專利名稱：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件(半導(dǎo)體芯片等)與電極構(gòu)件的膠粘劑在切割 前附著在工件(半導(dǎo)體晶片等)上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。
背景技術(shù)：
形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶片(工件)，在根據(jù)需要通過(guò)背面研磨而調(diào)節(jié)厚度后， 切割為半導(dǎo)體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適 度的液壓(通常約2kg/cm2)下清洗半導(dǎo)體晶片。然后，將前述半導(dǎo)體芯片利用膠粘劑固著 到引線框等被粘物上(安裝工序)后，移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到 引線框或半導(dǎo)體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需 要特殊裝置和長(zhǎng)時(shí)間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片并且還提供安裝工 序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上可剝離地設(shè)置有膠粘劑 層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導(dǎo)體晶片后，拉伸支撐基材將半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一 起剝離，將其分別回收后通過(guò)該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。對(duì)于此種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對(duì)半導(dǎo)體晶片的良好保持力 和能夠?qū)⑶懈詈蟮陌雽?dǎo)體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產(chǎn) 生不能切割或尺寸誤差等問(wèn)題。但是，使該兩種特性平衡決不是件容易的事。特別是像用 旋轉(zhuǎn)圓刀等切割半導(dǎo)體晶片的方式等，要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到 滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，為了解決這樣的問(wèn)題，提出了各種改良法(例如，參考專利文獻(xiàn)2)。在專利 文獻(xiàn)2中，提出了在支撐基材與膠粘劑層之間介有可紫外線固化的粘合劑層，將其切割后 進(jìn)行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過(guò)兩者間的剝離而容易地 拾取半導(dǎo)體芯片的方法。但是，即使通過(guò)該改良法，有時(shí)也難以得到使切割時(shí)的保持力與之后的剝離性良 好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到lOmmXIOmm以上的大型半導(dǎo)體芯片時(shí)，由 于其面積大，因此通過(guò)一般的芯片接合機(jī)不能容易地拾取半導(dǎo)體芯片。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)昭60-57642號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)平2-248064號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供具備在基材上具有粘合劑層的切割 薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合 薄膜即使在半導(dǎo)體晶片為薄型的情況下，將該薄型工件切割時(shí)的保持力與將通過(guò)切割得到 的半導(dǎo)體芯片和該芯片接合薄膜一體地剝離時(shí)的剝離性的平衡特性也優(yōu)良。本發(fā)明人為了解決上述問(wèn)題，對(duì)切割/芯片接合薄膜進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制切割薄膜的粘合劑層中所含的交聯(lián)劑的添加量來(lái)調(diào)節(jié)拉伸彈性模量，由此可以在維持 切割時(shí)的保持力的同時(shí)提高拾取時(shí)的剝離性，并且完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，為了解決上述問(wèn)題，具備在基材上具有粘合劑 層的切割薄膜和設(shè)置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層包含使 包含10 30摩爾％含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對(duì)于所述含羥基單體為70 90摩 爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合 物、及分子中具有兩個(gè)以上對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán)并且相對(duì)于所述聚合物100重量份 含量為2 20重量份的交聯(lián)劑，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹(shù)脂而構(gòu)成。本發(fā)明的切割薄膜中，含有分子中具有兩個(gè)以上對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán)的交 聯(lián)劑作為必須成分，通過(guò)控制該交聯(lián)劑的添加量來(lái)調(diào)節(jié)拉伸彈性模量，使得在維持切割時(shí) 的保持力的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)良好的拾取性。即，本發(fā)明的交聯(lián)劑相對(duì)于所述聚合物100重量 份含量為2重量份以上，因此可以抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足，可以防止對(duì)切割時(shí)粘貼 在粘合劑層上的切割環(huán)(夕'^ >，'J >，)產(chǎn)生膠糊殘留。另外，可以防止半導(dǎo)體芯片 的拾取性下降。另一方面，所述含量為20重量份以下，因此可以防止切割時(shí)的芯片飛散。另外，通過(guò)將含羥基單體的含量控制為10摩爾％以上，可以抑制紫外線照射后的 交聯(lián)不足。結(jié)果，例如可以防止對(duì)切割時(shí)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一 方面，通過(guò)將所述含量控制為30摩爾％以下，可以防止粘合劑的極性變高、與芯片接合薄 膜的相互作用增強(qiáng)而導(dǎo)致剝離困難、拾取性下降。另外，本發(fā)明中，由于采用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物代替多 官能單體，因此不會(huì)發(fā)生該多官能單體在芯片接合薄膜中物質(zhì)擴(kuò)散的情況。結(jié)果，可以防止 切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，可以實(shí)現(xiàn)更好的拾取性。所述含羥基單體優(yōu)選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯 酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基) 丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和 (甲基)丙烯酸_(4_羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優(yōu)選為選自2-甲基丙烯酰 氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。另外，所述粘合劑層優(yōu)選不含丙烯酸。由此，可以防止粘合劑層與芯片接合薄膜的 反應(yīng)或相互作用，可以進(jìn)一步提高拾取性。


圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖3是表示通過(guò)所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導(dǎo)體芯片的例 子的示意剖面圖。符號(hào)說(shuō)明1 基材2 粘合劑層3 芯片接合薄膜
4半導(dǎo)體晶片5半導(dǎo)體芯片6被粘物7焊線8密封樹(shù)脂9加熱臺(tái)(heat block)10,11切割/芯片接合薄膜
具體實(shí)施例方式(切割/芯片接合薄膜)參考圖1和圖2對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式的切割/ 芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本實(shí)施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖 面圖。其中，省略了不需要說(shuō)明的部分，并且存在為容易說(shuō)明而擴(kuò)大或縮小等進(jìn)行圖示的部 分。如圖1所示，切割/芯片接合薄膜10的構(gòu)成如下具有在基材1上設(shè)有粘合劑層 2的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層2上的芯片接合薄膜3。另外，本發(fā)明如圖2所示，也可 以是僅在半導(dǎo)體晶片粘貼部分上形成有芯片接合薄膜3’的構(gòu)成。所述基材1具有紫外線透射性，并且作為切割/芯片接合薄膜10、11的強(qiáng)度母體。 例如可以列舉低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙 烯、無(wú)規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋 酸乙烯酯共聚物、離聚物樹(shù)脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無(wú) 規(guī)、交替)共聚物、乙烯_ 丁烯共聚物、乙烯_己烯共聚物、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰 胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹(shù)脂、聚氯乙烯、聚偏 二氯乙烯、纖維素類樹(shù)脂、聚硅氧烷(silicone)樹(shù)脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹(shù)脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可 以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而 被賦予熱收縮性的樹(shù)脂片，通過(guò)在切割后使其基材1熱收縮而降低粘合劑層2與芯片接合 薄膜3、3’的膠粘面積，可以容易地回收半導(dǎo)體芯片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進(jìn)行慣用的表面處 理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學(xué)或物理處理、 底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))涂布處理等。所述基材1可以適當(dāng)選擇使用同種或異種材料，根據(jù)需要也可以將多種材料混合 使用。另外，為了使基材1具有防靜電性能，可以在所述基材1上設(shè)置包含金屬、合金、它們 的氧化物等的厚度約30A 約500 A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層。基材1可以是單層或者兩種以 上的多層?；?的厚度沒(méi)有特別限制，可以適當(dāng)設(shè)定，一般為約5 iim 約200 iim。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構(gòu)成。紫外線固化型粘合劑可以通過(guò) 紫外線照射使其交聯(lián)度增大而容易地降低其粘合力，通過(guò)僅對(duì)圖2所示的粘合劑層2的與
5半導(dǎo)體晶片粘貼部分對(duì)應(yīng)的部分2a照射紫外線，可以設(shè)置與其它部分2b的粘合力差。另外，通過(guò)與圖2所示的芯片接合薄膜3’對(duì)應(yīng)地使紫外線固化型粘合劑層2固化， 可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由于固化而粘合力下降的所述部分2a上 粘貼有芯片接合薄膜3’，因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合薄膜3’的界面具有在 拾取時(shí)容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分 2b。如前所述，圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外 線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時(shí)的保持力。這 樣，紫外線固化型粘合劑可以在膠粘-剝離平衡良好的情況下支撐用于將半導(dǎo)體芯片固著 到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2 中，所述部分2b可以固定切割環(huán)。切割環(huán)例如可以使用由不銹鋼等金屬制成的切割環(huán)或樹(shù) 脂制成的切割環(huán)。所述紫外線固化型粘合劑使用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵等紫外線固化性官能 團(tuán)、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，例如，可以例示在丙烯酸類粘合 劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。丙烯酸類 粘合劑是以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的粘合劑，從半導(dǎo)體芯片或玻璃等避忌污染的電 子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等方面考慮優(yōu)選。作為所述丙烯酸類聚合物，例如，可以列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲 酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙 基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、 十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)1 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基 酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成 分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā) 明的(甲基)全部表示相同的含義。所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必須成分。 作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基 丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯 酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。