的0值之間的差異減小到大約10%或更小，g卩，可以使Q值幾乎相等。注意雖然上述實施例說明了具有兩到四匝的螺旋薄膜電感器元件，但 薄膜電感器元件也可以具有五匝或更多匝的螺旋形狀。
權(quán)利要求
1、一種半導體器件，其包括半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述絕緣膜上并包括第一端子、第二端子和導電層，所述導電層在所述第一端子和所述第二端子之間形成為螺旋形狀，從而具有多匝和至少一個交點，其中所述導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層，以及(ii)形成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層連接到所述第一端子和所述第二端子，在所述交點處隔著所述絕緣膜與所述第一導電層交叉，并在所述交點附近電連接到所述第一導電層，其中在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子和所述第二端子的方向上對稱地設置所述第一導電層和所述第二導電層，所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點，并且其中，將從所述第一端子到電連接到所述第一導電層的所述第二導電層的一部分的長度與從所述第二端子到電連接到所述第一導電層的一部分的長度之比設置為這樣的值，使得從所述第一端子所觀察到的所述薄膜電感器元件的Q值和從所述第二端子所觀察到的所述薄膜電感器元件的Q值之間的差異不超過10％。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述半導體襯底包括電路元件形成區(qū)，在所述電路元件形成區(qū)中形成 集成電路，并且所述絕緣膜形成在所述電路元件形成區(qū)上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中所述第一導電層形成在所述電路元件形成區(qū)中。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中在所述半導體襯底上形成多個用于外部連接的連接端子，并且 所述薄膜電感器元件的所述第一端子和所述第二端子中的每一個都連 接到所述多個連接端子之一。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一導電層通過形成在所述 交點附近的絕緣膜中的至少一個孔而電連接到所述第二導電層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中在所述薄膜電感器元件中，在從 所述中點到所述第一端子的部分中所述第一導電層和所述第二導電層的布 置順序與在從所述中點到所述第二端子的部分中所述第一導電層和所述第 二導電層的布置順序是相同的。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一導電層形成在包括所述 中點的位置中。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述薄膜電感器元件具有兩匝， 且其中所述薄膜電感器元件包括由所述第二導電層制成并形成部分被切除的環(huán)形形狀的外導電層，以 及由所述第二導電層制成且形成在所述外導電層內(nèi)部的內(nèi)導電層，所述內(nèi) 導電層被形成為在與所述外導電層的環(huán)形形狀被切除的同一側(cè)被切除的環(huán) 形形狀，從所述外導電層的一個端部形成到所述第一端子的引出導電層以及從 所述內(nèi)導電層的一個端部形成到所述第二端子的弓I出導電層，以及所述絕緣膜下方的連接導電層，其(i)形成在所述交點處包括所述中 點的位置中，(ii)由所述第一導電層制成，且(iii)電連接到所述外導 電層的端部和所述內(nèi)導電層的端部。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中在所述交點處，所述內(nèi)導電層隔 著所述絕緣膜形成在所述連接導電層上方。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中在所述交點處，所述引出導電 層隔著所述絕緣膜形成在所述連接導電層上方。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述薄膜電感器元件具有兩匝，并且其中所述薄膜電感器元件包括由所述第二導電層制成的半圓形的第一外導電層和半圓形的第二外導 電層，在所述第一外導電層和所述第二外導電層內(nèi)部被形成為部分切除的環(huán) 形的內(nèi)導電層，分別從所述第一外導電層的第一端部和所述第二外導電層的第一端部 形成到所述第一端子和所述第二端子的引出導電層，所述絕緣膜下方的第一連接導電層，其(i)形成在所述交點處，(ii) 由所述第一導電層制成，且(iii)電連接到所述內(nèi)導電層的第一端部和所 述第一外導電層的第二端部，以及所述絕緣膜下方的第二連接導電層，其由所述第一導電層制成，且電 連接到所述內(nèi)導電層的第二端部和所述第二外導電層的第二端部。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的器件，其中在所述交點處，所述第二外導 電層隔著所述絕緣膜形成在所述第一連接導電層上方。
13、 一種半導體器件，其包括 半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述絕緣膜上并包括第一端子、第二端子 和導電層，所述導電層在所述第一端子和所述第二端子之間形成為螺旋形 狀，從而具有多匝和多個交點，其中所述導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層， 以及(ii)形成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層連接到所 述第一端子和所述第二端子，在所述交點中的每一個處隔著所述絕緣膜與 所述第一導電層交叉，并在每一個交點附近電連接到所述第一導電層，并且其中從所述第一端子沿所述薄膜電感器元件的長度方向的兩個相繼的 交點和從所述導電層的所述第二端子的兩個相繼的交點包括第一交點和第 二交點，其中在所述第一交點處所述導電層由所述第一導電層制成，而在 所述第二交點處所述導電層由所述第二導電層制成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述半導體襯底包括電路元件形成區(qū)，在所述電路元件形成區(qū)中形成 集成電路，并且所述絕緣膜形成在所述電路元件形成區(qū)上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中所述第一導電層形成在所述電 路元件形成區(qū)中。
