專利名稱：：氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：使用以氮化鎵(GaN)為首的III-V族氮化物半導(dǎo)體材料(AlxGayIni.x-yN(0《x《l、0《y《l)制造的藍紫色半導(dǎo)體激光器，是用于通過光盤裝置實現(xiàn)超高密度記錄的關(guān)鍵器件，現(xiàn)在正達到實用水平。藍紫色半導(dǎo)體激光器的高輸出化，不僅使光盤的高速寫入成為可能，而且還是向激光顯示器的應(yīng)用等開拓新的
技術(shù)領(lǐng)域：
所需的技術(shù)。近年來，作為用于制造氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件所必需的基板，主要有GaN基板。GaN基板相比于過去使用的藍寶石基板，優(yōu)點在于所謂晶體點陣整合和散熱性。此外，相比于藍寶石基板是絕緣性的，GaN基板具有導(dǎo)電性也是優(yōu)點之一?！熠?，能夠采用在GaN基板的背面?zhèn)刃纬呻姌O，使電流流向橫向切斷GaN基板的方向的結(jié)構(gòu)。如果在具有導(dǎo)電性的GaN基板的背面處形成電極的話，就能夠縮小單個半導(dǎo)體器件的尺寸(芯片面積)，當(dāng)縮小芯片面積時，由于增加由1片晶片可制成的芯片的總數(shù)，所以能夠降低制造成本。實際中，由于在使半導(dǎo)體激光器等的發(fā)光器件高溫高輸出工作時候伴隨著大量的發(fā)熱，因此需要將發(fā)光器件高精度地安裝在散熱臺(散熱片)上。例如，專利文獻1及2等中公開了在散熱臺上安裝了在GaN基板上制作的發(fā)光器件(特別是半導(dǎo)體激光器)的半導(dǎo)體激光器。專利文獻1:JP特許第3650000號公報專利文獻2:JP特開2003-229631號公報
發(fā)明內(nèi)容在利用自動識別裝置大批量生產(chǎn)安裝在GaN基板上制作的發(fā)光元件(芯片)的情況下，像現(xiàn)有這樣的大批量生產(chǎn)安裝機，識別芯片的四角進行定位的自動安裝合格率非常差。這是因為GaN晶體是六方晶系，芯片的四角的角度穩(wěn)定，很難變成直角。并且，GaN基板是透明的，芯片的自動識別也困難，引起合格率下降。在上述專利文獻1所述的現(xiàn)有技術(shù)中，通過使基板的表面?zhèn)鹊碾姌O和背面?zhèn)鹊碾姌O圖形成為不同的形狀，來實現(xiàn)安裝合格率的改善。此外，在上述專利文獻2所述的現(xiàn)有技術(shù)中，以GaN基板的位錯部位為標(biāo)記來實現(xiàn)安裝合格率的改善。但是，不僅有GaN基板的位錯均一地有規(guī)則地配置的基板，而且還有GaN基板的位錯隨機存在的基板。此外，在將來由于預(yù)想制造位錯數(shù)非常少的GaN基板，所以以GaN基板的位錯部位為安裝標(biāo)記是困難的。此外，當(dāng)在需要高溫，高輸出工作的發(fā)光器件中應(yīng)用使基板的表面背面電極的各端面附近成為不同的形狀的技術(shù)時，可知存在由于在端面附近的散熱變得不充分，而在端面附近因局部發(fā)熱產(chǎn)生端面劣化，合格率高地制造可耐高溫，高輸出工作的發(fā)光器件變困難的問題。鑒于上述事情而進行本發(fā)明，其目的在于，提供一種既實現(xiàn)適于高溫高輸出工作的安裝方式、又可高合格率地制造的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件，包括包含n型雜質(zhì)的氮化物類半導(dǎo)體基板，配置在上述半導(dǎo)體基板的主面上、包含p型區(qū)及n型區(qū)和其間的有源層的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)，配置在上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)上面、具有開口部的絕緣膜，配置在上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)上面?zhèn)取⒃谏鲜鼋^緣膜的上述幵口部與上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)所包含的上述p型區(qū)的一部分相接觸的p側(cè)電極，和設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的背面的n側(cè)電極；上述p側(cè)電極包含與上述p型區(qū)的一部分相接觸的第1p側(cè)電極層，和用于覆蓋上述第1p側(cè)電極層配置在上述第lp側(cè)電極層上的第2p側(cè)電極層；上述第lp側(cè)電極層的一部分自上述第2p側(cè)電極層露出。