專利名稱：：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件(半導(dǎo)體芯片等)與電極部件的膠粘劑在切割前粘貼在工件(半導(dǎo)體晶片等)上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜、其制造方法及使用該切割/芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置制造方法。
背景技術(shù)：
：形成電路圖案的半導(dǎo)體晶片(工件)在根據(jù)需要通過背面研磨調(diào)節(jié)厚度后，切割為半導(dǎo)體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。切割工序中，為了除去切割層一般在適度的液壓(通常為約2kg/cm2)下清洗半導(dǎo)體晶片。然后，利用膠粘劑將所述半導(dǎo)體芯片固著到引線框等被粘物上(安裝工序)后，進(jìn)入接合工序。所述安裝工序中，將膠粘劑涂布在引線框或半導(dǎo)體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層難以均勻化，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片、并且還提供安裝工序中所需的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參照日本特開昭60-57642號公報)。日本特開昭60-57642號公報中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上設(shè)置有能夠剝離的膠粘劑層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導(dǎo)體晶片，然后拉伸支撐基材，將半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其逐個回收，通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。這種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，為了不產(chǎn)生無法切割或尺寸差錯等，希望具有對半導(dǎo)體晶片的良好保持力和能夠?qū)⑶懈詈蟮陌雽?dǎo)體芯片與膠粘劑層一起從支撐基材剝離的良好剝離性。但是，使這兩種特性平衡絕不是容易的事情。特別是象利用旋轉(zhuǎn)圓刀等切割半導(dǎo)體晶片的方式那樣要求膠粘劑層具有高保持力的情況下，難以得到滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，為了克服這樣的問題，提出了各種改良方法(例如，參照半導(dǎo)體芯片拾取)。已經(jīng)公開了為拾取半導(dǎo)體芯片而在支撐基材和膠粘劑層之間插入了能進(jìn)行紫外線固化的粘合劑層的晶片固定部件。公開的主旨是該晶片固定部件在切割時防止芯片飛散的發(fā)生，并且在拾取時通過紫外線照射使粘合劑層固化而使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過兩者間的剝離使半導(dǎo)體芯片的拾取變得容易。但是，即使根據(jù)該改良方法，有時也難以得到使切割時的保持力與之后的剝離性良好平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在10mmX10mm以上的大型半導(dǎo)體芯片或25~75pm的極薄半導(dǎo)體芯片的情況下，使用一般的芯片接合機(jī)不能容易地拾取半導(dǎo)體芯片。針對這樣的問題，日本特開2005-5355號公報中公開了通過向粘合劑層中與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對應(yīng)的部分照射紫外線使該部分固化而提高拾取性的方案。但是，日本特開2005-5355號公報記載的切割/芯片接合薄膜，其切割后的切割面上發(fā)生構(gòu)成芯片接合薄膜的膠粘劑的膠糊溢出，因此有時切割面之間發(fā)生再附著(粘連)。結(jié)果，難以進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的拾取。另外，近年來，要求半導(dǎo)體芯片的薄膜化和小型化，希望在通過芯片接合制作芯片尺寸小于lmmXlmm的半導(dǎo)體芯片時也能夠防止芯片飛散發(fā)生的切割/芯片接合薄膜。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題而進(jìn)行，其目的在于提供即使在半導(dǎo)體芯片為薄型或芯片尺寸小的情況下，能夠防止切割時芯片飛散的保持力與將該半導(dǎo)體芯片和其芯片接合薄膜一起剝離時的剝離性之間的平衡特性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜；其制造方法；以及使用該切割/芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置制造方法。本發(fā)明人為了解決上述現(xiàn)有問題，對切割/芯片接合薄膜、其制造方法以及使用該切割/芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置制造方法進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果是具有在層壓到芯片接合薄膜上后通過紫外線照射而固化的粘合劑層的切割/芯片接合薄膜，則在通過切割制作芯片尺寸小于lmm見方的極小半導(dǎo)體芯片時也能夠防止芯片飛散的發(fā)生，并且在拾取2575)am的極薄半導(dǎo)體芯片時也能夠提高剝離性，從而完成了本發(fā)明。