半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型一般涉及電子設(shè)備，并且更具體地涉及半導(dǎo)體、其結(jié)構(gòu)、及其形成半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]過去，半導(dǎo)體工業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)形成金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和其它器件。器件的擊穿電壓通常是半導(dǎo)體器件的重要特性，以及各種技術(shù)被利用以提供改善的擊穿電壓。幫助擊穿電壓的一種結(jié)構(gòu)被稱為減小表面電場(RESURF)層。一個(gè)問題是這些器件通常需要多個(gè)圍繞RESURF層的注入?yún)^(qū)或者摻雜區(qū)。另一個(gè)問題是各種區(qū)的摻雜濃度通常必須改變以便提供不同的擊穿電壓。然而，改變摻雜濃度也影響器件的其它參數(shù)。
[0003]因此，具有以下方法和結(jié)構(gòu)是合乎需要的:其改善擊穿電壓、幫助改變擊穿電壓而不改變摻雜濃度、減少形成器件所需摻雜操作的數(shù)量、在一個(gè)襯底上促進(jìn)形成不同擊穿電壓的多個(gè)器件、和/或降低器件的成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:半導(dǎo)體襯底；第一半導(dǎo)體區(qū)，形成為位于所述半導(dǎo)體襯底上的摻雜區(qū)；漂移區(qū)，形成為在所述第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)并位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，所述漂移區(qū)具有第一摻雜濃度；第一漏極區(qū)，在所述漂移區(qū)內(nèi)形成為所述第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，所述第一漏極區(qū)具有大于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度；在所述第一漏極區(qū)內(nèi)的所述第一導(dǎo)電類型的第二漏極區(qū)，所述第二漏極區(qū)具有大于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度；在所述第一半導(dǎo)體區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，橫向地間隔遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)；在所述體區(qū)中的所述第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)；以及第二導(dǎo)電類型的埋置區(qū)，所述埋置區(qū)位于所述源極區(qū)、所述體區(qū)的至少一部分以及所述漂移區(qū)的至少一部分之下，但不位于所述第一漏極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之下。
[0005]本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:位于塊狀半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第一導(dǎo)電類型的埋置區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中并位于所述埋置區(qū)的第一部分上的所述第一導(dǎo)電類型的體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中并被間隔遠(yuǎn)離所述體區(qū)的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，包括形成所述漂移區(qū)的至少一部分位于所述埋置區(qū)的第二部分上；以及在所述漂移區(qū)中的所述第二導(dǎo)電類型的第一漏極區(qū)，其中所述第一漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0006]本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:位于塊狀半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第一導(dǎo)電類型的埋置區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)的至少一部分位于所述埋置區(qū)的第一部分上；以及在所述漂移區(qū)中的所述第二導(dǎo)電類型的第一漏極區(qū)，其中所述第一漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，所述半導(dǎo)體器件沒有位于所述埋置區(qū)之下以及物理地和電氣地接觸所述埋置區(qū)的另一個(gè)摻雜區(qū)。