所述含羥基單體的含量，相對(duì)于丙烯酸酯優(yōu)選在10 30摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 在15 25摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于10摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時(shí) 有時(shí)在粘合劑層上粘貼的切割環(huán)上產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，含量如果超過(guò)30摩爾％則粘 合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強(qiáng)，從而難以剝離。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據(jù)需要可以含有與能夠與 所述丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以 列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬 來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺 酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺 丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體 的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。但是，所述含羧基單體的情況下，通過(guò)其 羧基與芯片接合薄膜3中的環(huán)氧樹(shù)脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊 界面消失，有時(shí)兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的0 3重量％以下。另外，含羥基單體或含縮水甘油基單體也能夠與環(huán)氧樹(shù)脂中的環(huán)氧基反應(yīng)， 因此，優(yōu)選與含羧基單體的情況同樣地設(shè)定。另外，這些單體成分中，優(yōu)選本發(fā)明的粘合劑 層2不含丙烯酸。這是因?yàn)?，由于丙烯酸與芯片接合薄膜3反應(yīng)或相互作用，有時(shí)使剝離性 下降。在此，所述丙烯酸類聚合物不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，消除多官 能單體物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜中的情況，可以防止由于粘合劑層2與芯片接合薄膜3的 邊界面消失而導(dǎo)致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物包含具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作 為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯 酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a，a-二甲基芐基異氰酸酯等。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的含量，相對(duì)于含羥基單體優(yōu) 選在70 90摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在75 85摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于70摩 爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時(shí)對(duì)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另 一方面，含量如果超過(guò)90摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強(qiáng)， 由此使剝離變得困難。所述丙烯酸類聚合物可以通過(guò)將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。 聚合可以通過(guò)溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進(jìn)行。從防止污染潔 凈的被粘物等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點(diǎn)考慮，丙烯酸類聚合物的重 均分子量?jī)?yōu)選為約35萬(wàn)至約100萬(wàn)、更優(yōu)選約45萬(wàn)至約80萬(wàn)。另外，本發(fā)明的粘合劑層2包含分子中具有兩個(gè)以上對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán) 的交聯(lián)劑。作為對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán)，可以列舉例如異氰酸酯基、環(huán)氧基、縮水甘油 基等。作為具有這樣的官能團(tuán)的交聯(lián)劑，更具體地可以列舉異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交 聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑等。作為所述異氰酸酯類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個(gè)以上異氰酸酯基則沒(méi)有特別限 制，可以列舉例如甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、1，6_己二異氰酸酯等。它們 可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述環(huán)氧類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個(gè)以上環(huán)氧基則沒(méi)有特別限制，可以 列舉例如乙二醇二縮水甘油基醚、山梨醇多縮水甘油基醚、聚甘油多縮水甘油基醚、雙甘 油多縮水甘油基醚、甘油多縮水甘油基醚、間苯二酚二縮水甘油基醚等。它們可以單獨(dú)使用 或者兩種以上組合使用。作為所述氮丙啶類交聯(lián)劑，只要分子中具有兩個(gè)以上氮丙啶基則沒(méi)有特別限制。 例如，可以優(yōu)選使用氮丙啶基丙酸-2，2-二羥基甲基-丁醇三酯、4，4’_ 二(亞乙基亞 氨基羰基氨基)二苯基甲烷、2，4，6-(三亞乙亞氨基)均三嗪、1，6_ 二(亞乙亞氨基羰基氨 基)己烷等。它們可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。
