專利名稱：：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法、以及半導(dǎo)體發(fā)光裝置。更具體地涉及在半導(dǎo)體發(fā)光元件中用于在外部高效率地取出所發(fā)光的電極結(jié)構(gòu)及電極周邊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：近年來發(fā)光器件的進(jìn)展引人注目。尤其是發(fā)光二極管(LED)兼具小型、低耗電、可靠性高等特征，被廣泛用作顯示用光源。作為已實(shí)用化的LED的材料，AlGaAs、GaAlP、GaP、InGaAlP等V族元素用As、P的III-V族化合物半導(dǎo)體用于發(fā)紅色、橙色、黃色、綠色光，綠色、青色、紫外區(qū)用GaN系化合物半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度高的LED。通過進(jìn)一步提高該LED的高亮度化，可以大大擴(kuò)大作為屋外顯示器或通信用光源的用途。用圖29說明現(xiàn)有的GaN系青紫色LED的結(jié)構(gòu)，圖29是LED的剖面圖。如圖所示，發(fā)青紫色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件110借助于銀漿料130接合在引線框120上。半導(dǎo)體發(fā)光元件110的p型電極和n型電極通過鍵合引線分別連接到與其電位分別對應(yīng)的引線框120上。然后用環(huán)氧樹脂180覆蓋其全體，構(gòu)成光源型的青紫色LEDIOO。下面，用圖30說明發(fā)青紫色光的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件110的結(jié)構(gòu)。圖30示出半導(dǎo)體發(fā)光元件110的剖面結(jié)構(gòu)。如圖所示，在藍(lán)寶石(入1203)襯底200上夾著圖中未示出的GaN阻擋層形成n型GaN層210和p型GaN層220。然后在一部分區(qū)域上去除上述p型GaN層220和n型GaN層210，露出n型GaN210。在露出該n型GaN層210的區(qū)域上形成n型電極230，另外在p型GaN220上形成p型透明電極240和p型鍵合電極250。在上述結(jié)構(gòu)的LED中，通過向引線框120施加電壓，從p型鍵合電極250向半導(dǎo)體發(fā)光元件110注入電流。從p型鍵合電極250注入的電流經(jīng)導(dǎo)電性高的透明電極240擴(kuò)大，注入p型GaN層220和n型GaN層210。然后，由該pn結(jié)產(chǎn)生的能量hY(h是普朗克常數(shù)，Y-c/人，c是光速，X是波長)的光經(jīng)p型透明電極240取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件110的外部。但是上述透明電極240用的材料，透過率和導(dǎo)電率呈折衷(或稱矛盾，trade-off)關(guān)系，即，為了提高透過率而減小電極膜厚，則導(dǎo)電率降低，因元件電阻增加和可靠性下降等產(chǎn)生問題。作為不用透明電極的方法，襯底對發(fā)光透明時，考慮在元件表面上設(shè)置反射率高的電極的結(jié)構(gòu)。它是圖31所示的倒裝片結(jié)構(gòu)。圖31是半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)。如圖所示，在p型GaN220上設(shè)置高反射率電極260，在元件內(nèi)部，發(fā)出的光被元件表面的高反射率電極260反射，從襯底側(cè)取出發(fā)光?，F(xiàn)在，用GaN系實(shí)用化的LED,活性層用InGaN等，發(fā)出青色到綠色的光，所用襯底是絕緣材料藍(lán)寶石或室溫(300K)下帶隙為3.39eV(波長-365nm)的GaN襯底，是常見的。即，GaN系中用的村底對青色到綠色(^400~550nm)的光是透明的。因此尤其是GaN系的LED，雖然說該倒裝片結(jié)構(gòu)是比較有效的手段，通常，與半導(dǎo)體層歐姆接觸的取出電極材料必須有高反射率。因此，為了實(shí)現(xiàn)倒裝片結(jié)構(gòu)，在元件表面上必須設(shè)置歐姆接觸的取出電極和高反射率電極。但是，形成這些電極的金屬相互擴(kuò)散，存在元件的工作電壓上升和可靠性下降的問題。下面，說明采用V族元素為As或P的III-V族化合物半導(dǎo)體LED的半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。圖32是發(fā)出紅色到綠色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)。、如圖所示，在n型GaAs襯底300上形成n型GaAs阻擋層310、n型InGaAlP包層320。在該n型InGaAlP包層320上形成InGaAlP活性層330，進(jìn)一步形成p型InGaAlP包層340和p型AlGaAs電流擴(kuò)散層350。然后，在p型AlGaAs電流擴(kuò)散層350的一部分區(qū)域上形成p型GaAs導(dǎo)電層360和p型電極370，在n型GaAs襯底內(nèi)面上形成n型電極380。在GaAs、AlGaAs、InGaAlP等V族釆用As或P的III-V族化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件中，一般地，不采用上述的GaN系的透明電極，通過設(shè)置厚的電流擴(kuò)散層(在上述例子中為p型AlGaAs電流擴(kuò)散層350)擴(kuò)大注入電流向活性層注入電流。為此，必須在取出發(fā)光的面上設(shè)置n型或p型電極。即，必須使從電極注入的電流充分?jǐn)U散，向有效地取出發(fā)光的電極正下的區(qū)域以外的活性層注入電流。若該電流擴(kuò)散不充分，得不到均勻的發(fā)光，外部量子效率顯著降低，得不到充分的光功率。圖32的結(jié)構(gòu)中，從p型電極370注入的電流經(jīng)p型AlGaAs電流擴(kuò)散層350充分?jǐn)U散，注入InGaAlP活性層330，從未設(shè)置電極370的區(qū)域的芯片表面上取出該發(fā)光。但是，為了使電流充分?jǐn)U散，必須增加上述電流擴(kuò)散層350的膜厚。因為若膜厚太小，電流未擴(kuò)散，只向電極370正下的區(qū)域的活性層330注入電流，其發(fā)光被電極370遮擋，不能取出發(fā)光。LED或LD(激光二極管)等的結(jié)晶生長通常釆用有機(jī)金屬氣相生長法(MO-CVDO或分子束外延生長法(MBE)。這些是薄膜控制性優(yōu)良，適于高品質(zhì)的晶體生長的外延生長法，是對發(fā)光器件特別重要的生長方法。但是，另外還有厚膜生長比較困難的一面。即，在上述LED用的半導(dǎo)體發(fā)光元件的結(jié)晶生長中，膜厚大的電流擴(kuò)散層的形成困難，或其生長需要的時間長，生產(chǎn)率低下等問題。而且，圖32所示的GaAs、GaP半導(dǎo)體發(fā)光元件中，n型GaAs襯底30對InGaAlP活性層330的發(fā)光不透明。因此，存在向n型GaAs襯底300側(cè)擴(kuò)散的發(fā)光幾乎全部被吸收，發(fā)光的取出效率惡化的問題。作為解決該GaAs襯底的吸收的問題的方法有上述的倒裝片結(jié)構(gòu)。在GaAs、GaP系的半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，由于肯定不從GaAs襯底取出發(fā)光，用蝕刻等除去GaAs襯底。然后在與GaAs襯底相反側(cè)的芯片表面上貼附對發(fā)光透明的襯底。用圖33說明該例子。如圖所示，在p型GaP襯底400上設(shè)置p型InGaAlP接合層，和p型InGaAlP包層420，在該p型InGaAlP包層420上設(shè)置InGaAlP活性層430。然后設(shè)置n型InAaAlP包層440和n型AlGaAs窗口層450。并在AlGaAs窗口層450上設(shè)置高反射率電極460和n型電極470，在p型GaP襯底400內(nèi)面上設(shè)置p型電極480，構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件。另外，GaP襯底400是室溫帶隙為2.26eV(X-548nm),對紅光等透明的襯底。根據(jù)上述的構(gòu)成，InGaAlP活性層430發(fā)出的光經(jīng)高反射率電極460反射，從p型GaP襯底400側(cè)取出。但是，同樣地，在該電極460中，同時實(shí)現(xiàn)歐姆接觸和高反射率兩者是困難的，必須設(shè)置歐姆用電極和高反射率用電極兩個電極。若這樣，就存在GaN系所述的歐姆用電極和高反射率用電極的金屬相互擴(kuò)散的問題。另外，同樣地，除去GaAs襯底貼附GaP襯底的結(jié)構(gòu)，也是在GaP襯底和電極的接合面反射光并從芯片表面取出發(fā)光的結(jié)構(gòu)。用圖34說明該結(jié)構(gòu)。圖34示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)。如圖所示，本結(jié)構(gòu)是在圖33的結(jié)構(gòu)中在p型電極480處反射光，從芯片表面取出發(fā)光的結(jié)構(gòu)。但是，在該結(jié)構(gòu)中，存在因p型GaP襯底400和p型電極480的合金層產(chǎn)生光的散射、吸收，難于有效地取出發(fā)光的問題。如上所述，現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光元件中的取出發(fā)光的方法，是從發(fā)光層取出的方法和從襯底側(cè)取出的方法。