優(yōu)選在實施方式中，上述第lp側(cè)電極層的自上述第2p側(cè)電極層露出的部分沒有位于上述開口部的上方。優(yōu)選在實施方式中，包含多個上述第1p側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出部位。優(yōu)選實施方式中，上述絕緣膜的開口部是條紋狀，上述第lp側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出的部位，夾持上述絕緣膜的開口部配置有多個。優(yōu)選實施方式中，上述絕緣膜的開口部是條紋狀，夾持上述絕緣膜的開口部配置上述第1p側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出部位。優(yōu)選實施方式中，上述第lp側(cè)電極層的最表層的色調(diào)、色度和/或亮度與上述第2p側(cè)電極層的最表層的色調(diào)、色度和/或亮度不同。優(yōu)選實施方式中，上述第1p側(cè)電極層的最表層的反射率和上述第2p側(cè)電極層的最表層的反射率以及上述絕緣膜的反射率各不相同。本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的制造方法，包含準(zhǔn)備上述發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的工序，和識別上述第1p側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出的部位，將上述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在散熱臺上的工序。優(yōu)選實施方式中，在上述安裝工序中，將上述氮化物半導(dǎo)體元件的上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)劝惭b在上述散熱臺上。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括散熱臺、和配置在上述散熱臺上的上述本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件。優(yōu)選實施方式中，將上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的上述上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)劝惭b在上述散熱臺上。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠識別氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件(特別是半導(dǎo)體激光器)的p側(cè)電極的形狀及色彩并進行定位。此外，通過識別氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的p側(cè)電極的形狀及色彩并進行定位，就能夠非常容易地進行大批量安裝，能夠高合格率、低成本地制造發(fā)光器件。圖1是示意性地表示GaN基板中的GaN晶體結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第1實施方式的剖面圖。圖3(a)是實施方式1中的氮化物半導(dǎo)體器件的上面圖，(b)是該氮化物半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖4(a)及(b)是示意性地表示一次解理的平面圖。圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第1實施方式的安裝剖面圖。圖6(a)是實施方式1中的氮化物半導(dǎo)體器件的上面圖，(b)是上面圖(a)的O部放大圖。圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第1實施方式的安裝上面圖。圖8(a)是實施方式1的比較例中的氮化物半導(dǎo)體器件的上面圖，(b)是該氮化物半導(dǎo)體器件的剖面圖。圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第2實施方式的上面圖。圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第2實施方式的變化例的安裝上面圖。圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第3實施方式的上面圖。圖12(a)是表示根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第4實施方式的上面圖，(b)是該氮化物半導(dǎo)體器件的剖面圖。