專利名稱：：半導(dǎo)體器件及該半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體器件及該半導(dǎo)體器件的制作方法。其它的示例性實施例涉及一種包括采用復(fù)合半導(dǎo)體(compositesemiconductor)材料的有源層(activelayer)的ZnO基薄膜晶體管及其制作方法，在該復(fù)合半導(dǎo)體材料中氧化鋅(Zn)摻有鎵(Ga)和銦(In)。
背景技術(shù)：
：關(guān)于具有較大面積的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的研究已經(jīng)被積極地開展。作為OLED的驅(qū)動晶體管，需要發(fā)展以恒定電流特性穩(wěn)定地工作并具有改善的耐用性的晶體管。非晶硅薄膜晶體管(TFT)可以采用低溫工藝制造，但這種TFT可能具有較低的遷移率并不能滿足恒定的電流偏置條件。另一方面，多晶硅TFT可以具有提高的遷移率并可以滿足恒定電流測試(constantcurrenttest)條件，但可能不具有均勻的特性。因此，多晶硅TFT可能不具有較大的面積，并需要高溫工藝。根據(jù)ZnO材料的氧含量，它們可以具有導(dǎo)電性、半導(dǎo)電性和電阻性。包括ZnO基半導(dǎo)體材料作為有源層的晶體管已經(jīng)被報道。為了將包括ZnO基半導(dǎo)體材料作為有源層的晶體管應(yīng)用到包括OLED和LCD的顯示裝置，除了恒定的電流性能之外，還需要穩(wěn)定的驅(qū)動性能，該驅(qū)動性能可以在導(dǎo)通或截止?fàn)顟B(tài)下呈現(xiàn)恒定的性能。
發(fā)明內(nèi)容示例性實施例提供了一種非晶ZnO基薄膜晶體管及其制造方法，由于改善的光學(xué)靈敏度，該薄膜晶體管在導(dǎo)通(on)或截止(off)狀態(tài)下具有恒定的驅(qū)動性能。根據(jù)示例性實施例，半導(dǎo)體器件可以包括襯底；襯底上的有源層，其包括由以下化學(xué)式1表示的復(fù)合物(composite);電連4妄到有源層的源極電極和漏極電極；有源層上的4冊極電極；以及柵極電極與有源層之間的柵極絕頁緣層化學(xué)式1x(Ga203)y(ln203)z(ZnO)在這里，約0.75^x/z^約3.15且約0.55^y/z^約1.70。根據(jù)示例性實施例，化學(xué)式1中的x、y、z可以為約0.85^x/z^約3.05且約0.65^y/z^約1.70。才艮據(jù)示例性實施例，化學(xué)式1中的x、y、z可以為約1.15^x/zS約2.05且約1.15^y/z^約1.70。才艮據(jù)示例性實施例，化學(xué)式1中的x、y、z可以為約1.25^x/z^約1.95且約1.25^y/z^約1.70。根據(jù)示例性實施例，化學(xué)式1中的x、y、z可以為約1.25^x/z^約1.45且約1.45Sy/z^約1.65。根據(jù)示例性實施例，半導(dǎo)體器件的制作方法可以包括形成有源層、源極電極和漏極電極、襯底上的柵極絕緣層和柵極電極，該有源層包括由以下化學(xué)式1表示的復(fù)合物?；瘜W(xué)式1x(Ga203)y(ln203)z(ZnO)其中，約0.75^x/z^約3.15且約0.55^y/z^約1.70。根據(jù)示例性實施例，有源層可以在襯底上形成，源極電極和漏極電極可以形成為電連接到有源層，柵極絕緣層可以在有源層上形成，柵極電極可以在有源層上形成。另一方面，4冊極電極可以在襯底上形成，柵極絕緣層可以在柵極電極上形成，有源層可以在柵極絕緣層上形成，源極電極和漏極電極可以形成為電連接到有源層。根據(jù)示例性實施例，由于改善的光學(xué)靈敏度，電學(xué)穩(wěn)定的TFT可以通過采用包括非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體的有源層來獲得。ZnO基的復(fù)合半導(dǎo)體的非晶性能可以提供改善的均勻性，因此可以應(yīng)用于具有較大面積的顯示裝置。根據(jù)示例性實施例的采用ZnO基TFT的各種電子器件和裝置可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)示例性實施例制造。雖然已經(jīng)參照示例性實施例具體示出和描述了示例性實施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在形式和細(xì)節(jié)上可以作出各種變化而不背離附加的權(quán)利要求的精神和范圍。通過結(jié)合附圖并參照下面詳細(xì)的描述，可以更清楚地理解示例性實施6例。圖1-5描繪了這里所述的非限制性的示例性實施例。圖1是根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的示意性橫截面圖2是根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的示意性橫截面圖；圖3A-3G是示出圖1中示出的示例性實施例的制造方法的橫截面圖；圖4A-4E是示出圖2中示出的示例性實施例的制造方法的橫截面圖；圖5是示出ZnO基TFT的電感耦合等離子體(ICP)分析結(jié)果的曲線圖；圖6-10是示出ZnO基TFT的光學(xué)靈敏度分析結(jié)果以及柵極電壓(Vg)和漏極電流(Id)的變化的曲線圖ll是示出ZnO基TFT的恒定電流測試結(jié)果的曲線圖；以及圖12和13是示出ZnO基TFT在恒定電流測試前后柵極電壓(Vg)和漏極電流(Id)的變化的曲線圖。