專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是有關(guān)于一種使用激光剝離制造工藝(laser ablation process)來(lái)制作保護(hù)層的像素結(jié)構(gòu)的制作方法 (METHOD FOR MANUFACTURING PIXEL STRUCTURE )。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為主要發(fā)展的趨勢(shì)。 平面顯示器主要有以下幾種有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic electroluminescence display)、電漿顯示器(plasma display panel)以及薄膜晶體 管液晶顯示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶 體管液晶顯示器的應(yīng)用最為廣泛。 一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由 薄膜晶體管數(shù)組基板(thin film transistor array substrate)、彩色濾光數(shù)組基板 (color filter substrate)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管 數(shù)組基板包括多條掃描線(scan lines)、多條數(shù)據(jù)線(data lines)以及多個(gè)數(shù)組排 列的像素結(jié)構(gòu)(pixel unit),且各個(gè)像素結(jié)構(gòu)分別與對(duì)應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電 性連接。圖1A 圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供 一基板IO，并由第一道光罩制造工藝于基板10上形成一柵極20。接著，請(qǐng) 參照?qǐng)D1B，在基板10上形成一柵極絕緣層30以覆蓋住柵極20。然后，請(qǐng) 參照?qǐng)D1C，由第二道光罩制造工藝于柵極絕緣層30上形成一位于柵極20 上方的信道層40。 一般而言，信道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphous silicon)。 之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，由第三道光罩制造工藝于信道層40的部分區(qū)域以與門 極絕緣層30的部分區(qū)域上形成一源極50以及一漏極60。由圖1D可知，源
極50與漏極60分別由信道層40的兩側(cè)延伸至柵極絕緣層30上，并將信道 層40的部分區(qū)域暴露。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，于基板10上形成一保護(hù)層70 以覆蓋柵絕緣層30、信道層40、源極50以及漏極60。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1F， 由第四道光罩制造工藝將保護(hù)層70圖案化，以于保護(hù)層70中形成一接觸孔 H。由圖1F可知，保護(hù)層70中的接觸孔H會(huì)將漏極60的部分區(qū)暴露。之 后，請(qǐng)參照?qǐng)D1G，由第四道光罩制造工藝于保護(hù)層70上形成一像素電極80， 由圖1G可知，像素電極80會(huì)透過(guò)接觸孔H與漏極60電性連接。在像素電 極80制作完成之后，便完成了像素結(jié)構(gòu)90的制作。承上述，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)90主要是由五道光罩制造工藝來(lái)進(jìn)行制作， 換言之，像素結(jié)構(gòu)90需采用五個(gè)具有不同圖案的光罩(mask)來(lái)進(jìn)行制作。由 于光罩的造價(jià)十分昂貴，且每道光罩制造工藝皆須使用到具有不同圖案的光 罩，因此，若無(wú)法縮減光罩制造工藝的數(shù)目，像素結(jié)構(gòu)90的制造成本將無(wú) 法降低。此外，隨著薄膜晶體管液晶顯示面板的尺寸日益增加，用來(lái)制作薄膜晶 體管數(shù)組基板的光罩尺寸也會(huì)隨之增加，而大尺寸的光罩在造價(jià)上將更為昂 貴，使得像素結(jié)構(gòu)90的制造成本無(wú)法有效地降低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其適于降低制作成本。 