專利名稱：一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片制造方法，特別涉及一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾 斜的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路芯片的制造過程中，包括烘烤過程，即將芯片置于稍高
溫(60。C 250。C)的烘箱內(nèi)或熱板上進(jìn)行烘烤，根據(jù)目的不同分為軟烤(Soft bake) 與預(yù)烤(Hardbake)兩種，軟烤在涂覆光阻后進(jìn)行，主要目的是為了將光阻中的溶 劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力；而預(yù)烤，又稱為蝕刻前烘烤， 主要在涂覆光阻前進(jìn)行，主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕 刻(wetetching)更為重要，預(yù)烤不全常會(huì)造成過蝕刻。
當(dāng)涂膠顯影機(jī)的機(jī)臺(tái)的軟烤后的熱板發(fā)生晶片斜跨的現(xiàn)象時(shí)，厚度變不均 勻，則會(huì)發(fā)生光阻中的溶劑蒸發(fā)不完全等現(xiàn)象，嚴(yán)重影響隨后的制造工藝。目 前在使用熱板斜率測(cè)機(jī)，是使用光阻厚度量測(cè)機(jī)臺(tái)(OP)量測(cè)光阻的厚度，在 晶片上量測(cè)一個(gè)類"十"字型的圖形，如圖1所示，運(yùn)用EXCEL里的斜率計(jì)算公 式，算出熱板斜率。但是，從最后得到的監(jiān)測(cè)結(jié)果來看，這種方法并不能很敏 感的捕捉到熱板的傾斜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種運(yùn)用氮化硅(SIN)層的重要線寬(Critical Dimension,以下簡(jiǎn)稱CD)與光阻厚度的強(qiáng)關(guān)聯(lián)性，通過量測(cè)氮化硅層的CD 來監(jiān)測(cè)機(jī)臺(tái)的熱板斜率是否傾斜的方法。
本發(fā)明提供的一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法，包括以下步 驟
步驟l，提供一襯底，該襯底上具有氮化硅層； 步驟2，在該氮化硅層上涂覆光阻層； 步驟3，對(duì)該晶片進(jìn)行曝光，圖案化該晶片； 步驟4，將晶片表面分區(qū)，量測(cè)各區(qū)的重要線寬；
步驟5，如果上述CD中的最大CD與最小CD的差異達(dá)到預(yù)定值，貝IJ判 定上述熱板是傾斜的。
作為優(yōu)選，上述步驟4中，利用CD量測(cè)機(jī)臺(tái)量測(cè)該CD。
作為優(yōu)選，上述步驟4中對(duì)晶片分區(qū)方法為在晶片上基本均勻地劃分出多 個(gè)大小基本相等的矩形柵格，每個(gè)柵格作為一個(gè)區(qū)。
作為優(yōu)選，上述步驟5中，上述預(yù)定值為20nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，測(cè)量準(zhǔn)確，能夠相對(duì)靈敏地反應(yīng)熱板 的傾斜趨勢(shì)，從而使得熱板斜率探測(cè)簡(jiǎn)便快捷。
下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。對(duì)于所屬 技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，從對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的上述和其他目 的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的熱板傾斜探測(cè)的晶片取樣示意圖。
圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的晶片取樣示意圖。
圖3為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的晶片取樣數(shù)據(jù)圖。
圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的晶片的CD與光阻薄膜厚度的關(guān)系視圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板 是否傾斜的方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
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光刻工藝產(chǎn)生的線寬會(huì)隨光阻厚度產(chǎn)生變化曲線，變化幅度可以用Brunner 公式加以描述
其中，S為幅度，也就是CD值，R為光阻的反射率，a為光阻吸光率，d為光 阻厚度。當(dāng)光阻厚度d發(fā)生變化時(shí)，CD值也會(huì)產(chǎn)生周期性的變化。
