專(zhuān)利名稱(chēng)：形成側(cè)墻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種形成側(cè)墻方法。
背景技術(shù)：
在l微米以下的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中 一般都會(huì)使用側(cè)墻的結(jié)構(gòu)，側(cè)墻一般用 來(lái)環(huán)繞多晶硅柵極，防止更大劑量的源/漏注入過(guò)于接近的溝道從而導(dǎo)致發(fā)生
源/漏穿通(punch through)。
現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)了 一種形成側(cè)墻的方法，參照?qǐng)D1給出形成側(cè)墻的方法的流 程示意圖，包括
第一步，在硅片表面生長(zhǎng)二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面 生長(zhǎng)氮化硅薄膜；第三步，側(cè)墻刻蝕；第四步，重復(fù)步驟二和三，分別進(jìn)行 第二次生長(zhǎng)氮化硅薄膜和第二次側(cè)墻刻蝕，直至獲得寬度為500 - 800埃的"D" 形狀的側(cè)墻。
在申請(qǐng)?zhí)枮?00610071764的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術(shù) 方案相關(guān)的信息。
在上述技術(shù)方案中，所述二氧化硅薄膜和第一次生長(zhǎng)的氮化硅薄膜構(gòu)成 第一側(cè)墻層，第二次生長(zhǎng)的氮化硅薄膜構(gòu)成第二側(cè)墻層，即在生長(zhǎng)第一側(cè)墻 層、第二側(cè)墻層后，每次進(jìn)行第一步刻蝕和第二步刻蝕， 一方面增加了工藝 步驟，同時(shí)不能很好的控制各步刻蝕的停止層以及刻蝕的最后剖面形狀。
現(xiàn)有技術(shù)還公開(kāi)一種形成側(cè)墻的技術(shù)方案，參照?qǐng)D2至3所示。首先參照 圖2,提供半導(dǎo)體襯底ll,所述半導(dǎo)體村底ll上形成有柵介質(zhì)層、柵極構(gòu)成的 柵極結(jié)構(gòu)12、形成于柵極結(jié)構(gòu)上和兩側(cè)的第一側(cè)墻層13和第二側(cè)墻層14,所述柵4及結(jié)構(gòu)12兩側(cè)的半導(dǎo)體底11中還形成有源/漏延伸區(qū)，在此為了筒化圖示，
未示出。所述第一側(cè)墻層13和第二側(cè)墻層14采用絕緣介質(zhì)材料制備，在實(shí)際 半導(dǎo)體工藝中所述第一側(cè)墻層13—般依次釆用氧化硅和氮化硅組成的復(fù)合層 (ON)，所述第二側(cè)墻層14一般采用氮化硅。
參照?qǐng)D3，對(duì)第二側(cè)墻層14和第一側(cè)墻層13進(jìn)行刻蝕，該刻蝕步驟包括兩 個(gè)步驟首先，采用第一刻蝕氣體進(jìn)行第一刻蝕，所述第一刻蝕氣體為CF4、 CHF3、 02和Ar,體積比為40:80:20:250,該步驟中主要刻蝕半導(dǎo)體襯底ll和柵 極結(jié)構(gòu)12上的第二側(cè)墻層14， 一般情況下，該步驟不會(huì)把導(dǎo)體襯底ll和柵極 結(jié)構(gòu)12上的第二側(cè)墻層14完全去除干凈，柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)的第二側(cè)墻層形成 "D"形狀；接著，采用第二刻蝕氣體進(jìn)行第二刻蝕，所述第二刻蝕氣體為 CH3F、 02和Ar,體積比為20:80:100。該第二刻蝕步驟中， 一方面要刻蝕第一 刻蝕步驟中的未去除到位的柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相接觸位置處的第 二側(cè)墻層14至預(yù)定尺寸，同時(shí)還要除去半導(dǎo)體襯底11和柵極結(jié)構(gòu)12上殘留的 第二側(cè)墻層14,直至去除部分第一側(cè)墻13中的氧化硅層并停留在第一側(cè)墻13 中的氧化硅層上，經(jīng)過(guò)第二刻蝕后，所迷第一側(cè)墻層13變成13a,第二側(cè)墻層 14變成14a。
但是，在上述技術(shù)方案中，進(jìn)行第二刻蝕的選擇比難以控制，無(wú)法既滿(mǎn) 足將柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相接觸位置處的第二側(cè)墻層14至預(yù)定尺 寸，還要除去半導(dǎo)體襯底11和柵極結(jié)構(gòu)12上殘留的第二側(cè)墻層14,直至停留 在第一側(cè)墻13中的氧化硅層上。實(shí)際刻蝕工藝中，通常會(huì)過(guò)刻蝕柵極結(jié)構(gòu)12 兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相接觸位置處的第 一側(cè)墻層13,如圖3中虛線(xiàn)框內(nèi)位置。
如圖4給出采用上述技術(shù)方案制備的側(cè)墻的電子掃描電鏡(SEM)測(cè)試結(jié) 果，在圖4中區(qū)域400內(nèi)出現(xiàn)過(guò)刻蝕現(xiàn)象，使得柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的覆蓋在半導(dǎo)體 襯底上第一側(cè)墻層局部變薄，這樣在后續(xù)形成源/漏極工藝中，會(huì)影響源/漏極 注入離子的深度，從而影響半導(dǎo)體器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種形成側(cè)墻的方法，避免現(xiàn)有技術(shù)的形成側(cè) 墻工藝中刻蝕不均勻?qū)е聳艠O結(jié)構(gòu)兩側(cè)的過(guò)刻蝕現(xiàn)象。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種形成側(cè)墻方法，包括如下步驟提供 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、形成于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及其 上的第一側(cè)墻層和第二側(cè)墻層，所述第一側(cè)墻層含有氮化硅層；刻蝕柵極結(jié) 構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處 的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸；去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層和 第一側(cè)墻層中的氮化>眭層。
