專利名稱：光電元件及使用該光電元件的光次模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電元件和一種光次模組，具體地說，是涉及一種例如用于光 通訊、照明、顯示用途的光電元件，以及一種由該光電元件和一筒形件所組成的光 次模組。
背景技術(shù)：
光通訊是利用光、電的轉(zhuǎn)換而達到傳遞訊號效果的。在訊號的發(fā)射端與接收端 皆配設(shè)一光次模組(OSA)，該光次模組是一筒形件(Barrel)/接座(Receptacle)與 一光電 元件耦光對準后互相粘接結(jié)合的。對光通訊而言，OSA為光傳接模組(Transeiver Module)中的關(guān)鍵零組件，且OSA所提供的光強度及耦光效率決定訊號在光纖的傳 輸品質(zhì)與距離，所以O(shè)SA通常配設(shè)或形有透鏡結(jié)構(gòu)，或是取用發(fā)光強度較大、光散 角度較小的光電元件來達到提升OSA的光強度和耦光效率。
以光通訊的接收端而言，光信號會先到達一光偵測器(Photodetector， PD)，以轉(zhuǎn) 換成光電流。接下來再由一轉(zhuǎn)阻放大器(Transimpedance Amplifier, TIA) /前置放大 器(Preamplifier, Preamp)將光電流轉(zhuǎn)換為電壓信號。
如圖1所示， 一種已知的PIN-TIA架構(gòu)的光電元件10,它在一基座12上配置一 載體14， 一光電晶粒16,例如光偵測器晶片或發(fā)光二極管(LED)晶片或激光二極管 (LD)晶片，組設(shè)在該載體14上，用以接收或發(fā)射光線。該載體M的配置目的在于 調(diào)整該光電晶粒16與其相對面的一透鏡(未示出)的距離，以提高耦光效果及提供一 供打線區(qū)域。
此外，光電晶粒16的周邊配設(shè)有一轉(zhuǎn)阻放大器17和至少一旁支電容(Bypass Capacitor) 18，且它們互相電性連接，藉此利用該旁支電容18和轉(zhuǎn)阻放大器17過濾 雜訊及增加訊號的靈敏度。
然而，載體M、轉(zhuǎn)阻放大器17和旁支電容18各自占用該基座12的部分面積， 相對而言，對于較小尺寸的基座12而言，要將各單元配置在該基座12上的難度較 高。未來若還要再加入其他單元，則難度更高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光電元件及使用該光電元件的光次模組，該光電元 件占用面積小，空間利用率高，高頻特性好，產(chǎn)品可靠，而光次模組通過調(diào)整(或縮 短)光電元件與透鏡的間距，可提高自身的耦光效率，易被動對準或耦合對準。
為了達到上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案
一種光電元件，其特征在于，它包括 一基座； 一積體電路元件，該積體電路元件配設(shè)在該基座上； 一光電晶粒，該光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上。
一種光次模組，其特征在于，它包括 一筒形件，該筒形件具有一腔室和一光
纖插頭通道； 一光電元件，該光電元件組設(shè)在該腔室內(nèi)，該光電元件具有一基座，
一積體電路元件組設(shè)在該基座上， 一光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上；至少一透
鏡，該透鏡配置在該光電元件與該光纖插頭通道之間，且該透鏡與該光電元件相對。
該筒形件型式可為SC、 ST及LC。
一種用于光通訊的光電元件，其特征在于，它包括 一基座； 一積體電路元件，
該積體電路元件配設(shè)在該基座上； 一光電晶粒，該光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件
上，用以發(fā)射或接收光訊號。 本發(fā)明的優(yōu)點是
由于本發(fā)明的光電元件將光電晶粒與積體電路元件，或配合一載體，以疊置架 構(gòu)組設(shè)在基座上，因而，整體組合占用面積較小，有助于例如旁支電容的其他元件 組設(shè)在基座或積體電路元件上，優(yōu)化了空間利用率。對于TO-can尺寸的縮小設(shè)計而 言，本發(fā)明的光電元件有利于將傳統(tǒng)常用的TO-56(直徑5.6mm)的大小縮成較小直徑 尺寸的規(guī)格，例如TO-38(直徑3.8mm)。本發(fā)明的光電元件若不使用載體，則具有降 低制作成本的效果。而且，由于積體電路元件與基座上的各電極間距相當，相較于 習知光電元件結(jié)構(gòu)，本發(fā)明中的架構(gòu)可使積體電路元件與基座上的各電極的打線距 離縮小，而增加元件的高頻特性。此外，本發(fā)明的光電元件將光電晶粒疊設(shè)在積體 電路元件上，由于彼此材料的特性相近，使得組配所產(chǎn)生的應(yīng)力降低，從而可提高 產(chǎn)品的可靠度。由于本發(fā)明的光電元件形成疊置組態(tài)，所以占用基座較少面積，有 助于使用較小尺寸的基座。
