專利名稱：：鈮低價氧化物粉末的制作方法鈮低價氣化物粉末本申請是申請?zhí)枮?00410069899.9、申請日為2004年7月15曰、同題的發(fā)明專利申請的分案申請。本發(fā)明涉及鈮低價氣化物粉末，它適合于制造有鈮五氧化物絕緣材料層的電容器，涉及由此鈮低價氣化物粉末制造的電容器陽極，并涉及相應(yīng)的電容器.固體電解質(zhì)電容器有效電容器表面積很大，因此總體結(jié)構(gòu)小，適合于移動通訊所用的電子設(shè)備，是流行的電容器具有敷涂至相應(yīng)導(dǎo)電襯底上之鈮或鉭五氣化物絕緣層，它利用了這些化合物("閥門金屬，，)的穗定性、相對高的介電常數(shù)以及實際上該絕緣五氧化物層能通過電化學(xué)法以十分均勻的層厚度來加以制備的性質(zhì).所用襯底為該相應(yīng)五氧化物的金屬的或?qū)щ娦缘牡蛢r氣化物母體。此同時形成電容器電極(陽極)的襯底有髙度多孔的海綿狀結(jié)構(gòu)，它通過燒結(jié)已呈海綿狀的極細顆粒初級或次級構(gòu)造而產(chǎn)生.此襯底構(gòu)件表面被電解氧化("形成")以產(chǎn)生該五氣化物，該五氣化物層的厚度由電解氣化的最高電壓("形成電壓")確定。對電極是通過以熱轉(zhuǎn)換為二氣化錳的硝酸錳浸漬該海綿狀構(gòu)件而制得，或者以聚合物電解質(zhì)液體產(chǎn)物母體浸漬接著進行聚合而制得。借助于襯底構(gòu)件制造過程中燒結(jié)的鉭或鈮絲在一側(cè)上形成至電極的電連接，而在另一側(cè)上則形成金屬電容器殼層，它對該絲絕緣.電容器的電容C用下列公式來計算<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中F代表電容器的表面積，e為介電常數(shù)，d為每伏形成電壓的絕緣材料層的厚度，而W為形成電壓.由于對于鉭五氧化物或鈮五氣化物，介電常數(shù)s分別為27,6或41，而且每伏形成電壓的層厚度增長d為16.6或25A/V，所以兩種五氧化物的上迷系數(shù)s/d分別等于1,64或1.69,基于兩種五氣化物的電容器，由于陽極結(jié)構(gòu)的幾何形狀相同，因此具有相同的電容.與比重有關(guān)之電容的細微具體差別由Nb、NbO,和Ta的不同密度所引起.陽極構(gòu)件由Nb和NbO,制得，因此當使用時有節(jié)省重量的優(yōu)點，例如在移動電話中，其中每節(jié)省一克重量都是優(yōu)先考慮的亊，關(guān)于成本方面，NbO,比Nb更為可取，因為陽極構(gòu)件的某些體積由氣提供.EP1388870Al已披露，一種通過燒結(jié)分子式NbO,(x=0.8至1.2)之鈮低價氣化物粉末而制得的電極的電容器.在EP1388870Al中所述的鈮低價氧化物粉末尤其以0.5至2.5g/ml的流出密度為特征，而由此而制得的燒結(jié)體，則以特定的孔隙度為特征.此鈮低價氣化物粉末可含有眾多的其它元素，如Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Pr、Ti、Zr、Hf、V、Ta、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Al、C、Si以及無數(shù)的其它元素；這些元素可以50至200，000ppm的量加入，即最髙達至20重重X,EP1388870Al未公開某些屬于上述一組元素的存在是否有特別的好處以及特定的元素應(yīng)以什么量存在.電容器的一個重要品質(zhì)特性是漏電流，即五氣化物絕緣層的剩余電流磁導(dǎo)率，它應(yīng)盡可能低以避免損耗.雜質(zhì)如Fe、Cr、Li、械金屬、卣素、碳等對剩余電流尤其有有害的影響.在基于鈮低價氣化物的電容器中，這些雜質(zhì)即使?jié)舛葮O低仍會明顯地對剩余電流產(chǎn)生有害的影響.如果借助標準冶金法來制備鈮低價氧化物，那么就要在提高的溫度于非氣化的而最好為還原的氣氛中，以金屬鈮處理高度氣化的鈮(Nb』0，以便平衡氣的濃度.