可選地，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體包括 CF4與CHF3、 CHzF2或CH3F中的任一組合。
可選地，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體包括 CHF3與CF4，其流量范圍分別為65至100sccm和30至50sccm。
可選地，所述CHF3與CF4體積比為1.6至2.5。
可選地，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體還包 括Ar,所述Ar的流量范圍為50至70sccm。
可選地，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù) 定尺寸的氣體包括02和CHF3,其流量范圍分別為20至30sccm和110至 140sccm。
可選地，所述02和CHF3的體積比為1/4.6至1/5.5。 可選地，所述去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的刻蝕氣體 包括CH3F和02,其流量范圍分別為180至220sccm和100至150sccm。 可選地，所述CH3F和02的體積比為1.4至1.8。
可選地，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù) 定尺寸的氣體、或者去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層和第一側(cè)墻層中的氮化硅層的刻蝕氣體還包括He,所述He的流量范圍為150至 250sccm。
可選地，所述第一側(cè)墻層為氧化硅、氮化硅組成的復(fù)合層，所述第二側(cè) 墻層為氮化硅。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)將刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè) 與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸的刻蝕步驟與去除柵極結(jié)構(gòu)上 和半導(dǎo)體襯底上殘留的第二側(cè)墻層和第一側(cè)墻層中的氮化硅層步驟分開(kāi)進(jìn) 行，達(dá)到容易控制側(cè)墻形狀的目的。
同時(shí)，本技術(shù)方案通過(guò)在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層 步驟內(nèi)降低Ar的含量，可以減弱物理轟擊效果，從而很好的控制刻蝕后的最 終剖面。
本技術(shù)方案在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù) 定尺寸、以及去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層并暴露出第一側(cè) 墻層步驟中采用He代替現(xiàn)有技術(shù)的Ar，可以減弱物理轟擊效果，從而改善 刻蝕的選擇比達(dá)到最終控制刻蝕剖面圖的目的。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)的形成側(cè)墻的流程示意圖； 圖2至圖3是現(xiàn)有技術(shù)的形成側(cè)墻的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是釆用電子掃描顯微鏡測(cè)試現(xiàn)有技術(shù)形成的側(cè)墻的結(jié)果； 圖5是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式
的形成側(cè)墻的流程示意圖； 圖6至9是本發(fā)明的形成側(cè)墻的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖10是采用本發(fā)明的技術(shù)形成的側(cè)墻的電子掃描顯微鏡測(cè)試結(jié)果。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明通過(guò)將刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù) 定尺寸的刻蝕步驟與去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上殘留的第二側(cè)墻層和第 一側(cè)墻層中的氮化硅層步驟分開(kāi)進(jìn)行，達(dá)到容易控制側(cè)墻形狀的目的。
同時(shí)，本發(fā)明通過(guò)在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層步驟
內(nèi)降低Ar的含量，可以減弱物理轟擊效果，從而很好的控制刻蝕后的最終剖 面。
本發(fā)明在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺 寸、以及去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層并暴露出第一側(cè)墻層 步驟中采用He代替現(xiàn)有技術(shù)的Ar，可以減弱物理轟擊效果，從而改善刻蝕 的選擇比達(dá)到最終控制刻蝕剖面圖的目的。
本發(fā)明首先提供一種形成側(cè)墻的方法，如圖5所示，給出本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施方式
的形成側(cè)墻的流程示意圖，包括執(zhí)行步驟Sll,提供半導(dǎo)體襯 底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有4冊(cè)極結(jié)構(gòu)、形成于纟冊(cè)極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及其上的第一 側(cè)墻層和第二側(cè)墻層，所述第一側(cè)墻層中含有氮化硅層；執(zhí)行步驟S13,刻蝕 柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層；執(zhí)行步驟S15,刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè) 與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸；執(zhí)行步驟S17,去除柵極結(jié)構(gòu) 上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層并暴露出第一側(cè)墻層。