符號說明10n型GaN基板14n型AlGaN涂(clad)層18InGaN多重量子阱層22p型AlGaN保護(cap)層26p型AlGaN涂層30Si。2層34p側(cè)布線電極(Ti/Pt/Au)38p側(cè)接觸電極露出部42解理導(dǎo)向槽12n型GaN層16GaN導(dǎo)光層20InGaN中間層24p型GaN導(dǎo)光層28p型GaN接觸層32p側(cè)接觸電極(Pd/Pt)36n側(cè)電極(Ti/Pt/Au)40p側(cè)布線電極縮頸部441次解理線46輔助支架50焊料54Au類焊盤電極48輔助支架上布線電極52Au導(dǎo)線100半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)具體實施例方式如圖1所示，GaN晶體由Ga原子和N原子構(gòu)成，具有六方晶系結(jié)構(gòu)。進行各種半導(dǎo)體層的外延生長的一側(cè)的GaN基板的表面(topsurface)是Ga原子以層狀排列的面(Ga面或+C極性面)。相對于此，GaN基板的背面是氮原子(N原子)以層狀排列的面(氮面或一C極性面)。由于GaN基板是六方晶系結(jié)構(gòu)，所以高合格率地進行通過GaN基板的"解理"將其分離為單個半導(dǎo)體芯片(具有近似長方體的形狀)的工序非常困難。因此，識別通過"解理"得到的芯片的四角進行定位，在散熱臺上自動安裝芯片合格率非常差。這是因為由于GaN晶體是六方晶系，芯片的四角的角度穩(wěn)定，難以變成直角。并且，GaN基板是透明的，芯片的自動識別也困難，引起合格率下降。使作為發(fā)熱部位的有源層(pn結(jié))附近接近散熱臺進行安裝的結(jié)朝下(junctiondown)方式，散熱性優(yōu)良。但是考慮在GaN基板上的自動安裝的困難時，使有源層位于散熱臺的遠方進行安裝的結(jié)朝上(junctionup)安裝方式對于安裝合格率的改善是有效的。這是因為，在結(jié)朝上方式中，由于激光器的光出射面遠離散熱臺，所以降低了安裝時焊料附著到光出射端面的危險性。并且，結(jié)朝上方式中，由于從GaN基板整個背面均勻地散熱，因此抑制了局部的發(fā)熱引起到局部的劣化，適于高溫高輸出工作。下面，說明根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。首先，在本發(fā)明中，通過使用外延生長技術(shù)的公知的半導(dǎo)體生長法，在氮化物半導(dǎo)體基板的表面(Ga面)上形成半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)包含p型區(qū)及n型區(qū)。在制造半導(dǎo)體激光器等的發(fā)光元件的情況下，半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)就會包含雙異質(zhì)(doublehetero)結(jié)構(gòu)和用于將光及電流封閉在固定空間內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在氮化物基板的表面?zhèn)?，形成與半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)中的p型區(qū)電接觸的p側(cè)電極后，在氮化物半導(dǎo)體基板的背面處形成n側(cè)電極。優(yōu)選實施方式中，p側(cè)電極由具有與半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)中的p型區(qū)相連的部位的接觸電極，及用于向接觸電極提供電流的布線電極構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明者的實驗，可知使上述接觸電極的一部分露出，如此形成上述布線電極在自動安裝中是最佳的。此外，可知在上述結(jié)構(gòu)中，還優(yōu)選接觸電極的露出部位處于激光諧振器的任意的端面?zhèn)?。通過采用上述的結(jié)構(gòu)，大幅度地改善適于高溫高輸出工作的氮化物半導(dǎo)體元件的安裝合格率，低成本下的大批量生產(chǎn)成為可能。(實施方式1)下面，參照附圖，說明根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法的第1實施方式。首先，參照圖2。圖2示意性地示出了本實施方式的氮化物半導(dǎo)體元件、即GaN類半導(dǎo)體激光器的剖面。圖示的元件的剖面是平行諧振器端面的面，諧振器長度方向與此剖面正交。本實施方式的半導(dǎo)體激光器包括摻雜了n型雜質(zhì)的n型GaN基板(厚度約l00um)10，和設(shè)置在n型GaN基板10的表面(Ga面)上的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100。