在氧擴散進入初始金屬顆粒的過程中，較小原子半徑的金屬雜質(zhì)顯然積集在該顆粒的表面層上，因為它們進行所要求的位置交換反應(yīng)比鈮原子更快.在陽極結(jié)構(gòu)形成后，它們于是可作為缺陷獲得，尤其在絕緣層之中.但是，雜質(zhì)遷移至表面并非對稱，而寧可說是易變的，例如取決于此任意的鄰近顆粒是否恰好為該氧交換中的氣給與或氣接受顆粒.這樣便引致與剩余電流峰值增加有關(guān)的雜質(zhì)濃度的波動.本發(fā)明的目的之一是降低基于鈮低價氧化物陽極之電容器中的剩余電流.本發(fā)明又一目的是減少成批制造電容器所引起的剩余電流波動.本發(fā)明再一個目的是提供鈮低價氣化物粉末，就供電容器制造的初級和次級構(gòu)件而論它是有利的.現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)，通過以鈸、鎢及/或鉬摻雜鈮低價氧化物，對由此按照上述特性制得之電容器的剩余電流可能有有利的影響.加入晶格中的摻雜元素顯然形成破壞性雜質(zhì)的陷阱，即在于鈮低價氣化物晶格結(jié)構(gòu)中形成缺陷之摻雜元素的周困，雜質(zhì)能以這樣一種方式結(jié)合，使得它們對剩余電流的影響被抵消，例如根據(jù)上面提出的假設(shè)不在顆粒的表面上積集.本發(fā)明涉及鈮低價氣化物粉末，含有100至600ppm鎂及/或50至400pp迅鉬及/或鵠.以含有100至600ppm鎂和50至400ppm鉬及/或鵠的鈮低價氣化物粉末為優(yōu)選.鎂的含量尤其優(yōu)選地為150至400ppm,而鉬及/或鎢的含量尤其優(yōu)選地為60至250ppm,鉬優(yōu)于鵠，特別是同鎂結(jié)合.合適的鈮低價氣化物是分子式NbO,的氣化物，式中x在0.7和1.3之間，按重量計相當于氣含重在IO.8和18.3X之間；x在l和1.033之間，相當于按重量計氣含量為14.7至15.1%是可取的.尤以稍髙于x-l化學(xué)計量組成的氣含量為優(yōu)選.除了標準摻雜物如氮和碑之外，另外的雜質(zhì)含量應(yīng)盡可能低.鉭含量或合金成分是無害的，如果它們按照分子式(Nb、Ta)O,代替鈮.特別優(yōu)選的鈮低價氣化物粉末，在所有情況下，具有小于15ppm的Fe、Cr、Ni、Cu、械金屬以及象化物和氣化物含量.此外，這些含量的總和最好小于35ppm,本發(fā)明鈮低價氣化物粉末的壤含量優(yōu)選地應(yīng)小于40ppm,氮含量為10至500ppm是有利的.在本發(fā)明鈮低價氣化物粉末中砩含量一般是有害的.在鈮和鉭金屬粉末中，辨用來降低次級構(gòu)件和陽極構(gòu)件制造過程中的燒結(jié)活度.但是在大多數(shù)情況下，通常不希望降低本發(fā)明粉末的燒結(jié)活度，根據(jù)本發(fā)明，以小于10ppm磷含量為宜.如適當在陽極構(gòu)件燒結(jié)前此粉末可以碑酸、褲酸氬銨或辨酸銨加以處理，而且，盡管不太重要的雜質(zhì)，包括A1、B、Ca、Mn和Ti，優(yōu)選地為小于10ppm，并且最好Si的含量不到20ppm.本發(fā)明鈮低價氧化物粉末，優(yōu)選地包括燒結(jié)的初級顆粒，具有0.3至1.5pm的平均截面尺寸，尤其優(yōu)選地為在O.4和1nm之間.此初級顆?？沙市≈?、薄片、細絲或其它形狀。重要的是最小截面尺寸(如果形狀不是岡的)處在O.3和1.5p邁的范圍內(nèi).此初級顆粒燒結(jié)塊最好具有按照ASTMB822("Mastersizer"，濕潤刑Daxadll)所確定的顆粒粒度分布，它借助50至100|im的D10值、150至200jn邁的D50值和250至350nm的D90值明確表示，此海綿狀燒結(jié)塊具有圃至橢圃截面以及小于60秒/25g的好的流動特性(根據(jù)Hall，ASTMB213).其整體密度(根據(jù)Scoff,ASrMB329)在0.9和1.2g/cm3(14.8至19.7g/inch3)之間.