圖6至9給出本發(fā)明的形成側(cè)墻的結(jié)構(gòu)示意圖。首先參照?qǐng)D6,所述半導(dǎo) 體襯底11上形成有有柵介質(zhì)層、柵極構(gòu)成的柵極結(jié)構(gòu)12、形成于柵極結(jié)構(gòu)上 和兩側(cè)的第一側(cè)墻層13和第二側(cè)墻層14,所述第一側(cè)墻層13中含有氮化硅 層，所述柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)的半導(dǎo)體底11中還形成有源/漏延伸區(qū)，在此為了 簡(jiǎn)化圖示，未示出。
所述第一側(cè)墻層13和第二側(cè)墻層14采用絕緣介質(zhì)材料制備，在實(shí)際半 導(dǎo)體工藝中，所述第一側(cè)墻層13 —般依次釆用氧化硅和氮化硅組成的復(fù)合層 (ON )，所述第二側(cè)墻層14 一^:采用氮化硅。參照?qǐng)D7,對(duì)柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層14進(jìn)行第一刻蝕，
所述第一刻蝕的氣體包括CF4與CHF3、 CH2F2或CH3F中的任一組合。
作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施例，所述第一刻蝕的氣體包括CHF3與CF4, 其流量范圍分別為65至100sccm和30至50sccm,所述CHF3與CF4體積比 為1.6至2.5。 CHFs可以為70、 80、 90sccm,所述CF4對(duì)應(yīng)可以為35、 45、 48sccm。
所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體還包括Ar，所 述Ar的流量范圍為50至70sccm,可以為55、 60、 68sccm。
所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體還包括02，其 流量范圍為15至40sccm,可以為25、 30、 38sccm。第一刻蝕過(guò)程中，腔室 內(nèi)的氣壓為25至35mTorr ( lmTorr=133.3Pa)
作為本實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)施例，所述第一刻蝕的氣體為CF4、 CHF3、 02 和Ar,其流量范圍分別為45、 90、 38、 50、 68sccm。經(jīng)過(guò)該第一刻蝕后，去 除柵極結(jié)構(gòu)12上和半導(dǎo)體襯底11上的絕大部分的第二側(cè)墻層14,同時(shí)，在 刻蝕柵極結(jié)構(gòu)12上和半導(dǎo)體襯底11上的絕大部分的第二側(cè)墻層14的同時(shí)，
也去除柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)的第二側(cè)墻層14的部分，形成"LI"狀的第二側(cè)墻 層14a。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在第 一刻蝕的刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上 的第二側(cè)墻層過(guò)程中降低Ar的流量，可以減弱物理轟擊從而很好的控制刻蝕 后的最終剖面。
參照?qǐng)D8，在進(jìn)行第一刻蝕之后， 一般情況下，柵;f及結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯 底相交處的第二側(cè)墻層尺寸h —般仍然不符合要求，柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體 襯底相交處的第二側(cè)墻層的尺寸會(huì)影響后續(xù)離子注入的深度，因此需要對(duì)柵;歐結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層進(jìn)行第二刻蝕至預(yù)定尺寸。
所述第二刻蝕的氣體包括02和CHF3，其流量范圍分別為20至30sccm 和110至140sccm，所述02和CHF3的體積比為1/4.6至1/5.5。所述02的流 量可以為20、 25、 28sccm,所述CHF3的流量相應(yīng)可以為110、 125、 140sccm。
所述第二刻蝕的氣體還包括He,所述He的流量范圍為150至250sccm。 可以為180、 220、 230sccm。第二刻蝕中，腔室內(nèi)的氣壓為35至45mTorr。
作為本實(shí)施方式的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施例，所述第二刻蝕的氣體CHF3、 02、 He 的流量分別為25、 125、 200sccm。經(jīng)過(guò)第二刻蝕后，刻蝕4冊(cè);〖及結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半 導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸。
本發(fā)明在刻蝕柵極結(jié)構(gòu)12兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底11相交處的第二側(cè)墻層14 至預(yù)定尺寸中采用He代替現(xiàn)有技術(shù)的Ar,可以減弱物理轟擊效果，從而改 善刻蝕的選擇比達(dá)到最終控制刻蝕剖面圖的目的。
參照?qǐng)D9，由于在第一刻蝕中，未必能夠完全去除半導(dǎo)體襯底11上和柵 極結(jié)構(gòu)12上的第二側(cè)墻層14和第一側(cè)墻層13中的氮化硅層，因此需要進(jìn)行 刻蝕半導(dǎo)體村底上的第二側(cè)墻層和第 一側(cè)墻層中的氮化硅層的第三刻蝕步 驟。為了確保完全去除半導(dǎo)體襯底11和柵介質(zhì)層12上的第二側(cè)墻層和第一 側(cè)墻層中的氮化硅層，在該第三刻蝕中， 一直要刻蝕掉第一側(cè)墻層13中的氮 化硅層，并刻蝕掉第一側(cè)墻層13中的部分氧化硅層，經(jīng)過(guò)第三刻蝕后，第一 側(cè)墻層13變成第一側(cè)墻層13a。
所述第三刻蝕的氣體包括CH3F和02,其流量范圍分別為180至220sccm 和100至150sccm。所述CH3F和02的體積比為1.4至1.8。所述CH3F可以 為190、 200、 210sccm，相應(yīng)地，所述02可以為125、 135、 145 sccm。
所述第三刻蝕的氣體還包括He，其流量范圍為150至250 sccm。所述 He流量可以為180、200、230 sccm。第三刻蝕中，腔室內(nèi)的氣壓為35至45mTorr作為本實(shí)施方式的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施例，所述第三刻蝕的氣體CH3F、 02、 He 的流量分別為200、 125、 200sccm。經(jīng)過(guò)第三刻蝕后，去除半導(dǎo)體襯底11和 柵介質(zhì)層12上的第二側(cè)墻層14和第一側(cè)墻層13中的氮化硅層。
