專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如在晶片形狀的基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片及劃線的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，特別涉及在半導(dǎo)體芯片上及劃線上設(shè)置的電極焊盤(pán)部分的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
從以往以來(lái)，作為半導(dǎo)體器件，是制造例如在晶片形狀的基板上形成將半導(dǎo)體電路集成化的多個(gè)半導(dǎo)體芯片及劃線的半導(dǎo)體器件，所謂劃線的區(qū)域，是在從晶片切出半導(dǎo)體電路作為半導(dǎo)體芯片時(shí)的「切除材料」部分，為了判斷是否沒(méi)有問(wèn)題地形成了切出的半導(dǎo)體芯片內(nèi)的半導(dǎo)體電路，在該劃線上形成多個(gè)稱為工藝控制模塊(PCMProcess Control Module)的元件(以下，稱為劃線PCM)。
關(guān)于以上那樣的以往的半導(dǎo)體器件(例如，日本國(guó)專利公開(kāi)公報(bào)的特開(kāi)2001-332577號(hào)公報(bào))，下面參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖4A～圖4C所示為以往的半導(dǎo)體器件的晶片上的半導(dǎo)體芯片及劃線PCM的形狀舉例的詳細(xì)形狀圖?，F(xiàn)在，半導(dǎo)體器件一般以圖4A所示的晶片形狀形成。通常，經(jīng)過(guò)稱為擴(kuò)散工序的制造工序，在晶片1上形成多個(gè)將半導(dǎo)體電路集成化的半導(dǎo)體芯片2。然后，如圖4B所示，從晶片1切出半導(dǎo)體芯片2，進(jìn)行封裝等，從而制造作為片狀的半導(dǎo)體集成電路器件(LSI)。其中，如圖4C所示，在劃線3的區(qū)域，形成上述的劃線PCM4。
對(duì)該劃線PCM4設(shè)置與外部進(jìn)行電連接用的多層結(jié)構(gòu)的電極焊盤(pán)5，通過(guò)在劃線3形成這樣的劃線PCM4，能夠確認(rèn)作為整個(gè)晶片1上的半導(dǎo)體器件質(zhì)量好，特別是能夠確認(rèn)電性能質(zhì)量好。另外，這里雖未圖示，但在半導(dǎo)體芯片2上也設(shè)置多個(gè)與外部進(jìn)行電連接用的多層結(jié)構(gòu)的電極焊盤(pán)。
圖5A～圖5D所示是在以往的半導(dǎo)體器件中，對(duì)劃線3上配置形成的劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6，利用化學(xué)鍍形成凸點(diǎn)時(shí)的工藝流程剖面狀態(tài)的一個(gè)例子。本例作為一個(gè)例子，是表示用3層形成多層布線層的情況的半導(dǎo)體器件圖。
如圖5A所示，電極焊盤(pán)5、6是以從圖面下側(cè)向上方重疊第1層電極焊盤(pán)、第2層電極焊盤(pán)、第3層電極焊盤(pán)的3層電極焊盤(pán)的狀態(tài)形成的。這里，最上層的第3層電極焊盤(pán)用Al形成。這里，圖面左側(cè)的第3層電極焊盤(pán)是劃線PCM4的電極焊盤(pán)5，圖面右側(cè)的電極焊盤(pán)是半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6。
如圖5B所示，首先，這里進(jìn)行化學(xué)鍍Zn。通過(guò)這樣，在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上，進(jìn)行鍍Zn層的形成。作為該機(jī)理，是利用Al與Zn的電離傾向(電離傾向是Al＞Zn)，從而使電極焊盤(pán)的材料即Al作為Al離子6a溶解在化學(xué)鍍Zn液中，在兩者的電極焊盤(pán)上，形成化學(xué)鍍Zn液中的Zn離子7a作為鍍Zn層7，即進(jìn)行所謂的置換。
然后，如圖5C所示，進(jìn)行化學(xué)鍍Ni。通過(guò)這樣，在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的鍍Zn層7上，進(jìn)行Ni凸點(diǎn)8的形成。作為該機(jī)理，是利用Zn與Ni的電離傾向(電離傾向是Zn＞Ni)，從而使鍍Zn層7作為Zn離子7a溶解在化學(xué)鍍Ni液中，在鍍Zn層7上，形成化學(xué)鍍Ni液中的Ni離子8a作為Ni凸點(diǎn)8，即進(jìn)行所謂的置換。
然后，如圖5D所示，進(jìn)行化學(xué)鍍Au。通過(guò)這樣，在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的Ni凸點(diǎn)8上，進(jìn)行鍍Au層9的形成。作為該機(jī)理，是利用Ni與Au的電離傾向(電離傾向是Ni＞Au)，從而使Ni凸點(diǎn)8作為Ni離子8a溶解在化學(xué)鍍Au液中，在Ni凸點(diǎn)8上，形成化學(xué)鍍Au液中的Au離子9a作為鍍Au層9，是進(jìn)行所謂的置換的機(jī)理。