由于本發(fā)明的光次模組的透鏡可以延伸接近光電晶粒，所以不需要載體也能達 到高耦光效率。若沒有載體，則制作成本低，且可以少掉設(shè)置載體的制程和空間。 而且，將積體電路元件與光電晶粒組配成疊置結(jié)構(gòu)，有助于使光電元件小型化，從 而光次模組的尺寸也變小。另外，光電元件的另一實施例是將光電晶粒、積體電路 元件及載體形成疊設(shè)形態(tài)，因此，對于使用該光電元件與筒形件所組成的光次模組 而言，載體可用以調(diào)整光電晶粒與透鏡之間的距離。總之，光次模組可借助透鏡結(jié) 構(gòu)延伸和光電晶粒下方的墊置物件來調(diào)整(或縮短)光電元件與透鏡的間距，從而達到 提高耦光效率以及易被動對準或耦合對準的效果。另外，由于在筒形件內(nèi)可填充折 射率匹配油，所以光電晶粒所發(fā)出的光線能夠更進一步收斂，還可針對光電晶粒以 及積體電路元件的周邊、表面填充或涂布膠體，用以保護元件和固定元件。


圖1是習用光電元件的元件配置示意圖2A是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖2B是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意6圖2C是本發(fā)明另一結(jié)構(gòu)示意圖3A是本發(fā)明的TO-can結(jié)構(gòu)示意圖3B是本發(fā)明的TO-can結(jié)構(gòu)示意圖3C是本發(fā)明的TO-can結(jié)構(gòu)示意圖3D是本發(fā)明的TO-can結(jié)構(gòu)示意圖3E是本發(fā)明的TO-can結(jié)構(gòu)示意圖4A是本發(fā)明的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)示意圖4B是本發(fā)明的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)示意圖4C是本發(fā)明的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)示意圖4D是本發(fā)明的導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)示意圖5A是本發(fā)明的導(dǎo)線架具有金屬底盤的結(jié)構(gòu)示意圖5B是本發(fā)明的導(dǎo)線架具有塑膠底盤的結(jié)構(gòu)示意圖6A是本發(fā)明的光電晶粒同側(cè)具有兩電極與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖6B是本發(fā)明的光電晶粒同側(cè)具有兩電極與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖7A是本發(fā)明的光電晶粒以覆晶技術(shù)與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖7B是本發(fā)明的光電晶粒以覆晶技術(shù)與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖8A是本發(fā)明的光電晶粒相對側(cè)具有電極與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖8B是本發(fā)明的光電晶粒相對側(cè)具有電極與積體電路元件結(jié)合的示意圖； 圖9是本發(fā)明配設(shè)旁支電容與光電晶粒形成電性連接的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖IO是本發(fā)明所配用的筒形件結(jié)構(gòu)示意圖； 