應(yīng)當(dāng)指出，這些附圖旨在示出特定示例性實施例中采用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性，并對以下提供的書面描述進(jìn)行補(bǔ)充。然而，這些附圖不A特性，f司巧申JJi5q:r'i口j日'、j六w'、j7f月"用？古/r"j'i工s匕'而不應(yīng)被解釋為限定或限制示例性實施例所涵蓋的數(shù)值或性能的范圍。例如，為了清晰，分子、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對厚度和位置可以被減小或夸大。在各個附圖中相似或相同的附圖標(biāo)記的使用旨在表明相似或相同的元件或特征的存在。具體實施例方式下文參照附圖對示例性實施例作更為充分的描述，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，示例性實施例可以以多種不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為僅限于此處所述的實施例。并且，提供這些實施例是為了使本公開應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一個元件或?qū)釉诹硪粋€元件或?qū)?上"、"連接到"或"耦合到，，另一個元件或?qū)訒r，它可以直接在、連接到或耦合到另一個元件或?qū)由?，或者還可以存在插入的元件和/或?qū)?。相反，?dāng)稱一個元件"直接在"、"直接連接到"或"直接耦合到"另一個元件或?qū)由蠒r，不存在插入元件或?qū)印Ｏ嗤母綀D標(biāo)記始終指代相同的元件。如此處所用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個所列相關(guān)項目的任何及所有組合。應(yīng)當(dāng)理解，雖然這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、200780022377.5說明書第3/8頁例。圖1-5描繪了這里所述的非組件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以在不背離示例性實施例的教導(dǎo)的前提下稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為便于描述，此處可以使用諸如"在…之下"、"在…下面"、"下"、"在…之上"、"上"等等空間相對性術(shù)語以描述如附圖所示的一個元件或特征與另一個(些)元件或特征之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對性術(shù)語是用來包含除附圖所示取向之外的使用或操作中的器件的不同取向的。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)過來，被描述為"在"其它的元件或特征"之下"或"下面"的元件將會在其它的元件或特征的"上方"。因此，示例性術(shù)語"在...下面"就能夠涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以采取其它的取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它的取向)，在此所用的空間相對性描述符作相應(yīng)地解釋。這里所用的術(shù)語僅僅是為了描述特定實施例，并非要限制示例性實施例。如此處所用的，除非上下文另有明確表述，否則單數(shù)形式"一(a)"、"一(an)"和"該(the)"均同時旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語"包括(comprise)"和/或"包括(comprising)",當(dāng)在本說明書中使用時，指定了所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。這里參照橫截面圖描述示例性實施例，該橫截面圖為示例性實施例的理想化實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因而，舉例來說，由制造技術(shù)和/或公差引起的插圖形狀的變化是可能發(fā)生的。因此，示例性實施例不應(yīng)被解釋為限于此處示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差在內(nèi)。例如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)域典型地將具有圓形或彎曲的特征和/或其邊緣處注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，由注入形成的掩埋區(qū)域可以導(dǎo)致在掩埋區(qū)域與注入通過其發(fā)生的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并非要展示器件區(qū)域的精確形狀，也并非要限制示例性實施例的范圍。除非另行定義，此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)都具有示例性實施例所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通4支術(shù)人員所通常理解的同樣的含義。