16、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中 在所述半導體襯底上形成多個用于外部連接的連接端子，并且 所述薄膜電感器元件的所述第一端子和所述第二端子中的每一個都連接到所述多個連接端子之一。
17、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述第一導電層通過形成在所 述交點附近的絕緣膜中的至少一個孔而電連接到所述第二導電層。
18、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述導電層在以下兩部分中具 有相等數(shù)目的交點，即沿所述導電層的長度方向從所述第一端子和所述第 二端子之間的中點到所述第一端子的部分，以及沿朝向所述第二端子的所 述導電層的長度方向從所述中點到所述第二端子的部分。
19、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中在沿所述導電層的長度方向從 中點到所述第一端子的部分中的所述第一導電層和所述第二導電層的布置 順序與在沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部分中的所述第一導電層和所述第二導電層的布置順序相反，其中所述第一導電層和所述第 二導電層形成所述多個交點中的每一個處的所述導電層，所述中點是所述 第一端子和所述第二端子之間的中點。
20、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中在沿所述導電層的長度方向從 中點到所述第一端子的部分中的所述第一導電層和所述第二導電層的布置 順序與沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部分中的所述第一導 電層和所述第二導電層的布置順序相同，其中所述中點是所述第一端子和 所述第二端子之間的中點。
21、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述薄膜電感器元件具有三匝 和兩個交點，并且其中在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在 所述兩個交點中的每一個處，以及在沿所述長度方向從所述中點到所述第 二端子的部分中、在所述兩個交點中的每一個處，交替地形成所述第一導 電層和所述第二導電層，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之 間的中點，所述第一導電層和所述第二導電層形成所述導電層。
22、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述薄膜電感器元件具有四匝 和三個交點，并且其中在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在 所述三個交點中的每一個處，以及在沿所述長度方向從所述中點到所述第 二端子的部分中、在所述三個交點中的每一個處，交替地形成所述第一導 電層和所述第二導電層，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之 間的中點，所述第一導電層和所述第二導電層形成所述導電層。
23、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述薄膜電感器元件具有四匝 和三個交點，其中在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子的部分中、在 所述三個交點中的兩個相繼的交點處連續(xù)形成所述第一導電層，其中所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點，所述第一導電層形成所 述導電層，并且其中在沿所述長度方向從所述中點到所述第二端子的部分中、在所述 三個交點中的兩個相繼的交點處連續(xù)形成所述第二導電層，所述第二導電 層形成所述導電層。
24、 一種半導體器件，其包括 半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述絕緣膜上并包括第一端子、第二端子 和導電層，所述導電層在所述第一端子和所述第二端子之間形成為螺旋形 狀，從而具有兩匝和至少一個交點，其中所述導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層， 以及(ii)形成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層連接到所 述第一端子和所述第二端子，在所述交點處隔著所述絕緣膜與所述第一導 電層交叉，并在所述交點附近電連接到所述第一導電層，并且其中所述薄膜電感器元件包括由所述第二導電層制成的半圓形的第一外導電層和半圓形的第二 外導電層，在所述第一外導電層和所述第二外導電層內(nèi)部被形成為部分切除 的環(huán)形形狀的內(nèi)導電層，分別從所述第一外導電層的第一端部和所述第二外導電層的第一 端部形成到所述第一端子和所述第二端子的引出導電層，所述絕緣膜下方的第一連接導電層，其(i)形成在所述交點處， (ii)由所述第一導電層制成，且(iii)電連接到所述內(nèi)導電層的第一端 部和所述第一外導電層的第二端部，以及所述絕緣膜下方的第二連接導電層，其由所述第一導電層制成，且電 連接到所述內(nèi)導電層的第二端部和所述第二外導電層的第二端部。
全文摘要
一種半導體器件包括半導體襯底；形成在所述半導體襯底上的絕緣膜；以及薄膜電感器元件，其形成在所述絕緣膜上并包括第一端子、第二端子和導電層，所述導電層在所述第一端子和所述第二端子之間形成為螺旋形狀，從而具有多匝和至少一個交點。所述導電層包括(i)形成在所述半導體襯底上的第一導電層，以及(ii)形成在所述絕緣膜上的第二導電層，所述第二導電層在所述交點處隔著所述絕緣膜與所述第一導電層交叉。所述薄膜電感器元件具有如下設置，其中在沿所述導電層的長度方向從中點到所述第一端子和所述第二端子的方向上對稱地設置所述第一導電層和所述第二導電層，所述中點是所述第一端子和所述第二端子之間的中點。
文檔編號H01L21/02GK101331586SQ20068004748
公開日2008年12月24日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日
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