圖11是本發(fā)明的光次模組結(jié)構(gòu)示意圖12A是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具折射率匹配油的結(jié)構(gòu)示意圖12B是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具折射率匹配油的結(jié)構(gòu)示意圖13A是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具有膠體的結(jié)構(gòu)示意圖13B是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具有膠體的結(jié)構(gòu)示意圖13C是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具有膠體的結(jié)構(gòu)示意圖13D是本發(fā)明的光次模組內(nèi)部具有膠體的結(jié)構(gòu)示意圖14是本發(fā)明以導(dǎo)線架光電元件配合筒形件所構(gòu)成的光次模組結(jié)構(gòu)示意圖15是本發(fā)明配設(shè)有兩個光電晶粒的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的光電元件適用于光通訊、照明或顯示用途。該光電元件為一種不具有 傳統(tǒng)載體的光電元件。該光電元件具有至少一光電晶粒，例如發(fā)光二極管 (Light-emitting Diode， LED)晶片、激光二極管(Laser Diode， LD)晶片或光偵測器 (Photodiode， PD)晶片。以光纖通訊用的光電元件為例，該光電晶片可應(yīng)用于玻璃光 纖的光纖通訊，用以發(fā)射或接收800nm 1800mn的紅外線光訊號，或應(yīng)用于塑膠光纖的光纖通訊，用以發(fā)射或接收200nm 800nm的可見光訊號。
如圖2A和圖2B戶力示，光電元件20包括一基座(Base)22， 一積體電路元件24 配設(shè)在該基座22表面， 一光電晶粒26疊設(shè)在該積體電路元件24的頂面。由上述架 構(gòu)可知，該積體電路元件24可以作為該光電晶粒26的下固定件，且該積體電路元 件24能夠用以調(diào)整該光電晶粒26的位置(高度)。
該積體電路元件24是一轉(zhuǎn)阻放大器(TIA)、 一后級放大器或一驅(qū)動積體電路，該 積體電路元件24也可以是轉(zhuǎn)阻放大器、后級放大器、驅(qū)動積體電路互相配合所組成 的組合元件。其中，后級放大器用以將轉(zhuǎn)阻放大器所轉(zhuǎn)出的差動電壓訊號放大至一 穩(wěn)定振幅，而驅(qū)動積體電路用以提供驅(qū)動LD或LED的電源。
上述實施例中，以該積體電路元件24作為該光電晶粒26的下固定件，除此之 外，在圖2C中，在該積體電路元件24與基座22間配設(shè)一載體25，如此，該載體 25與該積體電路元件24能互相搭配使用，藉以調(diào)整該光電晶粒26的位置(高度)。
如圖3A所示，該基座22的周邊沒有外殼構(gòu)件，所以該光電晶粒26及該積體電 路元件24的周邊形成開放狀空間。
如圖3B所示，該基座22的周邊配置有一金屬外殼32，且該外殼32—端具有 一開口 34，該開口 34與該積體電路元件24上的該光電晶粒26相對。
如圖3C所示，該基座22周邊配置一金屬外殼32，且該外殼32—端具有一球 形透鏡36，該球形透鏡36與該光電晶粒26相對。
如圖3D所示，該基座22周邊配置一金屬外殼32，且該外殼32—端具有一平 板玻璃37，且該平板玻璃37與該光電晶粒26相對。
如圖3E所示，該基座22周邊配置一金屬外殼32，且該外殼32 —端具有透鏡構(gòu) 件38，該透鏡構(gòu)件38與該光電晶粒26相對。
以上圖3A至圖3E的基座22為TO-can (頂端開口金屬殼)結(jié)構(gòu)的光電元件的 金屬底座(header)。
如圖4A所示，該光電元件20為導(dǎo)線架(Leadframe)結(jié)構(gòu)，其具有多個金屬支架(圖 中示出兩支)，其中， 一支架42的端部44用以作為該基座22。如此，該積體電路元 件24組設(shè)在該端部44上，且該光電晶粒26疊設(shè)在該積體電路元件24上。此外， 該導(dǎo)線架不具有外殼或外封裝體，所以該光電晶粒26周圍形成開放狀空間。
如圖4B所示，導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)可配設(shè)一外封裝體46， 一開口 48形成在該外封裝體 46的一端，且該開口 48與該光電晶粒26相對。
如圖4C所示，導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)配設(shè)有一外封裝體46，且該外封裝體46完全包覆該 光電晶粒26和該積體電路元件24。
如圖4D所示，導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)配設(shè)有一外封裝體46，且該外封裝體46完全包覆該 光電晶粒26和該積體電路元件24，此外， 一透鏡部49形成在該外封裝體46表面， 且該透鏡部49與該光電晶粒26相對。