其比表面積(BET，ASTMD3663)在0.85和2.5mVg之間，尤其優(yōu)逸地在1和1.5m2/g之間.圖1給出這類包括燒結(jié)球形初級顆粒之優(yōu)選粉末的SEM成像.優(yōu)選鈮低價氣化物粉末極好的壓制和燒結(jié)特性，也來自其燒結(jié)跨接的穩(wěn)定性，它們可在燒結(jié)過程中借助溫度來建立，這樣的一種辦法是使燒結(jié)塊于超聲浴中處理后改變顆粒粒度的分布.在把優(yōu)選的燒結(jié)塊于超聲浴中處理15分鐘后，一秤雙峰顆粒粒度分布便形成，一方面在2和10pm之間有一明顯的頻率最大值(副最大值)，而另一方面則在90和200lam之間(主最大值)，D10值(Mastersizer，ASTMB822)在1.5和3.0nm之間，D50值在20和60^m之間以及D90值在70和130jim之間，本發(fā)明的優(yōu)選粉末，借助汞注入確定，具有按體積為50至65X的孔咪度，尤其優(yōu)選地為53至60體積5t.大于9094的孔咪體積由直徑在0.2和3pm之間的孔隙構(gòu)成.相對于孔隙直徑繪制的寬孔隙體積分布曲線有陡的側(cè)面，在兩倍于初級顆粒直徑區(qū)內(nèi)有一最小值.圖2給出圖1所示粉末的這類孔隙大小分布曲線，孔隙虧損在1.1至1.2pin的范圍.本發(fā)明優(yōu)選鈮低價氣化物粉末允許使用標準方法來制備剩余電流小于0.2nA/^FV的電容器.可使剩余電流達到低至0.03nA/(iiFV.因此，本發(fā)明還涉及具有鈮低價氣化物陽極和鈮五氣化物絕緣層的電容器，它們有小于O.2nA/inFV的剩余電流，鈮低價氣化物摻雜有鎂、鉬及/或鎢.本發(fā)明電容器的優(yōu)選特性相當于上述鈮低價氣化物粉末的優(yōu)選特性.本發(fā)明電容器有50，000至200,000^FV/g的比電容，優(yōu)選地為70,000至150，000|iFV/g.此電容器可制備如下圍繞插入壓模中的鈮或鉭絲、將粉末壓實至2.3至3.5g/co^的壓實密度，以形成粉末預(yù)型.得到有很好壓制強度的模壓件.例如，對使用301mg稱入重鈮低價氣化物粉末的直徑5.2mm和高5.2m邁圃筒形模壓件(沒有連接絲)，在壓實至2.8g/cm3密度后所進行的標準化測量結(jié)杲在施加0.5至1kg重量下是穗定的.然后，最好于鈮或鉭舟中在10_'bar高真空下，在1100至1500XM吏含有連接絲的模壓件燒結(jié)，維持燒結(jié)時間15至25分鐘，優(yōu)選地約為20分鐘.燒結(jié)溫度按這樣一種方式加以選擇，使得此電容器的表面積仍為對該粉末所測得之比表面積的65至4554，它可其后由電容加以計算.最佳燒結(jié)溫度和燒結(jié)維持時間，可通過燒結(jié)上述模壓件以確定其壓制強度而求出.燒結(jié)溫度和時間最好用這樣一種方式來選擇，以使這種模壓件能夠經(jīng)受8至18kg的施加負荷.在現(xiàn)在的公開內(nèi)容里，剩余電流和電容用下列的方法來測定于包括0.1重量X濃度H3P04的電解質(zhì)水溶液中，在851C和高達30V形成電壓的150mA/g形成電流以及經(jīng)過愈120分鐘的最終形成時間(實際上無電流)，形成燒結(jié)陽極裝置.通過將電容器浸入包括18重量X濃度H2S04的電解質(zhì)水溶液中，在溫度251C和70%形成電壓的AC電壓(21V)及120Hz，附加偏壓10V，在3分鐘的充電時間后測黃其電容和剩余電流.本發(fā)明粉末可使用標準方法來生產(chǎn).標準冶金反應(yīng)和合金化加工是優(yōu)選的，據(jù)此，如同現(xiàn)在的情況，平均氣化物含量由將髙度氣化產(chǎn)物母體或非氣化產(chǎn)物母體暴露于非氣化、最好為還原的氣氛中，達到氣濃度平衡出現(xiàn)的溫度來確定，除了這種固態(tài)擴散法外的方法是可以想像的，不過它們要求監(jiān)控操作，從技術(shù)角度看這些以可接受的成本幾乎難于對付.