半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100包含n型GaN層12，n型AlGaN涂層14，GaN導(dǎo)光層16，InGaN多重量子阱層18，InGaN中間層20，p型AlGaN保護層22，p型GaN導(dǎo)光層24，p型AlGaN涂層26及p型GaN接觸層28。本實施方式中的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100中所包含的各半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度(摻雜物濃度)和厚度如下表l所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>再有，表l中所示出的雜質(zhì)、雜質(zhì)濃度及各半導(dǎo)體層的厚度只不過是一個例子，不限定本發(fā)明。半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100中，p型GaN接觸層28及p型AlGaN涂層26被加工成沿諧振器長度方向延伸的脊形條紋的形狀。脊形條紋的寬度例如為1.5wm左右，諧振器長度例如為600ixm。芯片寬度(在圖2中，平行各半導(dǎo)體層的方向的元件尺寸)，例如為200um。半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100的上面中，除脊形條紋的上面以外的部分，被絕緣膜(本實施方式中Si02層)30覆蓋，在Si02層30的中央部形成使脊形條紋的上面露出的條紋狀的開口部。通過SiO2層30的開口部，p型GaN接觸層28的表面與p側(cè)接觸電極(Pd/Pt)32相接觸，配置p側(cè)布線電極(Ti/Pt/Au)34以便覆蓋p側(cè)接觸電極32的上面。在本實施方式中，由p側(cè)接觸電極32及p側(cè)布線電極34構(gòu)成"p側(cè)電極"，p側(cè)接觸電極32是"第lp側(cè)電極層"，p側(cè)布線電極34是"第2p側(cè)電極層"。再有，n型GaN基板10的背面與n側(cè)電極(Ti/Pt/Au)36相連。以下，說明制造本實施方式相關(guān)的氮化物半導(dǎo)體器件的方法的優(yōu)選實施方式。首先，準(zhǔn)備用公知的方法制作的n型GaN基板10。n型GaN基板10的厚度例如約為400um左右。通過研磨加工使n型GaN基板10的表面平坦。接著，在n型GaN基板10的表面上形成半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100。利用公知的外延生長技術(shù)能夠進行半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)100的形成。例如，如下使各半導(dǎo)體層生長。首先，在有機金屬氣相生長(MOVPE)裝置的反應(yīng)室內(nèi)插入n型GaN基板IO。此后，對n型GaN基板10的表面進行5001100。C左右的熱處理(熱清洗)。此熱處理，例如在800'C進行1分鐘以上，優(yōu)選進行5分鐘以上。在進行此熱處理的期間，優(yōu)選含氮原子(N)的氣體(N2、NH3、聯(lián)氨等)流入反應(yīng)室內(nèi)。此后，將反應(yīng)爐溫度控制在約1000。C，作為原料氣體同時提供三甲基鎵(TMG)及氨(NH3)氣、和作為載體氣體的氫和氮，同時作為n型摻雜劑提供硅烷(SiH4)氣體，生長厚度約lixm、Si雜質(zhì)濃度約5X10口cm—3的n型GaN層12。接著，一面提供三甲基鋁(TMA)，一面生長厚度約1.5/xm、由Si雜質(zhì)濃度約5xl017cm—3的Al,Gao.96N形成的n型AlGaN涂層14。此后，生長厚度約160nm的由GaN形成的GaN導(dǎo)光層16后，將溫度降到約SOO。C，將載體氣體從氫變更為氮，提供三甲基銦(TMI)和TMG，生長由膜厚約3nm的由IiKuGa^N形成的量子阱(3層)和膜厚約9nm的InowGaowN勢壘層(2層)形成的多重量子阱有源層18。此后，生長由In,Gaa99N形成的InGaN中間層20。InGaN中間層20大幅度地抑制p型摻雜劑(Mg)從在其上形成的p型半導(dǎo)體層向有源層18的擴散，能夠在晶體生長后也高品質(zhì)地維持有源層18。接著，再次將反應(yīng)爐內(nèi)的溫度升溫到約IOO(TC，在載體氣體中還導(dǎo)入氫，一面提供作為p型摻雜劑的雙茂基鎂(Cp2Mg)氣體，一面生長膜厚約20nm、由Mg雜質(zhì)濃度為約lxl019cn^3的Ala2()Gao.8()N形成的p型AlGaN保護層22。