為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其先提 供一基板，并形成一柵極于基板上。接著，形成一柵介電層于基板上，以覆 蓋柵極。繼之，同時(shí)形成一信道層、 一源極以及一漏極于柵極上方的柵介電 層上，其中源極與漏極配置于信道層的部分區(qū)域，且柵極、信道層、源極以 及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。接著，形成一保護(hù)層于柵介電層與薄膜晶體管上。 然后，使用一激光經(jīng)由一第一屏蔽照射保護(hù)層，以使得保護(hù)層暴露出漏極。 接著，形成一像素電極于柵介電層上，且像素電極連接至暴露的漏極。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，上述形成柵極的方法，在一實(shí)施例中 例如先形成一第一金屬層于基板上。接著，再圖案化第一金屬層，以形成柵 極。在另一實(shí)施例中，形成柵極的方法例如先形成一第一金屬層于基板上。 接著，提供一第二屏蔽于第一金屬層上方，且第二屏蔽暴露出部分的第一金 屬層。然后，使用激光經(jīng)由第二屏蔽照射第一金屬層，以移除第二屏蔽所暴 露的部分第一金屬層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，同時(shí)形成該信道層、該源極以及該漏 極的方法例如為先形成一半導(dǎo)體層于柵介電層上，接著，形成一第二金屬層 于半導(dǎo)體層上。繼之，形成一光刻膠層于柵極上方的第二金屬層上，其中光 刻膠層可分為一第一光刻膠區(qū)塊與位于第一區(qū)塊兩側(cè)的第二光刻膠區(qū)塊，且 第一光刻膠區(qū)塊的厚度小于第二光刻膠區(qū)塊的厚度。接著，以光刻膠層為罩 幕對(duì)第二金屬層與半導(dǎo)體層進(jìn)行一第一蝕刻制造工藝。然后，減少光刻膠層 的厚度，直到第一光刻膠區(qū)塊被完全移除。最后，以剩余的第二光刻膠區(qū)塊 為罩幕對(duì)第二金屬層進(jìn)行一第二蝕刻制造工藝，以使剩余的第二金屬層構(gòu)成 源極與漏極，而半導(dǎo)體層構(gòu)成信道層。在其它實(shí)施例中，信道層、源極與漏 極的制作方法還包括先在形成半導(dǎo)體層之后，形成一歐姆接觸層于半導(dǎo)體層 表面。接著，經(jīng)由第一蝕刻制造工藝與第二蝕刻制造工藝，移除對(duì)應(yīng)于第二 光刻膠區(qū)塊之外的歐姆接觸層。上述的減少光刻膠層厚度的方法包括進(jìn)行一灰化(ashing)制造工藝。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，形成像素電極的方法，在一實(shí)施例中 例如是在移除第一屏蔽所暴露的部分保護(hù)層之后，形成一導(dǎo)電層于保護(hù)層以 及薄膜晶體管上。接著，再圖案化導(dǎo)電層。在另一實(shí)施例中，形成像素電極的方法例如是在移除第一屏蔽所暴露的部分保護(hù)層之后，形成一導(dǎo)電層于保 護(hù)層以及薄膜晶體管上。接著，再提供一第三屏蔽于導(dǎo)電層上方，且第三屏 蔽暴露出部分的導(dǎo)電層。然后，再使用激光經(jīng)由第三屏蔽照射導(dǎo)電層，以移 除屏蔽所暴露的部分導(dǎo)電層。在其它實(shí)施例中，形成像素電極的方法也可以是在移除第一屏蔽所暴露的部分保護(hù)層之后，形成一光刻膠層于保護(hù)層上， 其中光刻膠層暴露出部分的漏極。接著，形成一導(dǎo)電層以覆蓋保護(hù)層、漏極 以及光刻膠層。然后，移除光刻膠層以使光刻膠層上的導(dǎo)電層一并被移除。 上述的形成導(dǎo)電層的方法包括由濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物 層。在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)制作方法中，照射于導(dǎo)電層的激光能量例如是介于10至500 mJ/cn^之間。另外，激光的波長(zhǎng)例如是介于100 nm至400 nm之間。本發(fā)明利用激光剝除的方式來(lái)制作保護(hù)層，并且使得信道層、源極與漏 極同時(shí)制作完成，因此相較于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)制作方法，可以簡(jiǎn)化制造工藝 步驟并減少光罩的制作成本。此外，在制作保護(hù)層時(shí)，激光剝除所使用的屏 蔽較現(xiàn)有的光罩簡(jiǎn)易，故此激光剝離制造工藝步驟中所使用的屏蔽的造價(jià)較 為低廉。


圖1A 圖1G為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的制造流程圖。圖2A 圖2G為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制造工藝示意圖。圖4A 圖4C為一種形成像素電極的激光剝離制造工藝示意圖。圖5A 圖5C為另一種形成像素電極的制作方法示意圖。10、 200:基板20、 212:柵極30:第一介電層40、 232:信道層50、 242:源極60、 244:漏極