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，其中所述半導(dǎo)體區(qū)包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的表面上并延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中第一距離的場絕緣體，以及其中所述第一漏極區(qū)在所述場絕緣體的開口中并延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中不大于所述第一距離。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括在所述第一漏極區(qū)中的第二漏極區(qū)，其中所述第二漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，進(jìn)一步包括所述第一漏極區(qū)延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中以下距離，所述距離不大于鄰近所述第一漏極區(qū)形成的場絕緣體的深度。
【附圖說明】
[0011]圖1示出根據(jù)本實(shí)用新型的形成為具有改善的擊穿電壓的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的示例的一部分的放大平面圖；
[0012]圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型的圖1的器件的放大橫截面部分；
[0013]圖3-圖5示出根據(jù)本實(shí)用新型的形成圖1和圖2的器件的方法的實(shí)施例的示例的各種階段；以及
[0014]圖6示出根據(jù)本實(shí)用新型的圖1和圖2的器件的可替代實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的示例的放大橫截面部分。
[0015]為圖示(一個(gè)或多個(gè))的簡單和清楚起見，在圖中的元件不一定依比例決定，為說明的目的可以放大一些元件，以及在不同的圖中相同的參考數(shù)字表示相同的元件，除非另有說明。另外，為描述的簡單起見可以省略眾所周知的步驟和元件的描述和細(xì)節(jié)。如在此使用的載流元件或者載流電極意味著器件的元件，其攜載通過器件的電流，諸如MOS晶體管的源極或者漏極，或者雙極型晶體管的發(fā)射極或者集電極，或者二極管的陰極或者陽極，并且控制元件或者控制電極意指器件的元件，其控制電流通過器件，諸如MOS晶體管的柵極或者雙極型晶體管的基極。另外，一個(gè)載流元件可以以一個(gè)方向攜載電流通過器件，諸如攜載電流進(jìn)入器件，以及第二載流元件可以以相反的方向攜載電流通過器件，諸如攜載電流離開器件。雖然在這里器件被說明為某些N溝道或P溝道器件，或者某些N型或P型摻雜區(qū)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白根據(jù)本實(shí)用新型互補(bǔ)器件也是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解導(dǎo)電類型指的是通過其導(dǎo)通發(fā)生的結(jié)構(gòu)，諸如通過空穴或者電子的導(dǎo)通，因此，導(dǎo)電類型不指摻雜濃度而是諸如P型或者N型的摻雜類型。本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白，如在此使用的與電路操作有關(guān)的詞在...期間、同時(shí)和當(dāng)...的時(shí)候不是意指依據(jù)啟動(dòng)行為因而行為立即發(fā)生的精確的術(shù)語，而是在由啟動(dòng)行為啟動(dòng)的反應(yīng)之間可以存在諸如各種傳播延遲的一些小的但合理的延遲(一個(gè)或多個(gè))。另外，術(shù)語同時(shí)意指某行為至少發(fā)生在啟動(dòng)行為的期間的一些部分內(nèi)。詞"近似"或"大約"的使用指的是元件值具有期待非常接近于狀態(tài)值或位置的參數(shù)。然而，本領(lǐng)域中眾所周知是總有較小的變化阻止值或位置精確地如所述。在本領(lǐng)域中非常確實(shí)的是高達(dá)至少百分之十(10% )(并且對于半導(dǎo)體摻雜濃度高達(dá)百分之二十(20%))的變化是與如精確地描述的理想目標(biāo)合理的變化。當(dāng)關(guān)于信號(hào)的狀態(tài)使用時(shí)，術(shù)語“指定"意指信號(hào)的有效狀態(tài)，以及術(shù)語“否定”意指信號(hào)的無效狀態(tài)。實(shí)際的信號(hào)的電壓值或邏輯狀態(tài)(諸如“I”或者“O”)依賴于是否使用正或者負(fù)邏輯。由此，依賴于是否使用正邏輯或者負(fù)邏輯，指定可以是或者高電壓或者高邏輯或低電壓或者低邏輯，以及依賴于是否使用正邏輯或者負(fù)邏輯，否定可以是或者低電壓或者低狀態(tài)或者高電壓或者高邏輯。在此，使用正邏輯常規(guī)，但本領(lǐng)域技術(shù)人員理解還可以使用負(fù)邏輯常規(guī)。如使用在元件的名字的一部分中的在權(quán)利要求或/和【具體實(shí)施方式】中的術(shù)語第一、第二、第三以及類似物，被用于區(qū)分類似的元件以及不一定或者時(shí)間地、空間地以排名或者以任何其他的方式描述順序。