但是，在發(fā)光層整個表面上設(shè)置透明電極注入電流，從發(fā)光層側(cè)取出發(fā)光的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，透過率和導(dǎo)電率有相互抵觸的關(guān)系。即，如果為了提高透過率減小電極膜厚，會產(chǎn)生因?qū)щ娐式档?，元件電阻上升和可靠性下降等?dǎo)致的問題。另外，在發(fā)光層的一部分上設(shè)置電極，通過厚的電流擴(kuò),層使電流擴(kuò)散，注入電流，從發(fā)光層側(cè)取出發(fā)光的GaAs、GaP系(V族釆用As、P的III-V族化合物)半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，是除去GaAs襯底，貼附透明GaP襯底，用在GaP襯底的內(nèi)面上設(shè)置的電極反射光，從發(fā)光層側(cè)取出發(fā)光的方法。但是，存在因在GaP襯底和電極的接合面處有光散射、吸收等的損失，發(fā)光的取出效率差的問題。而且，在半導(dǎo)體發(fā)光元件內(nèi)部在發(fā)光層側(cè)反射光從襯底側(cè)取出發(fā)光的情況下，發(fā)光層側(cè)的電極必須采用高反射率的材料。該高反射率的材料不是必須與半導(dǎo)體層歐姆接觸而取出光的。因此，在發(fā)光層側(cè)必須設(shè)置歐姆接觸的取出電極和高反射率的電極。但是，存在形成這些電極的金屬相互擴(kuò)散，元件的動作電壓上升和可靠性下降的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于上述情形而提出的。其目的之一在于提供通過在電極結(jié)構(gòu)中同時獲得歐姆性和高反射率，防止構(gòu)成電極的金屬之間相互擴(kuò)散，可提高外部量子效率，并可同時減小工作電壓，提高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，以及半導(dǎo)體發(fā)光裝置。本發(fā)明的第二目的在于提供通過抑制電極中光的散射、吸收，可提高外部量子效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件和半導(dǎo)體發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的第l方面(對應(yīng)于權(quán)利要求l，下同)的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括在半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面或上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的與上述活性層和上述第二半導(dǎo)體層隔離的第一電極；以及在上述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置的第二電極，上述活性層發(fā)出的光從上述半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底側(cè)向外部取出，上述第二電極包括可與上述第二半導(dǎo)體層歐姆接觸的歐姆電極；在上述歐姆電極上設(shè)置的由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的第一阻擋電極；以及在上述第一阻擋電極上設(shè)置的、對上述活性層發(fā)出的光的波長具有高反射率的高反射率電極，上述第一阻擋電極用來防止上述歐姆電極和上述高反射率電極內(nèi)的原子相互擴(kuò)散。第2方面是，在第1方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述第一阻擋電極的膜厚為10nm以下，對上述活性層發(fā)出的光的波長具有透光性；上述活性層發(fā)出的光的一部分透過上述歐姆電極和上述第一阻擋電極，被上述高反射率電極反射，從上述半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底側(cè)向外部取出。第3方面是，在第1或2方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述歐姆電極以從Ni、Pt、Mg、Zn、Be、Ag、Au、Ge中選擇的至少一種為主金屬元素；上述第一阻擋電極以從W、Mo、Pt、Ni、Ti、Pd、V中選擇的至少一種為主金屬元素；上述高反射率電極以Al或Ag為主金屬元素。第4方面是，在第1或2方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述歐姆電極和上述阻擋電極是由以Ni或Pt為主元素的材料形成的。第5方面是，在第1~4方面中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述歐姆電極在上述第二半導(dǎo)體層上以島狀設(shè)置，上述第一阻擋區(qū)的一部分設(shè)置在上述第二半導(dǎo)體層上；上述活性層發(fā)出的光的一部分透過上述歐姆電極和第一阻擋電極被上述高反射率電極反射，從上述半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底側(cè)向外部取出；從上述活性層發(fā)出的光的另一部分不透過上述歐姆電極且透過上述第一阻擋電極被上述高反射率電極反射，從上述半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底側(cè)向外部取出。第6方面是，在第1~4方面中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述第二電極還包括在上述高反射率電極上設(shè)置的由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的第二阻擋電極；在上述第二阻擋電極上設(shè)置的、組裝時與該第二電極接合的外部電極，以及具有導(dǎo)電性的覆蓋電極。第7方面是，在笫1~4方面中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于上述第二電極以位于上述第二半導(dǎo)體層中央部分的方式設(shè)置；且上述第一電極只設(shè)在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面邊緣部。第8方面是，在笫1~4方面中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光《件，其特征在于上述第二電極以位于上述第二半導(dǎo)體層中央部分的方式設(shè)置；且上述第一電極，除了與上述第二電極接合的外部電極在組裝后所處的位置以外，以圍繞該第二電極的方式設(shè)置。本發(fā)明第9方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于包括在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；僅在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面邊緣部分設(shè)置的第一電極；以及以位于上述第二半導(dǎo)體層的中央部分的方式設(shè)置的第二電極。本發(fā)明第IO方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于上述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括在半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；在上述第一半導(dǎo)體區(qū)上設(shè)置的、與上述活性層和上述第二半導(dǎo)體層分離的第一電極；以及以位于上述第二半導(dǎo)體層的中央部分的方式設(shè)置的第二電極；上述第一電極，除了與上述第二電極接合的外部電極在組裝后所處的位置以外，以圍繞該第二電極的方式設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的邊緣部分。本發(fā)明第11方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于上述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括在基本上透明的半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的笫二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的一部分上設(shè)置的第一電極；和上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的與第一電極相同的面上設(shè)置的、反射率高于上述第一電極的高反射率的光反射膜；和在上述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置的第二電極；從上述活性層向上述第二半導(dǎo)體層側(cè)發(fā)出的光透過該第二半導(dǎo)體層向外部取出，且從上述活性層向上述第一半導(dǎo)體層側(cè)發(fā)出的光透過上述半導(dǎo)體襯底被上述光反射膜反射，從上述第二半導(dǎo)體層側(cè)取出。