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，諸如通用詞典中所定義的術(shù)語，除非此處加以明確定義，8應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的語境中的含義相一致的含義，而不應(yīng)被解釋為理想化的或過度形式化的意義。圖1是根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的示意性橫截面圖。參照圖1，包括非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體的圖案化的有源層11可以在襯底IO上形成，源極電極12s和漏極電極12d可以在圖1中示出的圖案化的有源層的端部上形成。源極電極12s和漏極電極12d可以以預(yù)定或給定的寬度與圖案化的有源層11的端部交迭，并可以絕緣于柵極電極14。有源層11可以包括由以下化學(xué)式1表示的非晶ZnO基復(fù)合材料?；瘜W(xué)式1x(Ga203)y(ln203)z(ZnO)其中，約0.75^c/z^約3.15且約0.55^y/z^約1.70。在非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體中，當(dāng)Ga含量過低時，由于其光敏特性，當(dāng)暴露到光時截止電流(Ioff)可以增大。另一方面，當(dāng)Ga含量過高時，導(dǎo)通電流/截止電流(Ion/Ioff)的比值可以減小，導(dǎo)致TFT性能的惡化。當(dāng)導(dǎo)通電流(Ion)數(shù)值太低時，載流子的遷移率將下降。另一方面，當(dāng)導(dǎo)通電流(Ion)數(shù)值太高時，由于其光敏特性，閾值電壓將發(fā)生變化。在以上化學(xué)式中，x、y、z可以為約0.75^x/z:^約3.15且約0.55^y/z^約1.70，例如約0.85^x/z^約3.05且約0.65^y/z^約1.70，或約1.15^x/z^約2.05且約1.15^y/z^約1.70，或約1.25^x/z^約1.95且約1.25^y/z^約1.70，或約1.25^x/z^約1.45且約1.45Sy/z^約1.65。由化學(xué)式1表示的非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體材料可以應(yīng)用于低溫沉積，例如塑料襯底和鈉釣玻璃。非晶性能可以為具有較大面積的顯示器提供均勻性。非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體可以采用氧化鎵(Ga)、氧化銦(In)和氧化鋅(Zn)的復(fù)合靶通過常規(guī)濺射方法來形成，也可以采用化學(xué)氣相沉積(CVD)和/或原子層沉積(ALD)的方法來形成。源極電極12s和漏極電極12d可以由導(dǎo)電金屬氧化物或金屬形成。導(dǎo)電金屬氧化物的示例可以包括通常可用的錫摻雜的氧化銦(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和/或鋁摻雜的氧化鋅(ZAO)，金屬的示例可以包括鈦(Ti)、柏(Pt)、鉻(Cr)、鴒(W)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉭(Ta)和/或其合金。當(dāng)金屬層用作源極電極和漏極電極時，可以形成多個金屬層。當(dāng)金屬層被使用時，n+層可以在金屬層與有源層之間形成以改善接觸性能，n+層可以采用導(dǎo)電金屬氧化物或氧空位的氧化鎵-氧化銦-氧化鋅復(fù)合物來形成。襯底可以是硅襯底、玻璃襯底和/或塑料襯底。柵極絕緣層13可以在有源層11、源極電極12s和漏極電極12d上形成。通?？捎玫臇艠O絕緣材料可以用來形成柵極絕緣層13,例如可以使用高介電的氧化物(例如氮化^i、氧化硅、氧化鉿和/或氧化鋁)。柵極電極14可以在柵極絕緣層13上形成，并可以對應(yīng)于有源層11。柵例如，可以采用金屬Ti、Pt、Cr、W、Al、Ni、Cu、Mo或Ta或其合金。當(dāng)金屬層用作柵極電極時，可以形成多個金屬層。也可以采用金屬氧化物。通過以不同于圖1中示出的結(jié)構(gòu)的方式設(shè)置柵極電極，半導(dǎo)體器件可以具有圖2中示出的結(jié)構(gòu)。參照圖2，柵極電極21可以在襯底20上形成，柵極絕緣層22可以在柵極電極21上形成。包括非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體的圖案化的有源層23可以在柵極絕緣層22上形成。源極電極24s和漏極電極24d可以在圖案化的有源層23的端部上形成。除了圖1和圖2中示出的堆疊結(jié)構(gòu)(stackstructure)夕卜，#^居示例性實施例的半導(dǎo)體器件的另一個示例還可以具有一結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中源極/漏極電極可以在柵極絕緣層上形成，然后有源層可以在源極/漏極電極上形成?，F(xiàn)在將詳細(xì)地描述根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的制作方法。圖3A-3G是示出圖1中示出的半導(dǎo)體器件的制作方法的橫截面圖。如圖3A所示，半導(dǎo)體材料層ll'可以在襯底10上形成以采用RF磁控濺射方法、DC石茲控'減射方法、化學(xué)氣相沉積(CVD)方法和/或原子層沉積(ALD)方法形成有源層11。