艮「J，為了解決上述問題，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜是具有在紫外線透過性的基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層是通過在由丙烯酸類聚合物形成的粘合劑層前體上層壓所述芯片接合薄膜后從所述基材側(cè)照射紫外線進(jìn)行固化而形成的，所述丙烯酸類聚合物由作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯100摩爾％的比例在1040摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體100摩爾％的比例在70~90摩爾％范圍內(nèi)的分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構(gòu)成，所述芯片接合薄膜由環(huán)氧樹脂形成。所述粘合劑層在與芯片接合薄膜粘貼后通過紫外線照射而固化，因此在維持粘合劑層與芯片接合薄膜之間的良好剝離性、同時不損害相互的密合性的層壓狀態(tài)下粘貼。由此，能夠防止兩者的粘合性過度下降，在例如通過切割制作芯片尺寸小于lmmXlmm的半導(dǎo)體芯片時，也能夠防止芯片飛散的發(fā)生。另外，由于粘合劑層呈固化狀態(tài)，因此能夠容易地在粘合劑層與芯片接合薄膜之間引起界面破壞。結(jié)果，使兩者之間的剝離性良好，因此在例如拾取25~75pm的極薄半導(dǎo)體芯片時，拾取性也優(yōu)良。另外，由于所述芯片接合薄膜由環(huán)氧樹脂形成，因此即使例如通過切割與半導(dǎo)體晶片一起被切斷，也能夠防止其切割面上發(fā)生構(gòu)成芯片接合薄膜的膠粘劑的膠糊溢出。由此，防止切割面之間再附著(粘連)，從而能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體芯片的拾取性。另外，由于所述粘合劑層中使用丙烯酸酯作為主單體，因此實現(xiàn)剝離力的下降，能夠得到良好的拾取性。另外，通過使含羥基單體的配比相對于丙烯酸酯100摩爾％為10摩爾％以上，抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，能夠防止例如對切割時粘合劑層上粘貼的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過使所述配比為40摩爾％以下，能夠防止紫外線照射引起的交聯(lián)過度進(jìn)行而使剝離困難、拾取性下降的情況。另外，還能夠防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產(chǎn)率下降。另外，本發(fā)明中，不使用多官能單體，而使用分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不會出現(xiàn)該多官能單體物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜中的情況。結(jié)果，防止切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的拾取性。所述紫外線照射時的積分光量優(yōu)選在30~1000mJ/cm2的范圍內(nèi)。通過使紫外線的照射為30mJ/cn^以上，使粘合劑層充分固化，防止其與芯片接合薄膜過度密合。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的拾取性，并能夠防止拾取后粘合劑附著在芯片接合薄膜上(所謂的膠糊殘留)。另一方面，通過使紫外線的照射為1000mJ/cn^以下，能夠減少對基材的熱損害。另外，能夠防止粘合劑層的固化過度進(jìn)行而使拉伸彈性模量過大，擴(kuò)展性下降。另外，防止粘合力過低，由此在工件的切割時，能夠防止芯片飛散的發(fā)生。所述構(gòu)成中，所述丙烯酸酯優(yōu)選以CH2=CHCOOR(式中，R為碳原子數(shù)6~10的垸基)表示。通過使用CH2=CHCOOR(式中的烷基R的碳原子數(shù)在610的范圍內(nèi))作為丙烯酸酯，能夠防止剝離力過大，拾取性下降。所述含羥基單體優(yōu)選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。另外，所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優(yōu)選為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。另外，所述聚合物的重均分子量優(yōu)選在35萬至100萬的范圍內(nèi)。通過使重均分子量為35萬以上，減少低分子量聚合物的比例，由此，能夠防止例如從切割時粘合劑層上粘貼的切割環(huán)上發(fā)生剝離。另外，能夠防止紫外線照射后的交聯(lián)不足，因此在從粘合劑層上剝離切割環(huán)時，還能夠防止產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過使重均分子量為100萬以下，能夠提高在基材上形成粘合劑層時的操作性。粘合劑層的形成，例如通過在基材上涂布含有所述聚合物的粘合劑組合物溶液后使其干燥來進(jìn)行，如果聚合物的重均分子量超過100萬，則粘合劑組合物溶液的粘度過大，因此該聚合物的聚合以及涂布時的操作性降低。另外，所述粘合劑層的23。C下的拉伸彈性模量優(yōu)選在7170MPa的范圍內(nèi)。通過使拉伸彈性模量(23°C)為7MPa以上，能夠維持良好的拾取性。另一方面，通過使拉伸彈性模量為170MPa以下，能夠抑制切割時芯片飛散的發(fā)生。構(gòu)成所述粘合劑層的所述丙烯酸類聚合物優(yōu)選不含丙烯酸作為單體成分。