第12方面是，在第11方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述第一、第二半導(dǎo)體層和上述活性層只設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底的一部分上，還包括，在上述半導(dǎo)體襯底上以至少包圍上述第一、第二半導(dǎo)體層上述活性層的側(cè)面的方式設(shè)置的電流狹窄層，以及在上述笫一、第二半導(dǎo)體層、上述活性層和上述電流狹窄層上設(shè)置的第三半導(dǎo)體層，上述第二電極設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的上迷活性層正下的區(qū)域上，在該半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的其它區(qū)域上設(shè)置上述光反射膜，上述光反射膜反射的光透過上述電流狹窄層向外部取出。第13方面是，在第11或12方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述光反射膜是由至少以金屬為主的材料構(gòu)成的。第14方面是，在第11或12方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述光反射膜是由至少以介電體為主的材料構(gòu)成的。第15方面是，在第11或12方面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，其特征在于上述光反射膜具有至少包括比上述半導(dǎo)體襯底折射率高的高折射率膜和比該高折射率膜折射率低的低折射率膜的多層結(jié)構(gòu)。第16方面是，在第11~15方面中任一項所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于上述第一、第二半導(dǎo)體層和上述活性層由從InP、GaP、A1P、GaAs材料構(gòu)成的組中選出的兩種以上材料的混晶構(gòu)成。本發(fā)明笫17方面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括和外部進(jìn)行電力交換的引線框；在上述引線框上設(shè)置的與其電連接的導(dǎo)電性分支柱；在上述分支柱上且以使半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底在上面的方式設(shè)置的、與上述分支柱電連接的半導(dǎo)體發(fā)光元件；以及至少覆蓋上述分支柱和上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的保護(hù)部件，該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括在半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面或上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的與上述活性層和上述第二半導(dǎo)體層隔離的第一電極；以及在上述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置的第二電極，上述活性層發(fā)出的光從上述半導(dǎo)體襯底或絕緣對底側(cè)向外部取出，上述第二電極包括可與上述第二半導(dǎo)體層歐姆接觸的歐姆電極；在上述歐姆電極上設(shè)計的由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的第一阻擋電極；以及在上述第一阻擋電極上設(shè)置的、對上述活性層發(fā)出的光的波長具有高反射率的高反射率電極，上述第一阻擋電極用來防止上述歐姆電極和上述高反射率電極內(nèi)的原子相互擴(kuò)散。本發(fā)明第18方面的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括和外部進(jìn)行電力交換的引線框；在上述引線框上設(shè)置的與其電連接的導(dǎo)電性分支柱；在上述分支柱上且以使半導(dǎo)體襯底在下面的方式設(shè)置的、與上述分支柱電連接的半導(dǎo)體發(fā)光元件；以及至少覆蓋上述分支柱和上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的保護(hù)部件，上述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括在基本上透明的半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層，在上述第一半導(dǎo)體層上設(shè)置的發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上設(shè)置的第二半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的一部分上設(shè)置的第一電極；和上述半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的與第一電極相同的面上設(shè)置的、反射率高于上述第一電極的高反射率的光反射膜；和在上述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置的第二電極；從上述活性層向上述第二半導(dǎo)體層側(cè)發(fā)出的光透過該第二半導(dǎo)體層向外部取出，且從上述活性層向上述第一半導(dǎo)體層側(cè)發(fā)出的光透過上述半導(dǎo)體襯底被上述光反射膜反射，從上述第二半導(dǎo)體層側(cè)取出。本發(fā)明第19方面的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法包括在半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底上形成第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層的工序；在上述第一半導(dǎo)體層上形成發(fā)生并放出自然光的活性層；在上述活性層上形成第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層的工序；以與上述第一、第二半導(dǎo)體層電氣連接的方式分別形成第一、第二電極的工序，形成上述第二電極的工序包括在上述第二半導(dǎo)體層上形成可與上述第二半導(dǎo)體層歐姆接觸的歐姆電極的工序；實(shí)施用來提高上述第二半導(dǎo)體層和上述歐姆電極的歐姆接觸性的第一熱處理的工序；在上述歐姆電極上用高熔點(diǎn)金屬形成第一阻擋電極的工序；在上述第一阻擋電極上形成對上述活性層發(fā)出的光的波長具有高反射率的高'反射率電極的工序；在上述高反射率電極上用高熔點(diǎn)金屬形成第二阻擋電極的工序；在上述第二阻擋電極上，形成在組裝時與該第二電極接合的外部電極和具有導(dǎo)電性的覆蓋電極的工序；以及實(shí)施比上述第一熱處理溫度低的第二熱處理的工序。根據(jù)第1方面的結(jié)構(gòu)，在通過向在半導(dǎo)體襯底或絕緣襯底上設(shè)置的同類結(jié)合、異類結(jié)合或雙重異類結(jié)合注入電流得到發(fā)光，通過在上述各種結(jié)合上設(shè)置的電極反射該發(fā)光，在外部取出發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，電極結(jié)構(gòu)是包括構(gòu)成上述各種結(jié)合、和該電極相接的材料可歐姆接觸的歐姆電極；由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的第一阻擋電極；和對發(fā)光具有高反射率的高反射率電極三層結(jié)構(gòu)。該高熔點(diǎn)金屬具有防止構(gòu)成歐姆電極和高反射率電極的原子因熱而相互擴(kuò)散的阻擋電極的作用。因此，借助于這種三層結(jié)構(gòu)的電極，可同時確保歐姆接觸性和對發(fā)光有高反射率，抑制工作電壓的上升，實(shí)現(xiàn)外部量子效率的提高，和半導(dǎo)體發(fā)光元件可靠性的提高。根據(jù)第2方面，通過把第一阻擋電極的膜厚設(shè)為10nm以下，可以把該第一阻擋電極的吸光抑制到最小，提高發(fā)光的取出效率。另外，歐姆電極、第一阻擋電極和高反射率電極優(yōu)選采用第3方面所述的材料。根據(jù)第4方面，Nt和Pt可兼作歐姆電極和阻擋電極的材料。根據(jù)第5方面，通過在第二半導(dǎo)體層的一部分上以島狀設(shè)置歐姆電極，可進(jìn)一步提高電極的反射率。根據(jù)第6方面，通過在高反射率電極上進(jìn)一步設(shè)置第二阻擋電極、覆蓋電極，當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在引線框上時，在該電極和外部的電極之間形成高電阻層，可防止發(fā)生電極間的結(jié)合的剝落，從而提高半導(dǎo)體發(fā)光元件的動作可靠性。根據(jù)第7、9方面，在半導(dǎo)體芯片的表面及內(nèi)面上配置電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，通過只在襯底的一部分區(qū)域上設(shè)置半導(dǎo)體芯片內(nèi)面的電極，可更加提高光的取光效率。根據(jù)第8、IO方面，在半導(dǎo)體芯片的表面上配置有兩個電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，通過在半導(dǎo)體芯片的周邊設(shè)置一個電極，、電流可均勻注入，且向引線框的安裝操作更容易。根據(jù)第11方面的結(jié)構(gòu)，在通過向在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的同類結(jié)合、異類結(jié)合或雙重異類結(jié)合注入電流，得到發(fā)光，在半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面反射該發(fā)光，在外部取出該發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的同一面上設(shè)置電極和光反射膜。