專利名稱：應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組及散熱系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種散熱模組及散熱系統(tǒng)，特別是關(guān)于一種應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片作為熱界面材料的散熱模組及散熱系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
構(gòu)裝微電子元件，例如高亮度發(fā)光二極管和中央處理器等，因?yàn)榘l(fā)展朝向高功率、高速化、和/或小型化等趨勢(shì)，微電子元件產(chǎn)生的高熱流量必須移除，使其接面溫度維持在其安全操作溫度之下。微電子元件的接面溫度一旦超過(guò)安全操作溫度時(shí)，將劣化微電子元件的性能，或者損壞微電子元件，嚴(yán)重地影響電子元件的使用壽命及可靠度。
伴隨著微電子及電子元件的散熱需求，剌激了散熱元件、材料等電子散熱產(chǎn)品的多樣化與技術(shù)創(chuàng)新。電子散熱產(chǎn)品主要有散熱裝置，例如冷板、散熱器
及風(fēng)扇等，以及熱界面材料(Thermal Interface Materials, TIM)兩種類別。
在中國(guó)臺(tái)灣專利申請(qǐng)?zhí)?6133111的專利中揭露了一種應(yīng)用低熔點(diǎn)合金箔片作為熱界面材料的散熱模組。此散熱模組可使一電子元件運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境，主要有兩種實(shí)施例，概略介紹如下
請(qǐng)參照?qǐng)D1A,其為此散熱模組的第一種實(shí)施例的示意圖。散熱模組10包括一散熱器11及一低熔點(diǎn)合金箔片14。如圖所示，散熱器ll設(shè)置于電子元件12上方，低熔點(diǎn)合金箔片14設(shè)置于電子元件12與散熱器11之間，且作為電子元件12與散熱器11間的熱界面材料。另外，電子元件12設(shè)置于一電路板13上，且彼此電路相連接。
詳細(xì)地說(shuō)，低熔點(diǎn)合金箔片14的兩側(cè)面分別接觸于散熱器11的底面以及電子元件12的上表面。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其為此實(shí)施例的低熔點(diǎn)合金箔片14示意圖。在此散熱模組10中，為了有效地防止低熔點(diǎn)合金箔片14的熱熔液流動(dòng)而泄漏至電路板13上，散熱模組10的低熔點(diǎn)合金箔片14的厚度不大于0.04 mm。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其為上述專利的散熱模組的第二實(shí)施例的剖面示意圖。如圖所示，本實(shí)施例的散熱模組20，亦可使一電子元件22運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境，散熱模組20包括一散熱器21、 一低熔點(diǎn)合金箔片24及一環(huán)形體25。
其中，低熔點(diǎn)合金箔片24的厚度不大于0.04 mm。環(huán)形體25的作用主要有維持界面接合厚度、延緩低熔點(diǎn)合金箔片24熱熔氧化的速率，使低熔點(diǎn)合金箔片24的散熱效能不致因過(guò)度氧化而劣化，此外，也可用來(lái)強(qiáng)化低熔點(diǎn)合金箔片24熱熔液相的阻漏。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2B，其為本實(shí)施例的低熔點(diǎn)合金箔片24與環(huán)形體25的設(shè)置型態(tài)。本實(shí)施例與前述實(shí)施例的差異在于，環(huán)形體25設(shè)置于電子元件22與散熱器21之間，且環(huán)繞于低熔點(diǎn)合金箔片24的周緣。其中，環(huán)形體25可與低熔點(diǎn)合金箔片24的周緣接觸，或者亦可與低熔點(diǎn)合金箔片24的周緣具有些微空隙。借由環(huán)形體25的設(shè)計(jì)可使低熔點(diǎn)合金箔片24受熱熔融液化時(shí)，熱熔液相更不易自電子元件22與散熱器21之間泄漏出去。
為了使公知技術(shù)的阻漏效果更加完善，并達(dá)到一定的散熱效果，發(fā)明人提出了一種更佳的散熱模組。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于，避免相變化金屬熱界面箔片受熱液化后的熱熔液溢漏出熱界面的情形。
本發(fā)明的另一目的在于，在散熱器底面制作適當(dāng)數(shù)目、寬度及深淺的溝槽，使得相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，多余的熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免熱熔液溢漏出熱界面，同時(shí)保有極佳的散熱效果。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，
