專利名稱：：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及切割/芯片接合薄膜(dicing/diebondingfilm)及其制造方法，更具體而言，涉及半導(dǎo)體裝置制造中使用的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。
背景技術(shù)：
：為了應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體裝置微細(xì)化、高功能化的要求，半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)主面的整個(gè)區(qū)域上設(shè)置的電源線的布線寬度和信號(hào)線間的間隔逐漸變窄。因此，產(chǎn)生阻抗的增加和異種節(jié)點(diǎn)的信號(hào)線間的信號(hào)干涉，在半導(dǎo)體芯片的工作速度、工作電壓裕度、耐靜電破壞強(qiáng)度等方面，成為阻礙發(fā)揮充分性能的因素。為了解決這些問(wèn)題，提出了將半導(dǎo)體元件層壓的封裝結(jié)構(gòu)(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2)。另一方面，作為在襯底等上固定半導(dǎo)體元件時(shí)使用的材料，提出了使用熱固性樹(shù)脂漿的例子(例如，參照下述專利文獻(xiàn)3)、和使用將熱塑性樹(shù)脂和熱固性樹(shù)脂組合使用的膠粘片的例子(例如，參照下述專利文獻(xiàn)4和專利文獻(xiàn)5)。另外，以往的半導(dǎo)體裝置制造方法中，在將半導(dǎo)體元件與襯底、引線框或半導(dǎo)體元件粘合時(shí)，使用膠粘片或膠粘劑。粘合是在將半導(dǎo)體元件與襯底等壓接后(芯片粘接)，通過(guò)加熱工序使膠粘片等固化而進(jìn)行。在此，壓接于襯底等上的半導(dǎo)體元件，為了與該襯底等電連接而進(jìn)行絲焊工序。然后，用密封樹(shù)脂將半導(dǎo)體元件等塑封，后固化后進(jìn)行該密封樹(shù)脂的密封(例如，參照下述專利文獻(xiàn)4和專利文獻(xiàn)5)。進(jìn)行所述絲焊時(shí)，襯底等上的半導(dǎo)體元件由于超聲波振動(dòng)或加熱而移動(dòng)。因此，目前，需要在絲焊前進(jìn)行加熱工序，使熱固性樹(shù)脂漿或熱固性膠粘片加熱固化，固定半導(dǎo)體元件使其不移動(dòng)。另外，對(duì)于由熱塑性樹(shù)脂構(gòu)成的膠粘片或組合使用熱固性樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂的膠粘片，為了確保與被粘物的粘合力及提高潤(rùn)濕性，在芯片粘接后、絲焊前需要進(jìn)行加熱工序。專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)昭55-111151號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2002-261233號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2002-179769號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2000-104040號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2002-261233號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，隨著半導(dǎo)體晶片的大型化和薄型化，以往的切割/芯片接合薄膜難以同時(shí)滿足切割時(shí)需要的高膠粘性和拾取時(shí)需要的剝離性，因而難以從切割帶上剝離帶膠粘劑的半導(dǎo)體芯片。結(jié)果，存在拾取不良或由芯片變形導(dǎo)致破損的問(wèn)題。另外，依據(jù)切割/芯片接合薄膜的種類，有時(shí)具有紫外線固化型切割帶。該紫外線固化型切割帶的情況下，有時(shí)與粘合劑層中未固化的樹(shù)脂反應(yīng)而使粘合力隨時(shí)間的推移而增大。此時(shí)，難以從切割帶上拾取帶膠粘劑的半導(dǎo)體芯片，無(wú)法剝離除去而廢棄。結(jié)果，生產(chǎn)成本增大，導(dǎo)致成品率下降。本發(fā)明鑒于以上問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供切割工序時(shí)的膠粘性和拾取工序時(shí)的剝離性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。為了解決上述現(xiàn)有問(wèn)題，本發(fā)明人對(duì)切割/芯片接合薄膜及其制造方法進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制粘合劑層與芯片接合層之間的膠粘面積，能夠使切割工序時(shí)的膠粘性和拾取工序時(shí)的剝離性均良好，并且完成了本發(fā)明。艮P，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合劑層，并且在該粘合劑層上具有芯片接合層，其特征在于，所述芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)為0.015jaml^im，所述粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)為0.03pml^im，并且所述X與Y之差的絕對(duì)值為0.015以上。通過(guò)所述結(jié)構(gòu)，使粘合劑層與芯片接合層的膠粘面不是完全密合，而是形成兩者膠粘的區(qū)域和兩者不膠粘的區(qū)域。結(jié)果，防止膠粘面積過(guò)小、粘合劑層與芯片接合層之間的膠粘性下降。另一方面，也防止膠粘面積過(guò)大、粘合劑層與芯片接合層的剝離性下降。由此，例如在將半導(dǎo)體晶片膠粘到芯片接合層上、并對(duì)其進(jìn)行切割而形成半導(dǎo)體芯片時(shí)，粘合劑層與芯片接合層之間的膠粘性也充分，因此能夠防止所謂的芯片飛離的發(fā)生。另外，在拾取通過(guò)切割形成的帶芯片接合層的半導(dǎo)體芯片時(shí)，也確保粘合劑層與芯片接合層之間的剝離性，因此能夠容易地將該帶芯片接合層的半導(dǎo)體芯片從粘合劑層上剝離。所述芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)優(yōu)選大于所述粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)。通過(guò)使芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度大于粘合劑層的算術(shù)平均粗糙度，能夠在保持粘合劑層對(duì)芯片接合層的膠粘力的狀態(tài)下，使該芯片接合層對(duì)粘合劑層的膠粘力下降。由此，能夠使切割工序時(shí)的膠粘性和拾取工序時(shí)的剝離性兩者均良好。所述芯片接合層優(yōu)選含有橡膠成分、環(huán)氧樹(shù)脂成分及無(wú)機(jī)填充材料。所述無(wú)機(jī)填充材料的含量相對(duì)于有機(jī)樹(shù)脂組合物100重量份優(yōu)選在20~80重量份的范圍內(nèi)。另外，所述無(wú)機(jī)填充材料的平均粒徑優(yōu)選在0.1~5|dm的范圍內(nèi)。通過(guò)使無(wú)機(jī)填充材料的含量和平均粒徑分別在所述數(shù)值范圍內(nèi)，能夠使芯片接合層表面的算術(shù)平均粗糙度在0.015nml|am的范圍內(nèi)。所述芯片接合層優(yōu)選含有熱塑性樹(shù)脂。所述芯片接合層優(yōu)選含有熱固性樹(shù)脂及熱塑性樹(shù)脂。所述熱塑性樹(shù)脂優(yōu)選為丙烯酸樹(shù)脂。丙烯酸樹(shù)脂中離子性雜質(zhì)少且耐熱性高，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。所述熱固性樹(shù)脂優(yōu)選為環(huán)氧樹(shù)脂或酚樹(shù)脂中的任何一種。這些樹(shù)脂中離子性雜質(zhì)少且耐熱性高，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。