由此，可以抑制半導(dǎo)體襯底和光反射膜的界面處的光損失，提高光的取出效率。根據(jù)第12方面，通過只在半導(dǎo)體襯底的一部分上形成上述各種結(jié)合區(qū)，在除發(fā)光層正下的區(qū)域上形成光反射膜，并用對發(fā)出的光的波長透明的材料覆蓋發(fā)光層的周邊，可以抑制因光反射膜反射的發(fā)光的再吸收，進(jìn)一步提高光的取出效率。根據(jù)第13、14方面，光反射膜采用金屬或絕緣膜等的材料。根據(jù)第15方面，光反射膜也可以由折射率不同的材料的多層膜構(gòu)成。根據(jù)第16方面，上述結(jié)構(gòu)可適用于釆用GaAs或AaP等V族元素釆用As或P的III-V族化合物的半導(dǎo)體發(fā)光元件。根據(jù)第17、18方面的記載，通過用導(dǎo)電部件構(gòu)成的分支柱把具有上述第一到十六方面所述的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件搭載在引線框上，可提高LED的放熱效率，提高LED的可靠性。根據(jù)第19方面的記栽，在通過向在半導(dǎo)體村底或絕緣村底上設(shè)置的同類結(jié)合、異類結(jié)合或雙重異類結(jié)合注入電流得到發(fā)光，由在上述各種結(jié)合上設(shè)置的電極反射該發(fā)光，在外部取出發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法中，在形成構(gòu)成上述各種結(jié)合、可與和該電極相接的材料歐姆接觸的歐姆電極之后，對上述電極進(jìn)行第一熱處理，之后形成由高熔點(diǎn)金屬形成的第一阻擋電極、對發(fā)光具有高反射率的高反射率電極、由高熔點(diǎn)金屬形成的第二阻擋電極、與第二電極接合的外部電極和具有導(dǎo)電性可歐姆接觸的覆蓋電極，之后進(jìn)行比第一熱處理溫度低的第二熱處理。通過上述第一熱處理可進(jìn)一步提高歐姆電極的歐姆接觸性。且通過第二熱處理，可防止電極剝離，進(jìn)一步提高半導(dǎo)體發(fā)光元件的可靠性。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的LED的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一制造工序的剖面圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的笫二制造工序的剖面圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第三制造工序的剖面圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第四制造工序的剖面圖7是#>據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的LED的電流一光輸出特性圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的反射電極的反射率和阻擋電極膜厚的關(guān)系圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件的反射電極的反射率和歐姆電極膜厚的關(guān)系圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖n是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案2的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案2的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案3的半導(dǎo)體發(fā)光元件的斜視圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案3的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的斜視圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一制造工序的剖面圖17是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第二制造工序的剖面圖18是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第三制造工序的剖面圖19是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第四制造工序的剖面圖20是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一部分剖面圖21是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4及其變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流一光輸出特性圖22是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一制造工序的剖面圖24是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第二制造工序的剖面圖25是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第三制造工序的剖面圖26是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第四制造工序的剖面圖27是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第五制造工序的剖面圖28是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件的第六制造工序的剖面圖29是現(xiàn)有的LED的剖面圖30是現(xiàn)有的從芯片表面取出發(fā)光的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖31是現(xiàn)有的從芯片內(nèi)面取出發(fā)光的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖32是現(xiàn)有的從芯片表面取出發(fā)光的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖33是現(xiàn)有的從芯片內(nèi)面取出發(fā)光的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖；一圖34是現(xiàn)有的從芯片表面取出發(fā)光的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面具體實(shí)施例方式下面，參照本發(fā)明的實(shí)施方案。在說明時，全部附圖中相同部分采用相同標(biāo)號。對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法和半導(dǎo)體發(fā)光裝置，以GaN系青紫色LED為例，用圖1、2說明。圖l是LED的剖面圖。如圖所示，發(fā)出青紫色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件11在引線框12上通過硅襯底等的分支柱13設(shè)在襯底側(cè)的上面。在該分支柱13的兩面上設(shè)置膜厚為約100nm的Au等高導(dǎo)電率的歐姆電極14-1、14-2，分支柱13表面上的歐姆電極14-1、14-2以與半導(dǎo)體發(fā)光元件11的電極的位置相匹配的方式構(gòu)圖。另外，為了與歐姆電極14-1電氣分離，歐姆電極14-2夾著絕緣膜19設(shè)在分支柱13上。另外，歐姆電極14-2通過鍵合引線15等與逆電位的引線框12電氣連接。分支柱13的內(nèi)面用導(dǎo)電漿料16接合在引線框12上。半導(dǎo)體發(fā)光元件ll的p型電極、n型極被構(gòu)圖，分別通過AuSnl7接合在歐姆電極14上。然后通過用環(huán)氧樹脂18整個覆蓋，構(gòu)成光源型的青紫色LED10(半導(dǎo)體發(fā)光裝置)。下面，用圖2說明發(fā)出青紫色光的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件11的結(jié)構(gòu)。圖2是半導(dǎo)體發(fā)光元件11的剖面結(jié)構(gòu)。如圖所示，在藍(lán)寶石襯底20上夾著未圖示的GaN阻擋層設(shè)置n型GaN層21。然后在n型GaN層21上設(shè)置InGaN活性層22、p型AlGaN包層23、以及p型GaN層24。而且，在一部分區(qū)域上除去上述p型GaN層24、p型AlGaN包層23、InGaN活性層22、以及n型GaN層21，露出n型GaN層21。在該露出的n型GaN層21上和p型GaN層24上分別設(shè)置n型電極25、p型電極26，用絕緣膜27覆蓋其它區(qū)域。上述n型電極25具有Ti層28、Al層29、Ti層30、Au層31四層結(jié)構(gòu)。而p型電極26具有五層結(jié)構(gòu)，即，作為與p型G^N層24歐姆接觸的取出的歐姆電極的、厚4nm的Ni層32、作為阻擋電極的Mo層33、作為高反射率電極的Al層34、作為阻擋電極的Ti層35、以及作為提高與引線樞12上的分支柱13的接觸性的覆蓋電極的Au層36。