專利名稱：側(cè)墻形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種側(cè)墻形成方法。
背景技術(shù)：
金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包括柵極以及位于所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極，所述柵極下方的半導(dǎo)體襯底中形成有導(dǎo)電溝道，在所述柵極側(cè)壁形成有環(huán)繞柵極的側(cè)墻。所述側(cè)墻一方面可以保護(hù)柵極，另一方面可以防止大劑量的源極和漏極注入過于接近導(dǎo)電溝道，從而避免引起源漏之間導(dǎo)通；并且，所述側(cè)墻的輪廓還會影響后續(xù)形成的金屬硅化物的形狀。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)向更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展，柵極的尺寸越來越小， 柵極下方的半導(dǎo)體襯底中的導(dǎo)電溝道也越來越短，能夠減小源漏極漏電流的側(cè)墻顯得尤為重要，這也對側(cè)墻的制造工藝提出了更高的要求。在側(cè)墻的形成工藝中，如何形成輪廓和線寬都滿足要求的側(cè)墻是工藝人員不得不面臨的問題。請參考圖IA至圖1D，其為現(xiàn)有的側(cè)墻形成方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 參考圖IA所示，首先，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100上依次形成有柵氧化層 110和多晶硅層120。參考圖IB所示，接著，依次刻蝕所述多晶硅層120以及柵氧化層110，以形成柵極， 所述柵極由圖案化柵氧化層IlOa以及覆蓋所述圖案化柵氧化層IlOa的圖案化多晶硅層 120a組成。參考圖IC所示，接下來，形成第一介質(zhì)層140和第二介質(zhì)層150，所述第一介質(zhì)層 140覆蓋所述半導(dǎo)體襯底100和所述柵極，所述第二介質(zhì)層150覆蓋所述第一介質(zhì)層140。 一般的，所述第一介質(zhì)層140的材質(zhì)為氧化硅，所述第二介質(zhì)層150的材質(zhì)為氮化硅。參考圖ID所示，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100上以及所述柵極頂部的第二介質(zhì)層形成第二側(cè)墻150a，并刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100上以及所述柵極頂部的第一介質(zhì)層形成第一側(cè)墻140a，以在所述柵極側(cè)壁形成側(cè)墻，所述側(cè)墻由所述第一側(cè)墻140a和第二側(cè)墻150a組成。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，為了確保半導(dǎo)體襯底100上以及所述柵極頂部的第一介質(zhì)層140和第二介質(zhì)層150被完全去除，通常需要進(jìn)行一定程度的過刻蝕操作，這就導(dǎo)致所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層也會被部分去除，而由于刻蝕所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的刻蝕速率較快，極易導(dǎo)致所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層損失過多，使得形成的側(cè)墻的輪廓不符合工藝要求。這將導(dǎo)致在后續(xù)工藝過程中，所述側(cè)墻無法有效保護(hù)柵極，使得形成的半導(dǎo)體器件的漏電流過大；并且由于所述側(cè)墻的頂部被刻蝕掉，將導(dǎo)致后續(xù)形成的金屬硅化物為倒U型，影響半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種側(cè)墻形成方法，以解決現(xiàn)有的側(cè)墻形成方法形成的側(cè)墻的輪廓不好的問題，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種側(cè)墻形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有柵氧化層和多晶硅層；形成覆蓋所述多晶硅層的保護(hù)層薄膜， 并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層；依次刻蝕所述多晶硅層以及柵氧化層形成柵極；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和保護(hù)層以及柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層，并形成覆蓋所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底上以及所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第二介質(zhì)層，并刻蝕所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第一介質(zhì)層；去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層，以在所述柵極側(cè)壁形成側(cè)墻?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，所述保護(hù)層薄膜包括第一保護(hù)層薄膜以及覆蓋所述第一保護(hù)層薄膜的第二保護(hù)層薄膜?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，所述第一保護(hù)層薄膜的材質(zhì)為氧化硅，所述第一保護(hù)層薄膜的厚度為2G IGG人，所述第一保護(hù)層薄膜是利用氧化工藝形成，所述氧化工藝的溫度小于600攝氏度?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，所述第二保護(hù)層薄膜的材質(zhì)為多晶硅，所述第二保護(hù)層薄膜的厚度為;5G~1GGG人,所述第二保護(hù)層薄膜是利用化學(xué)氣相沉積工藝形成，所述化學(xué)氣相沉積工藝的溫度小于600攝氏度?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層的步驟包括刻蝕所述第二保護(hù)層薄膜形成第二保護(hù)層；以及刻蝕所述第一保護(hù)層薄膜形成第一保護(hù)層， 所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層構(gòu)成所述保護(hù)層。