因此，根據(jù)本發(fā)明，最好利用高純度可從商業(yè)途徑得到的鈮五氧化物，并按化學(xué)計量使之同高純度鈮金屬混合，兩者均呈粉末態(tài)，接著在800至1600TC的溫度，于Ih氣氛中處理若干小時.最好此五氣化物和金屬具有初級顆粒粒度，它們在氣平衡后相當于所希望的低于或稍高于lpm(最小值)截面尺寸的初級顆粒粒度.根據(jù)本發(fā)明，最晚在氣化物成分和金屬成分間的氣交換之前或過程中，尤其優(yōu)選地為之前，以鎂、鉬及/或鵠來進行摻雜是可取的.為避免污染，所有反應(yīng)器和容器，諸如坩堝、舟、篩條、網(wǎng)眼等，它們在升高的溫度與鈮或鈮氣化物接觸，優(yōu)選由鈮或鉭制成，或優(yōu)選襯以鈮或鉭.同鈮五氣化物氣交換所要求的鈮金屬，最好通過還原高純度鈮五氣化物以形成金屬來制得.這可借助燃燒Nb205/Al混合物并洗去形成的鋁氣化物由鋁加熱方法實現(xiàn)，然后用電子束純化該鈮金屬錠，在還原和電子束熔煉后所得到的鈮金屬，可按已知的方法使用氬來脆化并磨細，產(chǎn)生薄片狀的粉末.既然是這樣，通過把摻雜金屬加入該熔融料中摻雜就能便利地進行.制造鈮金屬的優(yōu)選方法遵循WO00/67936Al的公開內(nèi)容。根據(jù)這一優(yōu)選的兩級方法，首先在IOOO至1600TC,最好為高于1400TC,用氫使髙純度鈮五氣化物粉末還原，以形成約有分子式Nb(h的鈮二氣化物，然后在900至IIOOTC用鎂蒸氣來還原至金屬.用酸將此過程中形成的鎂氧化物洗去.為了與本發(fā)明相一致的充分的鎂摻雜，根據(jù)WO00/67936Al所述，省去最后的酸洗通常便足夠.但是，在氧交換反應(yīng)之前，優(yōu)選地將MgO加至該金屬成分及/或氣化物成分中是可取的.對于鉬及/或鎢摻雜，在還原該五氣化物以形成金屬之前，可方便地在鉬酸及/或鎢酸溶液中進行浸清.本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易熟悉另外的摻雜選擇，例如，可把Mo03及/和W03粉末加至鈮五氣化物粉末或鈮二氣化物粉末.以Mg和以Mo/W的摻雜，或者以Mg和Mo及/或W的優(yōu)選混合摻雜，Mo優(yōu)于W，尤其優(yōu)逸地早在制備鈮五氣化物過程中便進行，例如通過把相應(yīng)的摻雜物，最好為氧化物，加至Nb(OH)s，它借助用一種本身已知的方法加熱而轉(zhuǎn)化為鈮五氣化物。實施例1至9起始材料為鈮五氣化物粉末，通過煅燒自H2NbF7溶液中用氨水溶液沉淀所獲得之鈮氫氧化物來制備，其化學(xué)分析如下AI<1ppmAs<1ppmCa<1pp邁CI<3ppmCo<0,1ppmCr<0.3ppmCu0.4ppmF51ppmFe<1ppmK<0.5ppmMg<1ppmMo<0.3ppmNa2ppmNi<:0,2ppmSi8ppmTa<10ppmTi<1ppmV<1ppmW<0.5ppmZr<0.5ppm,此處，"<"符號用于分析值，濃度讀數(shù)在所有情況下均表示分析方法的檢測限度，或者基于分析精確度可把含量表示為低于檢測限度。粉末燒結(jié)塊包括燒結(jié)很均勻的圃形初級顆粒，有0.6pm的平均直徑.BET比表面積是2.4m7g.97.5重量X燒結(jié)塊小于300一(篩分分析).在所有情況下，通過加入MgO粉末、Mo(h粉末及/或W(h粉末使一定量該粉末同下面表1中所給出之數(shù)量(pp姐)Mg、Mo及/或W摻雜，接著再在空氣中煅燒。表l:<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>首先，在氫氣氛下在1380X3通過煅燒使每種粉末1至9的一部分還原以形成Nb(h.然后將此Nb(h放在鈮絲篩孔上，在它下面的由鈮金屬制成的容器中是約1.4倍化學(xué)計量的鎂小片，基于NM)2的氧含量。接著在約1050毫巴壓力下，在氬氣氛中加熱至970"C.6個小時后，在所有情況下，通過逐漸引入空氣使溫度慢慢冷卻，以達鈍化的目的。