8如圖5A所示，另一種導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)是一金屬底盤52，其形成或組設(shè)在多個支架(圖 中示出兩支架)42和43的一端。該金屬底盤52可作為前述的基座22。如此，該積體 電路元件24組設(shè)在該金屬底盤52上，且該光電晶粒26疊置在該積體電路元件24上。
如圖5B所示， 一塑膠底盤54形成或組設(shè)在多個支架(圖中示出兩支架)42和43 的一端。該塑膠底盤54可作為前述的基座22。如此，該積體電路元件24組設(shè)在該 底盤54上，且該光電晶粒26疊置在該積體電路元件24上。
該導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)在射出成型出該塑膠底盤54的制程中，也可以射出成型一外殼， 該外殼與該塑膠底盤54結(jié)合。封裝時，該光電晶粒26被組設(shè)在該外殼內(nèi)。
以上圖3A至圖3E、圖4A至圖4B以及圖5A至圖5B用以說明本發(fā)明的光電晶 粒26疊設(shè)在該積體電路元件24的架構(gòu)，這些架構(gòu)可適用于各種形式的TO-can元件 和導(dǎo)線架元件。
根據(jù)該光電晶粒26的磊晶架構(gòu)以及電極或打線墊的形成位置架構(gòu)，本發(fā)明將光 電晶粒26區(qū)分成兩類，其一是打線墊或電極位于光電晶粒26的同一側(cè)，其二是兩 個電極或打線墊位于相對側(cè)。
如圖6A和圖6B所示，圖中示出該光電晶粒26疊設(shè)在該積體電路元件24的表 面，例如，該積體電路元件24為轉(zhuǎn)阻放大器的情況。其中，該光電晶粒26的一側(cè) 具有兩個電極(打線墊區(qū)域)61和62。另外，該光電晶粒26的另一側(cè)具有一基板 (substrate)64，例如半絕緣或陶瓷基板，該基板64配合絕緣膠65粘固在該積體電路 元件24上，使得該電極(打線墊區(qū)域)61和62位于遠離該積體電路元件24表面的方 向上。
如圖7A和圖7B所示，圖中的光電晶粒26與該積體電路元件24以覆晶(Flip chip) 技術(shù)結(jié)合。其中，該光電晶粒26的兩個電極71和72位于同一側(cè)，且藉由導(dǎo)電膠74 與該積體電路元件24上的電極粘結(jié)，以形成電性連接。
如圖8A和圖8B所示，圖中的光電晶粒26為垂直架構(gòu)，即兩個電極81和82 分別位于相對兩側(cè)。其中， 一電極81配合銀膠84與該積體電路元件24粘結(jié)，而另 一電極(打線墊區(qū)域)82位于遠離該積體電路元件24表面的方向上，藉導(dǎo)線連接該電 極82，以使該光電晶粒26與該積體電路元件24形成電性連接。
如圖9所示，事實上，該光電晶粒26僅占用該積體電路元件24的局部面積， 所以一被動元件86，例如電容、電阻、電感等元件，可以配設(shè)在該積體電路元件24 上。上述被動元件86的電極可以制作在同一側(cè)表面，或是相對側(cè)。以電容為例，其 可以是SMD架構(gòu)的電容，或是雙晶片(Dual-Chip)電容。
除了可以將被動元件86配設(shè)在該積體電路元件24上外，也可以將主動元件配 設(shè)在該積體電路元件24上，該主動元件例如曾納二極管(Zener Diode)。
上述的被動或主動元件提供抗突波、變壓、整流、穩(wěn)壓、感測、回授電路或阻抗匹配中的一種功能，或者提供這些綜合的功能。
如圖15所示，該基座22(可以是TO-can的底座或?qū)Ь€架的支架)上配設(shè)有兩個 光電晶粒26和27，例如一發(fā)光二極管晶片(或激光二極管)和一光偵測器晶片相鄰擺 在一起，而該轉(zhuǎn)阻放大器(或可再包括該后級放大器)及該驅(qū)動IC則整合做成一顆IC 形態(tài)的積體電路元件24，且該積體電路元件24設(shè)置在兩個該光電晶粒26和27的下 方。
由上述說明可知，本發(fā)明的光電元件20將該光電晶粒26與該積體電路元件24， 或配合一載體25，以疊置架構(gòu)組設(shè)在該基座22上，因此，整體的組合占用較小的面 積，有助于例如旁支電容18的其他元件組設(shè)在該基座22或該積體電路元件24上。 對于TO-can尺寸的縮小設(shè)計而言，本發(fā)明有利于將傳統(tǒng)常用的TO-56(直徑5.6mm) 的大小縮成較小直徑尺寸的規(guī)格，例如TO-38(直徑3.8mm)。此外，本發(fā)明若不使用 載體25，則具有降低制作成本的效果。
而且，該積體電路元件24與基座22上的各電極間距相當，相較于習知光電元 件結(jié)構(gòu)，本發(fā)明中的架構(gòu)可使得該積體電路元件24與基座22上的各電極的打線距 離縮小，而增加元件的高頻特性。