5可使一電子元件運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境。此應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組包括一散熱器及一相變化金屬熱界面箔片
(phase-change metal thermal interface material ， TIM)。
散熱器設(shè)置于電子元件上方，且散熱器的底面至少具有一溝槽。相變化金屬熱界面箔片設(shè)置于電子元件與散熱器的底面之間，作為電子元件與散熱器間的熱界面材料。其中，相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面，甚至泄漏至電子元件外的情形。
本發(fā)明還提供一種散熱系統(tǒng)，該散熱系統(tǒng)包括一芯片單元及一散熱模組。
芯片單元包括一基板、一芯片及一導(dǎo)熱均溫板(Integrated Heat Spreader,IHS)。芯片是疊置于基板上。導(dǎo)熱均溫板則設(shè)置于芯片的上表面上，用以均勻傳導(dǎo)芯片運(yùn)作時(shí)所發(fā)出的熱，且導(dǎo)熱均溫板的上表面至少具有一溝槽。
散熱模組設(shè)置于導(dǎo)熱均溫板上方，可使芯片單元的熱，能快速地傳導(dǎo)至外界環(huán)境。散熱模組包括一散熱器及一相變化金屬熱界面箔片(phase-change metalthermal interface material, TIM)。
其中，相變化金屬熱界面箔片設(shè)置于導(dǎo)熱均溫板的上表面與散熱器的底面之間，作為芯片單元與散熱器間的熱界面材料。當(dāng)相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面。
綜上所述，本發(fā)明的散熱模組或散熱系統(tǒng)具有下列優(yōu)點(diǎn)
一、 在本發(fā)明的應(yīng)用上，可針對(duì)不同厚度的相變化金屬熱界面箔片，在散熱器底面或?qū)峋鶞匕宓纳媳砻嬖O(shè)計(jì)不同數(shù)目、寬度及深淺的溝槽。當(dāng)相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，多余的熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免熱熔液溢漏
出熱界面。借此，散熱模組或散熱系統(tǒng)不但具有極佳的散熱效果，更能避免相變化金屬熱界面箔片的液相溢漏的問(wèn)題。
二、 借由逃氣溝槽，可有效幫助相變化金屬熱界面箔片熔融后的熱熔液中的氣體逸散。
三、 在公知技術(shù)中，為了將低熔點(diǎn)合金箔片做到一定的薄度(0.04mm以下)，必須經(jīng)過(guò)多道制程，制程難度較高，制造成本也高。
另外，在具有環(huán)形體的公知技術(shù)中，此公知技術(shù)需要額外支出環(huán)形體的材料成本及制造成本，且低熔點(diǎn)合金箔片與環(huán)形體兩者厚度的調(diào)整必須精確且一致，制作難度較高。再者，環(huán)形體的設(shè)置容易造成低熔點(diǎn)合金箔片熔融后的熱熔液中的氣體無(wú)法順利逸散。
相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的散熱模組或散熱系統(tǒng)僅需以簡(jiǎn)單的機(jī)械制程即可制造出具有溝槽的散熱器或?qū)峋鶞匕?，且只要調(diào)整溝槽的數(shù)目、寬度及深淺，即可使用厚度較大的相變化金屬熱界面箔片(或低熔點(diǎn)合金箔片)，整體制程簡(jiǎn)單且成本低。另外，再加上逃氣溝槽的設(shè)計(jì)，可使得熱界面間的氣體具有順
利逸散的管道。


借由以下詳細(xì)的描述結(jié)合所附圖示，將可輕易的了解上述內(nèi)容及此項(xiàng)發(fā)明的諸多優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1A為公知散熱模組的一實(shí)施例的示意圖1B為公知散熱模組的低熔點(diǎn)合金箔片示意圖2A為公知散熱模組的另一實(shí)施例的剖面示意圖2B為公知散熱模組中低熔點(diǎn)合金箔片與環(huán)形體的設(shè)置型態(tài)的示意圖3A為本發(fā)明散熱模組的示意圖3B為本發(fā)明散熱模組中，散熱器底面的示意圖4A及圖4B分別為本發(fā)明散熱器底面的不同實(shí)施例；
圖5A為本發(fā)明散熱系統(tǒng)的示意圖5B為本發(fā)明散熱系統(tǒng)中，導(dǎo)熱均溫板的上表面示意圖；以及圖6A及圖6B分別為本發(fā)明導(dǎo)熱均溫板的上表面的不同實(shí)施例。主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