70:第二介電層80、 282:像素電極90:像素結(jié)構(gòu) 210:第一金屬層 220:柵介電層 230:半導(dǎo)體層 240:第二金屬層250、 250':光刻膠層 250a:第一光刻膠區(qū)塊 250b:第二光刻膠區(qū)塊 260:薄膜晶體管 270:保護(hù)層 280:導(dǎo)電層 282:像素電極 H:接觸孔L:激光 SI:第一屏蔽 S2:第二屏蔽 S3:第三屏蔽具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并 配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖2A 圖2G為本發(fā)明的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D 2A，首先提供一基板200，基板200的材質(zhì)例如為玻璃、塑料等硬質(zhì)或軟質(zhì) 材料。接著，形成一柵極212于基板200上。在本實(shí)施例中，可先形成一第
一金屬層210 (繪示于圖3A)于基板200上，之后再將第一金屬層210圖案 化，以形成柵極212。此外，第一金屬層210例如是由濺鍍(sputtering)、蒸 鍍(evapomticm)或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，而第一金屬層210的圖案化 例如是由光刻蝕刻制造工藝來(lái)進(jìn)行。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于基板200上形成一覆蓋柵極212的柵介電層220， 其中柵介電層220例如是由化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)或其它合適的薄膜沉積技術(shù)所形成，而柵介電層220的材質(zhì)例如是氧 化硅、氮化硅或氮氧化硅等介電材料。接著，于柵介電層220上依序形成一 半導(dǎo)體層230以及一第二金屬層240。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層230的材質(zhì) 例如是非晶硅(amorphoussilicon)或其它半導(dǎo)體材料，而第二金屬層240的材 質(zhì)例如為鋁(A1)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、釹(Nd)、上述的氮化物如氮化鉬(MoN)、 氮化鈦(TiN)、其疊層、上述的合金或是其它導(dǎo)電材料。接著請(qǐng)參考圖2C，在形成第二金屬層240之后，于柵極212上方的第 二金屬層240上形成一光刻膠層250。如圖2C所示，光刻膠層250可分為 一第一光刻膠區(qū)塊250a與位于第一光刻膠區(qū)塊250a兩側(cè)的第二光刻膠區(qū)塊 250b，且第一光刻膠區(qū)塊250a的厚度小于第二光刻膠區(qū)塊250b的厚度。接 著，以光刻膠層250為罩幕對(duì)第二金屬層240與半導(dǎo)體層230進(jìn)行一第一蝕 刻制造工藝。接著，減少光刻膠層250的厚度，直到第一光刻膠區(qū)塊250a被完全移 除，如圖2D所示。在本實(shí)施例中，減少光刻膠層250厚度的方法例如是釆 用灰化的方式。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2D，在第一光刻膠區(qū)塊250a被完全移除之后， 再以剩余的第二光刻膠區(qū)塊250b為罩幕對(duì)第二金屬層240進(jìn)行一第二蝕刻 制造工藝。之后，再進(jìn)行一去除剩余的光刻膠層250的制造工藝。在本實(shí)施 例中，第一蝕刻制造工藝、第二蝕刻制造工藝?yán)鐬檫M(jìn)行一濕式蝕刻，在其 它實(shí)施例中，蝕刻制造工藝也可以是干式蝕刻。另外，去除光刻膠層250的 制造工藝?yán)缡菨袷轿g刻制造工藝。