所述芯片接合層中優(yōu)選添加交聯(lián)劑。發(fā)明效果本發(fā)明通過(guò)前述手段發(fā)揮下述效果。艮P，根據(jù)本發(fā)明，使芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)為0.015lpm、使粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)為0.01~l|im,并且使所述X與Y之差的絕對(duì)值為0.015以上，因此，使粘合劑層與芯片接合層的膠粘面不完全密合而形成兩者膠粘的區(qū)域和兩者不膠粘的區(qū)域。結(jié)果，使切割工序時(shí)的膠粘性和拾取工序時(shí)的剝離性兩者均良好，使生產(chǎn)成本下降，同時(shí)使成品率提高，從而能夠制造半導(dǎo)體裝置。圖1是顯示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的斷面示意圖。圖2是顯示所述實(shí)施方式的其它切割/芯片接合薄膜的斷面示意圖。圖3是顯示通過(guò)所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例子的斷面示意圖。圖4是顯示通過(guò)所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行三維安裝的例子的斷面示意圖。圖5是顯示使用所述切割/芯片接合薄膜，利用芯片接合薄膜隔著墊片對(duì)兩個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行三維安裝的例子的斷面示意圖。標(biāo)記說(shuō)明1基材2粘合劑層2a部分2b部分3,3，芯片接合薄膜3a部分3b部分10，12切割/芯片接合薄膜11切割薄膜(粘合薄膜)具體實(shí)施例方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。其中，省略了不需說(shuō)明的部分，另外為了易于說(shuō)明，有放大或縮小而進(jìn)行圖示的部分。如圖1所示，切割/芯片接合薄膜10為在基材1上依次層壓粘合劑層2和芯片接合層3的結(jié)構(gòu)。另外，如圖2所示，也可以是僅在工件粘貼部分形成芯片接合層3'的結(jié)構(gòu)。芯片接合層3、3'中粘合劑層2側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)在0.015pml(im范圍內(nèi)，優(yōu)選為0.05pmlnm、更優(yōu)選為0.1^nl|am、特別優(yōu)選為0.2,~lpm。另外，粘合劑層2中芯片接合層3、3'側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y((im)在0.03|im~l(im范圍內(nèi)，優(yōu)選為0.03|am0.5fim、更優(yōu)選為0.03pm0.1^im、特別優(yōu)選為0.03nm0.05jtim。芯片接合層3、3'的算術(shù)平均粗糙度X小于0.015pm、或粘合劑層2的算術(shù)平均粗糙度Y小于0.03pm時(shí)，粘合劑層2與芯片接合層3、3'的接觸面積過(guò)大，密合性提高。結(jié)果，在后述的拾取工序時(shí)，難以從粘合劑層2上剝離芯片接合層3、3，。另一方面，芯片接合層3、3'的算術(shù)平均粗糙度X或粘合劑層2的算術(shù)平均粗糙度Y超過(guò)lpm時(shí)，粘合劑層2與芯片接合層3、3'的接觸面積過(guò)小，密合性降低。結(jié)果，在后述的拾取工序時(shí)，固定在芯片接合層3、3'上的半導(dǎo)體芯片與該芯片接合層3、3'—起從粘合劑層2上剝離，發(fā)生所謂的芯片飛離。另外，在將帶芯片接合層3、3'的半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上時(shí)，該芯片接合層3、3'與被粘物之間產(chǎn)生空隙，如果在殘留該空隙的狀態(tài)下制造半導(dǎo)體裝置則有時(shí)其可靠性下降。另外，芯片接合層3、3'中粘合劑層2側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)與所述粘合劑層2中芯片接合層3、3'側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)之差的絕對(duì)值為0.015以上，優(yōu)選為0.025以上，更優(yōu)選為0.03-0.12。所述X與Y之差的絕對(duì)值如果小于0.015，則粘合劑層2與芯片接合層3、3'的膠粘面過(guò)度密合，結(jié)果，在后述的拾取工序時(shí)，難以從粘合劑層2上剝離芯片接合層3、3'。芯片接合層3、3'的算術(shù)平均粗糙度X(pm)優(yōu)選大于粘合劑層2的算術(shù)平均粗糙度Y(nm)。此時(shí)的大小關(guān)系在所述X與Y之差的絕對(duì)值為0.015以上的范圍內(nèi)來(lái)滿足。將粘合劑層2或芯片接合層3、3'的表面算術(shù)平均粗糙度調(diào)節(jié)到所述數(shù)值范圍內(nèi)的方法沒(méi)有特別限制。例如，可以列舉能夠進(jìn)行表面粗糙化處理的涂布法。作為該涂布方法的代表例，可以列舉例如使用刮刀涂布法、模池刮刀(fountain)法、凹版法等將混合了規(guī)定量無(wú)機(jī)填充材料的膠粘劑組合物涂布到粘合劑層2上的方法。芯片接合層3、3'中粘合劑層2側(cè)的表面和粘合劑層2中芯片接合層3、3'側(cè)的表面的平均粗糙度，通過(guò)適當(dāng)設(shè)定所述涂布方法的涂布條件、涂布后的干燥條件能夠進(jìn)行控制。具體而言，例如，通過(guò)對(duì)涂布時(shí)的涂布速度、涂布膜的膜厚、干燥時(shí)的干燥風(fēng)的風(fēng)量、干燥溫度進(jìn)行各種設(shè)定，能夠使涂布液中溶劑的蒸發(fā)方式和涂布膜中的對(duì)流發(fā)生變化，從而控制達(dá)到所述范圍內(nèi)的算術(shù)平均粗糙度。另外，所述算術(shù)平均粗糙度是由JIS表面粗糙度(B0601)定義的算術(shù)平均粗糙度。作為算術(shù)平均粗糙度的測(cè)定方法，可以列舉例如使用VEECO公司制造的非接觸三維表面形狀測(cè)定裝置NT8000、ZYGO公司制造的NewView5032、島津制作所制造的原子力顯微鏡SPM-9500型等的方法。以下，對(duì)構(gòu)成本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜10的各結(jié)構(gòu)構(gòu)件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。所述基材1具有紫外線透射性，并且作為切割/芯片接合薄膜10、12的強(qiáng)度母體?？梢粤信e例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無(wú)規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹(shù)脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹(shù)脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纖維素類樹(shù)脂、硅氧垸(silicone)樹(shù)脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材l的材料，可以列舉上述樹(shù)脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，根據(jù)需要也可以進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹(shù)脂片時(shí)，通過(guò)在切割后使它的基材1熱收縮，能夠降低粘合劑層2與芯片接合層3、3'的膠粘面積，從而使半導(dǎo)體芯片的回收變得容易。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進(jìn)行常規(guī)的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化射線處理等化學(xué)或物理處理、利用底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))的涂布處理等。