如圖3B所示，半導(dǎo)體材料層ll'可以采用光刻方法圖案化以得到有源層11。如圖3C所示，源極/漏極材料層12可以采用RF石茲控濺射方法、CVD方法、真空蒸發(fā)方法、電子束蒸發(fā)方法和/或ALD方法在有源層11的整個表面上形成。如圖3D所示，源極/漏極材料層12可以通過圖案化以形成源極電極12s和漏極電極12d，源極/漏極材料層12與有源層11的端部接觸。如圖3E所示，用于形成柵絕纟彖層13的材術(shù)+可以通過常^見方法例如化學(xué)氣相沉積(CVD)方法和/或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法沉積以形成柵極絕緣層13，柵極絕緣層13覆蓋最終堆疊結(jié)構(gòu)的整個表面上的源極電極12s和漏極電極12d。如圖3F所示，用于形成4冊電極的材料可以:故沉積并圖案化以形成面向有源層11的柵極電極14。如圖3G所示，堆疊結(jié)構(gòu)可以在大約40(TC或更低的溫度退火，該堆疊結(jié)構(gòu)包括有源層11以及接觸有源層11的端部的源極電極12s和漏極電極12d。退火可以采用普通熔爐、快速熱退火(RTA)、激光或電熱板在氮氣氣氛下進(jìn)行。退火可以穩(wěn)定有源層11與源極電極12s和漏極電極12d之間的接觸。圖4A-4E是示出圖2中示出的半導(dǎo)體器件的制造方法的橫截面圖。如圖4A所示，用于形成柵極電極21的材料可以沉積在襯底20上并圖案化以形成捬極電極21。如圖4B所示，柵極絕緣層22可以在4冊極電極21上形成。柵極絕緣層22可以采用CVD或PECVD形成。如圖4C所示，采用靶形成的半導(dǎo)體膜可以采用光刻方法圖案化以得到有源層23,該靶用于形成以上由化學(xué)式1表示的非晶ZnO基復(fù)合半導(dǎo)體。如圖4D所示，源極/漏極電極材料可以被沉積和圖案化以得到源極電極24s和漏才及電極24d。如圖4E所示，可以對堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火，該堆疊結(jié)構(gòu)包括有源層23和與有源層23的端部接觸的源極電極24s和漏極電極24d。退火可以在約450。C或更低的溫度(例如約20(TC到約350°C)在惰性氣體氣氛例如氮氣氣氛下進(jìn)行。退火可以采用普通爐子、RTA、激光或電熱板來進(jìn)行。退火可以穩(wěn)定有源層23與源極電極24s和漏極電極24d之間的接觸。在采用柵極絕緣材料形成氮化硅層之后，通過采用鉬(Mo)作為柵極電極材料，半導(dǎo)體膜可以采用復(fù)合氧化物靶來形成，該復(fù)合氧化物靶中鎵(Ga)、銦(In)和鋅(Zn)的原子比例為約1:1:1、約2:2:1、約3:2:1和約4:2:1。半導(dǎo)體膜可以圖案化以形成有源層。IZO可以被沉積并圖案化以形成源極/漏極電才及，產(chǎn)物可以在氮氣氣氛下退火，4屯化層可以由氧化硅形成。對根據(jù)上述的工藝形成的半導(dǎo)體膜可以進(jìn)行電感耦合等離子體(ICP)分析以測量鎵(Ga)、銦(In)和鋅(Zn)的比例，結(jié)果在下面表1和圖5中示出。當(dāng)光被打開和關(guān)閉時，柵極電壓(Vg)和漏極電流(Id)的變化被測量，結(jié)果在圖6-10中示出。采用Ga:In:Zn比例約為2.7:3.1:1.0的TFT進(jìn)行恒定電流測試，結(jié)果在圖11中示出。恒定電流測試可以在大約45。C的溫度進(jìn)行大約100小時，施加到源極-漏極電極的電流可以為大約3pA。如圖ll所示，源極電極與漏極電極之間的電壓變化(DeltaV)保持在大約0.3V或更小。此外，在恒定電流測試前后柵極電壓(Vg)和漏極電流(Id)的變化被測量，結(jié)果在圖12和13中示出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>※ICP分析中誤差范圍為土0.2圖12示出在恒定電流測試之前測試的結(jié)果的曲線圖。導(dǎo)通電流(on-current)可以為大約1(T4A，截止電流(off-current)可以為大約10"2A，由此導(dǎo)通電流與截止電流的比值可以為大約108。有源層的遷移率可以為大約40cm2/V's，斥冊極擺動電壓(swingvoltage)可以為大約0.385/dec。圖13示出了在恒定電流測試之后測試的結(jié)果的曲線圖。對比圖12和13，恒定電流測試結(jié)果可以互相差別不大。換句話說，即使在施加大約3|liA、100個小時的恒定電流測試之后，ZnO基TFT還可以保持其最初的電學(xué)特性。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；所述襯底上的有源層，其包括由以下化學(xué)式1表示的復(fù)合物；源極電極和漏極電極，電連接到所述有源層；柵極電極，在所述有源層上；以及柵極絕緣層，在所述柵極電極與所述有源層之間化學(xué)式1x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)其中，約0.75≤x/z≤約3.15且約0.55≤y/z≤約1.70。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中化學(xué)式1中x、y和z為約0.85^x/z^約3.05且約0.65^y/z^約1.70。