圖6所示為關(guān)于圖5B～圖5D所示的對(duì)以往的半導(dǎo)體器件進(jìn)行化學(xué)鍍的方法的詳細(xì)圖。如本圖所示，作為該機(jī)理，是利用電離傾向(電離傾向是Al＞Zn＞Ni＞Au)，從而使劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的金屬，作為電極焊盤(pán)側(cè)的金屬離子14(在本例中，是Al、Zn、Ni離子)溶解在各種鍍液13(在本例中，是Zn、Ni、Au鍍液)中，在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、以及半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上，形成作為各種鍍層(在本例中，是Zn、Ni、Au鍍層)。
圖7A～圖7B所示為對(duì)于圖5D所示的在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5上形成了凸點(diǎn)的部分、為了從前述的晶片1切出半導(dǎo)體芯片2而實(shí)施切割時(shí)的流程圖。
如圖7A所示，用切片刀10切割劃線3(同時(shí)切割劃線PCM4及劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、Ni凸點(diǎn)8、鍍Au層9)。通過(guò)這樣，如圖7B所示，能夠從晶片1切出片狀的半導(dǎo)體芯片2。
但是，對(duì)于上述那樣的以往的半導(dǎo)體器件，在圖5D所示的電極焊盤(pán)的結(jié)構(gòu)中，具有以下所示的問(wèn)題。
圖8A～圖8B與圖7A～圖7B相同，所示為對(duì)于在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5上形成了凸點(diǎn)8的部分、為了從前述的晶片1切出半導(dǎo)體芯片2而實(shí)施切割時(shí)的流程圖。如圖8A所示，用切片刀10切割劃線3(同時(shí)切割劃線PCM4及劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、Ni凸點(diǎn)8、鍍Au層9)。
但是，在如圖8A所示那樣，切片刀10從適當(dāng)位置偏離時(shí)，則如圖8B所示，凸點(diǎn)8盡管切割了，但仍殘留有邊緣部分，產(chǎn)生這樣的異常狀態(tài)。若這樣在切出半導(dǎo)體芯片2時(shí)，有導(dǎo)電性的凸點(diǎn)8仍殘留有邊緣部分，則在后面的組裝工序中進(jìn)行封裝時(shí)，因該「殘留的凸點(diǎn)」部分而恐怕會(huì)產(chǎn)生電氣泄漏等。
圖9與圖8A～圖8B相同，所示為對(duì)于在劃線PCM4的電極焊盤(pán)5上形成了凸點(diǎn)8的部分、為了從前述的晶片1切出半導(dǎo)體芯片2而實(shí)施切割時(shí)的狀態(tài)圖。在這種情況下，雖用切片刀10切割劃線3(同時(shí)切割劃線PCM4及劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、Ni凸點(diǎn)8、鍍Au層9)，但在本圖的情況下，為了不使凸點(diǎn)8殘留邊緣部分，加寬切片刀10的寬度進(jìn)行切割。
若使用這樣的方法，雖能夠防止凸點(diǎn)8殘留邊緣部分的情況，但由于增大切片刀10的寬度、即「切除材料」的寬度，所以因該加寬的部分而必須加寬切線3的寬度。如果那樣，則晶片1上的切線3的寬度要比前述圖7A(圖9的下圖)所示的寬度要寬。因此，反之晶片1上形成半導(dǎo)體芯片2的面積減小，有可能以晶片為單位的半導(dǎo)體芯片2的產(chǎn)出數(shù)減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述以往的問(wèn)題，其目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件在劃線PCM的電極焊盤(pán)中，能夠防止切割時(shí)產(chǎn)生「殘留的凸點(diǎn)」，能夠防止因該「殘留的凸點(diǎn)」部分所產(chǎn)生的電氣泄漏等，同時(shí)能夠抑制因加寬劃線部分而使半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)出數(shù)下降。
為了解決上述問(wèn)題，第1發(fā)明的特征是，在基板上形成半導(dǎo)體芯片及劃線、在前述半導(dǎo)體芯片上及前述劃線上設(shè)置多個(gè)多層結(jié)構(gòu)的電極焊盤(pán)的半導(dǎo)體器件中，在前述多個(gè)電極焊盤(pán)中，將形成凸點(diǎn)或鍍膜的前述電極焊盤(pán)的最上層部分，用電離傾向大于凸點(diǎn)或鍍膜材料的金屬形成；將不形成凸點(diǎn)或鍍膜的前述電極焊盤(pán)的最上層部分，用電離傾向小于前述凸點(diǎn)或鍍膜材料的金屬形成。
