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      全壓接快速散熱型陶瓷外殼的制作方法

      文檔序號:6908744閱讀:181來源:國知局
      專利名稱:全壓接快速散熱型陶瓷外殼的制作方法
      技術(shù)領域
      本實用新型涉及一種陶瓷管殼,尤其是涉及一種全壓接快速散熱型陶 瓷外殼。特別適合用于間隙式工作的半導體器件的封裝外殼。屬于電力電 子技術(shù)領域。
      背景技術(shù)
      電力電子技術(shù)是一個以功率半導體器件、電子線路技術(shù)、計算機技術(shù)、 現(xiàn)代控制技術(shù)為支撐技術(shù)平臺。是電力電子技術(shù)(強電和弱點技術(shù))的融 合。目前電力電子技術(shù)的研究正從基礎創(chuàng)新向產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)換,推出了諸多科 研成果。電力電子器件作為電力電子裝置的核心器件,應用領域十分廣泛, 特別是在建設資源節(jié)約型社會的過程中發(fā)揮出越來越大的作用。傳統(tǒng)電力 電子器件由芯片、外殼、散熱器組成。對于在特定工作條件下,電力電子 器件經(jīng)常處于瞬間工作和間隙式工作狀態(tài),它需要器件具有短時工作,快 速散熱的功能。外接散熱器不僅不能滿足器件快速散熱的要求,而且浪費 資料,大幅增加器件體積。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實用新型的目的在于針對間隙式工作器件的特點,提供一種可以使 器件無需另外加裝散熱器而直接工作的全壓接快速散熱型陶瓷外殼。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的 一種全壓接快速散熱型陶瓷外殼, 包括底座和管蓋。
      所述底座包括大陽法蘭、瓷環(huán)、小陽法蘭、陽極電極、芯片定位環(huán)和 引線管,所述小陽法蘭同心焊接在陽極電極的外緣中間,芯片定位環(huán)同心 焊接在陽極電極的外緣上部,大陽法蘭、瓷環(huán)和小陽法蘭自上至下疊合同 心焊接,引線管穿接于瓷環(huán)的殼壁上,
      所述管蓋包括陰極電極和陰極法蘭,所述陰極法蘭同心焊接在陰極電 極的外緣,
      其特征在于
      所述陽極電極的下端面均布有若干陽極散熱槽; 所述陰極電極的上端面均布有若干陰極散熱槽。
      本實用新型具有不需外接散熱器,通過全壓接的緊密接觸,電極散熱 槽自行散熱實現(xiàn)快速散熱的特點。因此特別適合間隙式工作器件的封裝。

      圖1為本實用新型的總體結(jié)構(gòu)示意圖。
      圖2為本實用新型的底座俯視圖。
      圖3為圖2的A-A剖示圖。
      圖4為本實用新型的管蓋俯視圖。
      圖5為圖4的B-B剖示圖。
      圖中大陽法蘭l、瓷環(huán)2、小陽法蘭3、陽極電極4、陽極散熱槽5、 芯片定位環(huán)6、引線管7、陰極電極8、陰極散熱槽9、陰極法蘭IO。
      具體實施方式

      參見圖1,本實用新型涉及的全壓接快速散熱型陶瓷外殼,由底座和 管蓋兩部分組成。
      參見圖2~3,所述底座主要由大陽法蘭l、瓷環(huán)2、小陽法蘭3、陽極 電極4、芯片定位環(huán)6和引線管7組成。小陽法蘭3同心焊接在陽極電極4 的外緣中間,芯片定位環(huán)6同心焊接在陽極電極4的外緣上部,大陽法蘭 1、瓷環(huán)2和小陽法蘭3自上至下疊合同心焊接,引線管7穿接于瓷環(huán)2的 殼壁上。所述陽極電極4的下端面均布有若干陽極散熱槽5。
      參見圖4~5,所述管蓋主要由陰極電極8和陰極法蘭10組成。陰極法 蘭10同心焊接在陰極電極8的外緣,所述陰極電極8的上端面均布有若干 陰極散熱槽9。
      所述陽極散熱槽5和陰極散熱槽9,槽的深度和數(shù)量可根據(jù)器件的散 熱要求而設計。增加槽的深度和數(shù)量可以增加散熱效果。
      所述芯片定位環(huán)6可以準確定位芯片、鉬片和陽極電極4之間的同心 度,實現(xiàn)全壓接的工藝要求。
      所述陽極電極4和陰極電極8采用雙面研磨工藝使電極表面具有很高 的平整度和粗糙度,平整度S0.005mm,粗糙度Ra^).8p。為芯片的全壓接 封裝提供可靠保證。
      以上各部件之間采用銀銅焊料,在真空爐或氫氣爐中一次性高溫焊接 而成。具有很高的拉力強度和氣密性。拉力強度^5KN/cm2,氣密性 £lxl(T9Pam3/S。使用時,管蓋和底座上下同心疊合,芯片置于瓷環(huán)內(nèi)腔、陰極電極和 陽極電極中間,管蓋和底座之間通過真空封裝來為芯片提供保護,實現(xiàn)器 件功能。
      權(quán)利要求1、一種全壓接快速散熱型陶瓷外殼,包括底座和管蓋,所述底座包括大陽法蘭(1)、瓷環(huán)(2)、小陽法蘭(3)、陽極電極(4)、芯片定位環(huán)(6)和引線管(7),所述小陽法蘭(3)同心焊接在陽極電極(4)的外緣中間,芯片定位環(huán)(6)同心焊接在陽極電極(4)的外緣上部,大陽法蘭(1)、瓷環(huán)(2)和小陽法蘭(3)自上至下疊合同心焊接,引線管(7)穿接于瓷環(huán)(2)的殼壁上,所述管蓋包括陰極電極(8)和陰極法蘭(10),所述陰極法蘭(10)同心焊接在陰極電極(8)的外緣,其特征在于所述陽極電極(4)的下端面均布有若干陽極散熱槽(5);所述陰極電極(8)的上端面均布有若干陰極散熱槽(9)。
      專利摘要本實用新型涉及一種全壓接快速散熱型陶瓷外殼,適合用于間隙式工作的半導體器件的封裝外殼。包括底座和管蓋,所述底座包括大陽法蘭(1)、瓷環(huán)(2)、小陽法蘭(3)、陽極電極(4)、芯片定位環(huán)(6)和引線管(7),所述管蓋包括陰極電極(8)和陰極法蘭(10),其特征在于所述陽極電極(4)的下端面均布有若干陽極散熱槽(5);所述陰極電極(8)的上端面均布有若干陰極散熱槽(9)。本實用新型具有不需外接散熱器,通過全壓接的緊密接觸,電極散熱槽自行散熱實現(xiàn)快速散熱的特點。因此特別適合間隙式工作器件的封裝。
      文檔編號H01L23/04GK201146179SQ20082003676
      公開日2008年11月5日 申請日期2008年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月13日
      發(fā)明者徐宏偉, 耿建標, 陳國賢 申請人:江陰市賽英電子有限公司
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