由此，能夠防止粘合劑層與芯片接合薄膜的反應(yīng)或相互作用，從而進(jìn)一步提高拾取性。另外，為了解決前述問題，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法是具有在紫外線透過性的基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于包括在所述基材上形成粘合劑層前體的工序，所述粘合劑層前體包含聚合物，所述聚合物包含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯100摩爾％的比例在1040摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體100摩爾％的比例在70-90摩爾％范圍內(nèi)的分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物；在所述粘合劑層前體上粘貼所述芯片接合薄膜的工序；和從所述基材側(cè)向粘貼了所述芯片接合薄膜的所述粘合劑層前體照射紫外線，從而形成所述粘合劑層的工序。本發(fā)明的制造方法中，在粘貼芯片接合薄膜后，照射紫外線而形成固化的粘合劑層。由此，維持不損害芯片接合薄膜與粘合劑層之間密合性的層壓狀態(tài)，因此能夠抑制粘合性過度下降而進(jìn)行制作。結(jié)果，在例如通過切割制作芯片尺寸小于lmmXlmm的半導(dǎo)體芯片時，也能夠防止芯片飛散。另外，由于粘合劑層發(fā)生固化，因此能夠容易地在粘合劑層與芯片接合薄膜之間引起界面破壞。結(jié)果，使兩者之間的剝離性良好，在例如拾取2575pm的極薄半導(dǎo)體芯片時，拾取性也優(yōu)良。另外，所述方法中，使用環(huán)氧樹脂作為芯片接合薄膜的構(gòu)成材料，因此能夠形成例如切割半導(dǎo)體晶片時即使半導(dǎo)體晶片與芯片接合薄膜被切斷也能夠防止在其切割面上發(fā)生膠粘劑的膠糊溢出的芯片接合薄膜。結(jié)果，防止芯片接合薄膜的切割面之間再附著(粘連)，由此能夠制作拾取性優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜。另外，由于粘合劑層的構(gòu)成材料使用丙烯酸酯作為主單體，因此實現(xiàn)粘合力的降低，能夠得到良好的拾取性。另外，通過使含羥基單體的配合比例相對于丙烯酸酯100摩爾％為10摩爾％以上，能夠抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，例如對切割時粘合劑層上粘貼的切割環(huán)，也能夠防止發(fā)生膠糊殘留。另一方面，通過使所述配合比例為40摩爾％以下，能夠防止紫外線照射引起的交聯(lián)過度進(jìn)行而使剝離困難，拾取性下降。另外，還能夠防止與聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產(chǎn)率下降。另外，本發(fā)明中，不使用多官能單體，而使用分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不會出現(xiàn)該多官能單體物質(zhì)擴(kuò)散至芯片接合薄膜中的情況。結(jié)果，防止切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的拾取性。所述紫外線照射優(yōu)選在30~1000mJ/cm2的范圍內(nèi)進(jìn)行。通過使紫外線的照射為30mJ/cn^以上，使粘合劑層充分固化，防止其與芯片接合薄膜過度密合。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的拾取性，并能夠防止拾取后粘合劑附著在芯片接合薄膜上(所謂的膠糊殘留)。另一方面，通過使紫外線的照射為1000mJ/cn^以下，能夠減少對基材的熱損害。另外，能夠防止粘合劑層的固化過度進(jìn)行而使拉伸彈性模量過大，擴(kuò)展性下降。另外，防止粘合力過低，由此在工件的切割時，能夠防止芯片飛散的發(fā)生。另外，為了解決前述問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法是使用具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，包括以下工序準(zhǔn)備前面記載的切割/芯片接合薄膜，并在所述芯片接合薄膜上壓接半導(dǎo)體晶片的工序；通過將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合薄膜一起切割而形成半導(dǎo)體芯片的工序；和將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合薄膜一起從所述粘合劑層上剝離的工序；并且從所述半導(dǎo)體晶片的壓接工序直至半導(dǎo)體芯片的剝離工序，所述粘合劑層上未照射紫外線。所述方法中，使用在半導(dǎo)體晶片的切割時防止半導(dǎo)體芯片發(fā)生芯片飛散、并且拾取性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜，因此即使在例如10mmX10mm以上的大型半導(dǎo)體芯片或2575pm的極薄半導(dǎo)體芯片的情況下，也能夠容易地將半導(dǎo)體芯片與芯片接合薄膜一起從切割薄膜上剝離。g卩，根據(jù)所述方法，能夠提高成品率制造半導(dǎo)體裝置。另外，所述方法中，在拾取前不必對粘合劑層照射紫外線。結(jié)果，與以往的半導(dǎo)體裝置制造方法相比能夠減少工序數(shù)。另外，在半導(dǎo)體晶片具有預(yù)定的電路圖案的情況下，也能夠防止由紫外線照射引起的電路圖案不良情況的產(chǎn)生。