接著，生長厚度約20nm、由Mg雜質(zhì)濃度為約lxl019cm—3的p型GaN形成的第2GaN導(dǎo)光層24。此后，生長厚度約0.5/mi、由雜質(zhì)濃度為約lxl(Amf3的Al。.。5Ga。.95N形成的p型AlGaN涂層26。最后，生長厚度約0.1/mi、Mg雜質(zhì)濃度為約lxl02°cm—3的p型GaN接觸層28。下面，參照圖2及圖3，說明在半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)的上面處形成p側(cè)電極的工序。首先，利用等離子體CVD裝置等在半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)的上面堆積絕緣膜。為了成為干式蝕刻的掩膜，此絕緣膜由Si02等耐干式蝕刻性高的材料形成。此后，利用光刻技術(shù)和氟酸處理，將上述絕緣膜加工成寬1.5/mi的條紋狀。接著，以上述條紋狀絕緣膜為掩膜，利用干式蝕刻裝置將p型半導(dǎo)體層加工成脊形形狀后，利用氟酸處理去除脊形上的上述絕緣膜。接著，在形成了脊形的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)的上面堆積SiO2層30后，利用光刻技術(shù)和氟酸處理，去除SiO2層30中、僅位于脊形上的部分。此后，按平行脊形方向、且覆蓋脊形的上面及側(cè)面的方式，形成p側(cè)接觸電極(Pd/Pt)32。具體地，利用光刻技術(shù)，形成具有在中央部包含脊形這樣的條紋狀開口部的抗蝕劑掩膜后，在其上按順序蒸鍍Pd及Pt。此后，通過剝離，去除抗蝕劑掩模及抗蝕劑掩模狀的Pd/Pt，就能夠形成圖示的p側(cè)接觸電極32。接著，以覆蓋p側(cè)接觸電極32的表面的方式形成p側(cè)布線電極(Ti/Pt/Au)34。具體地，按順序蒸鍍Ti、Pt及Au。此時，如圖3(a)所示，按露出p側(cè)接觸電極32的一部分的方式，在p側(cè)布線電極34上形成"縮頸部40"。S卩，p側(cè)接觸電極32的大部分被p側(cè)布線電極34覆蓋，但p側(cè)接觸電極32的一部分不被p側(cè)布線電極34覆蓋，此部分就會作為"p側(cè)接觸電極露出部38"起作用。在圖3(a)及(b)所示的例子中，p側(cè)接觸電極32中、從脊形的側(cè)面向水平橫方向稍稍擴展的部分(以下稱為"脊形底面部")的一部分作為"p側(cè)接觸電極露出部38"起作用。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，p側(cè)布線電極34的表面色彩和自p側(cè)布線電極34表現(xiàn)出的p側(cè)接觸層32的表面色彩不同，由于使它們的對比度明確，如后所述，就會大大地改善自動安裝時的合格率，大大地有助于低成本化。最后，利用球焊器裝置等，在p側(cè)布線電極34上連接用于電流供給的Au導(dǎo)線。再有，通過使Au導(dǎo)線連接位置處于脊形底面的絕緣膜(Si02)30上，利用球形接合器的金導(dǎo)線連接時的損傷就不會直接導(dǎo)入成為電流供給通路的脊形上部，能夠制造對有源層損傷少的可靠性優(yōu)良的激光器。接著，參照圖4(a)及(b)，說明n側(cè)電極36的形成過程及激光器芯片分割。首先，從背面?zhèn)妊心型GaN基板10，將n型GaN基板10的厚度減少到約lOOum左右。接著，利用濕式蝕刻及干式蝕刻等清洗研磨面后，從基板側(cè)依次連續(xù)地堆積Ti/Pt/Au的各金屬層，形成n側(cè)電極36。此后，通過濕式蝕刻選擇地去除n側(cè)電極36的僅最上層的Au。在通過后續(xù)工序的解理的芯片分割中，由于在Au堆積部位Au的粘性高，難以獲得良好的解理。因此通過對選擇地去除了Au的區(qū)域進行一次及二次解理，就改善了解理合格率。使用劃線器裝置及切斷裝置，沿n型GaN基板10的M面進行一次解理，形成激光諧振器端面。此時，在一次解理和二次解理的交點附近用劃線器裝置等導(dǎo)入點狀的劃線傷，成為一次解理導(dǎo)向槽42，由此大幅度地提高解理合格率。這是因為，如上所述，由于GaN基板是六方晶系，所以強制向存在于60°方向上的等效解理面(M面)的解理偏移。接著，利用ECR濺射裝置等在激光器端面上堆積端面保護膜。最后，對通過一次解理得到的條進行二次解理，由此能夠得到圖2、圖3(a)、(b)所示的半導(dǎo)體激光器。下面，參照圖5，說明安裝工序。由晶片分割出的單個激光器芯片，通過焊料50被自動安裝在A1N等輔助支架46及管柱上。由于GaN基板是六方晶系結(jié)構(gòu)，所以高合格率地執(zhí)行通過二次解理將GaN基板分離成單個的激光器芯片(具有近似長方體的形狀)的工序非常困難。這是因為，由于GaN晶體是六方晶系，所以芯片的四角的角度穩(wěn)定，很難變成直角。