可選的，在所述側(cè)墻形成方法中，去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層的步驟包括干法去除所述第二保護(hù)層；以及濕法去除所述第一保護(hù)層以及所述半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層。可選的，在所述側(cè)墻形成方法中，形成所述保護(hù)層薄膜之前還包括利用離子注入方式在所述多晶硅層中摻入雜質(zhì)離子?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，形成所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之前還包括 利用離子注入方式在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜區(qū)?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，所述第一介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，所述第一介質(zhì)
層的厚度為50~1000人?？蛇x的，在所述側(cè)墻形成方法中，所述第二介質(zhì)層的材質(zhì)為氮化硅，所述第二介質(zhì)層的厚度為50~1000人。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的側(cè)墻形成方法具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在形成柵極之前，預(yù)先在多晶硅層上形成保護(hù)層薄膜并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層，因此在刻蝕所述保護(hù)層頂部的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層時(shí)，盡管由于過刻蝕操作，所述保護(hù)層側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層也會被去除，但是所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層則不會被刻蝕，可確保在所述柵極側(cè)壁形成輪廓良好的側(cè)墻，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。


圖IA至圖ID為現(xiàn)有的側(cè)墻形成方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的側(cè)墻形成方法的流程圖；圖3A至圖3H為本發(fā)明實(shí)施例所提供的側(cè)墻形成方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的核心思想在于，提供一種側(cè)墻形成方法，該側(cè)墻形成方法在形成柵極之前，預(yù)先在多晶硅層上形成保護(hù)層薄膜并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層，因此在刻蝕所述保護(hù)層頂部的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層時(shí)，盡管由于過刻蝕操作，所述保護(hù)層側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層也會被去除，但是所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層則不會被刻蝕，可確保在所述柵極側(cè)壁形成輪廓良好的側(cè)墻，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。請參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的側(cè)墻形成方法的流程圖，結(jié)合該圖，該方法包括以下步驟步驟S200，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有柵氧化層和多晶硅層；步驟S210，形成覆蓋所述多晶硅層的保護(hù)層薄膜，并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層；步驟S220，依次刻蝕所述多晶硅層以及柵氧化層形成柵極；步驟S230，形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和保護(hù)層以及柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層，并形成覆蓋所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；步驟S240，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底上以及所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第二介質(zhì)層，并刻蝕所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第一介質(zhì)層；步驟S250，去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層，以在所述柵極側(cè)壁形成側(cè)墻。下面將結(jié)合剖面示意圖對本發(fā)明的側(cè)墻形成方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠贡景l(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。參考圖3A所示，首先，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200上依次形成有柵氧化層210和多晶硅層220。所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)可以是單晶硅、多晶硅或非晶硅中的一種，所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)也可以是硅鍺化合物，所述半導(dǎo)體襯底200中還可以摻入N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在形成所述多晶硅層220之后，形成所述保護(hù)層薄膜之前，還包括利用離子注入的方式在所述多晶硅層220中摻入雜質(zhì)離子的步驟。以形成 NMOS器件為例，需要在所述多晶硅層220內(nèi)摻入N型雜質(zhì)離子，例如磷離子。