結(jié)果，能夠制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，所述方法中，由于使用具有使用環(huán)氧樹脂作為構(gòu)成材料的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，因此即使在例如半導(dǎo)體晶片的切割時，也能夠防止芯片接合薄膜的切割面上膠粘劑的膠糊溢出而造成的切割面之間的再附著(粘連)。結(jié)果，半導(dǎo)體芯片的剝離變得更加容易，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高。圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本發(fā)明的另一個實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖3a是表示在所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜上安裝半導(dǎo)體晶片的情形的剖面示意圖。圖3b是表示切割所述半導(dǎo)體晶片的情形的剖面示意圖。圖3c是表示用針將所述半導(dǎo)體晶片切割所得的半導(dǎo)體芯片上推的情形的剖面示意圖。圖3d是表示拾取所述半導(dǎo)體芯片的情形的剖面示意圖。圖3e是表示所述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上后用密封樹脂密封的情形的剖面示意圖。具體實施例方式(切割/芯片接合薄膜)參照圖1和圖2對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本發(fā)明實施方式的另一個切割/芯片接合薄膜的剖面示意圖。其中，省略不需要說明的部分，另外，為了便于說明有擴(kuò)大或者縮小等進(jìn)行圖示的部分。如圖1所示，切割/芯片接合薄膜10的構(gòu)成為具有在基材1上設(shè)置粘合劑層2的切割薄膜和在該粘合劑層2上設(shè)置的芯片接合薄膜3。另外，如圖2所示，本發(fā)明也可以是僅在半導(dǎo)體晶片粘貼部分2a上形成芯片接合薄膜3'的構(gòu)成。所述基材1具有紫外線透過性，并且為切割/芯片接合薄膜10、11的強(qiáng)度母體?？梢粤信e例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纖維素樹脂、有機(jī)硅(silicone)樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材l的材料，可以列舉所述樹脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使其基材1熱收縮而降低粘合劑層2與芯片接合薄膜3、3'的膠粘面積，從而容易進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的回收。為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材1的表面可以進(jìn)行常規(guī)的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電壓暴露、離子化射線處理等化學(xué)或物理處理、以及底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))涂布處理。所述基材1可以適當(dāng)選擇使用相同種類或不同種類，根據(jù)需要也可以將多種混合使用。另外，為了賦予基材1防靜電性能，可以在所述基材1上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度約30A約500A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層?；?可以是單層或2種以上的多層?；?的厚度沒有特別限制，可以適當(dāng)設(shè)定，通常為約5^im~約200(im。所述粘合劑層2由紫外線固化型粘合劑形成，通過預(yù)先照射紫外線而固化。固化的部分不必是粘合劑層2的全部區(qū)域，只要至少與粘合劑層2的半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分2a固化即可(參照圖1)。粘合劑層2在與芯片接合薄膜3粘貼后通過紫外線照射而固化，因此維持不過度損害粘合劑層與芯片接合薄膜之間的密合性的層壓狀態(tài)。由此，抑制粘合性的過度降低從而防止芯片飛散，同時減少粘合劑層2與芯片接合薄膜3之間的錨固效果從而提高剝離力。另外，通過使紫外線固化型粘合劑層2在與圖2所示的芯片接合薄膜3'貼合的狀態(tài)下事先固化，抑制粘合劑層2與芯片接合薄膜3的界面處密合性過度增大。由此，拾取時芯片接合薄膜3'具備容易從粘合劑層2上剝離的性質(zhì)。另一方面，粘合劑層2的其它部分2b由于未照射紫外線因此未固化，粘合力比所述部分2a大。由此，在其它部分2b上粘貼切割環(huán)12時，能夠?qū)⑶懈瞽h(huán)12可靠地膠粘固定。如前所述，圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑能夠以良好的膠粘/剝離平衡支撐用于將半導(dǎo)體芯片固著到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b可以固定切割環(huán)。切割環(huán)例如可以使用不銹鋼制等由金屬制成的切割環(huán)或樹脂制成的切割環(huán)。切割/芯片接合薄膜10中，優(yōu)選進(jìn)行如下設(shè)計使粘合劑層2中所述部分2a對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力小于所述其它部分2b對與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a不同的部分3b的粘合力。