如圖l所示，上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件11通過藍(lán)寶石襯底20上的分支柱13搭載在引線框12上。在上述結(jié)構(gòu)的LED中，通過向引線框12施加電壓，從p型電極26向InGaN活性層22注入電流。然后，通過該電流注入4吏InGaN活性層22發(fā)光，在LED的場合下與LD時得到的感應(yīng)發(fā)光不同，其發(fā)出的光是自然光，不具有方向性。所以發(fā)出的光向各個方向發(fā)出。圖1所示結(jié)構(gòu)的LED中，從藍(lán)寶石襯底20側(cè)取出發(fā)光。從InGaN活性層22向藍(lán)寶石襯底20發(fā)出的光透過對該發(fā)光波長透明的n型GaN層21和藍(lán)寶石襯底20，在半導(dǎo)體發(fā)光元件11的外部取出。另一方面，從InGaN活性層22向p型AlGaN包層23發(fā)出的光透過p型AlGaN包層23和p型GaN層24到達(dá)p型電極26。到達(dá)p型電極26的Ni層32的光，以低散射和低吸收通過膜厚非常小的Ni層32和Mo層33，被對發(fā)光波長具有高反射率的Al層34反射出來。Al層34反射的光再透過p型層、InGaN活性層22,從藍(lán)寶石襯底20取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件11的外部。下面，用圖36說明上述半導(dǎo)體發(fā)光元件11及LED的制造方法。圖3~6依次示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序的剖面圖。首先，如圖3所示，與現(xiàn)有技術(shù)同樣地，在藍(lán)寶石襯底20上用MO-CVD法等形成未圖示的未摻雜的GaN阻擋層，在阻擋層上形成n型GaN層21。然后，在n型GaN層21上用MO-CVD或MBE法等形成InGaN活性層22。InGaN活性層22也可以是SQW(單量子阱)或MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)。而且，在InGaN活性層22上用MO-CVD法等形成p型AlGaN包層23和p型GaN層24。然后，如圖4所示，用光刻或RIE(反應(yīng)離子蝕刻)法等各向異性蝕刻技術(shù)，在一部分區(qū)域上除去p型GaN層24、p型AlGaN包層23、InGaN活性層22和p型GaN層21的一部分，在該區(qū)域使n型GaN層21露出。在此并不限于RIE法，用濕法蝕刻也可以，然后在整個表面上用CVD法等形成絕緣膜27。然后，如圖5所示，用光刻技術(shù)和濕法蝕刻等除去n型GaN層21上的絕緣膜27的一部分，用真空蒸鍍或去除(lift-off)法形成作為n型電極的Ti層28和Al層29。然后在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行600'C的退火，提高歐姆接觸性。然后，如圖6所示，用光刻技術(shù)和濕法蝕刻等去除p型GaN層24上的絕緣膜27的一部分，用真空蒸鍍或去除法形成作為p型電極的厚4nm的Ni層32、厚lnm的Mo層33、和厚500nm的Al層34。且在形成Ni層32之后，為了提高歐姆接觸性，進(jìn)行溫度為400~780'C,優(yōu)選為45(TC,20秒的快速退火。但是，如果Ni層32的下層即p型GaN層24的表面無氧化膜等，十分清潔，則不需要該快速退火。之后用真空蒸鍍或去除法在Al層29、34上分別形成厚100nm的Ti層30、35,厚1000nm的Au層30、36。然后，為了提高電極材料間的密合性，施行溫度為200。C以上，優(yōu)選為250°C，20秒的快速退火，完成n型電極25和p型電極26，得到圖2結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件ll。另外，該快速退火的溫度必須比圖6說明的M層32的退火溫度低。然后，在由以電極圖形構(gòu)圖的厚3pm的Au層等形成了歐姆電極14-1、14-2的硅襯底等的分支柱13上，n型電極25、p型電極26和上述電極14-2、14-l借助于AuSnl7互相接合，搭載上述半導(dǎo)體發(fā)光元件ll。由此，在罩(Cap)型的引線框12上用導(dǎo)電漿料接合搭載了半導(dǎo)體發(fā)光元件11的分支柱13。然后，用引線鍵合把與n型電極或p型電極電氣連接的歐姆電極14和引線框12連接起來。并通過用環(huán)氧樹脂18覆蓋全體而光源化，完成圖I所示的青紫色光LEDIO。另外，在取代藍(lán)寶石襯底而使用作為導(dǎo)電性襯底的n型GaN襯底時，在襯底的內(nèi)面上設(shè)置n型電極也是可以的。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)及制造方法的半導(dǎo)體發(fā)光元件及具備半導(dǎo)體發(fā)光元件的半導(dǎo)體發(fā)光裝置(LED)，在p型電極26中設(shè)置與p型GaN24的半導(dǎo)體層接合歐姆接觸的取出的Ni層32、在Ni層32上設(shè)置的高熔點(diǎn)材料即Mo層33、以及對發(fā)光具有高反射率的材料即Al層34。一般地，對可見光具有高反射率的Al或Ag等金屬，難以與GaN層歐姆接觸。因此在現(xiàn)有技術(shù)中，用進(jìn)行歐姆接觸的歐姆電極和高反射率電極形成電極。如果在該結(jié)構(gòu)中LED連續(xù)動作，存在熱影響導(dǎo)致構(gòu)成上述歐姆電極和高反射率電極的金屬原子相互擴(kuò)散，順方向電壓上升，元件易于劣化等問題。但是，根據(jù)本實(shí)施方案，在歐姆電極和高反射率電極之間設(shè)置高熔點(diǎn)金屬的阻擋電極(Mo層)。由于該阻抑制構(gòu)成歐姆電極和高反射率電極的金屬原子的相互擴(kuò)散，可以防止動作電壓的上升。另外，雖然歐姆電極和阻擋電極是對發(fā)光基本上不透明的材料，通過減小其膜厚，可實(shí)現(xiàn)高反射率。圖7示出本實(shí)施方案中說明的GaN系青紫色LED的發(fā)光特性。圖7示出LED的注入電流與發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系。圖中實(shí)線是根據(jù)本實(shí)施方案的GaN系青紫色LED，虛線是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的LED的特性。如圖所示，光輸出與現(xiàn)有相比大有提高，注入電流值為20mA時，電壓為4.3V，光輸出為6.9mW(發(fā)光波長Xp-450nm)。在現(xiàn)有的電極結(jié)構(gòu)中，同樣的注入電流得到的光輸出為4.0mW。若采用本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)，光輸出比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)提高約1.7倍，顯然改善了發(fā)光的取出效率。另外，得到的結(jié)果還證明，在室溫下以驅(qū)動電流20mA動作時，1000小時后光輸出沒有過分降低，到80%，提高了LED的可靠性。圖8、9示出反射率R與阻擋電極、歐姆電極的膜厚的關(guān)系。圖8是歐姆電極(Ni層)厚4nm，高反射率電極(Al層)厚100nm時，反射率與阻擋電極(Mo層)厚度的關(guān)系；圖9是阻擋電極(Mo層)厚100nm，高反射率電極(Al層)厚lnm時，反射率與歐姆電極(Ni層)厚度的關(guān)系。如圖所示，反射率對阻擋電極和歐姆電極的厚度有很大的依存性，最好膜厚比較薄。尤其是對InGaN活性層發(fā)出的光最先入射到的歐姆電極的厚度的控制特別重要。如圖9所示，在歐姆電極用M時，其膜厚優(yōu)選為10nm以下。另外，歐姆電極使用的材料除了Ni以外，還可用Pt、Mg—、Zn、Be、Ag、Au、Ge等，也可以是以這些材料為主的化合物。阻擋電極的材料除了Mo以外，還可以用W、Pt、Ni、Ti、Pd、V等或以它們?yōu)橹鞯幕衔?。另外，Ni和Pt可以兼用作歐姆電極和阻擋電極。另夕卜，在上述歐姆電極、阻擋電極及高反射率電極上，還可以再設(shè)置Ti層35構(gòu)成的阻擋電極和Au層36構(gòu)成的覆蓋電極。通常，在搭載半導(dǎo)體發(fā)光元件的分支柱上形成Au等的導(dǎo)體圖形。然后使半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極接合在該導(dǎo)體圖形上，若Ag或Al等的高反射率電極直接接觸在Au等的導(dǎo)體圖形上，在該接合面上形成高電阻層，有兩者的接合發(fā)生剝離的問題。但是，在本實(shí)施方案中，設(shè)置用與導(dǎo)體圖形用的Au相同材料構(gòu)成的覆蓋電極，形成金與金的接合部分。由此解決了上述問題。而且，通過在覆蓋電極和高反射率電極之間夾有高熔點(diǎn)材料構(gòu)成的阻擋電極，提高覆蓋電極與導(dǎo)體圖形之間的接合可靠性。但是，在導(dǎo)體圖形與高反射率電極是相同材料時，無需該覆蓋電極和高熔點(diǎn)材料構(gòu)成的阻擋電極。另外，該阻擋電極除了用Ti以外，還可以釆用W、Mo、Pt、Ni、Ti、Pd、V等或用以它們?yōu)橹鞯幕衔铩Ａ硗?，引線框不與半導(dǎo)體發(fā)光元件直接接觸，而是通過導(dǎo)電性的分支柱接合，可以提高放熱效率，可進(jìn)一步提高LED的動作可靠性。圖10用來說明本實(shí)施方案的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件，是發(fā)紅色到綠色的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。如圖所示，在n型GaP襯底40上形成n型InGaAlP接合層41、n型InGaAlP包層42，在該n型InGaAlP包層42上形成InGaAlP活性層43。