所述交聯(lián)劑的含量相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選在2 20重量份的范圍內(nèi)， 更優(yōu)選4 15重量份的范圍內(nèi)。含量如果低于2重量份，則紫外線照射后的交聯(lián)不充分， 拉伸彈性模量下降。結(jié)果，半導(dǎo)體晶片的切割時(shí)，對(duì)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘 留，半導(dǎo)體芯片的拾取時(shí)，剝離力過(guò)大從而拾取性下降。另一方面，含量如果超過(guò)20重量 份，則拉伸彈性模量過(guò)大，結(jié)果切割時(shí)產(chǎn)生芯片飛散。另外，粘合劑中根據(jù)需要除前述成分 以外可以使用現(xiàn)有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基 甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙 烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚 丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。紫外線固化性 單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)確定能夠使粘合劑層 的粘合力下降的量。一般而言，相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重 量份，例如為約5重量份至約500重量份、優(yōu)選約40重量份至約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除前面說(shuō)明過(guò)的添加型紫外線固化型粘合劑以 外，還可以列舉使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的 聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要 含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會(huì)隨時(shí)間 推移在粘合劑中移動(dòng)，可以形成穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的粘合劑層。所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可以沒(méi)有特別限制地使用具有自 由基反應(yīng)性碳碳雙鍵并且具有粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選以丙烯 酸類聚合物為基本骨架的基礎(chǔ)聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例 示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的方法沒(méi)有特別限制，可以 采用各種方法，從分子設(shè)計(jì)方面而言在聚合物側(cè)鏈中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵是比較容 易的。例如可以列舉預(yù)先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該羥 基反應(yīng)的異氰酸酯基及自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物在保持自由基反應(yīng)性碳 碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)的方法。作為具有異氰 酸酯基和自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉前面例示的那些。另外，作為 丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯 基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑，可以單獨(dú)使用所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵 的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合紫外線固化 性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等通常相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份 在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0 10重量份的范圍內(nèi)。所述紫外線固化型粘合劑中，在通過(guò)紫外線等進(jìn)行固化時(shí)優(yōu)選含有光聚合引發(fā) 劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、 a-輕基-a，a ’-二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮
8醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’- 二乙氧基苯乙酮、2-甲 基_1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異 丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰 氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1，2_丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類 化合物；二苯甲酮、苯甲?；郊姿?、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合 物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_二氯噻噸 酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；?化膦；?；⑺狨サ?。光聚合引發(fā)劑的配合量相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ) 聚合物100重量份例如為約0. 05重量份至約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開(kāi)昭60-196956號(hào)公報(bào)中 公開(kāi)的、包含具有兩個(gè)以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合 性化合物和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過(guò)氧化物、胺、鐺鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡 膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過(guò)在基材1上形成紫外線固化型粘合劑層 2，或者將設(shè)置在隔片上的粘合劑層2轉(zhuǎn)印到基材1上來(lái)進(jìn)行。在切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，對(duì)粘合劑層2的一部分進(jìn)行紫外線照 射使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用對(duì)基材1的至少單面的、 與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分以外的部分的全部或者一部分進(jìn)行遮光的基材，在 其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的 部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過(guò)印刷或蒸鍍等在支 撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，所述紫外線照射的積分光量?jī)?yōu)選為50 500mJ/cm2。通過(guò)使積分光量在所述范圍內(nèi)，在切割時(shí)保持能夠防止半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生芯片飛 散程度的粘合性，并且在拾取時(shí)得到良好的拾取性。由此，可以有效地制造本發(fā)明的切割/ 芯片接合薄膜10。另外，紫外線照射時(shí)因氧而產(chǎn)生固化障礙時(shí)，優(yōu)選從紫外線固化型粘合劑層2的 表面隔絕氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如用隔片將粘合劑層2的表面覆蓋的方法 或者在氮?dú)夥諊羞M(jìn)行紫外線等的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒(méi)有特別限制，從同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止芯片切割面的缺陷和粘合層的 固定保持等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選為約1 P m至約50 u m。