請(qǐng)接著參照?qǐng)D2E，剩余的第二金屬層240 (繪示于圖2C)構(gòu)成源極242 與漏極244，而半導(dǎo)體層230 (繪示于圖2C)構(gòu)成信道層232，其中源極242 與漏極244配置于信道層232的部分區(qū)域，且柵極212、信道層232、源極 242以及漏極244構(gòu)成一薄膜晶體管260。值得注意的是，不同于現(xiàn)有，本 發(fā)明的信道層232、源極242以及漏極244為同時(shí)形成的，可以減少一道光 罩制造工藝，并降低制造工藝的復(fù)雜度。另外，上述薄膜晶體管260的信道 層232、源極242與漏極244例如是由同一道半調(diào)式光罩(half-tone mask) 或灰調(diào)光罩(gray-tone mask)制造工藝所形成。此外，在其它實(shí)施例中，在 形成第二金屬層240以及光刻膠層250 (繪示于圖2C)之前，可先在半導(dǎo)體 層230的表面形成一歐姆接觸層(未繪示)，接著，再由第一蝕刻制造工藝 與第二蝕刻制造工藝移除部分的歐姆接觸層(未繪示)。舉例而言，吾人可 利用離子摻雜(ion doping)的方式于半導(dǎo)體層230的表面形成N型摻雜區(qū)，以 減少半導(dǎo)體層230與第二金屬層240之間的接觸阻抗。接著請(qǐng)參照?qǐng)D2F，形成一保護(hù)層270于柵介電層220與薄膜晶體管260 上。在本實(shí)施例中，保護(hù)層270的材質(zhì)例如為氮化硅或氧化硅，而其形成的 方法例如是以物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法全面性地沉積在基板200 上。傳統(tǒng)使用光刻及蝕刻制造工藝移除部份保護(hù)層270，并暴露出漏極244。 值得一提的是，在暴露出漏極244的同時(shí)也暴露出底下半導(dǎo)體層230的側(cè)邊， 且實(shí)務(wù)上由于半導(dǎo)體層230的蝕刻速率比漏極244的金屬材質(zhì)的蝕刻速率 快，導(dǎo)致半導(dǎo)體層230容易產(chǎn)生側(cè)向凹口，以致于在沉積像素電極282 (繪 示于圖2G)的后續(xù)制造工藝中，容易因?yàn)榘雽?dǎo)體層230的側(cè)向凹口而使得 像素電極282 (繪示于圖2G)無(wú)法與漏極244接合，產(chǎn)生漏極244與像素電 極282 (繪示于圖2G)之間斷線的問(wèn)題。本發(fā)明經(jīng)由一激光剝離制造工藝而使得保護(hù)層270暴露出漏極244。其 中，激光剝離制造工藝可以如圖2F所示，激光L經(jīng)由一第一屏蔽S1照射保 護(hù)層270，以移除部分保護(hù)層270中，并暴露出漏極244。詳言之，經(jīng)激光L 照射后的保護(hù)層270會(huì)吸收激光L的能量而從薄膜晶體管260表面剝離 (lift-off)，留下被第一屏蔽S1遮住的保護(hù)層270，進(jìn)而將漏極244上方的 部分保護(hù)層移除。具體而言，用來(lái)剝離保護(hù)層270的激光L的能量例如是介 于10至500 mJ/cm2之間。另外，激光L的波長(zhǎng)例如是介于100 nm至400 nm 之間。由于激光剝離制造工藝不會(huì)對(duì)漏極244與半導(dǎo)體層230產(chǎn)生影響或破 壞，因此后續(xù)沉積的像素電極282 (繪示于圖2G)，連接暴露的漏極244 時(shí)，漏極244與半導(dǎo)體層230的側(cè)邊依然平緩，不會(huì)使像素電極282 (繪示 于圖2G)產(chǎn)生斷線。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2G，接著形成一像素電極282于柵介電層220上，且像 素電極282連接至暴露的漏極244。在本實(shí)施例中，形成像素電極282的方 法例如是在移除第一屏蔽Sl所暴露的部分保護(hù)層270之后，形成一導(dǎo)電層 280 (繪示于圖4A)于保護(hù)層270以及漏極244上。接著，再圖案化導(dǎo)電層 280。由于漏極244與半導(dǎo)體層230上的保護(hù)層270是利用激光剝離制造工 藝形成，像素電極282連接暴露的漏極244時(shí)不會(huì)有斷線的問(wèn)題。值得注意的是，上述形成柵極212的方法也可以是利用激光剝離制造工 藝進(jìn)行制作。圖3A 圖3C為一種形成柵極的激光剝離制造工藝示意圖。請(qǐng) 先參照?qǐng)D3A，形成一第一金屬層210于基板200上。接著請(qǐng)參照?qǐng)D3B，提 供一第二屏蔽S2于第一金屬層210上方，且第二屏蔽S2暴露出部分的第一 金屬層210。然后，使用激光L經(jīng)由第二屏蔽S2照射第一金屬層210，以移 除第二屏蔽S2所暴露的部分第一金屬層210。最后如圖3C所示，剩余的第 一金屬層210構(gòu)成柵極212。此外，上述形成像素電極282的制作方法也可以利用激光剝離制造工藝 來(lái)完成，圖4A 圖4C為一種形成像素電極的激光剝離制造工藝示意圖。請(qǐng) 先參照?qǐng)D4A，在移除第一屏蔽S1所暴露的部分保護(hù)層270之后，形成一導(dǎo) 電層280于保護(hù)層270以及薄膜晶體管260上。接著如圖4B所示，提供一 第三屏蔽S3于導(dǎo)電層280上方，且第三屏蔽S3暴露出部分的導(dǎo)電層280。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C再使用激光L經(jīng)由第三屏蔽S3照射導(dǎo)電層280,以移 除第三屏蔽S3所暴露的部分導(dǎo)電層280。