參考圖;3B所示，接下來，形成覆蓋所述多晶硅層220的保護(hù)層薄膜沈0，所述保護(hù)層薄膜260包括第一保護(hù)層薄膜以及覆蓋所述第一保護(hù)層薄膜261的第二保護(hù)層薄膜 262。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一保護(hù)層薄膜的材質(zhì)為氧化硅，其厚度為 ^KlGG人。所述第一保護(hù)層薄膜261可利用氧化工藝形成，優(yōu)選的，所述氧化工藝的溫度小于600攝氏度，以防止由于高溫引起半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的雜質(zhì)離子向外擴(kuò)散。所述第二保護(hù)層薄膜沈2的材質(zhì)為多晶硅，其厚度為;5G~1GGG人,所述第二保護(hù)層薄膜262可利用化學(xué)氣相沉積工藝形成，優(yōu)選的，所述化學(xué)氣相沉積工藝的溫度小于600攝氏度，以防止由于高溫引起半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的雜質(zhì)離子向外擴(kuò)散。參考圖3C所示，接著，刻蝕所述保護(hù)層薄膜260形成保護(hù)層^K)a。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，刻蝕所述保護(hù)層薄膜260形成保護(hù)層^Oa的步驟包括兩個(gè)步驟首先，刻蝕所述第二保護(hù)層薄膜262形成第二保護(hù)層沈加；接著，刻蝕所述第一保護(hù)層薄膜261形成第一保護(hù)層261a，所述第一保護(hù)層^la和第二保護(hù)層沈加共同構(gòu)成保護(hù)層^K)a。參考圖3D所示，接下來，依次刻蝕所述多晶硅層220以及柵氧化層210，以形成柵極，所述柵極由圖案化柵氧化層210a以及覆蓋所述圖案化柵氧化層210a的圖案化多晶硅層220a組成。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在形成所述柵極之后，形成所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之前，還包括利用離子注入方式在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜區(qū) (LDD)的步驟。參考圖3E所示，接著，形成第一介質(zhì)層240和第二介質(zhì)層250，所述第一介質(zhì)層 240覆蓋所述半導(dǎo)體襯底200和保護(hù)層^Oa以及所述柵極側(cè)壁，所述第二介質(zhì)層250覆蓋所述第一介質(zhì)層對0。其中，所述第一介質(zhì)層240的材質(zhì)為氧化硅，所述第一介質(zhì)層240的厚度為50 1000人，所述第二介質(zhì)層WO的材質(zhì)為氮化硅，所述第二介質(zhì)層WO的厚度為 50 1000人。參考圖3F所示，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底200上以及所述保護(hù)層^Oa頂部的第二介質(zhì)層250，以形成第二側(cè)墻250a。為了確保保護(hù)層^Oa頂部的第二介質(zhì)層被完全去除，在此刻蝕步驟中，需要進(jìn)行過刻蝕操作，因此，所述保護(hù)層^Oa側(cè)壁的第二介質(zhì)層250也會被刻蝕掉。接著，刻蝕所述保護(hù)層260a頂部的第一介質(zhì)層M0，同樣，由于過刻蝕操作，所述保護(hù)層^Oa側(cè)壁的第一介質(zhì)層也會被去除。由于所述保護(hù)層^Oa的存在，可以較好的控制所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層不被刻蝕，從而確保在所述柵極側(cè)壁形成輪廓良好的側(cè)墻，以確保所述側(cè)墻可有效保護(hù)所述柵極，減小形成的半導(dǎo)體器件的漏電流，并可確保形成輪廓良好的金屬硅化物，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。需要說明的是，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在刻蝕所述保護(hù)層^Oa頂部的第一介質(zhì)層的過程中，可通過控制過刻蝕時(shí)間，使所述半導(dǎo)體襯底200上的第一介質(zhì)層240不會被
完全去除。
最后，去除所述保護(hù)層^Oa以及半導(dǎo)體襯底200上的第一介質(zhì)層，以在所述柵極側(cè)壁形成側(cè)墻。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，利用干法和濕法相結(jié)合的方式去除所述保護(hù)層^Oa和半導(dǎo)體襯底200上的第一介質(zhì)層。請參考圖3G所示，首先，利用干法刻蝕的方式去除所述第二保護(hù)層沈加。由于在此步驟中，所述半導(dǎo)體襯底200上仍覆蓋有第一介質(zhì)層，因此，干法刻蝕步驟使用的等離子體不會對半導(dǎo)體襯底200造成損傷；并且由于所述第一保護(hù)層^la和第二保護(hù)層沈加的材質(zhì)不同，可有效的監(jiān)測刻蝕終點(diǎn)。參考圖3H所示，接著，利用濕法腐蝕的方式，去除所述第一保護(hù)層^la以及所述半導(dǎo)體襯底200上的第一介質(zhì)層，以形成第一側(cè)墻240a，所述第一側(cè)墻MOa和第二側(cè)墻 250a共同組成側(cè)墻。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述側(cè)墻為ON(氧化硅-氮化硅)側(cè)墻。其中，所述濕法腐蝕所采用的溶液優(yōu)選為稀釋的氫氟酸溶液，所述稀釋的氫氟酸溶液對于多晶硅和氧化硅具有較高的刻蝕選擇比，因此幾乎不會腐蝕所述柵極。并且，由于所述第一保護(hù)層薄膜的厚度僅為2G IGO人,因此該濕法腐蝕步驟的時(shí)間非常短，從而確保所述第一側(cè)墻MOa的頂部幾乎不會被損傷。