所述基材1，可以適當(dāng)選擇使用同種或異種材料，根據(jù)需要也可以將多種混合使用。另外，為了對(duì)基材1賦予防靜電性能，可以在所述基材1上設(shè)置含有金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30A約500A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層。基材1可以是單層或2種以上的多層?；?的厚度沒(méi)有特別限制，可以適當(dāng)設(shè)定，一般為約5pm約200jim。所述粘合劑層2例如含有紫外線固化型粘合劑。紫外線固化型粘合劑可以通過(guò)紫外線照射使交聯(lián)度增大從而容易地使其粘合力降低，通過(guò)僅對(duì)與圖2所示的粘合劑層2的半導(dǎo)體晶片粘貼部分相對(duì)應(yīng)的部分2a進(jìn)行紫外線照射，能夠設(shè)定與其余部分2b的粘合力差。另外，通過(guò)使紫外線固化型粘合劑層2與圖2所示的芯片接合層3'貼在一起而固化，能夠容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由于芯片接合層3'粘貼在固化且粘合力下降的所述部分2a上，因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合層3'的界面具有在拾取時(shí)容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分2b。如前所述，圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合層3粘合，能夠確保切割時(shí)的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑能夠以良好的膠粘、剝離平衡支撐用于將半導(dǎo)體芯片固定到襯底等被粘物上的芯片接合層3。圖2所示的切割/芯片接合薄膜ll的粘合劑層2中，所述部分2b能夠固定貼片環(huán)(waferring)。所述紫外線固化型粘合劑可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等紫外線固化型官能團(tuán)并且顯示出粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等普通的壓敏粘合劑中混合紫外線固化型單體成分或低聚物成分而成的添加型紫外線固化型粘合劑。作為所述壓敏粘合劑，從半導(dǎo)體晶片或玻璃等避免污染的電子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清洗性能等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸垸基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一垸基酯、十二垸基酯、十三烷基酯、十四院基酯、十六垸基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳原子數(shù)1~30、特別是碳原子數(shù)418的直鏈或支鏈垸基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)全部為同樣的含義。為了改善凝集力和耐熱性等，根據(jù)需要，所述丙烯酸類聚合物可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)垸基酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的用量?jī)?yōu)選為單體成分總量的40重量％以下。另外，為了使其發(fā)生交聯(lián)，根據(jù)需要，所述丙烯酸類聚合物也可以含有多官能單體等作為共聚單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙垸三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體可以使用一種或兩種以上。從粘合特性等觀點(diǎn)考慮，多官能單體的用量?jī)?yōu)選為單體成分總量的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物通過(guò)將單一單體或兩種以上單體的混合物進(jìn)行聚合而得到。聚合可以通過(guò)溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進(jìn)行。從防止污染清潔的被粘物等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小?？紤]這一點(diǎn)，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為30萬(wàn)以上、更優(yōu)選為約40萬(wàn)約300萬(wàn)。另外，為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，所述粘合劑中也可以適當(dāng)釆用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑而進(jìn)行反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑時(shí)，其用量根據(jù)與要交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、以及作為粘合劑的使用用途適當(dāng)確定。一般而言，相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份，優(yōu)選配合約5重量份以下、更優(yōu)選配合0.15重量份。另外，根據(jù)需要，粘合劑中除前述成分以外也可以使用現(xiàn)有公知的各種粘合性賦予劑、抗老化劑等添加劑。作為混合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲垸四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量?jī)?yōu)選在約100~約30000的范圍內(nèi)。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類，適當(dāng)確定使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對(duì)于100重量份構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物，例如為約5重量份約500重量份、優(yōu)選為約40重量份約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除前面說(shuō)明的添加型紫外線固化型粘合劑以外，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要含有或者多數(shù)不含有作為低分子量成分的低聚物成分，因此低聚物成分等不會(huì)隨時(shí)間推移在粘合劑中移動(dòng)，能夠形成層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的粘合劑層，因此優(yōu)選。所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳碳雙鍵并且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒(méi)有特別限制，可以采用各種方法，但在聚合物側(cè)鏈中引入碳碳雙鍵的分子設(shè)計(jì)比較容易。例如，可以列舉下述方法預(yù)先使具有官能團(tuán)的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)及碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的狀態(tài)下進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)。