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，形成像素電極282的方法還可以如圖5A 圖5C 所繪示。請(qǐng)先參照?qǐng)D5A，在移除第一屏蔽Sl所暴露的部分保護(hù)層270之后， 形成一光刻膠層250，于保護(hù)層270上，其中光刻膠層250，暴露出部分的漏極 244。接著如圖5B所示，形成一導(dǎo)電層280以覆蓋保護(hù)層270、漏極244以 及光刻膠層250'。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D5C，移除光刻膠層250'以使光刻膠層250' 上的導(dǎo)電層280 —并被移除，而剩余的導(dǎo)電層280即構(gòu)成像素電極282。另 外，上述形成導(dǎo)電層280的方法例如是由濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅 氧化物層。此外，上述的本發(fā)明的激光剝離制造工藝也可利用數(shù)字曝光方式 (digital exposure)來(lái)進(jìn)行，其中數(shù)字曝光方式例如是使得激光束的自動(dòng)定位以 及調(diào)整能量的作用，來(lái)進(jìn)行激光剝除?；谏鲜?，本發(fā)明同時(shí)制作信道層、源極以及漏極，因此相較于現(xiàn)有具 有減少制造工藝步驟的優(yōu)點(diǎn)。并且，本發(fā)明采用激光L照射的方式形成保護(hù) 層，而非采用現(xiàn)有的光刻蝕刻制造工藝，因此本發(fā)明所提出的像素結(jié)構(gòu)的制 作方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其保護(hù)層制造工藝不需使用光刻制 造工藝，故相較于光刻制造工藝所使用的高精度光罩制造工藝，能降低光罩 的制作成本。由于制作像素結(jié)構(gòu)的制造工藝較少，可以減少冗長(zhǎng)的光罩制造工藝(如 光刻膠涂布、軟烤、硬烤、曝光、顯影、蝕刻、光刻膠剝除等)制作像素結(jié) 構(gòu)時(shí)所產(chǎn)生缺陷。本發(fā)明所提出的激光剝除部份保護(hù)層的方法，不會(huì)對(duì)漏極與半導(dǎo)體層產(chǎn) 生影響或破壞，因此后續(xù)沉積的像素電極，連接暴露的漏極時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生像 素電極斷線的問(wèn)題。本發(fā)明所提出的激光剝除部份保護(hù)層的方法可以應(yīng)用于像素修補(bǔ)中的 像素電極的修補(bǔ)，以在像素結(jié)構(gòu)制造工藝中，移除可能殘留的像素電極(ITOresidue),解決像素電極之間的短路問(wèn)題，進(jìn)而增加生產(chǎn)良率。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括提供一基板；形成一柵極于所述基板上；形成一柵介電層于所述基板上，以覆蓋所述柵極；同時(shí)形成一信道層、一源極以及一漏極于所述柵極上方的所述柵介電層上，其中所述源極與所述漏極配置于所述信道層的部分區(qū)域，且所述柵極、所述信道層、所述源極以及所述漏極構(gòu)成一薄膜晶體管；形成一保護(hù)層于所述柵介電層與所述薄膜晶體管上；使用一激光經(jīng)由一第一屏蔽照射所述保護(hù)層，以使得所述保護(hù)層暴露出所述漏極；以及形成一像素電極于所述柵介電層上，且所述像素電極連接至暴露的所述漏極。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述柵極的 方法包括形成一第一金屬層于所述基板上；以及 圖案化所述第一金屬層，以形成所述柵極。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述柵極的 方法包括形成一第一金屬層于所述基板上；.提供一第二屏蔽于所述第一金屬層上方，且所述第二屏蔽暴露出部分的 所述第一金屬層；以及使用激光經(jīng)由所述第二屏蔽照射所述第一金屬層，以移除所述第二屏蔽 所暴露的部分所述第一金屬層。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，同時(shí)形成所述信道層、所述源極以及所述漏極的方法包括 形成一半導(dǎo)體層于所述柵介電層上；形成一第二金屬層于所述半導(dǎo)體層上；形成一光刻膠層于所述柵極上方的所述第二金屬層上，其中所述光刻膠 層可分為一第一光刻膠區(qū)塊與位于所述第一區(qū)塊兩側(cè)的一第二光刻膠區(qū)塊，且所述第一光刻膠區(qū)塊的厚度小于所述第二光刻膠區(qū)塊的厚度；以所述光刻膠層為罩幕對(duì)所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體層進(jìn)行一第一 蝕刻制造工藝；減少所述光刻膠層的厚度，直到所述第一光刻膠區(qū)塊被完全移除；以及 以剩余的所述第二光刻膠區(qū)塊為罩幕對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行一第二蝕刻制造工藝，以使剩余的所述第二金屬層構(gòu)成所述源極以及所述漏極，而所述半導(dǎo)體層構(gòu)成所述信道層。