與在得到相當(dāng)于綠色發(fā)光能量相當(dāng)?shù)膸赌芰康慕M成中取間接遷移型的帶結(jié)構(gòu)的AlGaAs不同，InGaAlP具有得到紅色到綠色的發(fā)光的組成中的直接遷移型的帶結(jié)構(gòu)，是適合該波長區(qū)域的發(fā)光器件的材料。在該InGaAlP活性層43上形成p型InGaAlP包層44和p型GaAs導(dǎo)電層45。然后在p型GaAs導(dǎo)電層45上和n型襯底40內(nèi)面上分別形成p型電極47和n型電極48，用絕緣膜46覆蓋其它區(qū)域。p型電極47具有五層結(jié)構(gòu)，即與p型GaAs導(dǎo)電層45歐姆接觸的取出的AuZn層49、作為阻擋電極的Mo層50、作為高反射率電極的Al層51、作為阻擋電極的Ti層52、和作為提高與引線框12上的分支柱13的接觸性的覆蓋電極的Au層53。上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件，如圖1所示，通過分支柱13以n型GaP襯底40面在上面的方式搭載在引線框12上。另外，由于n型電極設(shè)置在n型GaP襯底的內(nèi)面上，必須用引線鍵合把n型電極和引線框12連接起來。但是，如在GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件中所說明的，在形成p型電極的面上設(shè)置使n型InGaAlP包層的一部分露出的區(qū)域，通過在該區(qū)域上形成n型電極，無需引線鍵合的結(jié)構(gòu)也是可以的。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件，在歐姆電極(AuZn層)和高反射率電極(Al層)之間設(shè)置高熔點(diǎn)金屬的阻擋電極(Mo層)。由于該阻擋電極抑制構(gòu)成歐姆電極和高反射率電極的金屬原子的相互擴(kuò)散，防止動作電壓的上升，可以得到與上述GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件同樣的效果。另外，p型電極47的制造方法與上述的GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況相同，省略其說明。下面，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案2的半導(dǎo)體發(fā)光元件及半導(dǎo)體發(fā)光裝置，以GaN青紫色LED為例，用圖ll進(jìn)行說明。圖11示出半導(dǎo)體發(fā)光元件11的結(jié)構(gòu)。如圖所示，根據(jù)本實(shí)施方案的半導(dǎo)體發(fā)光元件是對第一實(shí)施方案中說明的半導(dǎo)體發(fā)光元件11的p型電極26的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了變形。即，與p型GaN層24相接的Ni層32形成為島狀，在該島狀的Ni層32和p型GaN層24上形成.Mo層33。由此p型GaN層24的表面具有與Ni層32相接的區(qū)域和與Mo層32直接相接的區(qū)域。然后，從InGaN活性層22向p型AlGaN包層23發(fā)出到達(dá)p型電極26的光的一部分，以低散射、低吸收通過Ni層32和Mo層33，被A1層34反射，其它的不通過Ni層32，直接通過Mo層33被Al層34反射。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，不在p型電極的全部表面上設(shè)置用來與p型GaN層24歐姆接觸的Ni層，而是以例如島狀只設(shè)置在p型GaN層2今的一部分上。因此，由于在沒有Ni層24的區(qū)域p型GaN層24和高反射率電極即Al層34的距離減小，可以提高反射率。因此，除了同時具有第一實(shí)施方案所述的效果外，還可以提高發(fā)光的取出效率。另外Ni和Pt可兼用作歐姆電極和阻擋電極。用來歐姆接觸的電極材料、阻擋電極的材料和高反射率電極的材料采用與實(shí)施方案1所述的相同的材料。具有本實(shí)施方案說明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的LED的結(jié)構(gòu)，同實(shí)施方案1中說明的圖l相同。圖12示出根據(jù)本實(shí)施方案的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。如圖所示，本變形例是在實(shí)施方案1的變形例即GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件中適用本實(shí)施方案的電極結(jié)構(gòu)，得到同樣的效果。下面，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案3的半導(dǎo)體發(fā)光元件及半導(dǎo)體發(fā)光裝置，以GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件為例，用圖13進(jìn)行說明。圖13是半導(dǎo)體發(fā)光元件的斜視圖。如圖所示，在藍(lán)寶石襯底20上設(shè)置n型GaN層21和發(fā)光層55。發(fā)光層55如實(shí)施方案1、2中說明的，是在n型GaN層21上設(shè)置的InGaN活性層22、InGaN活性層22上的p型AlGaN包層23和p型GaN層24。然后在芯片的周邊區(qū)域除去n型GaN層21和發(fā)光層55，露出n型GaN層21的表面。而且在發(fā)光層55上也設(shè)置如實(shí)施方案1、2所述的由歐姆電極32、電極33、高反射率電極34、阻擋電極35和覆蓋電極36組成的p型電極26。該p型電極26配置在發(fā)光層55的基本為中央的位置。另外，在露出的n型GaN層21上，n型電極25以包圍發(fā)光層55的方式設(shè)置。然后，如圖1所示通過分支柱把上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件搭載在引線框上，形成LED。若是具有上述電極配置的半導(dǎo)體發(fā)光元件，則除了具有實(shí)施方案1、2中說明的效果以外，還具有以下效果。首先，第一，通過把p型電極配置在芯片的基本為中央的位置，在把半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝到分支柱3上時，容易確定p型電極26的位置，容易制造LED,可提高生產(chǎn)率。第二，由于n型電極25以包圍發(fā)光層55的周圍的方式配置，從p型電極26注入的電流均勻地注入活性層，得到高效率的發(fā)光。另外，在本實(shí)施方案中除去n型電極55的一部分，在將半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝到分支柱上時對應(yīng)于與p型電極連接的導(dǎo)體圖形的形成區(qū)域?qū)ζ溥M(jìn)行設(shè)計。用圖14說明根據(jù)本實(shí)施方案的變形例的半導(dǎo)體發(fā)光元件和半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖14是半導(dǎo)體發(fā)光元件的斜視圖。如圖所示，本變形例是在圖14說明的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，把除形成了p型電極26以外的區(qū)域全部去除。在上述構(gòu)成中由于限定了發(fā)光區(qū)域，是適合用在發(fā)光必須與光纖等結(jié)合的場合和必須以更高速動作的LED的結(jié)構(gòu)。在上述實(shí)施方案3及其變形例中，發(fā)光層55、p型電極和n型電極的形狀并不僅限于圖示的形狀，而且不僅是GaN系半導(dǎo)體發(fā)光元件，也可適用于GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件。另外，在釆用導(dǎo)電襯底時n型電極設(shè)置在襯底內(nèi)面上也是可以的。下面，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法、和半導(dǎo)體發(fā)光裝置，以GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。圖15是產(chǎn)生波長為620nm的紅色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。如圖所示，在p型GaN襯底60上形成p型InGaAlP接合層61、p型InAlP包層62，在p型InAlP包層62上形成InGaAlP活性層63。在該InGaAlP活性層63上形成n型InAlP包層64和n型InGaAlP窗口層65。然后在n型InGaAlP窗口層65上夾著n型GaAs導(dǎo)電層66設(shè)置n型電極67。另一方面，在p型GaP襯底60內(nèi)面上設(shè)置p型電極68和光反射膜69。用圖16~19說明上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。圖16~19依次表示半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序的剖面圖。首先，如圖16所示，在n型GaAs襯底70上用MO-CVD法等依次形成用InGaP等構(gòu)成的蝕刻停止層71、膜厚O.lnm的n型GaAs導(dǎo)電層66、膜厚0.5nm的n型Ino.sGacusAU窗口層65、和膜厚ljim的n型Ino.5Al。.5P包層64。然后在n型InAlP包層64上用MQ-CVD法或MBE法等形成0.2nm的未摻雜的In^GaojAl^P活性層63,在其上形成膜厚lnm的p型Ino.5Alo.5P包層62和膜0.05nm的p型Ino.5Ga(U5Al。