作為這些官能團(tuán)的組合例，可以列舉羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團(tuán)的組合中，從跟蹤反應(yīng)的容易度考慮，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據(jù)這些官能團(tuán)組合的不同，如果是生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物這樣的組合，則官能團(tuán)可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任何一者上，而在所述優(yōu)選組合的情況下，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基。此時(shí)，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-Ot，(X-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用前面列舉的含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚這些醚類化合物等共聚而成的聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑可以單獨(dú)使用所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不使特性變差的程度內(nèi)混合所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等相對(duì)于100重量份基礎(chǔ)聚合物通常在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在010重量份的范圍內(nèi)。所述紫外線固化型粘合劑中，在通過(guò)紫外線等進(jìn)行固化時(shí)含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、oc-羥基-(x,(x，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、l-羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2，-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2，-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-l等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；l-苯酮-l,l-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3'-二甲基_4_甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵化酮；?；趸?；?；⑺狨サ取９饩酆弦l(fā)劑的配合量相對(duì)于100重量份構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物例如為約0.05重量份約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開(kāi)昭60-196956號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的包含具有兩個(gè)以上不飽和鍵的可加聚化合物、具有環(huán)氧基的垸氧基硅垸等可光聚合化合物和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過(guò)氧化物、胺、鏡鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。所述粘合劑層2對(duì)芯片接合層3、3'的粘合力優(yōu)選為0.04~0.2N/10mm寬度，更優(yōu)選為0.06~0.1N/10mm寬度(90度剝離的剝離力、剝離速度300mm/mm)。如果在上述數(shù)值范圍內(nèi)，則在拾取帶芯片接合薄膜的粘合劑的半導(dǎo)體芯片時(shí)，該半導(dǎo)體芯片不會(huì)超出需要地固定而實(shí)現(xiàn)更良好的拾取性。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉在基材1上形成紫外線固化型粘合劑層2后對(duì)所述部分2a部分地照射紫外線而使其固化的方法。部分紫外線照射可以通過(guò)形成與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a以外的部分3b等對(duì)應(yīng)的圖案的光掩模來(lái)進(jìn)行。另外，可以列舉點(diǎn)式照射紫外線進(jìn)行固化的方法等。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過(guò)將設(shè)置在隔膜(separator)上的紫外線固化型粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材1上來(lái)進(jìn)行。部分紫外線固化也可以在隔膜上設(shè)置的紫外線固化型粘合劑層2中進(jìn)行。切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，也可以對(duì)粘合劑層2的一部分進(jìn)行紫外線照射，以使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用對(duì)基材1的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分以外的部分的全部或一部分進(jìn)行遮光的基材l，在其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分固化，從而形成粘合力降低的前述部分2a。作為遮光材料，可以通過(guò)在支撐薄膜上印刷或蒸鍍能夠形成光掩模的材料等來(lái)制作。由此，能夠高效制造本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。粘合劑層2的厚度沒(méi)有特別限制，從同時(shí)防止芯片切割面缺陷和保持膠粘層固定的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為約ljmi約50pm。優(yōu)選為2~30^mi、更優(yōu)選為5~25|am。所述膠粘劑層是具有膠粘功能的層，作為其構(gòu)成材料，可以列舉組合使用熱塑性樹(shù)脂和熱固性樹(shù)脂的材料。另外，也可以單獨(dú)使用熱塑性樹(shù)脂。芯片接合層3、3'的層壓結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別限制，可以列舉例如僅由單層膠粘劑層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)、或在芯材的單面或雙面上形成膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如，聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。作為所述熱塑性樹(shù)脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、尼龍-6或尼龍-6，6等聚酰胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、PET或PBT等飽和聚酯樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、或氟樹(shù)脂等。這些熱塑性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹(shù)脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸樹(shù)脂。作為所述丙烯酸樹(shù)脂，沒(méi)有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4~18的直鏈或支鏈垸基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作為成分的聚合物等。