如圖2所示，在本發(fā)明一較佳實(shí)施例的晶片上取樣多個(gè)點(diǎn)，取樣點(diǎn)的位置 均勻分布，因而同現(xiàn)有技術(shù)相比，可以更加有效、合理地分隔晶片以便取樣， 因而得到數(shù)據(jù)的更加均勻、準(zhǔn)確，其中分隔的數(shù)目可以是任意的。
本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法包括以 下步驟-
步驟l，提供一襯底，該襯底包括氮化硅層；
步驟2，利用光阻涂布及顯影機(jī)臺(tái)將包括氮化硅層的晶片上涂布光阻，并進(jìn) 行曝光和圖案化，
步驟3，利用CD量測(cè)機(jī)臺(tái)量測(cè)晶片的CD，在本實(shí)施例中，將表面分為56 個(gè)區(qū)，各區(qū)位置以及CD線寬如圖3所示，
步驟4，利用根據(jù)量測(cè)結(jié)果判斷，如果晶片表面任一對(duì)角方向的CD差值大 于預(yù)定數(shù)值，則判定該熱板有傾斜。
如圖4所示，在6800A處標(biāo)注一條線，因?yàn)槟ず裨谶@個(gè)值附近變化時(shí)，CD 會(huì)最敏感地反映出來.所以可以在這個(gè)厚度下測(cè)量熱板是否傾斜，對(duì)于CD為 0.18pm時(shí)的CD變化曲線，可以看出無論是測(cè)量值還是實(shí)驗(yàn)值，只要薄膜厚度 相差40A， CD的差異便達(dá)到10nm。在本實(shí)施例中，該值為20nm，因?yàn)楫?dāng)CD 的差異達(dá)到20nrn時(shí)，晶片上光阻的薄膜厚度差異超過80A，因而判定熱板傾斜。
從圖3中可以看出，左下角的CD值為0.2675fim，右上角的CD值為0.2399pm， 差異大于20nm，說明該實(shí)施例中的熱板有傾斜。對(duì)于熱板接觸晶片的部分，由 于溶劑被蒸發(fā)，所以光阻比較薄，CD值比較大，因此，如果熱板傾斜，貝U靠近 熱板的晶片膜厚比較薄，CD值比較大，而遠(yuǎn)離熱板的晶片膜厚比較厚，CD值比
較小，由此可以判斷出熱板傾斜方向。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；如 果不脫離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換的，均應(yīng)涵蓋 在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1. 一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法，其特征在于包括以下步驟步驟1，提供一襯底，該襯底上具有氮化硅層；步驟2，在該氮化硅層上涂覆光阻層；步驟3，對(duì)該晶片進(jìn)行曝光，圖案化該晶片；步驟4，將晶片表面分區(qū)，量測(cè)各區(qū)的重要線寬；步驟5，如果上述重要線寬中的最大重要線寬與最小重要線寬的差異達(dá)到預(yù)定值，則判定上述熱板是傾斜的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法， 其特征在于上述步驟4中，利用重要線寬量測(cè)機(jī)臺(tái)量測(cè)該重要線寬。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法， 其特征在于上述步驟4中對(duì)晶片分區(qū)方法為在晶片上基本均勻地劃分出多個(gè)大 小基本相等的矩形柵格，每個(gè)柵格作為一個(gè)區(qū)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法， 其特征在于上述步驟5中，上述預(yù)定值為20nm。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種檢測(cè)用于晶片烘烤的熱板是否傾斜的方法，包括以下步驟步驟1，提供一襯底，該襯底上具有氮化硅層；步驟2，在該氮化硅層上涂覆光阻層；步驟3，對(duì)該晶片進(jìn)行曝光，圖案化該晶片；步驟4，將晶片表面分區(qū)，量測(cè)各區(qū)的重要線寬；步驟5，如果上述重要線寬中的最大重要線寬與最小重要線寬的差異達(dá)到預(yù)定值，則判定上述熱板是傾斜的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，測(cè)量準(zhǔn)確，能夠相對(duì)靈敏地反應(yīng)熱板的傾斜趨勢(shì)，從而使得熱板斜率探測(cè)簡(jiǎn)便快捷。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101393879SQ200710152239
公開日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2007年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
發(fā)明者玥 楊, 鵬 陳 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司