,35P接合層61。另外，在各層的外延生長時，鎵的原料用三乙基鎵(TEG，G(C2H5)3)或三曱基鎵(TMG，Ga(CH3)3)，鋁的原料用三乙基鋁(TEA,Al(C2H5)3)或三甲基鋁(TMA，[Al(CH3)32)，銦的原料用三乙基銦(TEI，In(C2H5)3)或三甲基銦(TMI，In((CH3)3)，磷的原料采用三苯基磷化氫(tertiary-butylphosphine，C4H9PH2)等。另外，n型雜質(zhì)和p型雜質(zhì)分別采用Si和Zn，也可用Te或Be等。另外，上述各層的組成和膜厚，是得到發(fā)光波長620nm的紅色光時用的例子，具體的原料也是指這一個例子。下面，如圖17所示，通過在p型InGaAlP接合層61上熱壓厚200nm的p型GaP村底60進(jìn)行接合。此時，必須洗凈p型InGaAlP接合層61和p型GaP襯底60的相互接合面。如前所述，GaP襯底是對波長620nm的光透明的材料。然后，對從n型GaAs襯底70到蝕刻停止層71進(jìn)行蝕刻，除去n型GaAs襯底70。然后，如圖18所示，再除去蝕刻停止層71，用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)對n型GaAs導(dǎo)電層66進(jìn)行圖示的構(gòu)圖。之后在n型GaAs導(dǎo)電層66上形成n型電極67，在p型GaP襯底60的內(nèi)面上分別形成p型電極68和光反射膜69，完成圖15結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件。另外，光反射膜69的材料采用Au。然后，如實(shí)施方案l說明的，以p型GaP襯底60在下面的方式把上述半導(dǎo)體發(fā)光元件搭載在引線框上，且電氣連接后用環(huán)氧樹脂光源化，完成LED。在上述結(jié)構(gòu)的LED中，從引線框施加電壓，從p型電極69注入的電流注入InGaAlP活性層63，得到紅色發(fā)光。InGaAlP活性層63發(fā)出的波長620nm的紅色光，向n型層一側(cè)發(fā)出的部分原樣不變地通過n型InAlP包層64和n型InGaAlP窗口層65，取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件外部。另外，從InGaAlP活性層63向p型GaP襯底60側(cè)發(fā)出的光透過透明襯底即p型GaP襯底60,到達(dá)p型電極68和光反射膜69。到達(dá)的光中雖被p型電極68散射和吸收，被光反射膜69再次向半導(dǎo)體發(fā)光元件內(nèi)部反射，從n型InGaAlP窗口層65側(cè)取出。結(jié)果，在驅(qū)動電流20mA的條件下動作的、放射角為10°的集塊(package)中，光輸出為相當(dāng)于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中光輸出的1.2倍的17cd。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件，在具有倒裝片結(jié)構(gòu)的GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件中，用反射光的透明襯底的內(nèi)面的一部分置換成光反射膜。由此，設(shè)置的光反射膜可以充分降低在透明襯底和電極之間的合金層上產(chǎn)生的損失，且由于在設(shè)置光反射膜的區(qū)域可以高效率反射光，可以有效地把發(fā)光取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件外部。另外，在本實(shí)施方案中光反射膜69的材料用Au。它對InGaAlP和63產(chǎn)生的波長620nm的光有大的反射率。表1示出各種金屬材料的GaP結(jié)合的反射率R和熱導(dǎo)率k。反射率是針對波長620nm的光的值，該波長下GaP的折射率n為3.325。熱導(dǎo)率為溫度300K下的值。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>作為對光反射膜69要求的特性，優(yōu)選具有高反射率和高熱導(dǎo)率。InGaAlP系材料因熱而導(dǎo)致的發(fā)光效率的降低是很顯著的，所以必須使活性層附近的發(fā)熱向元件外部高效率地放熱。由此從表1明顯可見，作為可同時具有高反射率和高導(dǎo)熱率的材料，除Au之外優(yōu)選采用Ag、Cu、Al等。另外，在p型GaP襯底60的內(nèi)面上設(shè)置的p型電極68和光反射膜69中，光反射膜69的光反射效果與電流注入用電極部分的導(dǎo)電電阻之間具有相折衷的關(guān)系，必須具有十分合適的面積比。本實(shí)施方案中光反射膜69和p型電極68的面積比是l:1,但是當(dāng)然也可以增大光反射膜69的面積以提高發(fā)光的取出效率，只要在導(dǎo)電電阻的上升未成為嚴(yán)重問題的高反射率電極圍內(nèi)，優(yōu)選地，盡可能增加光反射膜69的面積。下面，用圖20說明本實(shí)施方案的變形例。圖20是在圖15中特別著眼于光反射膜69的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。如圖所示，在p型GaP襯底60的內(nèi)面上設(shè)置的光反射膜69是由Si層72和Al203層73構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。各膜厚設(shè)定為活性層發(fā)出的光的波長的X74n(n是該波長下的Si和A1203的折射率)。Si層72和厶1203層73的組合的折射率差大，且高折射率層即Si層72的吸收系數(shù)小，可以以少的對數(shù)得到高的反射率。但是，低折射率層即Ah03層73的熱導(dǎo)率小，有可能元件的熱特性劣化。圖21是本實(shí)施方案、本實(shí)施方案的變形例和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的LED的注入電流和光輸出特性的關(guān)系圖。圖21中，①③的線分別表示圖15、20和現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的LED的特性。如圖所示，圖15所示的結(jié)構(gòu)的輸出和耐久性最好。一方面，本實(shí)施方案的變形例中說明的圖20的結(jié)構(gòu)，因受入1203低熱導(dǎo)率的影響注入電流增大時光輸出趨于飽和。但是其即使在注入電流到150mA的整個測定高反射率電極圍內(nèi)都高于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的光輸出，且在作為通常的動作電流使用的20mA的條件下基本上具有與圖15的結(jié)構(gòu)相同的特性?？梢哉f采用具有本變形例結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的LED具有充分的優(yōu)點(diǎn)。下面，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，以GaAs、GaP系半導(dǎo)體發(fā)光元件為例進(jìn)行說明。圖22是發(fā)出波長為620nm的紅色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。如圖所示，在n型GaP襯底80的一部分上形成發(fā)光層81。發(fā)光層具有包括n型InGaAlP導(dǎo)電層82、n型InAlP包層83、InGaAlP活性層84、p型InAlP包層85、和p型InGaAlP導(dǎo)電層86的多層結(jié)構(gòu)。另外，在n型GaP襯底80的未形成發(fā)光層81的區(qū)域上，形成未摻雜的GaP電流狹窄層87，用p型GaP層88覆蓋整個表面。然后，在p型GaP層88的一部分上形成p型電極89，在n型GaP襯底80的內(nèi)面上形成n型電極卯和光反射膜91。另外，n型電極90配置在發(fā)光層81的正下的位置上。下面，用圖23~28說明上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。圖23~28依次示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造工序的剖面圖。首先，如圖23所示，在n型GaAs襯底92上依次形成n型In0.5Ga。.15Al。.35P導(dǎo)電層82、n型In0.5Al。.5P包層83、Ino.sGafuAl^P活性層84、p型In。.5Alo.5P包層85和p型In。.5Ga。.15Al。.35P導(dǎo)電層86。用與實(shí)施方案4相同的方法生長各層。然后，同樣地用MO-CVD法等依次形成未摻雜的GaAs保護(hù)層93和SiOz掩模層94。然后，如圖24所示，用光刻技術(shù)和濕法蝕刻等對Si02掩模層構(gòu)圖。然后以Si02掩模層94作掩模用RIE法對GaAs保護(hù)層93、p型In05Gao.15Alo.35P導(dǎo)電層86、p型In。.5Al05P包層85、In。.sGa(uAlo.4P活性層84、n型In。.5Al。.5P包層83和n型Ino.5Ga。.15Al。.35P導(dǎo)電層82進(jìn)行圖示的蝕刻，成為脊?fàn)?。然后，如圖25所示，在n型GaAs襯底92上用CVD法等選擇性地外延生長未摻雜的GaP電流狹窄層87。接著，如圖26所示，在整個表面上形成p型GaP層88。然后，如圖27所示，用蝕刻全部去除n型GaAs襯底^92后，如圖28所示與n型GaP襯底80接合。然后，在p型GaP層88上形成p型電極89，在n型GaP襯底80的內(nèi)面上形成n型電極90和光反射膜91,完成圖22結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光元件。