優(yōu)選2 y m 30 y m、更優(yōu)選5 y m 25 y m。芯片接合薄膜3例如可以僅由單層膠粘劑層構(gòu)成。另外，也可以將玻璃化轉(zhuǎn)變溫 度不同的熱塑性樹(shù)脂、熱固化溫度不同的熱固性樹(shù)脂適當(dāng)組合而形成兩層以上的多層結(jié) 構(gòu)。另外，在半導(dǎo)體晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸濕，有時(shí)含水率 達(dá)到常態(tài)以上。如果在這樣的高含水率的狀態(tài)下膠粘在襯底等上，則在后固化階段膠粘界 面處滯留水蒸汽，有時(shí)產(chǎn)生翹起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，通過(guò)形成由芯片膠粘劑夾 住高透濕性芯材的結(jié)構(gòu)，在后固化階段水蒸汽透過(guò)薄膜而擴(kuò)散，從而可以避免所述問(wèn)題。從 該觀點(diǎn)考慮，芯片接合薄膜3可以采用在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙 二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無(wú)紡纖維 增強(qiáng)的樹(shù)脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。
本發(fā)明的芯片接合薄膜3，以環(huán)氧樹(shù)脂作為主成分而形成。環(huán)氧樹(shù)脂中使半導(dǎo)體元 件腐蝕的離子性雜質(zhì)等的含量少，因此優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹(shù)脂，只要是作為膠粘劑組合物 通常使用的環(huán)氧樹(shù)脂則沒(méi)有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化 雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆 型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或者乙內(nèi)酰脲 型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹(shù)脂。這些環(huán)氧樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或 者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹(shù)脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、 三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂或四苯酚基乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)椋@些環(huán)氧樹(shù)脂作為固化 劑與酚樹(shù)脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，芯片接合薄膜3中根據(jù)需要可以組合使用其它熱固性樹(shù)脂或熱塑性樹(shù)脂。 作為所述熱固性樹(shù)脂，可以列舉酚樹(shù)脂、氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚硅氧 烷樹(shù)脂、或者熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂等。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。另 外，作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑優(yōu)選酚樹(shù)脂。另外，所述酚樹(shù)脂作為所述環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清 漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基苯酚酚醛清 漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚樹(shù)脂、甲階酚醛樹(shù)脂型酚樹(shù)脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。 這些酚樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹(shù)脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù) 脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂。這是因?yàn)榭梢蕴岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹(shù)脂與酚樹(shù)脂的配合比例，例如以相對(duì)于所述環(huán)氧樹(shù)脂成分中的環(huán)氧基 1當(dāng)量酚樹(shù)脂中的羥基為0. 5 2. 0當(dāng)量的比例進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)?。更?yōu)選0. 8 1. 2當(dāng) 量。即，這是因?yàn)?，兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應(yīng)不充分，環(huán)氧樹(shù)脂固化 物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹(shù)脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、 乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚 碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類 樹(shù)脂、PET或PBT等飽和聚酯樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、或者含氟樹(shù)脂等。這些熱塑性樹(shù)脂 可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹(shù)脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性 高、能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹(shù)脂。作為所述丙烯酸類樹(shù)脂，沒(méi)有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子 數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分 的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸 基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒(méi)有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲 基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體； 馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基 丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸-(4-羥 甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸 等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。