另外，第2發(fā)明的特征是，位于前述半導(dǎo)體芯片上的電極焊盤(pán)形成前述凸點(diǎn)或前述鍍膜，位于前述劃線上的電極焊盤(pán)不形成前述凸點(diǎn)或前述鍍膜。
另外，第3發(fā)明的特征是，前述電離傾向大的金屬采用Al，前述電離傾向小的金屬采用Cu。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠在切割部分形成的劃線PCM的電極焊盤(pán)不形成凸點(diǎn)，而僅在半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)形成凸點(diǎn)。
因此，在劃線PCM的電極焊盤(pán)，能夠防止切割時(shí)產(chǎn)生「殘留的凸點(diǎn)」，能夠防止因該「殘留的凸點(diǎn)」部分所產(chǎn)生的電氣泄漏等。
另外，能夠抑制以往結(jié)構(gòu)的問(wèn)題、即因加寬劃線部分而使半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)出數(shù)下降。
再加上，在進(jìn)行化學(xué)鍍時(shí)，也能夠?qū)Χ鄠€(gè)電極焊盤(pán)有選擇地操作有無(wú)鍍層。


圖1A為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程1圖。
圖1B為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程2圖。
圖1C為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程3圖。
圖1D為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程4圖。
圖2為對(duì)該實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的切片刀的大小比較圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片的外形圖。
圖4A為以往的半導(dǎo)體器件的晶片的形狀舉例說(shuō)明圖。
圖4B為從以往的半導(dǎo)體器件的晶片切出芯片的說(shuō)明圖。
圖4C為以往的半導(dǎo)體器件的晶片上的劃線PCM部分的形狀舉例說(shuō)明圖。
圖5A為該以往例的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程1圖。
圖5B為該以往例的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程2圖。
圖5C為該以往例的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程3圖。
圖5D為該以往例的半導(dǎo)體器件的凸點(diǎn)形成的工藝流程4圖。
圖6為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件的化學(xué)鍍方法的說(shuō)明圖。
圖7A為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件進(jìn)行切割時(shí)的流程1圖。
圖7B為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件進(jìn)行切割時(shí)的流程2圖。
圖8A為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件根據(jù)其它條件進(jìn)行切割時(shí)的流程1圖。
圖8B為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件根據(jù)其它條件進(jìn)行切割時(shí)的流程2圖。
圖9為對(duì)該以往例的半導(dǎo)體器件根據(jù)另外的其它條件進(jìn)行切割時(shí)的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖具體說(shuō)明表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體器件。
(實(shí)施形態(tài)1)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件。
圖1A～圖1D所示是在本實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件中，對(duì)于形成在劃線3上的劃線PCM4的電極焊盤(pán)5不形成凸點(diǎn)、而對(duì)于半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6利用化學(xué)鍍形成凸點(diǎn)時(shí)的工藝流程剖面狀態(tài)的一個(gè)例子。在本例中，是表示用3層形成多層結(jié)構(gòu)的布線焊盤(pán)的情況下的半導(dǎo)體器件圖。