在常溫(23°C)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘的條件下，所述部分2a的粘合力從晶片的固定保持力和形成的芯片的回收性等觀點考慮優(yōu)選為l~1.5N/10mm。粘合力如果小于1N/I0mm則半導(dǎo)體芯片的膠粘固定不充分，因此在切割為芯片尺寸小于lmmXlmm的半導(dǎo)體芯片時，有時發(fā)生芯片飛散。另外，粘合力如果超過1.5N/10mm則粘合劑層2過度地膠粘芯片接合薄膜3，因此有時難以拾取半導(dǎo)體芯片。因此，如果考慮芯片尺寸小于lmmXlmm的半導(dǎo)體芯片的制作，則所述粘合力優(yōu)選為11.5N/10mm。另一方面，所述其它部分2b的粘合力優(yōu)選為0.5~10N/10mm、進(jìn)一步優(yōu)選為l5N/10mm。即使所述部分2a的粘合力低，通過所述其它部分2b的粘合力也能夠抑制芯片飛散等的發(fā)生，發(fā)揮晶片加工所需的保持力。切割/芯片接合薄膜11中，優(yōu)選進(jìn)行如下設(shè)計使粘合劑層2中所述部分2a對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力小于所述其它部分2b對切割環(huán)12的粘合力。所述部分2a對半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a的粘合力(常溫(23°C)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)與上述同樣優(yōu)選為11.5N/10mm。另一方面，所述其它部分2b對切割環(huán)12的粘合力優(yōu)選為0.05~10N/10mm、進(jìn)一步優(yōu)選為0.1~5N/10mm。即使所述部分2a的剝離粘合力低，通過所述其它部分2b的粘合力也能夠抑制芯片飛散等的發(fā)生，發(fā)揮對晶片加工充分的保持力。另外，這些粘合力是常溫(23t:)、剝離角度15度、拉伸(剝離)速度300mm/分鐘條件下的測定值。另外，切割/芯片接合薄膜10、11中，優(yōu)選進(jìn)行如下設(shè)計半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對半導(dǎo)體晶片的粘合力大于其對所述部分2a的粘合力。對半導(dǎo)體晶片的粘合力可以根據(jù)其種類適當(dāng)調(diào)節(jié)。半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對所述部分2a的粘合力(常溫(23°C)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)優(yōu)選為0.05~10N/10mm、進(jìn)一步優(yōu)選為l~5N/10mm。另一方面，半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對半導(dǎo)體晶片的粘合力(常溫(23°C)、剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘)從切割時、拾取時、芯片接合時的可靠性、拾取性的觀點考慮優(yōu)選為0.5~15N/10mm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為l~15N/10mm。在此，當(dāng)設(shè)半導(dǎo)體晶片4的直徑為n、粘合劑層2中所述部分2a的直徑為r2、芯片接合薄膜3中半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a(或芯片接合薄膜3')的直徑為r3時，優(yōu)選滿足rrcr2々3的關(guān)系。由此，能夠?qū)雽?dǎo)體晶片4的整個面膠粘固定在芯片接合薄膜3、3，上，同時，能夠?qū)雽?dǎo)體晶片粘貼部分3a(或芯片接合薄膜3')的邊緣部膠粘固定在所述其它部分2b上。由于所述其它部分2b的粘合力大于所述部分2a，因此能夠在所述邊緣部膠粘固定半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a(或芯片接合薄膜3，)。結(jié)果，切割時能夠進(jìn)一步防止芯片飛散的發(fā)生。所述紫外線固化型粘合劑是使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物等成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移動，能夠形成穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的粘合劑層。作為所述基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選使用以丙烯酸類聚合物為基本骨架的聚合物。本發(fā)明中，作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉使用丙烯酸酯作為主單體成分的丙烯酸類聚合物。作為所述丙烯酸酯，可以列舉例如丙烯酸垸基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、異壬酯、癸酯、異癸酯、十一垸酯、十二垸酯、十三垸酯、十四垸酯、十六烷酯、十八垸酯、二十烷酯、二十二垸酯等烷基的碳原子數(shù)1~30、特別是碳原子數(shù)4~18的直鏈或支鏈垸基酯等)及丙烯酸環(huán)垸酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)。這些單體可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。