芯片接合薄膜3的膠粘劑層中，為了預(yù)先具有某種程度的交聯(lián)，在制作時(shí)優(yōu)選添 加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提 高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。另外，芯片接合薄膜3的膠粘劑層中根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其 它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉 例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使 用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如日_(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、環(huán) 氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、環(huán)氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨(dú) 使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。 這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3的厚度沒(méi)有特別限制，例如為約5 y m至約100 u m、優(yōu)選約5 y m至 約 50 u m?？梢允骨懈?芯片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，可以防止其膠粘時(shí)及剝 離時(shí)等產(chǎn)生靜電或者電路由于靜電導(dǎo)致的工件(半導(dǎo)體晶片等)帶電而遭破壞等。防靜電 性能的賦予，可以通過(guò)在基材1、粘合劑層2或芯片接合薄膜3中添加防靜電劑或?qū)щ娢镔|(zhì) 的方法、在基材1上附設(shè)包含電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物或金屬膜等的導(dǎo)電層等適當(dāng)方式來(lái)進(jìn)行。作 為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為為了賦予導(dǎo) 電性、提高導(dǎo)熱性等目的而配合的導(dǎo)電物質(zhì)(導(dǎo)電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電 合金等的球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無(wú)定形炭黑、石墨等。但是，從不漏 電的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選所述芯片接合薄膜3、3’為非導(dǎo)電性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(hù)(未圖示)。 隔片具有作為在供給實(shí)際使用之前保護(hù)芯片接合薄膜3、3’的保護(hù)材料的功能。另外，隔片 還可以作為向粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3’時(shí)的支撐基材使用。隔片在向切割/ 芯片接合薄膜的芯片接合膜3、3’上粘貼工件時(shí)剝離。作為隔片，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙 二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或者由含氟剝離劑、丙烯酸長(zhǎng)鏈烷基酯類剝離劑等剝離劑進(jìn) 行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10為例對(duì)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法 進(jìn)行說(shuō)明。首先，基材1可以通過(guò)現(xiàn)有公知的制膜方法制成膜。作為該制膜方法，可以列舉 例如壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的流延法、密閉體系中的擠出吹塑法、T形模頭擠出法、共擠 出法、干式層壓法等。然后，在基材1上涂布包含粘合劑的組合物并干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成 粘合劑層2。作為涂布方式可以列舉輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，涂布可以直接在 基材1上進(jìn)行，也可以涂布到表面進(jìn)行剝離處理后的剝離紙等上后轉(zhuǎn)印到基材1上。然后，將用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剝離紙上至預(yù)定厚度，進(jìn)而 在預(yù)定條件下干燥而形成涂層。通過(guò)將該涂層轉(zhuǎn)印到所述粘合劑層2上，形成芯片接合薄 膜3。另外，通過(guò)將形成材料直接涂布到所述粘合劑層2上后，在預(yù)定條件下干燥也可以形成芯片接合薄膜3。由此，得到本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10、11，在將芯片接合薄膜3、3’上任意設(shè)置的隔片 適當(dāng)剝離后以下述方式使用。以下，參考圖3以使用切割/芯片接合薄膜11的情況為例進(jìn) 行說(shuō)明。首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3’上，使 其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序在用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時(shí)進(jìn)行。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為預(yù)定的尺寸而小片 化，制造半導(dǎo)體芯片5。切割例如可以從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)按照常規(guī)方法進(jìn)行。另 外，本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片接合薄膜10處的、稱為全切的切割方式等。 本工序中使用的切割裝置沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導(dǎo)體晶片 由于利用切割/芯片接合薄膜10進(jìn)行了膠粘固定，因此不僅可以抑制芯片缺陷或芯片飛 散，也可以抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。為了將在切割/芯片接合薄膜10上膠粘固定的半導(dǎo)體芯片剝離，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片 5的拾取。拾取方法沒(méi)有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針 從切割/芯片接合薄膜10 —側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片5上推，通過(guò)拾取裝置拾取上推的半導(dǎo)體 芯片5的方法等。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此拾取在對(duì)該粘合劑層2照射紫外線后 進(jìn)行。由此，粘合劑層2對(duì)芯片接合薄膜3a的粘合力下降，使半導(dǎo)體芯片5容易剝離。結(jié) 果，可以在不損傷半導(dǎo)體芯片的情況下進(jìn)行拾取。紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條 件沒(méi)有特別限制，根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定即可。例如，以紫外線照射積分光量計(jì)，優(yōu)選為50 500mJ/cm2。即使在所述積分光量的范圍內(nèi)，本發(fā)明的芯片接合薄膜也不會(huì)因紫外線照射使 交聯(lián)過(guò)度進(jìn)行而難以剝離，顯示良好的拾取性。另外，作為紫外線照射時(shí)使用的光源，可以 使用前述光源。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)芯片接合薄膜3a膠粘固定在被粘物6上(芯片接合)。 被粘物6載置于加熱臺(tái)(heat block)9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底 或者另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是 難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引 線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺 等制成的有機(jī)襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，也包括在安裝半導(dǎo)體元件，與半導(dǎo)體元件電 連接后可以使用的電路襯底。芯片接合薄膜3為熱固型時(shí)，通過(guò)加熱固化將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6 上，提高耐熱強(qiáng)度。另外，將半導(dǎo)體芯片5通過(guò)半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a膠粘固定到襯底等 上而形成的材料可以供給回流工序。之后，進(jìn)行將襯底的端子部(內(nèi)部端子)的前端與半 導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)通過(guò)焊線7進(jìn)行電連接的絲焊，再用密封樹(shù)脂8密封 半導(dǎo)體芯片，并將該密封樹(shù)脂8后固化。由此，制作本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施例以下，更具體地舉例說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，這些實(shí)施例中記載的材料或配合量等，如果沒(méi)有特別限定的記載，則本發(fā)明的范圍并不僅限于此，這些不過(guò)是舉例說(shuō)明 而已。另外，各例中，“份”如果沒(méi)有特別說(shuō)明則均為重量基準(zhǔn)。(實(shí)施例1)<切割薄膜的制作>在具有冷凝管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計(jì)和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，加入86. 4份丙烯 酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)、13. 6份丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為“HEA”)、0. 2 份過(guò)氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮?dú)饬髦性?1°C下進(jìn)行6小時(shí)聚合處理，得到丙烯酸類聚 合物A。所述HEA為20摩爾％。在該丙烯酸類聚合物A中加入14. 6份(相對(duì)于HEA為80摩爾％ ) 2-甲基丙烯酰 氧乙基異氰酸酯(以下稱為“M0I”)，在空氣氣流中在50°C下進(jìn)行48小時(shí)加成處理，得到丙 烯酸類聚合物A’。然后，在100份該丙烯酸類聚合物A’中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名
口才、一卜L”，日本聚氨酯株式會(huì)社制)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名“4瓜方卻工了 651”， 汽巴精化公司制)，制作粘合劑溶液。將上述制備的粘合劑溶液涂布到PET剝離襯墊的進(jìn)行聚硅氧烷處理后的面上， 在120°C加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度lOym的粘合劑層。然后，在該粘合劑層表面粘貼厚度 100 ym的聚烯烴薄膜。之后，在50°C保存24小時(shí)后，制作本實(shí)施例的切割薄膜?！葱酒雍媳∧さ闹谱鳌祵?00份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工 業(yè)株式會(huì)社制，商品名"，々a > W-197CM)、59份環(huán)氧樹(shù)脂1(JER株式會(huì)社制，商品名 Epicoat 1004)、53份環(huán)氧樹(shù)脂2 (JER株式會(huì)社制，商品名:Epicoat 827)、121份酚樹(shù)脂 (三井化學(xué)株式會(huì)社制，商品名彡> ？夕^ XLC-4L)和222份球狀二氧化硅(7 卜7歹v ” ^株式會(huì)社制，商品名S0-25R)溶解于甲乙酮中，制備成濃度23. 6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液涂布到作為剝離襯墊(隔片)的經(jīng)聚硅氧烷脫模處理的 厚度38 y m的由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然后在130°C干燥2分 鐘。由此，制作厚度25 ym的芯片接合薄膜。進(jìn)而，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到上述切割薄膜的 粘合劑層一側(cè)，得到本實(shí)施例的切割/芯片接合薄膜。(實(shí)施例2 9)各實(shí)施例2 9中，變?yōu)橄卤?所示的組成及含量，除此以外，與上述實(shí)施例1同 樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。表 1 括號(hào)內(nèi)的數(shù)值表示摩爾。但是，M0I及A0I中的括號(hào)內(nèi)的數(shù)值表示相對(duì)于HEA或 4HBA的摩爾比。另外，表1及后述的表2中記載的簡(jiǎn)稱的含義如下所述。2EHA 丙烯酸-2-乙基己酯HEA 丙烯酸-2-羥基乙酯4HBA 丙烯酸-4-羥基丁酯A0I 2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯C/L 多異氰酸酯化合物(商品名“ - 口本一卜L”，日本聚氨酯株式會(huì)社制)C2030 :商品名“ - 口才、一卜2030”，日本聚氨酯株式會(huì)社制(比較例1 6)各比較例1 6中，變?yōu)橄卤?所示的組成及含量，除此以外，與上述實(shí)施例1同 樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。表2
括號(hào)內(nèi)的數(shù)值表示摩爾。但是，M0I及A0I中的括號(hào)內(nèi)的數(shù)值表示相對(duì)于HEA或 4HBA的摩爾比。(切割)使用各實(shí)施例及比較例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要領(lǐng)實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo)體 晶片的切割，并評(píng)價(jià)各切割/芯片接合薄膜的性能。將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進(jìn)行背面研磨處理，使用厚度0. 15mm的 鏡面晶片作為工件。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔片后，在40°C下在其芯片接合薄膜上 用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，并進(jìn)行切割。另外，切割是進(jìn)行全切，得到1mm見(jiàn)方的芯片尺 寸。對(duì)切割后的半導(dǎo)體晶片及切割/芯片接合薄膜，確認(rèn)有無(wú)芯片飛散。芯片飛散評(píng)價(jià)是: 半導(dǎo)體芯片即使有一個(gè)飛散時(shí)也評(píng)價(jià)為X，無(wú)飛散時(shí)評(píng)價(jià)為〇。晶片磨削條件、粘貼條件及 切割條件如下所述。