圖1A所示為本實(shí)施形態(tài)1的半導(dǎo)體器件的形狀。這里圖面左側(cè)的電極焊盤(pán)是劃線PCM4的電極焊盤(pán)5，圖面右側(cè)的電極焊盤(pán)是半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6。
劃線PCM4的電極焊盤(pán)5是以重疊第1層電極焊盤(pán)、第2層電極焊盤(pán)的2層電極焊盤(pán)的狀態(tài)形成的。這里，劃線PCM4的電極焊盤(pán)5(第2層電極焊盤(pán))用Cu形成。
另外，半導(dǎo)體芯片2側(cè)的電極焊盤(pán)6是以重疊第1層電極焊盤(pán)、第2層電極焊盤(pán)、第3層電極焊盤(pán)的3層電極焊盤(pán)的狀態(tài)形成的。這里，半導(dǎo)體芯片2側(cè)的電極焊盤(pán)6中，第3層(最上層)的電極焊盤(pán)用Al形成。
即形成下述結(jié)構(gòu)，利用后述的化學(xué)鍍方法用Al形成想要附加凸點(diǎn)或鍍膜的部分的最上層電極焊盤(pán)(這里是半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6)，利用化學(xué)鍍方法用Cu形成不想要附加凸點(diǎn)或鍍膜的部分的最上層電極焊盤(pán)(這里是劃線PCM4的電極焊盤(pán)5)。
如圖1B所示，首先利用化學(xué)鍍方法進(jìn)行鍍Zn。通過(guò)這樣，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上進(jìn)行鍍Zn層7的形成。作為該機(jī)理，是利用Al與Zn的電離傾向(電離傾向是Al＞Zn)，從而使半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的Al作為Al離子6a溶解在鍍Zn液中，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上，形成鍍Zn液中的Zn離子7a作為鍍Zn層7，是進(jìn)行所謂的置換的機(jī)理。
但是，劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5用Cu形成，在利用該置換方式的化學(xué)鍍中，由于Cu的電離傾向相對(duì)于Zn非常小，因此Cu本身不作為Cu離子溶解在鍍Zn液中。所以，在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上也沒(méi)有形成鍍Zn液中的Zn離子作為鍍Zn層。即，在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上沒(méi)有形成鍍Zn層7。
然后，如圖1C所示，進(jìn)行化學(xué)鍍Ni。通過(guò)這樣，在半導(dǎo)體芯片2側(cè)的電極焊盤(pán)6上，進(jìn)行Ni凸點(diǎn)8的形成。作為該機(jī)理，是利用Zn與Ni的電離傾向(電離傾向是Zn＞Ni)，從而使鍍Zn層7作為Zn離子7a溶解在化學(xué)鍍Ni液中，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上，形成化學(xué)鍍Ni液中的Ni離子8a作為Ni凸點(diǎn)8，是進(jìn)行所謂的置換的機(jī)理。
但是，這里也同樣，在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上沒(méi)有形成鍍Zn層7。再有，由于Cu的電離傾向比Ni要小，因此在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上沒(méi)有形成Ni凸點(diǎn)8。
然后，如圖1D所示，進(jìn)行化學(xué)鍍Au。通過(guò)這樣，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的Ni凸點(diǎn)8上，進(jìn)行鍍Au層9的形成。作為該機(jī)理，是利用Ni與Au的電離傾向(電離傾向是Ni＞Au)，從而使Ni作為Ni離子8a溶解在化學(xué)鍍Au液中，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6的Ni凸點(diǎn)8上，形成化學(xué)鍍Au液中的Au離子9a作為鍍Au層9，是進(jìn)行所謂的置換的機(jī)理。
但是，這里也同樣，由于在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上沒(méi)有形成Ni凸點(diǎn)，因此即使具有化學(xué)鍍Au液，在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上也沒(méi)有形成鍍Au層。
采用以上的方法，在半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)6上形成凸點(diǎn)、而僅在劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5上不形成凸點(diǎn)的化學(xué)鍍工藝。