前述例示的丙烯酸酯中，在本發(fā)明中優(yōu)選使用以化學(xué)式CH2=CHCOOR(式中，R為碳原子數(shù)610、更優(yōu)選碳原子數(shù)8~9的烷基)表示的單體。碳原子數(shù)如果為6以上則抑制剝離力過大，能夠防止拾取性下降。另一方面，碳原子數(shù)如果為IO以下則抑制與芯片接合薄膜的膠粘性的下降，結(jié)果，能夠防止切割時發(fā)生芯片飛散。另外，丙烯酸酯由化學(xué)式CH^CHCOOR表示時，其配合比例相對于丙烯酸類聚合物的丙烯酸酯100摩爾％優(yōu)選為5091摩爾％、更優(yōu)選為8087摩爾％。配合比例如果小于50摩爾則剝離力過大，有時拾取性下降。另一方面，如果超過91摩爾％則粘合性下降，有時在切割時發(fā)生芯片飛散。另外，所述化學(xué)式表示的單體中，特別優(yōu)選丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯。所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。含羥基單體可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。所述含羥基單體的配合比例，相對于丙烯酸酯100摩爾％優(yōu)選在1040摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在15~30摩爾％的范圍內(nèi)。配合比例如果小于10摩爾％則紫外線照射后交聯(lián)不足，有時拾取性下降。另一方面，如果配合比例超過40摩爾％則粘合劑的極性增高，與芯片接合薄膜的相互作用增大，因此剝離困難。為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可以含有與能夠與所述丙烯酸垸基酯共聚的其它單體成分對應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等甲基丙烯酸烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺；丙烯腈；甲基丙烯酸環(huán)垸酯；等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。但是，在所述含羧基單體的情況下，其羧基與芯片接合薄膜3中的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基反應(yīng)，由此粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失，有時兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的0~3重量％以下。另外，這些單體成分中，優(yōu)選構(gòu)成本發(fā)明的粘合劑層2的丙烯酸類聚合物不含丙烯酸作為單體成分。這是因為有時丙烯酸物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜3中，使粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失，而使剝離性下降。在此，所述丙烯酸類聚合物，優(yōu)選不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，多官能單體不會物質(zhì)擴(kuò)散至芯片接合薄膜，能夠防止粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊界面消失而導(dǎo)致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物中，使用分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a，a-二甲基芐基異氰酸酯等。所述分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的配合比例，相對于含羥基單體100摩爾％其配合比例優(yōu)選在70~90摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在7585摩爾％的范圍內(nèi)。配合比例如果低于70摩爾%則紫外線照射后的交聯(lián)不足，有時拾取性下降。另一方面，配合比例如果超過90摩爾％則粘合劑的極性增高，與芯片接合薄膜的相互作用增大，由此難以剝離，拾取性下降。所述丙烯酸類聚合物可以通過使所述單體混合物進(jìn)行聚合而得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等中的任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物等方面考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選為約35萬至約100萬、更優(yōu)選為約45萬至約80萬。重均分子量的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進(jìn)行，是通過聚乙烯換算計算得到的值。另外，為了調(diào)節(jié)紫外線照射前的粘合力或紫外線照射后的粘合力，所述粘合劑中也可以適當(dāng)使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑而使其反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑的情況下，其用量根據(jù)與欲交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途來適當(dāng)確定。一般而言，相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選配合約20重量份以下、更優(yōu)選配合0.1-10重量份。