10、 20、 30、散熱模組 11、 21、 31、 41、散熱器
712、 22、 32、電子元件14、 24、低熔點(diǎn)合金箔片312、 4223、環(huán)狀溝槽314、 4225、外圍環(huán)狀溝槽40、散熱系統(tǒng)421、芯片
4221、導(dǎo)熱均溫板的上表面423、基板
13、 23、 33、電路板
311、散熱器的底面
313、 4224、逃氣溝槽
34、 44、相變化金屬熱界面箔片
42、芯片單元
422、導(dǎo)熱均溫板
4222、導(dǎo)熱均溫板的下表面
424、接腳
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A及圖3B，其分別為本發(fā)明散熱模組的示意圖及散熱器底面的示意圖。本發(fā)明的散熱模組30，可使一電子元件32運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境。此散熱模組30包括一散熱器31及一相變化金屬熱界面箔片34(phase畫change metal thermal interface material, TIM)。
散熱器31設(shè)置于電子元件32上方，且散熱器31的底面311至少具有一溝槽312。相變化金屬熱界面箔片34設(shè)置于電子元件32與散熱器31的底面311之間，作為電子元件32與散熱器31間的熱界面材料。相變化金屬熱界面箔片34的兩側(cè)面分別接觸于散熱器31的底面311以及電子元件32的上表面，以直接將電子元件32所發(fā)出的熱傳導(dǎo)至散熱器31，然后再傳導(dǎo)至外界環(huán)境。另外，電子元件32設(shè)置于一電路板33上，且彼此電路相連接。
當(dāng)電子元件32運(yùn)作而發(fā)熱，相變化金屬熱界面箔片34受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至溝槽312內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面，甚至泄漏至電子元件外，而造成電子元件失效等情形。也就是說(shuō)，散熱器31底面的溝槽312，可用來(lái)容納多余的熱熔液。
本發(fā)明所述的相變化金屬熱界面箔片34可為任何具有熱傳導(dǎo)性的熱界面金屬材料。在一較佳實(shí)施例中，相變化金屬熱界面箔片34可為一種低熔點(diǎn)合金箔片34。低熔點(diǎn)合金箔片34的組成由必要的銦(In)以及鉍(Bi)、錫(Sn)、和鋅(Zn)等元素的部分或全部組合而成。亦即，其主要組成元素可為In-Bi-Sn、In-Bi-Sn-Zn或In-B。此外，前述主要組成合金更可包括至少一種非毒害環(huán)境元素，例如銀、銅、鈦、鍺、鋁、鈰、鑭或硅等元素。并且，低熔點(diǎn)合金箔片34可依上述組成元素的不同而有55'C至85'C不等熔點(diǎn)變化。
在電子元件32運(yùn)作的過(guò)程中，電子元件32有時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的熱而使得相變化金屬熱界面箔片34受熱熔融。 一般來(lái)說(shuō)，相變化金屬熱界面箔片34的熔點(diǎn)約在電子元件32的工作溫度附近。也就是說(shuō)，使用上依照不同電子元件32的工作溫度來(lái)選用不同熔點(diǎn)的相變化金屬熱界面箔片34。借此，當(dāng)電子元件32產(chǎn)生較高的工作溫度時(shí)，相變化金屬熱界面箔片34便會(huì)受熱而熔融。
值得注意的是，上述的溝槽可為各種不同的凹槽型態(tài)，只要是任何可使上述相變化金屬熱界面箔片34的多余熱熔液流入的溝槽圖樣，皆屬本發(fā)明所涵蓋。另外，在溝槽的制作方法或具有溝槽的散熱器的制造方法部分，可利用CNC加工、放電加工、激光雕刻(雷雕)、沖壓或壓鑄等方法來(lái)制作。
而在一較佳實(shí)施例中，形成于散熱器31的底面311的溝槽為一環(huán)狀溝槽312，如圖3B所示。當(dāng)相變化金屬熱界面箔片34受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可于環(huán)狀溝槽312內(nèi)均勻流動(dòng)，使得熱界面材料的分布更為平均。
當(dāng)散熱器31的底面311具有環(huán)狀溝槽312時(shí)，相變化金屬熱界面箔片34的厚度便不須像公知技術(shù)般做得那么薄(愈薄，加工難度愈高)，因此可降低制程難度及制造成本。
而且，在本發(fā)明中可針對(duì)不同厚度的相變化金屬熱界面箔片34，在散熱器31底面311設(shè)計(jì)不同數(shù)目、寬度及深淺的溝槽312。當(dāng)相變化金屬熱界面箔片34受熱熔融時(shí)，多余的熱熔液可流至溝槽312內(nèi)，以避免熱熔液溢漏出熱界面。
例如，在一實(shí)施例中，相變化金屬熱界面箔片34的厚度若為0.03mm 0.05mm時(shí)，所配合的環(huán)狀溝槽312的寬度約0.5mm，深度約0.4mm，即可有效避免合金熱界面箔片34受熱液化后的液滴泄漏。