0126]<晶片磨削條件>0127]磨削裝置于.“二公司制，DFG-85600128]半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(從厚度0. 6mm背面磨削至0. 15mm)0129]<粘貼條件>0130]粘貼裝置日東精機(jī)制，MA-3000II0131]粘貼速度10mm/分鐘0132]粘貼壓力0. 15MPa0133]粘貼時(shí)的平臺(tái)溫度(卞$ — 7溫度)40°C0134]<切割條件>0135]切割裝置卞二公司制，DFD-63610136]切割環(huán)2-8-1 ( rM ^ ^公司制)0137]切割速度80mm/秒0138]切割刀片0139]Z1 r ^、二 公司制 2050HEDD0140]Z2 r ^、二 公司制 2050HEBB0141]切割刀片轉(zhuǎn)速
Z1 :40000rpmZ2 :40000rpm刀片高度Z1 :0.215mm(取決于半導(dǎo)體晶片的厚度(晶片厚度為75 y m時(shí)，為0. 170mm))Z2 :0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片芯片尺寸1. 0mm見(jiàn)方(拾取)使用各實(shí)施例及比較例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要領(lǐng)在實(shí)際進(jìn)行半導(dǎo) 體晶片的切割后進(jìn)行拾取，并評(píng)價(jià)各切割/芯片接合薄膜的性能。將半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進(jìn)行背面研磨處理，使用厚度0. 075mm 的鏡面晶片作為工件。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔片后，在40°C下在其芯片接合薄膜 上用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，并進(jìn)行切割。另外，切割是進(jìn)行全切，得到10mm見(jiàn)方的芯片 尺寸。然后，對(duì)各切割/芯片接合薄膜進(jìn)行紫外線照射，并進(jìn)行將其拉伸，使各芯片間達(dá) 到預(yù)定間隔的擴(kuò)張(expand)工序。進(jìn)而，從各切割/芯片接合薄膜的基材一側(cè)通過(guò)用針上 推的方式拾取半導(dǎo)體芯片，進(jìn)行拾取性評(píng)價(jià)。具體而言，連續(xù)地拾取400個(gè)半導(dǎo)體芯片，在 后述的條件A和B下進(jìn)行時(shí)的成功率均為100%時(shí)評(píng)價(jià)為◎，在條件A下進(jìn)行時(shí)的成功率 為100%、并且在條件B下進(jìn)行時(shí)的成功率不為100%時(shí)評(píng)價(jià)為〇，在條件A和B下成功率 均不為100%時(shí)評(píng)價(jià)為X?！淳ハ鳁l件〉磨削裝置fM D公司制，DFG-8560半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(從厚度0. 6mm背面磨削至0. 075mm)〈粘貼條件〉粘貼裝置日東精機(jī)制，MA-3000II粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力() 15MPa粘貼時(shí)的平臺(tái)溫度40°C〈切割條件〉切割裝置:rM ”公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1 ( rM ^ ^公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Z1 r ^、二 公司制 2050HEDD12 r ^、二 公司制 2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)速Z1 :40000rpmZ2 :40000rpm刀片高度
Z1 :0. 170mm(取決于半導(dǎo)體晶片厚度(晶片厚度為75 y m時(shí)，為0. 170mm))Z2 :0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片芯片尺寸10. 0mm見(jiàn)方〈紫外線照射條件〉紫外線(UV)照射裝置日東精機(jī)(商品名、UM-810制)紫外線照射積分光量300mJ/cm2另外，紫外線照射從聚烯烴薄膜一側(cè)進(jìn)行。〈拾取條件〉關(guān)于拾取條件，分別通過(guò)下表3所示的條件A及條件B進(jìn)行。表3 (切割環(huán)的膠糊殘留)從切割環(huán)上剝離切割薄膜，通過(guò)目測(cè)確認(rèn)切割環(huán)上是否產(chǎn)生膠糊殘留。確認(rèn)到膠 糊殘留時(shí)評(píng)價(jià)為X，未確認(rèn)到時(shí)評(píng)價(jià)為〇。表4 表 權(quán)利要求
一種切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層包含使包含10～30摩爾％含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對(duì)于所述含羥基單體為70～90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物、及分子中具有兩個(gè)以上對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán)并且相對(duì)于所述聚合物100重量份含量為2～20重量份的交聯(lián)劑，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹(shù)脂而構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙 酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯 酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰 酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。
4.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層不含丙烯酸。
全文摘要
本發(fā)明提供即使在工件為薄型的情況下將工件切割時(shí)的保持力與將通過(guò)切割得到的芯片狀工件和該芯片接合薄膜一體地剝離時(shí)的剝離性的平衡特性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，粘合劑層包含使包含10～30摩爾％含羥基單體的丙烯酸類聚合物與相對(duì)于含羥基單體為70～90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物進(jìn)行加成反應(yīng)而得到的聚合物、及分子中具有兩個(gè)以上對(duì)羥基顯示反應(yīng)性的官能團(tuán)并且相對(duì)于所述聚合物100重量份含量為2～20重量份的交聯(lián)劑，芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹(shù)脂而構(gòu)成。
文檔編號(hào)H01L21/52GK101855711SQ20088011518
公開(kāi)日2010年10月6日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日
發(fā)明者村田修平, 松村健, 神谷克彥 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社