作為所述垸基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八垸基或十二烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或丙烯酰磷酸2-羥乙酯等含磷酸基單體。作為所述熱固性樹(shù)脂，可以列舉酚樹(shù)脂、氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅氧垸樹(shù)脂或熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂等。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。特別優(yōu)選腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等含量少的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑優(yōu)選酚樹(shù)脂。所述環(huán)氧樹(shù)脂只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹(shù)脂則沒(méi)有特別限制，可以列舉例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲垸型、四酚基乙垸型等雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹(shù)脂。這些環(huán)氧樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者2種以上組合使用。這些環(huán)氧樹(shù)脂中特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥苯基甲烷型樹(shù)脂或四酚基乙垸型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)檫@些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚樹(shù)脂的反應(yīng)性高、并且耐熱性等優(yōu)良。另外，所述酚樹(shù)脂作為所述環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳垸基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚樹(shù)脂、甲階酚醛樹(shù)脂(resol)型酚樹(shù)脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹(shù)脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳垸基樹(shù)脂。這是因?yàn)樗鼈兡軌蛱岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹(shù)脂與酚樹(shù)脂的配比，優(yōu)選例如以相對(duì)于所述環(huán)氧樹(shù)脂成分中每1當(dāng)量環(huán)氧基，酚樹(shù)脂中的羥基為0.5~2.0當(dāng)量的比例進(jìn)行配合。更優(yōu)選為0.8-1.2當(dāng)量。即，兩者的配比偏離上述范圍時(shí)，無(wú)法進(jìn)行充分的固化反應(yīng)，環(huán)氧樹(shù)脂固化物的特性容易變差。另外，本發(fā)明中，特別優(yōu)選使用了環(huán)氧樹(shù)脂、酚樹(shù)脂及丙烯酸樹(shù)脂的芯片接合薄膜。這些樹(shù)脂中離子性雜質(zhì)少并且耐熱性高，因此能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性。此時(shí)的配比是相對(duì)于100重量份丙烯酸樹(shù)脂成分，環(huán)氧樹(shù)脂與酚樹(shù)脂的混合量為10~200重量份。在使本發(fā)明的芯片接合層3、3'預(yù)先進(jìn)行某種程度的交聯(lián)時(shí)，優(yōu)選在制作時(shí)添加能夠與聚合物分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，能夠提高高溫下的膠粘特性，并改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑，可以采用現(xiàn)有公知的交聯(lián)劑。特別是更優(yōu)選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲垸二異氰酸酯、對(duì)苯二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。交聯(lián)劑的添加量相對(duì)于所述聚合物100重量份通常優(yōu)選為0.05~7重量份。交聯(lián)劑的量多于7重量份時(shí)膠粘力下降，因此不優(yōu)選。另一方面，少于0.05重量份時(shí)凝集力不足因此不優(yōu)選。另外，根據(jù)需要，也可以與這種多異氰酸酯化合物一起含有環(huán)氧樹(shù)脂等其它多官能化合物。另外，芯片接合層3、3'中可以適當(dāng)混合無(wú)機(jī)填充材料。無(wú)機(jī)填充材料的混合能夠?qū)π酒雍蠈?、3'的表面賦予凹凸。另外，也能夠賦予導(dǎo)電性、提高導(dǎo)熱性、調(diào)節(jié)儲(chǔ)存彈性模量等。作為所述無(wú)機(jī)填充材料，可以列舉例如二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫等金屬或合金類、以及含碳的各種無(wú)機(jī)粉末。這些材料可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。其中，特別優(yōu)選使用熔融二氧化硅。無(wú)機(jī)填充材料的平均粒徑優(yōu)選在Q.l5nm的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在0.23pm的范圍內(nèi)。平均粒徑小于0.1nm時(shí)，難以使芯片接合層3、3'表面的算術(shù)平均粗糙度為0.015pm以上。另一方面，平均粒徑超過(guò)5fim時(shí)，難以使芯片接合層3、3'表面的算術(shù)平均粗糙度小于lpm。所述無(wú)機(jī)填充材料的混合量，相對(duì)于有機(jī)樹(shù)脂成分100重量份優(yōu)選設(shè)定為20~80重量％。特別優(yōu)選為20-70重量％。無(wú)機(jī)填充材料的混合量低于20重量％時(shí)，耐熱性下降，因此當(dāng)暴露于長(zhǎng)時(shí)間高溫的熱歷史時(shí)，有時(shí)芯片接合層3、3'固化，造成流動(dòng)性或埋入性降低。另外，超過(guò)80重量％時(shí)，芯片接合層3、3'的儲(chǔ)存彈性模量增大。因此，有時(shí)固化的膠粘劑難以應(yīng)力緩和，在密封工序中對(duì)凹凸的埋入性降低。另外，除上述無(wú)機(jī)填充材料以外，根據(jù)需要芯片接合層3、3'中也可以適當(dāng)混合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅垸偶聯(lián)劑或離子捕集劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等。這些阻燃劑可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如P-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、"環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕集劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合層3、3'的厚度(層壓體的情況下指總厚度)沒(méi)有特別限帝ij，例如，為約5nm約100nm，優(yōu)選為約5nm~約50pm。所述切割/芯片接合薄膜10、12的芯片接合層3、3'優(yōu)選由隔膜進(jìn)行保護(hù)(未圖示)。