9請(qǐng)參照?qǐng)D4A及圖4B，其分別為本發(fā)明散熱器底面的不同實(shí)施例，且兩圖中顯示了環(huán)狀溝槽與相變化金屬熱界面箔片34的相關(guān)重疊位置。
如圖4A所示，環(huán)狀溝槽312所圍繞的區(qū)域小于相變化金屬熱界面箔片34的面積，當(dāng)相變化金屬熱界面箔片34受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至環(huán)狀溝槽312內(nèi)，以避免熱熔液向外泄漏的情形。此外，散熱器底面311更包括至少一條與環(huán)狀溝槽312交錯(cuò)的逃氣溝槽313，借著逃氣溝槽313，相變化金屬熱界面箔片34熔融液化后所形成的氣泡可經(jīng)由逃氣溝槽313逸出。
如圖4B所示，散熱器的底面311除了上述的環(huán)狀溝槽312夕卜，更包括一外圍環(huán)狀溝槽314，此外圍環(huán)狀溝槽314所圍繞的區(qū)域大于相變化金屬熱界面箔片34的面積，借此外圍環(huán)狀溝槽314可作第二層的阻漏防護(hù)。如圖所示，散熱器31的底面311更包括多數(shù)條呈放射狀排列的逃氣溝槽313，每一條逃氣溝槽313皆同時(shí)與環(huán)狀溝槽312及外圍環(huán)狀溝槽314相交錯(cuò)。故，本實(shí)施例可以有效地避免熱熔液泄漏，且具有逃氣效果。
值得注意的是，本發(fā)明的技術(shù)特征應(yīng)用于電子元件的散熱模組，除了可應(yīng)用于諸如計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)等中央處理器和繪圖處理器等微電子元件的散熱模組外，更可以應(yīng)用到任何具有發(fā)熱元件的散熱模組。也就是說(shuō)，上述各實(shí)施例中的電子元件可以是構(gòu)裝微電子元件，或者任何一種發(fā)熱元件，例如用來(lái)設(shè)置LED燈的金屬芯基板(Metal Core PCB, MCPCB)。
另外，當(dāng)本發(fā)明特征應(yīng)用于具有導(dǎo)熱均溫板(Integrated Heat Spreader, IHS)的芯片單元時(shí)，則可將前述的溝槽特征改設(shè)置于芯片單元的導(dǎo)熱均溫板上。詳細(xì)實(shí)施例敘述如下
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5A及圖5B，其分別為本實(shí)施例散熱系統(tǒng)的示意圖及導(dǎo)熱均溫板的上表面示意圖。散熱系統(tǒng)40包括一芯片單元42及一散熱模組41 。
芯片單元42至少包括一基板423、 一芯片421及一導(dǎo)熱均溫板422。芯片421是疊置于基板423上。導(dǎo)熱均溫板422具有一上表面4221及一下表面4222，導(dǎo)熱均溫板422則設(shè)置于芯片421的上表面上，即導(dǎo)熱均溫板422的下表面4222貼合于芯片421的上表面，用以均勻傳導(dǎo)芯片421運(yùn)作時(shí)所發(fā)出的熱。而導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221則至少具有一溝槽4223。
在一較佳實(shí)施例中，芯片單元42為一中央處理單元(CPU)，具有多數(shù)個(gè)接腳424設(shè)置于基板423的下表面，以插接至一主機(jī)板，且借由一封裝結(jié)構(gòu)將芯片421封裝于基板423與導(dǎo)熱均溫板422之間。而導(dǎo)熱均溫板422則可由導(dǎo)熱性佳的金屬或其它材質(zhì)制作。
散熱模組40設(shè)置于導(dǎo)熱均溫板422上方，可使芯片單元42的熱，能快速地傳導(dǎo)至外界環(huán)境。散熱模組40包括一散熱器41及一相變化金屬熱界面箔片44。
相變化金屬熱界面箔片44設(shè)置于導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221與散熱器41的底面之間，作為芯片單元42與散熱器41間的熱界面材料。詳細(xì)地說(shuō)，相變化金屬熱界面箔片44的兩側(cè)面分別接觸于散熱器41的底面以及導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221，故芯片421所發(fā)出的熱是透過(guò)導(dǎo)熱均溫板422及相變化金屬熱界面箔片44傳導(dǎo)至散熱器41后，再傳導(dǎo)至外界環(huán)境。
當(dāng)芯片單元42運(yùn)作而發(fā)熱，相變化金屬熱界面箔片44受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至溝槽4223內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面。其中，本實(shí)施例的相變化金屬熱界面箔片44與前述實(shí)施例的相變化金屬熱界面箔片34具有相同的材質(zhì)特性，便不再贅述。