因此，在具備GaN基板的半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，識別通過解理得到的芯片的四角進行定位，在輔助支架上自動安裝芯片合格率極差。由于GaN基板是透明的，所以能夠從基板背面確認(rèn)p側(cè)電極。因此，大多采用使發(fā)熱部位即有源層接近散熱臺進行安裝的結(jié)向下方式。但是，在GaN基板背面處形成有n側(cè)電極36的情況下，p側(cè)電極的確認(rèn)變得困難，在結(jié)向下方式中使安裝合格率大大的降低。并且，如圖6(a)及(b)所示，由于釆用上述的p電極結(jié)構(gòu)(圖3(b))，在各激光器芯片中存在至少一個p側(cè)接觸電極露出部38，在p側(cè)接觸電極露出部38、p側(cè)布線電極34及SiO2層30之間，產(chǎn)生色調(diào)、色度和/或亮度的差異，產(chǎn)生可光學(xué)性的檢測的對比度。因此可知，由于用在安裝裝置中具備的照相機能夠容易地識別p側(cè)接觸電極露出部38的位置，所以通過使p側(cè)接觸電極露出部38作為對準(zhǔn)標(biāo)記起作用，就極大提高安裝精度。此外可知，由于根據(jù)p側(cè)接觸電極露出部38的位置，還能夠識別激光器的光的出射端面(前端面)側(cè)和反射端面(后端面)側(cè)的位置關(guān)系，所以大大改善安裝合格率，有助于低成本化。再有，由于色調(diào)、色度、亮度等不同(對比度)，所以也可以不識別P側(cè)接觸電極露出部38的位置，而利用p側(cè)布線電極34、p側(cè)接觸電極38及SiO2層30的表面反射率的差異。具體地，可以照射激光進行探測，根據(jù)其反射光進行監(jiān)視器自動識別。再有，在本實施方式中的安裝合格率的基準(zhǔn)意味著激光器的安裝位置(左右及前后)相對于輔助支架的焊料位置的誤差范圍處于士5um以內(nèi)。接著，將用于電流供給的Au導(dǎo)線52連接在p側(cè)布線電極34上(圖7)。此外，在與n側(cè)電極36電連接的輔助支架的布線電極48上也連接Au導(dǎo)線52。此時，如圖7所示，優(yōu)選連接在p側(cè)布線電極34上的Au導(dǎo)線52，夾持脊形配置在與p側(cè)接觸電極露出部38相對的位置。這是因為，一旦Au導(dǎo)線52連接時的導(dǎo)線鍵合沖擊傳到p側(cè)接觸電極露出部38時，就有可能成為p側(cè)接觸電極32的剝離的原因。最后，為了隔離激光器芯片和外部氣體，利用高電場壓制機熔接帶激光取出玻璃窗的間隙。在室溫下對通過本實施方式的方法制造出的半導(dǎo)體發(fā)光器件通電時，其以閾值電流30mA連續(xù)振蕩，傾斜效率為1.5W/A、振蕩波長為405nm。此外，由于p側(cè)及n側(cè)電極一直形成到激光器端面，所以，抑制了端面附近的散熱下降，在高溫*高輸出條件(80°C、150mW)下，能夠進行IOOO小時以上的穩(wěn)定工作。再有，在本實施方式中，雖然在比諧振器端面更內(nèi)側(cè)配置p側(cè)接觸電極露出部38(圖7中的y〉0)，但也可以配置在諧振器端面(圖7中y=0)。但是，由于在端面中通過1次解理減少上述露出部位的表面積，所以在比諧振器端面更內(nèi)側(cè)配置露出部更有助于安裝合格率。再有，在本實施方式中，雖然在脊形底部形成p側(cè)接觸電極層露出部38，但考慮p側(cè)布線電極34有助于激光器工作時的散熱時，包含脊形上部形成上述露出部38時，存在產(chǎn)生局部發(fā)熱的可能性，在可靠性上不優(yōu)選。(實施方式l的比較例)參照圖8，說明根據(jù)上述實施方式1的氮化物半導(dǎo)體器件的比較例。圖8所示的比較例，除用p側(cè)布線電極34覆蓋整個p側(cè)接觸電極32這點外，具備與實施方式1中的半導(dǎo)體激光器器件相同的結(jié)構(gòu)。利用上述相同的自動安裝機在輔助支架及管柱上安裝本比較例的激光器。其結(jié)果，產(chǎn)生前側(cè)和后側(cè)的誤識別。與實施方式l比較時，安裝合格率下降2%左右。這是因為，雖然在p側(cè)布線電極34中存在"縮頸(<部40"，但p側(cè)接觸電極32沒有露出，缺乏從上面確認(rèn)時的對比度。此外，由于GaN基板是透明的，自p側(cè)布線電極34的"縮頸部40"可透視GaN基板背面的n側(cè)電極36，起因于此，對比度變小也成為引起安裝合格率下降的要因。(實施方式2)參照圖9，說明根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第2實施方式。圖9所示的實施方式除夾持脊形在后側(cè)及前側(cè)存在p側(cè)接觸電極32的自p側(cè)布線電極34露出的露出部這點外，具備與實施方式1中的半導(dǎo)體激光器相同的結(jié)構(gòu)。