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.15^x/z^約2.05且約1.15^y/z^約1.70。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.25^x/z^約1.95且約1.25^y/z^約1.70。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.25^x/z^約1.45且約1.45，<約1.65。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源極電極和所述漏極電極由從錫摻雜的氧化銦(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和鋁摻雜的氧化鋅(ZAO)組成的組中選出的金屬氧化物形成。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源極電極和所述漏極電極包括從鈦(Ti)、柏(Pt)、鉻(Cr)、鴒(W)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉭(Ta)及其合金組成的組中選出的金屬。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述源極電極和所述漏極電極由多個金屬層形成。9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中n+層在所述源極電極或所述漏極電極與所述有源層之間形成。10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極絕緣層包括氮化物、氧化物或高介電氧化物。11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柵極電極包括從鈦(Ti)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉭(Ta)及其合金組成的組中選出的金屬。12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述襯底是玻璃襯底或塑料襯底。13.—種半導(dǎo)體器件的制作方法，所述方法包括在襯底上形成有源層、源極電極和漏極電極、柵極絕緣層和柵極電極，所述有源層包括由以下化學(xué)式1表示的復(fù)合物，化學(xué)式1x(Ga203)y(ln203)z(ZnO)其中，約0.75^c/z^約3.15且約0.55^y/z^約1.70。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述有源層在所述村底上形成，所述源極電極和所述漏極電極形成為電連接到所述有源層，所述柵極絕緣層在所述有源層上形成，所述柵極電極在所述有源層上形成。15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述柵極電極在所述襯底上形成，所述柵極絕緣層在所述柵極電極上形成，所述有源層在所述柵極絕緣層上形成，所述源極電極和所述漏極電極形成為電連接到所述有源層。16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中化學(xué)式1中x、y和z為約0.85Sx/z^約3.05且約0.65^y/z^約1.70。17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.15^x/z^約2.05且約1.15^y/z^約1.70。18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.25^x/z^約1.95且約1.25^y/z^約1.70。19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中化學(xué)式1中x、y和z為約1.25^x/z^約1.45且約1.45^y/z^約1.65。20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述源極電極和所述漏極電極由金屬氧化物形成。21.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述有源層與所述源極電極和所述漏極電極之間形成n+層。22.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在形成所述有源層及所述源極電極和所述漏極電極之后，將所述有源層及所述源極電極和漏極電極退火。23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述退火在大約400。C或更低的溫度在氮氣氣氛中進(jìn)行。全文摘要半導(dǎo)體器件可以包括由以下化學(xué)式(1)表示的作為有源層的復(fù)合物，化學(xué)式1為x(Ga₂O₃)·y(In₂O₃)·z(ZnO)，其中約0.75≤x/z≤約3.15且約0.55≤y/z≤約1.70。通過調(diào)整與氧化鋅(Zn)混合的氧化鎵(Ga)和氧化銦(In)的含量并改善光學(xué)靈敏度，可以提高顯示器的開關(guān)性能和驅(qū)動晶體管的驅(qū)動性能。文檔編號H01L29/786GK101473444SQ200780022377公開日2009年7月1日申請日期2007年4月17日優(yōu)先權(quán)日2006年4月17日發(fā)明者姜東勛,宋利憲,樸永洙,金昌楨申請人:三星電子株式會社