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述信道層、 所述源極以及所述漏極的方法還包括在形成所述半導(dǎo)體層之后，形成一歐姆接觸層于所述半導(dǎo)體層表面以及經(jīng)由所述第一蝕刻制造工藝與所述第二蝕刻制造工藝，移除對(duì)應(yīng)于所述 第二光刻膠區(qū)塊之外的所述歐姆接觸層。
6. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，減少所述光刻膠 層厚度的方法包括進(jìn)行一灰化制造工藝。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述像素電 極的方法包括在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保護(hù)層之后，形成一導(dǎo)電層于所述保護(hù)層以及所述薄膜晶體管上；以及 圖案化所述導(dǎo)電層。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述導(dǎo)電層 的方法包括由濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述像素電 極的方法包括在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保護(hù)層之后，形成一導(dǎo)電層于所 述保護(hù)層以及所述薄膜晶體管上；提供一第三屏蔽于所述導(dǎo)電層上方，且所述第三屏蔽暴露出部分的所述導(dǎo)電層；以及使用激光經(jīng)由所述第三屏蔽照射所述導(dǎo)電層，以移除所述屏蔽所暴露的 部分所述導(dǎo)電層。
10. 如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述導(dǎo)電層 的方法包括由濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述像素電 極的方法包括在移除所述第一屏蔽所暴露的部分所述保護(hù)層之后，形成一光刻膠層于所述保護(hù)層上，其中所述光刻膠層暴露出部分的所述漏極；形成一導(dǎo)電層，以覆蓋所述保護(hù)層、所述漏極以及所述光刻膠層；以及 移除所述光刻膠層，以使所述光刻膠層上的所述導(dǎo)電層一并被移除。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，形成所述導(dǎo)電 層的方法包括由濺鍍形成一銦錫氧化物層或一銦鋅氧化物層。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述激光的能量 介于10至500 mJ/cm2之間。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中，所述激光的波長(zhǎng) 介于100 nm至400 nm之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括下列步驟首先，提供一基板，并形成一柵極于基板上。接著，形成一柵介電層于基板上，以覆蓋柵極。繼之，同時(shí)形成一信道層、一源極以及一漏極于柵極上方的柵介電層上，其中源極與漏極配置于信道層的部分區(qū)域，且柵極、信道層、源極以及漏極構(gòu)成一薄膜晶體管。接著，形成一保護(hù)層于柵介電層與薄膜晶體管上。然后，使用一激光經(jīng)由一第一屏蔽照射保護(hù)層，以使得保護(hù)層暴露出漏極。接著，形成一像素電極于柵介電層上，且像素電極連接至暴露的漏極。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法較為簡(jiǎn)單因而降低制作成本。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101131966SQ20071016168
公開日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者廖達(dá)文, 楊智鈞, 林漢涂, 石志鴻, 蔡佳琪, 詹勛昌, 黃明遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司