利用上述相同的自動安裝機在輔助支架及管柱上安裝本實施方式的激光器。其結(jié)果，安裝合格率改善了4%。這是因為，由于能夠在夾持脊形后側(cè)和前側(cè)雙方識別p側(cè)布線電極34和p側(cè)接觸電極露出部38之間的對比度，所以高精度的脊形位置識別成為可能。如圖9所示，如果預(yù)先使從各激光器端面到各p側(cè)接觸電極露出部38的距離(x、y)不同，就能夠識別前端面及后端面，有助于安裝合格率的提高。在本實施方式中，在p側(cè)布線電極34上連接Au導(dǎo)線52時，優(yōu)選在遠離p側(cè)接觸電極露出部38的位置進行配置。如圖10所示，在存在x〉y的關(guān)系的情況下，在與夾持脊形具有距離x的p側(cè)接觸電極露出部38相對的位置連接Au導(dǎo)線52。并且，使用本實施方式時，可多支地增加p側(cè)接觸電極32和p側(cè)布線電極34的組合。即，即使在p側(cè)接觸電極32和p側(cè)布線電極34的各最外層是同金屬的情況下，例如(p側(cè)接觸電極32、p側(cè)布線電極34)的組合為(Pd/Au、Ti/Pt/Au)及(Pd/Pt、Ti/Pt)這樣的情況下，盡管p側(cè)布線電極34和p側(cè)接觸電極露出部38的色彩差異變得不明顯，但p側(cè)布線電極34的"縮頸部40"存在多個(在夾持脊形的后側(cè)和前側(cè))，從此部位通過透明的GaN基板能夠在多個部位識別n側(cè)電極36的色彩差異。再有，在上述各實施方式中，雖然p側(cè)接觸電極32為Pd/Pt，p側(cè)布線電極34為Ti/Pt/Au，但不限于此結(jié)構(gòu)。例如，(p側(cè)接觸電極32、p側(cè)布線電極34)的組合也可以為(Pd、Ti/Pt/Au)。(實施方式3)參照圖11，說明根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第3實施方式。圖11所示發(fā)實施方式，由于相對于脊形在同側(cè)形成多個p側(cè)接觸電極露出部38，所以除相對于脊形在同側(cè)設(shè)置多個p側(cè)布線電極縮頸部40這點外，具備與實施方式2中的半導(dǎo)體激光器裝置相同的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，由于導(dǎo)線鍵合位置僅被選擇在夾持脊形的左右任意一邊的單側(cè)，所以導(dǎo)線鍵合位置識別變?nèi)菀?，可得到提高生產(chǎn)性的效果。(實施方式4)參照圖12，說明根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件的第4實施方式。圖12所示的實施方式，除p側(cè)布線電極34的最表層不是Au這點外，具備與實施方式1中的半導(dǎo)體激光器裝置相同的結(jié)構(gòu)。為了使p側(cè)接觸電極露出部38和p側(cè)布線電極34之間的對比度明確，可以分別用以下的電極結(jié)構(gòu)實現(xiàn)p側(cè)接觸電極32及p側(cè)布線電極34。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>在本實施方式中，有必要在p側(cè)布線電極34的一部分上預(yù)先形成用于Au導(dǎo)線連接的Au類焊盤電極(Ti/Au)54。在上述實施方式中，雖然使用Si02作為絕緣膜，但絕緣膜并不限于Si02，也可以為由化205、Zr02等形成的接近GaN的折射率的高折射率的絕緣膜。再有，在上述各實施方式中，雖然使用GaN基板作為氮化物半導(dǎo)體基板，但氮化物半導(dǎo)體基板并不限于GaN，也可以是由AlGaN、InGaN等形成的基板。此外，基板也可為剝離基板(Offsubstrate)。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明由于改善期待作為短波長光源應(yīng)用的氮化物半導(dǎo)體器件的安裝合格率，所以能夠有助于可靠性優(yōu)良的氮化物半導(dǎo)體激光器等的高合格率-低成本大批量生產(chǎn)。權(quán)利要求1、一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括包含n型雜質(zhì)的氮化物類半導(dǎo)體基板；配置在上述半導(dǎo)體基板的主面上、包含p型區(qū)及n型區(qū)和配置在其間的有源層的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)；配置在上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)上面處、具有開口部的絕緣膜；配置在上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)上面?zhèn)取⒃谏鲜鼋^緣膜的上述開口部與上述半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)所包含的上述p型區(qū)的一部分相接觸的p側(cè)電極；以及設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的背面處的n側(cè)電極，上述p側(cè)電極包含與上述p型區(qū)的一部分相接觸的第1p側(cè)電極層和配置在上述第1p側(cè)電極層上的第2p側(cè)電極層；上述第1p側(cè)電極層的一部分自上述第2p側(cè)電極層露出。