綜上所述，本發(fā)明提供一種側(cè)墻形成方法，該側(cè)墻形成方法提供一種側(cè)墻形成方法，該側(cè)墻形成方法在形成柵極之前，預(yù)先在多晶硅層上形成保護(hù)層薄膜并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層，因此在刻蝕所述保護(hù)層頂部的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層時(shí)，盡管所述保護(hù)層側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層也會被去除，但是所述柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層則不會被刻蝕，可確保在所述柵極側(cè)壁形成輪廓良好的側(cè)墻，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種側(cè)墻形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有柵氧化層和多晶硅層； 形成覆蓋所述多晶硅層的保護(hù)層薄膜，并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層； 依次刻蝕所述多晶硅層以及柵氧化層形成柵極；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和保護(hù)層以及柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層，并形成覆蓋所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底上以及所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第二介質(zhì)層，并刻蝕所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第一介質(zhì)層；去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層，以在柵極側(cè)壁形成側(cè)墻。
2.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層薄膜包括第一保護(hù)層薄膜以及覆蓋所述第一保護(hù)層薄膜的第二保護(hù)層薄膜。
3.如權(quán)利要求2所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層薄膜的材質(zhì)為氧化硅。
4.如權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層薄膜的厚度為20 100人。
5.如權(quán)利要求3所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一保護(hù)層薄膜是利用氧化工藝形成，所述氧化工藝的溫度小于600攝氏度。
6.如權(quán)利要求2所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層薄膜的材質(zhì)為多晶娃。
7.如權(quán)利要求6所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層薄膜的厚度為 50~1000人。
8.如權(quán)利要求6所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第二保護(hù)層薄膜是利用化學(xué)氣相沉積工藝形成，所述化學(xué)氣相沉積工藝的溫度小于600攝氏度。
9.如權(quán)利要求2所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層的步驟包括刻蝕所述第二保護(hù)層薄膜形成第二保護(hù)層；以及刻蝕所述第一保護(hù)層薄膜形成第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層和第二保護(hù)層構(gòu)成所述保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求9所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層的步驟包括干法去除所述第二保護(hù)層；以及濕法去除所述第一保護(hù)層以及所述半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層。
11.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，形成所述保護(hù)層薄膜之前還包括利用離子注入方式在所述多晶硅層中摻入雜質(zhì)離子。
12.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，形成所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層之前還包括利用離子注入方式在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成輕摻雜區(qū)。
13.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化娃。
14.如權(quán)利要求13所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為 50 1000人。
15.如權(quán)利要求1所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材質(zhì)為氮化娃。
16.如權(quán)利要求15所述的側(cè)墻形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的厚度為 50 1000人。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種側(cè)墻形成方法，該方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有柵氧化層和多晶硅層；形成覆蓋所述多晶硅層的保護(hù)層薄膜，并刻蝕所述保護(hù)層薄膜形成保護(hù)層；依次刻蝕所述多晶硅層以及柵氧化層形成柵極；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和保護(hù)層以及柵極側(cè)壁的第一介質(zhì)層，并形成覆蓋所述第一介質(zhì)層的第二介質(zhì)層；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底上以及所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第二介質(zhì)層，并刻蝕所述保護(hù)層頂部和側(cè)壁的第一介質(zhì)層；去除所述保護(hù)層和半導(dǎo)體襯底上的第一介質(zhì)層，以在柵極側(cè)壁形成側(cè)墻。本發(fā)明有利于在所述柵極側(cè)壁形成輪廓良好的側(cè)墻，提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。
文檔編號H01L21/28GK102270574SQ20101019249
公開日2011年12月7日 申請日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者張世謀, 韓秋華 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司