同樣，本發(fā)明在去除半導(dǎo)體襯底和柵;敗結(jié)構(gòu)12上的第二側(cè)墻層和第一側(cè) 墻層中的氮化硅層并暴露出第一側(cè)墻層13中的氧化硅層的步驟中釆用He代 替現(xiàn)有技術(shù)的Ar,可以減弱物理轟擊效果，從而改善刻蝕的選擇比達(dá)到最終 控制刻蝕剖面圖的目的。
在上述實(shí)施方式中，通過(guò)將刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第 二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸的刻蝕步驟與去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上殘留的第 二側(cè)墻層和第一側(cè)墻層中的氮化硅層的步驟分開(kāi)進(jìn)行，達(dá)到容易控制側(cè)墻形 狀的目的。
圖IO是采用本發(fā)明的技術(shù)形成的側(cè)墻的電子掃描顯微鏡(SEM)測(cè)試結(jié) 果。電子掃描顯微鏡(SEM)釆用美國(guó)應(yīng)用材料(Applied Materials Co. Ltd.) 公司的型號(hào)為Compass的電子掃描顯微鏡(SEM)。可以看出，圖10中柵極 結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)墻與半導(dǎo)體襯底上的第一側(cè)墻層相接觸處區(qū)域500內(nèi)沒(méi)有出現(xiàn) 過(guò)刻蝕，說(shuō)明本發(fā)明的刻蝕方法的有效性。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種形成側(cè)墻方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、形成于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及其上的第一側(cè)墻層和第二側(cè)墻層，所述第一側(cè)墻層含有氮化硅層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸；去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層和第一側(cè)墻層中的氮化硅層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上 和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體包括CF4與CHF3、 CHyF2或CH3F中 的任一組合。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上 和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體包括CHF3與CF4，其流量范圍分別為 65至100sccm和30至50sccm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述CHF3與CF4體 積比為1.6至2.5。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上 和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的氣體還包括Ar，所述Ar的流量范圍為50 至70sccm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩 側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸的氣體包括02和CHF3, 其流量范圍分別為20至30sccm和110至140sccm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述02和CHF3的體 積比為1/4.6至1/5.5。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層的刻蝕氣體包括CH3F和02,其流量范圍分 別為180至220sccm和100至150sccm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述CH3F和02的體 積比為1.4至1.8。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6或8所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述刻蝕柵極結(jié) 構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸的氣體、或者去除柵 極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層和第 一側(cè)墻層中的氮化硅層的刻蝕 氣體還包括He,所述He的流量范圍為150至250sccm。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的形成側(cè)墻方法，其特征在于，所述第 一側(cè)墻層為依次由氧化硅、氮化硅組成的復(fù)合層，所述第二側(cè)墻層為氮化 硅。
全文摘要
一種形成側(cè)墻方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)、形成于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)及其上的第一側(cè)墻層和第二側(cè)墻層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸；去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上的第二側(cè)墻層。本發(fā)明通過(guò)將刻蝕柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)與半導(dǎo)體襯底相交處的第二側(cè)墻層至預(yù)定尺寸的刻蝕步驟與去除柵極結(jié)構(gòu)上和半導(dǎo)體襯底上殘留的第二側(cè)墻層的步驟分開(kāi)進(jìn)行，達(dá)到容易控制側(cè)墻形狀的目的。
文檔編號(hào)H01L21/28GK101599429SQ200810114300
公開(kāi)日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2008年6月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月3日
發(fā)明者武 孫, 王新鵬, 韓寶東, 韓秋華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司