值得注意的是，上述的溝槽可為各種不同的凹槽型態(tài)，只要是任何可使上述相變化金屬熱界面箔片44的多余熱熔液流入的溝槽圖樣，皆屬本發(fā)明所涵蓋。另外，在溝槽的制作方法或具有溝槽的導(dǎo)熱均溫板422的制造方法部分，可利用CNC加工、放電加工、激光雕刻(雷雕)、沖壓或壓鑄等方法來(lái)制作。
在一較佳實(shí)施例中，形成于導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221的溝槽4223為一環(huán)狀溝槽4223，如圖5B所示。當(dāng)相變化金屬熱界面箔片44受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可于環(huán)狀溝槽4223內(nèi)均勻流動(dòng)，使得熱界面材料的分布更為平均。
當(dāng)導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221具有環(huán)狀溝槽4223時(shí)，相變化金屬熱界面箔片44的厚度便不須像公知技術(shù)般做得那么薄(愈薄，加工難度愈高)，因此
可降低制程難度及制造成本。
而且，在本發(fā)明中可針對(duì)不同厚度的相變化金屬熱界面箔片44，在導(dǎo)熱均 溫板422的上表面4221設(shè)置不同數(shù)目、寬度及深淺的溝槽。當(dāng)相變化金屬熱界 面箔片44受熱熔融時(shí)，多余的熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免熱熔液溢漏出熱界 面。
請(qǐng)參照?qǐng)D6A及圖6B，其分別為本發(fā)明導(dǎo)熱均溫板上表面的不同實(shí)施例， 且兩圖中顯示了環(huán)狀溝槽與相變化金屬熱界面箔片44的相關(guān)重疊位置。
如圖6A所示，環(huán)狀溝槽4223所圍繞的區(qū)域小于相變化金屬熱界面箔片44 的面積，當(dāng)相變化金屬熱界面箔片44受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至環(huán)狀溝槽 4223內(nèi)，以避免熱熔液向外泄漏的情形。此外，導(dǎo)熱均溫板上表面4221更包 括至少一條與環(huán)狀溝槽4223交錯(cuò)的逃氣溝槽4224，借著逃氣溝槽4224，相變 化金屬熱界面箔片44熔融液化后所形成的氣泡可經(jīng)由逃氣溝槽4224逸出。
如圖6B所示，導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221除了上述的環(huán)狀溝槽4223 外，更包括一外圍環(huán)狀溝槽4225，此外圍環(huán)狀溝槽4225所圍繞的區(qū)域大于相 變化金屬熱界面箔片44的面積，借此外圍環(huán)狀溝槽4225可作第二層的阻漏防 護(hù)。如圖所示，導(dǎo)熱均溫板422的上表面4221更包括多數(shù)條呈放射狀排列的逃 氣溝槽4224，每一條逃氣溝槽4224皆同時(shí)與環(huán)狀溝槽4223及外圍環(huán)狀溝槽 4225相交錯(cuò)。故，本實(shí)施例可以有效地避免熱熔液泄漏，且具有逃氣效果。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用上述實(shí)施例來(lái)限定本發(fā)明的構(gòu) 思。對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，當(dāng)可輕易了解并利用其它元件或方式來(lái)產(chǎn)生相 同的功效。因此，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包含在本 申請(qǐng)專利的保護(hù)范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，能夠使一電子元件運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境，其特征在于，該散熱模組包括一散熱器，設(shè)置于該電子元件上方，且該散熱器的底面至少具有一溝槽；以及一相變化金屬熱界面箔片，設(shè)置于該電子元件與該散熱器的底面之間，作為該電子元件與該散熱器間的熱界面材料，其中該相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至該溝槽內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面。
2. 如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在 于，該相變化金屬熱界面箔片為一低熔點(diǎn)合金箔片。
3. 如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在 于，該溝槽包括一環(huán)狀溝槽。