圖2為比較切割圖1D中沒(méi)有形成凸點(diǎn)的劃線PCM4的電極焊盤(pán)5時(shí)的切片刀10的大小、與切割用圖5D的工藝形成凸點(diǎn)的劃線PCM4側(cè)的電極焊盤(pán)5時(shí)的切片刀10的大小的比較圖。
由本圖可知，切割沒(méi)有形成凸點(diǎn)的劃線PCM4的電極焊盤(pán)5時(shí)的切片刀10較小。作為其理由是，以往如圖2的下圖所示，用切片刀10切割劃線3部分(同時(shí)切割劃線PCM4及劃線PCM4的電極焊盤(pán)5、Ni凸點(diǎn)8、鍍Au層9)，但在這種情況下，由于如前述的圖8A～圖8B所示，在邊緣部分有可能殘留凸點(diǎn)8等，因此要加寬切片刀10的寬度進(jìn)行切割，由此加大切片刀10的寬度，即加大「切除材料」的寬度，所以產(chǎn)生的問(wèn)題是，因該加寬的部分而必須加寬切線3的寬度。
但是，如圖2的上圖所示，在本實(shí)施形態(tài)1中，由于沒(méi)有形成凸點(diǎn)，因此不可能在電極焊盤(pán)5的邊緣部分殘留凸點(diǎn)等，不需要加寬切片刀10的寬度進(jìn)行切割，由此不需要加大切片刀10的寬度，即不需要加大「切除材料」的寬度，因而，由于晶片1中的劃線3部分的面積減小，因此反之形成設(shè)置有半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體芯片2的面積增多，能夠抑制以晶片為單位的半導(dǎo)體芯片2的產(chǎn)出數(shù)的減少。
(實(shí)施形態(tài)2)下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件。
圖3為從本實(shí)施形態(tài)2的半導(dǎo)體器件切出的半導(dǎo)體芯片的外形圖。如圖3所示，在該半導(dǎo)體芯片2中，例如以化學(xué)鍍用Al形成想要附加凸點(diǎn)的部分的電極焊盤(pán)11，以化學(xué)鍍用Cu形成不想要附加凸點(diǎn)的部分的電極焊盤(pán)12。對(duì)于該半導(dǎo)體芯片2的電極焊盤(pán)，利用前面的圖1A～圖1D所示的化學(xué)鍍方法進(jìn)行凸點(diǎn)形成。
根據(jù)以上所述，如前面的圖1A～圖1D中說(shuō)明的那樣，在Cu上不形成凸點(diǎn)，而僅在Al上形成凸點(diǎn)。即，通過(guò)采用該半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)行以往是不可能的化學(xué)鍍中的選擇性鍍層。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，在基板上形成半導(dǎo)體芯片及劃線、在所述半導(dǎo)體芯片上及所述劃線上設(shè)置多個(gè)多層結(jié)構(gòu)的電極焊盤(pán)，其特征在于，在所述多個(gè)電極焊盤(pán)中，將形成凸點(diǎn)或鍍膜的所述電極焊盤(pán)的最上層部分，用電離傾向大于凸點(diǎn)或鍍膜材料的金屬形成；將不形成凸點(diǎn)或鍍膜的所述電極焊盤(pán)的最上層部分，用電離傾向小于所述凸點(diǎn)或鍍膜材料的金屬形成。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述半導(dǎo)體芯片上的電極焊盤(pán)形成所述凸點(diǎn)或所述鍍膜，位于所述劃線上的電極焊盤(pán)不形成所述凸點(diǎn)或所述鍍膜。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電離傾向大的金屬采用Al，所述電離傾向小的金屬采用Cu。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電離傾向大的金屬采用Al，所述電離傾向小的金屬采用Cu。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件在劃線PCM的電極焊盤(pán)中，能夠防止切割時(shí)產(chǎn)生殘留的凸點(diǎn)，能夠防止因該殘留的凸點(diǎn)部分所產(chǎn)生的電氣泄漏等，同時(shí)能夠抑制因加寬劃線部分而使半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)出數(shù)下降。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明用電離傾向大的金屬、特別是Al，形成想要附加凸點(diǎn)或鍍膜的電極焊盤(pán)的最上層部分；用電離傾向小的金屬、特別是Cu，形成不想要附加凸點(diǎn)或鍍膜的電極焊盤(pán)的最上層部分。
文檔編號(hào)H01L23/485GK101068010SQ20071000515
公開(kāi)日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月1日
發(fā)明者松本健 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社