隔膜具有作為在供給實(shí)用之前保護(hù)芯片接合層3、3'的保護(hù)材料的功能。另外，隔膜還能夠作為在粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合層3、3'時(shí)的支撐基材使用。隔膜在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合層3、3'上粘貼工件時(shí)剝離。作為隔膜，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或利用氟剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂覆的塑料薄膜或紙等。芯片接合層3、3'，從其膠粘性能方面考慮，優(yōu)選至少在垂直于平面方向的方向上具有某種程度的彈性。另一方面，芯片接合層3、3，整體過(guò)度具有彈性時(shí)，絲焊時(shí)即使想連接焊線，也會(huì)因芯片接合層3、3，的彈力而阻礙對(duì)貼合芯片接合層3、3'的引線框進(jìn)行充分的固定。結(jié)果，使加壓引起的壓接能緩和，產(chǎn)生接合不良。所述絲焊工序在約150°C~約20(TC的高溫條件下進(jìn)行。因此，芯片接合層3、3'固化前在120°C下的拉伸儲(chǔ)存彈性模量?jī)?yōu)選為1X10，a以上、更優(yōu)選為0.120Pa。所述拉伸儲(chǔ)存彈性模量低于lX104Pa時(shí)，切割時(shí)熔融的芯片接合3、3'有時(shí)固著在例如半導(dǎo)體芯片上，造成拾取困難。另外，芯片接合層3、3'固化后在20(TC下的拉伸儲(chǔ)存彈性模量?jī)?yōu)選為50MPa以下，更優(yōu)選為0.5MPa40MPa。超過(guò)50MPa時(shí)，有時(shí)在絲焊后的塑封時(shí)對(duì)芯片接合層3、3'的凹凸面的埋入性降低。另外，通過(guò)設(shè)定為0.5MPa以上，能夠在以無(wú)引線結(jié)構(gòu)為特征的半導(dǎo)體裝置中進(jìn)行穩(wěn)定的接線。拉伸儲(chǔ)存彈性模量通過(guò)適當(dāng)調(diào)節(jié)層狀硅酸鹽或無(wú)機(jī)填充材料的添加量能夠進(jìn)行調(diào)節(jié)。作為拉伸儲(chǔ)存彈性模量的測(cè)定方法，是在進(jìn)行脫模處理后的剝離襯里上以厚度為lOOpm的方式涂布而僅得到芯片接合層3、3，。將該芯片接合層3、3'于15(TC下在烘箱中放置1小時(shí)，然后使用粘彈性測(cè)定裝置(1/才外i;、;/夕7公司制，型號(hào)RSA-II型)，測(cè)定200'C下芯片接合層3、3'的拉伸儲(chǔ)存彈性模量。更具體而言，設(shè)定試樣尺寸為長(zhǎng)度30.0mmX寬5.0mmX厚度O.lmm,將測(cè)定試樣安裝到膜拉伸測(cè)定用夾具上，在50。C250。C的溫度范圍內(nèi)、在頻率l.OHz、應(yīng)變0.025%、升溫速度10'C/分鐘的條件下進(jìn)行。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10、12，在將芯片接合層3、3'上任選設(shè)置的隔膜適當(dāng)剝離后按如下方式使用。以下，參照附圖對(duì)使用切割/芯片接合薄膜10的例子進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖1所示，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜10中芯片接合層3的半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a上，并使其保持膠粘而固定(裝配工序)。本工序使用壓接輥等擠壓工具擠壓來(lái)進(jìn)行。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為規(guī)定的尺寸而小片化，制造半導(dǎo)體芯片5。切割是按照常規(guī)方法例如從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)來(lái)進(jìn)行。另外，本工序中，可以采用例如切入至切割/芯片接合薄膜10的、稱為全切的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，由于半導(dǎo)體晶片由切割/芯片接合薄膜IO膠粘固定，因此能夠抑制芯片缺陷和芯片飛離，并且也能夠抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。為了剝離由切割/芯片接合薄膜10膠粘固定的半導(dǎo)體晶片，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取方法沒(méi)有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/芯片接合薄膜IO—側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片5向上推，通過(guò)拾取裝置拾取被上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此在對(duì)該粘合劑層2照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此，粘合劑層2對(duì)芯片接合層3a的粘合力下降，能夠容易地剝離半導(dǎo)體芯片5。結(jié)果，能夠不損傷半導(dǎo)體芯片而進(jìn)行拾取。紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條件沒(méi)有特別限制，根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定即可。另外，紫外線照射使用的光源可以使用前述的光源。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)芯片接合層3a膠粘固定到被粘物6上(芯片接合)。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等制成的有機(jī)襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，還包括在裝配半導(dǎo)體元件，與半導(dǎo)體元件電連接后能夠使用的電路襯底。芯片接合層3為熱固型時(shí)，通過(guò)加熱固化使半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6上，提高耐熱強(qiáng)度。另外，通過(guò)半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a使半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在襯底等上而得到的制品可以供給回流焊接工序。另外，所述芯片接合也可以不使芯片接合層3固化而僅僅暫時(shí)固著在被粘物上。之后，不經(jīng)加熱工序而進(jìn)行絲焊，進(jìn)而用密封樹(shù)脂將半導(dǎo)體芯片密封，也可以對(duì)該密封樹(shù)脂進(jìn)行后固化。此時(shí)，作為芯片接合層3，使用暫時(shí)固著時(shí)對(duì)被粘物6的剪切膠粘力為0.2MPa以上的芯片接合層3，更優(yōu)選使用在0.210MPa范圍內(nèi)的芯片接合層3。芯片接合層3的剪切膠粘力為至少0.2MPa以上時(shí)，即使不經(jīng)加熱工序而進(jìn)行絲焊工序，芯片接合層3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面上也不會(huì)因該工序中的超聲波振動(dòng)或加熱而產(chǎn)生剪切變形。即，半導(dǎo)體元件不會(huì)因絲焊時(shí)的超聲波振動(dòng)而移動(dòng)，由此防止絲焊的成功率降低。所述絲焊是通過(guò)焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的末端與半導(dǎo)體芯片上的電極焊盤(未圖示)電連接的工序(參照?qǐng)D3)。作為所述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進(jìn)行絲焊時(shí)的溫度在8025(TC、優(yōu)選80220。