在通過有300艸寬度篩孔的篩子篩分后，用8重量X濃度疏酸反復(fù)瀝濾該粉末，洗涂并干燥以便除去所形成的MgO.此金屬粉末的表面非常凹凸不平.視批料的不同，其比表面積為4.5至5旭7g，有僅稍小的0.45至0.55pm初級結(jié)構(gòu)尺寸.按3:1摩爾比將每種金屬粉末同起始鈮五氧化物混合，以這樣的量使得該混合物的組成正式相當于分子式NbO.在1050毫巴的氬氣氛中，慢慢把該每種混合物加熱至14001C4個小時，使之慢慢冷卻并鈍化，所得到的NbO具有表2所示的摻雜元素舍量.掃描電子顯微鏡所確定的此初級顆粒的直徑為0.5至0.65pm.其D10值為50至70fim，D50值為170至190pia，以及D90值為270至295nm.其比表面積在1和1.15mVg之間.表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>圍繞放入壓模中的鉭絲，由此粉末壓制出直徑3.6咖和長度同樣3.6咖的陽極，在2.8g/cW模壓密度下，厚度為0.3mm,接著在高真空下在14601C進行燒結(jié)20分鐘.于包括O.l重量劣濃度褲酸的電解質(zhì)中，在85X:和小于30V形成電壓時的150mA/g形成電流下，制成陽極，在電流減弱后保持電壓2個小時。通過上述制備并配有鈮五氣化物絕緣層之陽極體的電容和剩余電流，借助由18重重X濃度疏酸在25TC所模擬的對電極來測量。測量在電壓21V(70%形成電壓)、頻率120Hz和偏壓10V充電3分鐘后進行。測量結(jié)果編制于表3.表3<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>權(quán)利要求1.鈮低價氧化物粉末，借助汞注入確定，具有按體積為50％-65％的孔隙度。2.權(quán)利要求1的鈮低價氧化物粉末，其中大于90%的孔隙體積由直徑在0.2和3pm之間的孔隙構(gòu)成。3.權(quán)利要求1的鈮低價氧化物粉末，其含有100至600ppm的鎂。4.權(quán)利要求1的鈮低價氧化物粉末，其含有50至400ppm的鉬和/或鎢。5.權(quán)利要求1的鈮低價氧化物粉末，其含有100至600ppm的鎂和50至400ppm的鉬和/或鴒。6.權(quán)利要求1至5之任一項的鈮低價氧化物粉末，其中鎂含量為150至400ppm。7.權(quán)利要求1至5之任一項的鈮低價氧化物粉末，其中鉬含量為60至250ppm。8.權(quán)利要求1至7之任一項的鈮低價氧化物粉末，其中Fe、Cr、Ni、Cu、堿金屬以及氟化物和氯化物含量在各情況下都小于15ppm。9.權(quán)利要求8的鈮低價氧化物粉末，其中Fe、Cr、Ni、Cu、堿金屬以及氟化物和氯化物的總量小于35ppm。10.權(quán)利要求1至9之任一項的鈮低價氧化物粉末，其碳含量小于40ppm。11.權(quán)利要求1至9之任一項的鈮低價氧化物粉末，其氮含量為10至500ppm。12.權(quán)利要求1至9之任一項的鈮低價氧化物粉末，其平均組成為NbOx,此處0.7〈x〈1.3。13.權(quán)利要求1至12之任一項的鈮低價氧化物粉末，其包括直徑為0.3至1.5ym的聚結(jié)初級顆粒。14.由權(quán)利要求1至13之4壬一項的粉末燒結(jié)成的鈮低價氧化物陽極。15.包括權(quán)利要求14的鈮^f氐價氧化物陽極和鈮的五氧化物絕緣層的固體電解質(zhì)電容器。全文摘要含有100至600ppm鎂及/或50至400ppm鉬及/或鎢的鈮低價氧化物粉末，它適合于制造具有鈮五氧化物絕緣材料層的電容器、由此鈮低價氧化物粉末制得的電容器陽極以及相應(yīng)的電容器。文檔編號H01GGK101407338SQ20081017502公開日2009年4月15日申請日期2004年7月15日優(yōu)先權(quán)日2003年7月15日發(fā)明者C·施尼特,O·托馬斯申請人:H.C.施塔克股份有限公司