此外，本發(fā)明將光電晶粒26疊設(shè)在積體電路元件24上，由于彼此材料的特性 相近，使得組配所產(chǎn)生的應(yīng)力降低，從而可提高產(chǎn)品的可靠度。
如圖10所示，筒形件90的結(jié)構(gòu)如圖10中的(A) (D)所示。該筒形件90具有一 腔室94和一光纖插頭通道96。其中，圖(A)還在該腔室94與該光纖插頭通道96之 間形成一容置通道93，而一透鏡99組設(shè)在該容置通道93內(nèi)。此外，其余的筒形件 90分別具有一個或兩個透鏡91和92。此外，透鏡91和92分別形成在該腔室94的 封閉面95和/或光纖插頭通道96的封閉面97上。
值得注意的是，圖10中的任一筒形件90可以結(jié)合前述的任一個光電元件20而 形成一光次模組。
如圖11所示，以一TO-can架構(gòu)的光電元件20配合一筒形件90形成一光次模 組100為例。該筒形件90具有兩透鏡91和92，且該光電元件20 —端具有一開口 34。該光電晶粒26與透鏡91之間沒有阻隔性元件，所以該透鏡91可以朝著該光電 晶粒26的方向延伸，且可經(jīng)由該開口 34進入該外殼32內(nèi)部，以接近該光電晶粒26， 而使得該光電晶粒26的主動區(qū)(未示出)對準透鏡91。雖然本實施例的光電元件20 沒有配置傳統(tǒng)的載體,但因為光電晶粒26與透鏡91的間距可以藉由延伸該透鏡91 而縮短，所以仍然可以達到高耦光效率，以及容易被動對準或耦合對準的效果。
而且， 一粘劑98涂覆在該光電元件20與該筒形件90之間，以使該腔室94形 成密封狀，以避免高溫、高濕環(huán)境的侵襲。
如圖12A所示，在TO-can結(jié)構(gòu)的光電元件20與筒形件90所組成的光次模組中， 該外殼32內(nèi)可以填充一種折射率匹配油(Index Matching Oil) 110，用以保護光電晶粒26，且使得行進于光電晶粒26與透鏡91之間的光線發(fā)散角能夠變小，以提高耦 光效率。該折射率匹配油110可以是硅膠(Silicone)、紫外線膠(UV Glue)或可見光膠 (Visible Glue)，此外，該外殼32內(nèi)也可以填充氣體，例如空氣或氮氣或惰性氣體。
如圖12B所示，在導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的光電元件20與筒形件卯所組成的光次模組中， 該腔室94內(nèi)部注滿折射率匹配油110，且將該光電元件20以由上而下的方式組設(shè)于 該腔室94內(nèi)。如此，該折射率匹配油U0可用以保護光電晶粒26，且使得行進于光 電晶粒26與透鏡91之間的光線發(fā)散角能夠變小，以提高耦光效率。
如圖13A所示，光次模組內(nèi)可以填充膠體112，圖13A示出的是其中一種填充 型式，該膠體112的填充高度介于該光電晶粒26的頂面與該基座22頂面之間。如 此，具有固定該光電晶粒26的效果，也有保護粘著材料和光電晶粒26與積體電路 元件24的效果。
如圖13B所示，另一種填充膠體112的方式為使該膠體112完全包覆該光電晶 粒26，如此，可進一步提供保護光電晶粒26和打線的線材(未示出)的效果。
如圖13C所示，膠體112填充在該筒形件90的腔室94內(nèi)，且可不溢過該透鏡 91。該TO-can結(jié)構(gòu)的光電元件20插入該腔室94內(nèi)，使得該膠體112粘結(jié)該外殼32 的端部，以形成密封狀，如此，該膠體U2不接觸到光電晶粒26,且該腔室94的剩 余空間可以形成密封狀。
如圖13D所示，膠體112可用以包覆該光電晶粒26，或擴及該積體電路元件24。
在上述光次模組中，TO-can結(jié)構(gòu)的光電元件與導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的光電元件可以互換 取代。
如圖14所示，圖中示出一種導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)的光電元件20與一筒形件卯所組成的 光次模組。該光電元件20雖然具有一外封裝體46，但該外封裝體46的頂面可制作 成接近該光電晶粒26，且該透鏡91可延伸接近該光電晶粒26，所以本實施例具有 高耦光效率。此外，該腔室94內(nèi)可填注折射率匹配油IIO或氣體或使其真空。
由上述說明可知，本實施例的光電元件與筒形件所組成的光次模組，因為透鏡 可以延伸接近光電晶粒，所以不需要載體也能達到高耦光效率。此外，沒有載體， 所以制作成本低，且可以少掉設(shè)置載體的制程和空間。而且，將積體電路元件與該 光電晶粒組配成疊置結(jié)構(gòu)，有助于使該光電元件小型化。另外，光電元件的另一實 施例是將光電晶粒、積體電路元件及載體形成疊設(shè)形態(tài)，因此使用該光電元件與筒 形件所組成的光次模組，該載體可用以調(diào)整該光電晶粒與該透鏡之間的距離。