C的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外，其加熱時(shí)間進(jìn)行數(shù)秒數(shù)分鐘。接線是在加熱到所述溫度范圍內(nèi)的狀態(tài)下，通過(guò)組合使用超聲波的振動(dòng)能和施加電壓加壓的壓接能來(lái)進(jìn)行。本工序可以不進(jìn)行利用芯片接合層3a的固著而實(shí)施。另外，本工序的過(guò)程中，不利用芯片接合層3a使半導(dǎo)體芯片5與被粘物6固著。所述密封工序，是利用密封樹(shù)脂8對(duì)半導(dǎo)體芯片5進(jìn)行密封的工序(參照?qǐng)D3)。本工序是為了保護(hù)被粘物6上搭載的半導(dǎo)體芯片5和焊線7而進(jìn)行的。本工序通過(guò)用金屬模具將密封用樹(shù)脂成形來(lái)進(jìn)行。作為密封樹(shù)脂8，可以使用例如環(huán)氧類樹(shù)脂。樹(shù)脂密封時(shí)通常在175°C的加熱溫度下進(jìn)行60~90秒，但是，本發(fā)明不限于此，例如，也可以在165'C185'C下進(jìn)行數(shù)分鐘的固化。由此，使密封樹(shù)脂固化，同時(shí)通過(guò)芯片接合層3a使半導(dǎo)體芯片5與被粘物6固接。即，本發(fā)明中，即使在不進(jìn)行后述的后固化工序的情況下，在本工序中也能夠利用芯片接合層3a進(jìn)行固接，從而能夠有助于制造工序數(shù)的減少及半導(dǎo)體裝置制造周期的縮短。所述后固化工序中，使在所述密封工序中固化不充分的密封樹(shù)脂8完全固化。即使在密封工序中未利用芯片接合層3a進(jìn)行固接的情況下，在本工序中也能夠在密封樹(shù)脂8固化的同時(shí)利用芯片接合層3a進(jìn)行固接。本工序中的加熱溫度因密封樹(shù)脂種類而異，例如，在165-185'C的范圍內(nèi)，加熱時(shí)間為約0.5小時(shí)約8小時(shí)。另外，如圖4所示，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜也能夠優(yōu)選用于將多個(gè)半導(dǎo)體芯片層壓而進(jìn)行三維安裝的情況。圖4是顯示通過(guò)芯片接合薄膜對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行三維安裝的例子的斷面示意圖。圖4所示的三維安裝的情況下，首先將切割為與半導(dǎo)體芯片相同尺寸的至少一個(gè)芯片接合層3a暫時(shí)固著在被粘物6上，然后通過(guò)芯片接合層3a將半導(dǎo)體芯片5暫時(shí)固著，使半導(dǎo)體芯片5的絲焊面為上側(cè)。然后，避開(kāi)半導(dǎo)體芯片5的電極焊盤部分將芯片接合薄膜13暫時(shí)固著。進(jìn)而，將另外的半導(dǎo)體芯片15暫時(shí)固著在芯片接合薄膜13上，使半導(dǎo)體芯片15的絲焊面為上側(cè)。然后，不進(jìn)行加熱工序而進(jìn)行絲焊工序。由此，通過(guò)焊線7將半導(dǎo)體芯片5及另外的半導(dǎo)體芯片15的各個(gè)電極焊盤與被粘物6電連接。接著，進(jìn)行利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片5等密封的密封工序，使密封樹(shù)脂固化。與此同時(shí)，被粘物6與半導(dǎo)體芯片5之間通過(guò)芯片接合層3a固接。另外，半導(dǎo)體芯片5與另外的半導(dǎo)體芯片15之間也通過(guò)芯片接合薄膜13固接。另外，密封工序后也可以進(jìn)行后固化工序。即使在半導(dǎo)體芯片的三維安裝的情況下，由于不對(duì)芯片接合層3a、13進(jìn)行利用加熱的加熱處理，因此實(shí)現(xiàn)了制造工序的簡(jiǎn)化和成品率的提高。另外，由于不會(huì)發(fā)生被粘物6產(chǎn)生翹曲、或半導(dǎo)體芯片5和另外的半導(dǎo)體芯片15產(chǎn)生裂紋的情況，因此，能夠使半導(dǎo)體元件進(jìn)一步薄型化。另外，如圖5所示，也可以進(jìn)行通過(guò)芯片接合薄膜在半導(dǎo)體芯片間層壓墊片的三維安裝。圖5是顯示利用芯片接合薄膜隔著墊片對(duì)兩個(gè)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行三維安裝的例子的斷面示意圖。圖5所示的三維安裝的情況下，首先在被粘物6上依次層壓芯片接合層3a、半導(dǎo)體芯片5和芯片接合薄膜21而使其暫時(shí)固著。進(jìn)而，在芯片接合薄膜21上依次層壓墊片9、芯片接合薄膜21、芯片接合層3a和半導(dǎo)體芯片5而使其暫時(shí)固著。然后，如圖5所示，不進(jìn)行加熱工序而進(jìn)行絲焊工序。由此，通過(guò)焊線7將半導(dǎo)體芯片5的電極焊盤與被粘物6電連接。接著，進(jìn)行利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片5密封的密封工序，使密封樹(shù)脂8固化，同時(shí)使被粘物與半導(dǎo)體芯片5之間、以及半導(dǎo)體芯片5與墊片9之間通過(guò)芯片接合層3a、21而固接。由此，得到半導(dǎo)體封裝體。密封工序優(yōu)選僅將半導(dǎo)體芯片5側(cè)單面密封的一次性密封法。密封是為了保護(hù)粘合片上粘貼的半導(dǎo)體芯片5而進(jìn)行的，作為其方法有代表性的是使用密封樹(shù)脂8在金屬模具中成形的方法。此時(shí)，通常使用由具有多個(gè)腔室的上金屬模具和下金屬模具構(gòu)成的金屬模具，同時(shí)進(jìn)行密封工序。樹(shù)脂密封時(shí)的加熱溫度，優(yōu)選例如在170-180'C的范圍內(nèi)。密封工序后也可以進(jìn)行后固化工序。另外，作為所述墊片9沒(méi)有特別限制，可以使用例如現(xiàn)有公知的硅片、聚酰亞胺薄膜等。另外，所述墊片也可以使用芯材。作為芯材沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的芯材。具體而言，可以使用薄膜(例如，聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂襯底、硅晶片、硅襯底或玻璃襯底等。(其它事項(xiàng))在所述襯底等上對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行三維安裝時(shí)，在形成半導(dǎo)體元件的電路一側(cè)的面上形成有緩沖涂膜。作為該緩沖涂膜可以列舉例如由氮化硅膜或聚酰亞胺樹(shù)脂等耐熱樹(shù)脂形成的緩沖涂膜。另外，半導(dǎo)體元件的三維安裝時(shí)，各階段使用的芯片接合薄膜不限于同一組成的芯片接合薄膜，可以根據(jù)制造條件或用途等適當(dāng)變更。另外，上述實(shí)施方式中，對(duì)在襯底等上層壓多個(gè)半導(dǎo)體元件后，一次性進(jìn)行絲焊工序的方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本發(fā)明不限于此。例如，也可以在每次將半導(dǎo)體元件層壓到襯底等上后進(jìn)行絲焊工序。實(shí)施例以下，舉例對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。但是，該實(shí)施例中記載的材料或配合量等，如果沒(méi)有特別限定的記載，則并不意味本發(fā)明的范圍僅限于此，只不過(guò)是舉例而已。(實(shí)施例1)使相對(duì)于100重量份以丙烯酸丁酯為主成分的聚合物(根上工業(yè)株式會(huì)社制，八°，夕口乂SN-170)為3重量份的異氰酸酯類交聯(lián)劑(〕口卑一卜HX,日本聚氨酯制)、12重量份環(huán)氧樹(shù)脂(日本環(huán)氧樹(shù)脂株式會(huì)社制，工匕?！骋徊?003)、7重量份酚樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制，3k、;/夕7XLC-CC)和20重量份作為無(wú)機(jī)填充材料的氧化鈦改性二氧化硅(平均粒徑0.5pm,卜夕亇7公司制ST-600)溶解于甲乙酮中，制備濃度20重量％的膠粘劑組合物溶液。