只在n型GaP襯底的一部分上殘余發(fā)光層81,希望具有最終用GaP圍繞在發(fā)光層81周圍的結(jié)構(gòu)。在上述半導(dǎo)體發(fā)光元件中，從InGaAlP活性層發(fā)出的紅色光中，向p型層側(cè)發(fā)出的部分原樣不變地通過p型InAlP包層85、p型InGaAlP導(dǎo)電層86和p型GaP層88,取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件外部。另一方面，從InGaAlP活性層84向n型GaP襯底80側(cè)發(fā)出的那部分光，透過透明襯底即p型GaP襯底80，被光反射膜91反射，取出到半導(dǎo)體發(fā)光元件外部。在此，n型電極卯設(shè)置在InGaAlP活性層83的正下方，光反射膜91設(shè)置在GaP電流狹窄層87的正下方。即，光反射膜87反射的光不通過發(fā)光層81，通過帶隙能量比發(fā)光能量大的GaP電流狹窄層87取出到元件外部。因此，由于光通過發(fā)光層81時沒有再吸收，與實(shí)施方案4說明的結(jié)構(gòu)相比，可進(jìn)一步提高發(fā)光的取出效率。事實(shí)上，在驅(qū)動電流20mA的條件下動作的放射角為10。的集塊(package)中，光輸出為相當(dāng)于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的光輸出的1.4倍的20cd。根據(jù)上述實(shí)施方案13，在活性層發(fā)出的光被發(fā)光層側(cè)的電極反射、把光從襯底側(cè)取出到外部的、釆用III-V族化合物半導(dǎo)體的可見光半導(dǎo)體發(fā)光元件中，反射光的電極結(jié)構(gòu)，至少具有包括歐姆電極、阻擋電極、和高反射率電極的三層結(jié)構(gòu)。該阻擋電極用高熔點(diǎn)材料形成，目的在于防止構(gòu)成歐姆電極和高反射率電極的原子因熱而相互擴(kuò)散。通過進(jìn)一步使厚度非常小，可把歐姆電極和高反射率電極對光的吸收損失抑制到最小限度。因此，在電極中可以同時具有歐姆接觸性和對光的高反射率，且抑制因熱導(dǎo)致的動作電壓的上升，可提高半導(dǎo)體發(fā)光元件及半導(dǎo)體發(fā)光裝置的可靠性和性能。而且，通過以例如島狀地形成歐姆電極以減小其面積，可以減小歐姆電極對發(fā)光的損進(jìn)一步增加電極的反射率，提高發(fā)光的取出效率。'另外，根據(jù)上述實(shí)施方案4、5，在活性層發(fā)出的光在襯底側(cè)反射從發(fā)光層側(cè)向外部取出、由GaAs或GaP等V族元素采用N之外的As或P的III-V族化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的可見光半導(dǎo)體發(fā)光元件中，在反射光的半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的同一面上，設(shè)置一個電極和光反射膜。在該電極中產(chǎn)生光散射和吸收的設(shè)置光反射膜的區(qū)域上高效率地反射光，所以與現(xiàn)有技術(shù)相比可提高在外部取出光的產(chǎn)率，提高半導(dǎo)體發(fā)光元件和半導(dǎo)體發(fā)光裝置的性能。另外，發(fā)光層以脊?fàn)钣脤υ摴馔该鞯牟牧下袢氲狡渲苓厖^(qū)域，且半導(dǎo)體襯底的內(nèi)面的電極設(shè)在發(fā)光層的正下位置，可以阻止對被光反射膜反射的光的再吸收，可更加提高發(fā)光的取出效率。另外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方案，在實(shí)施階段只要不脫離其中心思想就可進(jìn)行種種變更。而且，在上述實(shí)施方案中包含各階段的發(fā)明，可以對公開的多個構(gòu)成要件進(jìn)行各種適當(dāng)?shù)慕M合。例如，即使從實(shí)施方案公開的全部構(gòu)成要件中去除某一構(gòu)成要件，只要能解決要解決的課題部分所述的課題，并能實(shí)現(xiàn)發(fā)明效果部分所述的效果，就可以抽出該構(gòu)成要件構(gòu)成本發(fā)明。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過使電極結(jié)構(gòu)中同時具有歐姆性和高反射率，并防止構(gòu)成電極的金屬相互擴(kuò)散，就可以提供可提高外部量子效率，同時可降低動作電壓并提高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法和半導(dǎo)體發(fā)光裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過抑制電極中的光散射和吸收，可提供可提高外部量子效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件和半導(dǎo)體發(fā)光裝置。權(quán)利要求1.一種發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體襯底；在所述透明襯底上形成的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上形成的用來發(fā)光的活性層；在所述活性層上形成的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；與所述第二半導(dǎo)體層接觸的第二電極；以及與所述透明襯底接觸的第一電極；其中所述第一半導(dǎo)體層、所述活性層、所述第二半導(dǎo)體層在所述透明襯底的中央部位形成脊形部件。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中還包括在所述透明村底上形成為覆蓋所述脊形部件的側(cè)面的電流限制層；和在所述脊形部件和所述電流限制層上形成的第三半導(dǎo)體層。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述第一電極位于所述脊形部件的緊貼它的下方。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件，其中所述光反射層包圍所述第一電極。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述光反射層由介電物質(zhì)或包含介電物質(zhì)的材料構(gòu)成。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述光反射層包含高折射率層和低折射率層，該高折射率層對光的折射率大于所述透明襯底對光的的折射率，該低折射率層對光的的折射率小于所述高折射率層對光的的折射率。7.—種發(fā)光元件，包括襯底；在所述襯底上形成的用來發(fā)光的發(fā)光層，該發(fā)光層包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、在所述第一半導(dǎo)體層上形成的用來發(fā)光的活性層、以及在所述活性層上形成的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；與所述第二半導(dǎo)體層接觸的第一電極；與所述襯底接觸的第二電極，該第二電極僅位于發(fā)光層的中心的下方的部位，使得垂直地通過發(fā)光層而畫的中心線將穿過第二電極；以及與所述襯底接觸的光反射層，該光反射層僅位于沿著所述襯底的一個邊緣的部位。8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中所述光反射層的面積大于所述第二電極的面積。9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中所述襯底是導(dǎo)電襯底。10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件，其中所述襯底包括Ga。11.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層包括Ga。12.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，其中所述第一電極位于除所述襯底的中心的上方的部位以外的部位。13.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件，還包括在所述襯底上形成的電流限制層，其中所述電流限制層位于除形成了所述發(fā)光層的部位以外的部位。14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件，其中所述光反射層位于電流限制層下方的部位。全文摘要提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，可提高外部量子效率、降低動作電壓并提高可靠性。該發(fā)光元件包括半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上形成的用來發(fā)光的活性層；在所述活性層上形成的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層；與所述第二半導(dǎo)體層接觸的第二電極；以及與所述半導(dǎo)體襯底接觸的第一電極；其中所述第一半導(dǎo)體層、所述活性層、所述第二半導(dǎo)體層在所述透明襯底的中央部位形成脊形部件。文檔編號H01L21/28GK101183699SQ200710159720公開日2008年5月21日申請日期2001年6月29日優(yōu)先權(quán)日2000年6月30日發(fā)明者岡崎治彥,菅原秀人申請人:株式會社東芝