以上所述是本發(fā)明的具體實施范例，任何基于本發(fā)明技術(shù)方案基礎(chǔ)上的等效變 換，均屬于本發(fā)明保護范圍之內(nèi)。
1權(quán)利要求
1、一種光電元件，其特征在于，它包括一基座；一積體電路元件，該積體電路元件配設(shè)在該基座上；一光電晶粒，該光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上。
2、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于還包括一載體，該載體配設(shè)在該積體電路元件與該基座間，且該光電晶粒、該積體電路元件和該載體形成疊設(shè)形態(tài)。
3、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于還包括一外殼，該外殼配置在該基座上，且一開口形成在該外殼一端，該開口與該光電晶粒相對。
4、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該基座是一 TO-can的金屬底座。
5、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該基座是一導(dǎo)線架的多個金屬支架之一。
6、 如權(quán)利要求5所述的光電元件，其特征在于還包括一外封裝體，該外封裝體用以包覆該導(dǎo)線架的各金屬支架。
7、 如權(quán)利要求6所述的光電元件，其特征在于該外封裝體一端開設(shè)一開口，且該開口與該光電晶粒相對。
8、 如權(quán)利要求6所述的光電元件，其特征在于該外封裝體一端具有一透鏡部，該透鏡部與該光電晶粒相對。
9、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該基座是一金屬或塑膠導(dǎo)線架的底盤。
10、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該積體電路元件是一轉(zhuǎn)阻放大器。
11、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該積體電路元件是一轉(zhuǎn)阻放大器和一后級放大器的組合。
12、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該積體電路元件是一驅(qū)動積體電路。
13、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該積體電路元件是一轉(zhuǎn)阻放大器、 一后級放大器和一驅(qū)動積體電路的組合。
14、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該光電晶粒是一光偵測器晶片或一發(fā)光二極管晶片或一激光二極管晶片。
15、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該光電晶粒包括一光偵測器晶片和一發(fā)光二極管晶片，或者該光電晶粒包括一光偵測器晶片和一激光二極管晶片。
16、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該光電晶粒具有兩個電極，且該兩個'電極位于相同一側(cè)。
17、 如權(quán)利要求16所述的光電元件，其特征在于該光電晶粒具有一半絕緣或陶瓷基板，該基板位于該兩個電極的相對側(cè)。
18、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于該光電晶粒具有兩個電極，且該兩個電極位于相對側(cè)。
19、 如權(quán)利要求1所述的光電元件，其特征在于還包括一被動元件或一主動元件，該被動元件或主動元件電性連接該光電晶粒。
20、 一種光次模組，其特征在于，它包括一筒形件，該筒形件具有一腔室和一光纖插頭通道；一光電元件，該光電元件組設(shè)在該腔室內(nèi)，該光電元件具有一基座， 一積體電路元件組設(shè)在該基座上， 一光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上；至少一透鏡，該透鏡配置在該光電元件與該光纖插頭通道之間，且該透鏡與該光電元件相對。
21、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括一載體，該載體配設(shè)在該光電元件的積體電路元件與該基座間，且該光電晶粒、該積體電路元件和該載體形成疊設(shè)形態(tài)。