利用模池刮刀涂布機(jī)(fountaincoater)將該膠粘劑組合物的溶液涂布于由進(jìn)行了硅氧烷脫模處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜(厚度5(Him)制成的脫模處理膜(芯材)上，并以150'C、10m/秒的熱風(fēng)噴射使其干燥。由此，制成在脫模處理膜上具有厚度25pm的芯片接合層的本實(shí)施例1的芯片接合薄膜。(實(shí)施例2)在100重量份丙烯酸類粘合材料中添加3重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑(3口氺一卜HX，日本聚氨酯制)，制備丙烯酸類粘合劑。另外，在所述丙烯酸類粘合劑中混合以70重量份丙烯酸-2-乙基己酯、25重量份丙烯酸正丁酯和5重量份丙烯酸為結(jié)構(gòu)單體的丙烯酸類共聚物，使用30重量份二氧化硅(平均粒徑0.5|im，日本觸媒公司制)作為無(wú)機(jī)填充材料，使?jié)舛葹?0重量％，并溶解于甲乙酮中制成膠粘劑溶液，除此以外與上述實(shí)施例1同樣操作，制成本實(shí)施例2的芯片接合薄膜。(比較例1)本比較例1中，使用不添加無(wú)機(jī)填充劑的膠粘劑組合物溶液，除此以外，與上述實(shí)施例l同樣操作，制成本比較例的芯片接合薄膜。(比較例2)本比較例2中，無(wú)機(jī)填充劑的添加量變?yōu)?5重量份，除此以外，與上述實(shí)施例1同樣操作，制成本比較例的芯片接合薄膜。(拾取性評(píng)價(jià))通過(guò)以下方法，對(duì)上述實(shí)施例1~2及比較例1~2的芯片接合薄膜進(jìn)行算術(shù)平均粗糙度、拾取性及剝離力的評(píng)價(jià)。這些結(jié)果如表l所示。在層壓溫度4(TC、線壓4kgf/cm的條件下，在實(shí)施例及比較例得到的芯片接合薄膜上粘貼切割薄膜(日東電工公司制DU-300)，制成切割/芯片接合薄膜。進(jìn)而，在5(TC下將各切割/芯片接合薄膜粘貼到晶片(直徑8英寸、厚度lOOpm)的背面。使切割/芯片接合薄膜側(cè)的貼合面為芯片接合薄膜。然后，使用切片機(jī)，切割晶片。切割條件設(shè)定為主軸轉(zhuǎn)數(shù)40000rpm，切割速度50mm/秒，形成尺寸5mmX5mm見(jiàn)方的半導(dǎo)體芯片。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的拾取，考查其成功率。拾取條件設(shè)定為針數(shù)5根，下拉量6mm，上推量400nm，上推速度80mm/秒。另外，拾取使用拾取裝置(NES7iX于!J一公司制CPS-100)，進(jìn)行100個(gè)半導(dǎo)體芯片的拾取。成功率是計(jì)數(shù)半導(dǎo)體芯片中無(wú)破損、能夠從切割薄膜上剝離的帶芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片的數(shù)目。剝離力評(píng)價(jià)是對(duì)所述各切割/芯片接合薄膜，測(cè)定在剝離速度300mm/分鐘、90度的條件下以10mm寬度將芯片接合薄膜從切割薄膜上剝離時(shí)的剝離力。結(jié)果示于下表l。芯片接合薄膜(芯片接合層)中切割薄膜(粘合劑層)側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)及切割薄膜中芯片接合薄膜側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)，根據(jù)JIS表面粗糙度(B0601)，使用WYKO公司制造的非接觸三維粗糙度測(cè)定裝置(NT3300)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件是在50倍的條件下用中值濾波器(Medianfilter)處理測(cè)定數(shù)據(jù)而求出。測(cè)定中，對(duì)每一試樣變換測(cè)定位置分別測(cè)定5次，求出其平均值作為算術(shù)平均粗糙度。(結(jié)果)從表l可以明顯看出，實(shí)施例12的切割/芯片接合薄膜，在切割時(shí)不發(fā)生芯片飛離，另外，顯示良好的拾取性。即，本實(shí)施例的切割/芯片接合薄膜的情況下，能夠提高成品率而制造半導(dǎo)體封裝體。與此相對(duì)，比較例1的芯片接合薄膜由于其表面過(guò)于光滑，因此與切割帶的剝離性降低，不能進(jìn)行拾取，芯片產(chǎn)生裂紋或缺口等破損。另外，比較例2的芯片接合薄膜由于失去光滑性、凹凸差大，因此與切割帶的密合性降低，拾取時(shí)發(fā)生芯片飛離。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>權(quán)利要求1.一種切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合劑層，并且在該粘合劑層上具有芯片接合層，其特征在于，所述芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(μm)為0.015μm～1μm，所述粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(μm)為0.03μm～1μm，所述X與Y之差的絕對(duì)值為0.015以上。2.權(quán)利要求l所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(pm)大于所述粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(pm)。3.權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合層含有橡膠成分、環(huán)氧樹(shù)脂成分及無(wú)機(jī)填充材料。4.權(quán)利要求3所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述無(wú)機(jī)填充材料的含量相對(duì)于100重量份有機(jī)樹(shù)脂組合物在20-80重量份的范圍內(nèi)。5.權(quán)利要求3所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述無(wú)機(jī)填充材料的平均粒徑在0.1~5pm的范圍內(nèi)。6.權(quán)利要求l所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合層含有熱塑性樹(shù)脂。7.權(quán)利要求6所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述熱塑性樹(shù)脂為丙烯酸樹(shù)脂。8.權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合層含有熱固性樹(shù)脂及熱塑性樹(shù)脂。9.權(quán)利要求8所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述熱塑性樹(shù)脂為丙烯酸樹(shù)脂。10.權(quán)利要求8所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述熱固性樹(shù)脂為環(huán)氧樹(shù)脂或酚樹(shù)脂中的至少一種。11.權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述芯片接合層中添加交聯(lián)劑。全文摘要本發(fā)明提供切割工序時(shí)的膠粘性及拾取工序時(shí)的剝離性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合劑層，并且在該粘合劑層上具有芯片接合層，其特征在于，所述芯片接合層中粘合劑層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度X(μm)為0.015μm～1μm，所述粘合劑層中芯片接合層側(cè)的算術(shù)平均粗糙度Y(μm)為0.03μm～1μm，并且所述X與Y之差的絕對(duì)值為0.015以上。文檔編號(hào)H01L21/301GK101617390SQ20088000567公開(kāi)日2009年12月30日申請(qǐng)日期2008年1月28日優(yōu)先權(quán)日2007年3月1日發(fā)明者三隅貞仁,天野康弘,松村健申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社