4. 如權(quán)利要求3所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在于，該散熱器的底面更包括至少一條與該環(huán)狀溝槽交錯(cuò)的逃氣溝槽。
5. 如權(quán)利要求3所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在 于，該環(huán)狀溝槽所圍繞的區(qū)域小于該相變化金屬熱界面箔片的面積。
6. 如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在 于，該散熱器的底面更包括一外圍環(huán)狀溝槽，該外圍環(huán)狀溝槽所圍繞的區(qū)域大 于該相變化金屬熱界面箔片的面積。
7. 如權(quán)利要求6所述的應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組，其特征在 于，該散熱器的底面更包括多數(shù)條呈放射狀排列的逃氣溝槽，每一該逃氣溝槽 皆同時(shí)與該環(huán)狀溝槽及該外圍環(huán)狀溝槽相交錯(cuò)。
8. —種散熱系統(tǒng)，包括 一芯片單元及一散熱模組，其中，該芯片單元包括一基板，一芯片，疊置于該基板上，以及一導(dǎo)熱均溫板，設(shè)置于該芯片的上表面上，用以均勻傳導(dǎo)該芯片運(yùn)作時(shí) 所發(fā)出的熱，且該導(dǎo)熱均溫板的上表面至少具有一溝槽；以及該散熱模組設(shè)置于該導(dǎo)熱均溫板上方，可使該芯片單元的熱，能快速傳導(dǎo) 至外界環(huán)境，該散熱模組包括-一散熱器，以及一相變化金屬熱界面箔片，設(shè)置于該導(dǎo)熱均溫板的上表面與該散熱器的底 面之間，作為該芯片單元與該散熱器間的熱界面材料，其中該相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至該溝槽內(nèi)， 以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面。
9. 如權(quán)利要求8所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該相變化金屬熱界面箔片 為一低烙點(diǎn)合金箔片。
10. 如權(quán)利要求8所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該芯片單元為一中央處理單元。
11. 如權(quán)利要求8所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該溝槽包括一環(huán)狀溝槽。
12. 如權(quán)利要求11所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該導(dǎo)熱均溫板的上表面 更包括至少一條與該環(huán)狀溝槽交錯(cuò)的逃氣溝槽。
13. 如權(quán)利要求ll所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該環(huán)狀溝槽所圍繞的區(qū) 域小于該相變化金屬熱界面箔片的面積。
14. 如權(quán)利要求13所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該導(dǎo)熱均溫板的上表面 更包括一外圍環(huán)狀溝槽，該外圍環(huán)狀溝槽所圍繞的區(qū)域大于該相變化金屬熱界 面箔片的面積。
15. 如權(quán)利要求14所述的散熱系統(tǒng)，其特征在于，該導(dǎo)熱均溫板的上表面 更包括多數(shù)條呈放射狀排列的逃氣溝槽，每一該逃氣溝槽皆同時(shí)與該環(huán)狀溝槽 及該外圍環(huán)狀溝槽相交錯(cuò)。
全文摘要
一種應(yīng)用相變化金屬熱界面箔片的散熱模組及散熱系統(tǒng)。所述散熱模組和散熱系統(tǒng)可使一電子元件運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱，能快速傳導(dǎo)至外界環(huán)境。此散熱模組包括一散熱器及一相變化金屬熱界面箔片(phase change metal thermalinterface material，TIM)。散熱器設(shè)置于電子元件上方，且散熱器的底面至少具有一溝槽。相變化金屬熱界面箔片設(shè)置于電子元件與散熱器的底面之間，作為電子元件與散熱器間的熱界面材料。其中，相變化金屬熱界面箔片受熱熔融時(shí)，部分熱熔液可流至溝槽內(nèi)，以避免多余的熱熔液溢漏出熱界面。
文檔編號(hào)H01L23/34GK101557697SQ200810092170
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日
發(fā)明者莊天賜, 林成全, 蕭復(fù)元 申請(qǐng)人:元瑞科技股份有限公司;蕭復(fù)元