22、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括一容置通道，該容置通道連通該腔室與該光纖插頭通道，該透鏡組設(shè)在該容置通道內(nèi)。
23、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于該透鏡的數(shù)量為一個，該光纖插頭一端為一封閉面，該透鏡形成在該封閉面上。
24、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于該透鏡的數(shù)量為一個，該腔室一端為一封閉面，該透鏡形成在該封閉面上。
25、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于該透鏡的數(shù)量為兩個， 一個透鏡形成在該光纖插頭通道內(nèi)，另一個透鏡形成在該腔室內(nèi)。
26、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括折射率匹配油，該折射率匹配油充于該腔室內(nèi)。
27、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括膠體，該膠體用以填充于該光電晶粒的頂面與該基座表面之間。
28、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括膠體，*該膠體用以完全包覆該光電元件。 ，
29、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括膠體，該膠體用以填充于該筒形件的腔室內(nèi)，且該膠體不接觸該光電元件，以使該腔室的剩余空間形成密閉。
30、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于還包括膠體，該膠體用以包覆于該光電元件的光電晶粒。
31、 如權(quán)利要求20所述的光次模組，其特征在于該光電元件具有一開口，該開口與該光電晶粒相對，該透鏡向該開口處延伸，以接近該光電晶粒。
32、 如權(quán)利要求31所述的光次模組，其特征在于該光電元件為TO-can結(jié)構(gòu)，該光電元件具有一金屬外殼，該開口開設(shè)在該金屬外殼一端，該開口與該光電晶粒相對。
33、 如權(quán)利要求31所述的光次模組，其特征在于該光電元件為一導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，該光電元件具有一外封裝體，該開口開設(shè)在該外封裝體一端，該開口與該光電晶粒相對。
34、 一種用于光通訊的光電元件，其特征在于，它包括-一基座；一積體電路元件，該積體電路元件配設(shè)在該基座上；一光電晶粒，該光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上，用以發(fā)射或接收光訊號。
35、 如權(quán)利要求34所述的用于光通訊的光電元件，其特征在于該光電晶粒應(yīng)用于玻璃光纖的光纖通訊，用以發(fā)射或接收800nm 1800nm的光訊號。
36、 如權(quán)利要求34所述的用于光通訊的光電元件，其特征在于該光電晶粒應(yīng)用于塑膠光纖的光纖通訊，用以發(fā)射或接收200nm 800nm的光訊號。
37、 如權(quán)利要求34所述的用于光通訊的光電元件，其特征在于還包括一載體，該載體配設(shè)在該積體電路元件與該基座間，且該光電晶粒、該積體電路元件和該載體形成疊設(shè)形態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光電元件和光次模組，光電元件包括一基座；一積體電路元件，該積體電路元件配設(shè)在該基座上；一光電晶粒，該光電晶粒疊設(shè)在該積體電路元件上。光次模組包括一筒形件，該筒形件具有一腔室和一光纖插頭通道；一光電元件，該光電元件組設(shè)在該腔室內(nèi)，該光電元件具有一基座、一積體電路元件和一光電晶粒；至少一透鏡，該透鏡配置在該光電元件與該光纖插頭通道之間，該透鏡與該光電元件相對。該光電元件與積體電路元件形成疊設(shè)狀態(tài)，優(yōu)化空間利用率，有助于縮小光電元件體積，提升高頻特性和產(chǎn)品可靠度。該光次模組可利用積體電路元件調(diào)整光電晶粒與透鏡間的距離，而提高光次模組的耦光效率，以達到容易被動對準或耦合對準的效果。
文檔編號H01L25/00GK101499461SQ200810006689
公開日2009年8月5日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者袁榮亨 申請人:前源科技股份有限公司