應(yīng)當(dāng)理解，這樣使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境之下是可互換的，而且在此描述的實(shí)施例能夠以除在此描述或者示出的外其它的順序操作。提及“一個(gè)實(shí)施例”或者“實(shí)施例”意指，與實(shí)施例結(jié)合描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性被包括在本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例內(nèi)。因此，在整個(gè)本說明書中的各個(gè)地方中的短語“在一個(gè)實(shí)施例中”或者“在實(shí)施例中”的出現(xiàn)不一定都指的是同一個(gè)實(shí)施例，但是在一些情況下可能。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)清楚的，可以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中以任何合適的方式結(jié)合特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性。為了附圖的清楚，器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)被示出為具有通常直線邊緣和精確的傾斜的角。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，由于摻雜劑的擴(kuò)散和激活，摻雜區(qū)的邊緣通?？赡懿皇侵本€而角可能不是精確的角度。
[0016]另外，描述可以示出單元式的設(shè)計(jì)(其中體區(qū)是多個(gè)單元式的區(qū)域)代替單個(gè)體設(shè)計(jì)(其中體區(qū)包括在拉長的圖形中(典型地在螺旋形的圖形中)形成的單個(gè)區(qū)域)。然而，意圖該描述適用于單元式的實(shí)現(xiàn)方式和以單個(gè)為基礎(chǔ)的實(shí)現(xiàn)方式。
【具體實(shí)施方式】
[0017]圖1示出形成為具有改善的擊穿電壓的半導(dǎo)體器件10的實(shí)施例的示例的一部分的放大平面圖。一個(gè)實(shí)施例還可以包括:器件10具有改善的減小近面電場(RESURF)區(qū)，其可以幫助提供用于器件10的改善的擊穿電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，器件10可以具有改善的靜電放電性能。另一個(gè)實(shí)施例可以包括:器件10具有改善的漏極結(jié)構(gòu)?？梢栽诎雽?dǎo)體襯底40上形成器件10的實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，器件10可以形成為MOS晶體管，例如作為LDMOS晶體管，但是，在其它實(shí)施例中，可以形成為其它類型的半導(dǎo)體器件。
[0018]如將在下文中進(jìn)一步看到的，一個(gè)實(shí)施例可以包括:將器件10的漏極結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)和源極結(jié)構(gòu)形成為以縱向方向沿著結(jié)構(gòu)的長軸延伸一段長度的指狀物。因此，如將在下文中進(jìn)一步看到的，對于這樣的實(shí)施例，在相應(yīng)的源極和柵極結(jié)構(gòu)中，可以存在多于一個(gè)源極元件和多于一個(gè)柵極元件。
[0019]圖2示出沿著圖1中示出的橫截面線2-2的器件10的放大橫截面部分。該描述參考圖1和圖2。在塊狀半導(dǎo)體襯底41上形成器件10。半導(dǎo)體區(qū)42通常形成為位于襯底41上。在一些實(shí)施例中，襯底40可以包括襯底41和區(qū)42。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在襯底41的表面上形成區(qū)42。在半導(dǎo)體區(qū)42內(nèi)形成埋置區(qū)36。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)36不延伸到區(qū)42的表面。區(qū)36通常不延伸為接觸或者連接襯底41的表面。然而，在一些實(shí)施例中，區(qū)36可以物理地和電氣地接觸襯底41。在大多數(shù)實(shí)施例中，區(qū)36不延伸到襯底41中。
[0020]器件10可以包括漂移區(qū)26，其形成在半導(dǎo)體區(qū)42內(nèi)并位于埋置區(qū)36的一部分上。漂移區(qū)26幫助傳輸載流子通過器件10。在一個(gè)實(shí)施例中，漂移區(qū)26通常從區(qū)42的表面延伸到區(qū)42中足以物理地和電氣地接觸區(qū)36的一部分的距離。一個(gè)實(shí)施例還可以包括:如通過虛線27示出的，區(qū)26不接觸區(qū)36?？梢栽谄茀^(qū)26內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)?？梢栽趨^(qū)26內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)的垂直漏極區(qū)24，以及可以在垂直漏極區(qū)24內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)23。器件10還