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述第1p側(cè)電極層中的自上述第2p側(cè)電極層露出的部分，沒有位于上述開口部的上方。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述第1p側(cè)電極層中的自第2p側(cè)電極層露出的部分的個數(shù)是多個。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述絕緣膜的開口部是條紋狀，上述第lp側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出的部位，夾持上述絕緣膜的開口部配置有多個。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述第1p側(cè)電極層的最表層的色調(diào)、色度和/或亮度與上述第2p側(cè)電極層的最表層的色調(diào)、色度和/或亮度不同。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，上述第1p側(cè)電極層的最表層的反射率和上述第2p側(cè)電極層的最表層的反射率以及上述絕緣膜的反射率各不相同。7、一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，包含準(zhǔn)備權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的工序；和識別上述第lp側(cè)電極層的自第2p側(cè)電極層露出的部分，將上述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在散熱臺上的工序。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，在上述安裝工序中，將上述氮化物半導(dǎo)體元件的上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)劝惭b在上述散熱臺上。9、一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括散熱臺；和配置在上述散熱臺上的權(quán)利要求1至6任意一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，將上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的上述半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)劝惭b在上述散熱臺上。全文摘要本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體器件，包括n-GaN基板(10)，形成在n-GaN基板(10)的主面上的、包含p型區(qū)和n型區(qū)及其之間的有源層的半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)上面處形成具有開口部的SiO₂層(30)和與半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)中所包含的p型區(qū)域的一部分相接觸的p側(cè)電極，在基板(10)的背面處形成n側(cè)電極(36)。p側(cè)電極包含與p型區(qū)的一部分相接觸的p側(cè)接觸電極(2)和覆蓋p側(cè)接觸電極(2)及SiO₂層(30)的p側(cè)布線電極(34)，p側(cè)接觸電極(32)的一部分自p側(cè)布線電極(34)露出。文檔編號H01S5/042GK101356701SQ20068005092公開日2009年1月28日申請日期2006年12月27日優(yōu)先權(quán)日2006年1月11日發(fā)明者橫川俊哉,菅原岳,長谷川義晃申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社