另外，根據(jù)需要，粘合劑中除所述成分之外還可以使用現(xiàn)有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，從分子設(shè)計方面而言在聚合物側(cè)鏈中引入自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉預(yù)先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該羥基反應(yīng)的異氰酸酯基及自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的所述異氰酸酯化合物在保持自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的紫外線固化性的狀態(tài)下與所得共聚物進(jìn)行縮合或加成反應(yīng)的方法。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑，可以單獨(dú)使用所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合紫外線固化性單體成分或低聚物成分。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙垸三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉氮基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)?。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合比例可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言，相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份，例如為約5重量份至約500重量份、優(yōu)選約40重量份至約150重量份。在通過紫外線等進(jìn)行固化時，所述紫外線固化型粘合劑中優(yōu)選含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、a-羥基-a,oc'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、l-羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]..2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1,2-丙二酮-2-(0乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3，-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵化酮；?；趸ⅲ货；⑺狨サ?。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份例如為約0.05重量份至約20重量份。切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，可以對粘合劑層2的一部分照射紫外線以使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用對基材1的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分以外的部分的全部或一部分進(jìn)行遮光的基材，在其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射，使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對應(yīng)的部分固化，形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，紫外線照射時因氧而產(chǎn)生固化抑制時，優(yōu)選從紫外線固化型粘合劑層2的表面隔斷氧(空氣)。作為其方法，可以列舉例如用隔膜包覆粘合劑層2的表面的方法或者在氮?dú)夥諊羞M(jìn)行紫外線等的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時防止芯片切割面的缺陷和保持芯片接合薄膜3的固定等方面考慮，優(yōu)選為約lpm至約50pm。優(yōu)選230jam、更優(yōu)選525jim。芯片接合薄膜3例如可以形成僅由單層膠粘劑層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。另外，也可以將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當(dāng)組合，形成兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外，由于半導(dǎo)體晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸濕，有時達(dá)到常態(tài)以上的含水率。如果以這樣的高含水率狀態(tài)膠粘到襯底等上，則有時在后固化階段膠粘界面處滯留水蒸汽，而產(chǎn)生隆起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，形成用芯片膠粘劑夾住高透濕性芯材的結(jié)構(gòu)，由此在后固化階段水蒸汽透過薄膜而擴(kuò)散，從而能夠避免所述問題。從這樣的觀點考慮，芯片接合薄膜3可以形成在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)。芯片接合薄膜3的120~130°C(芯片接合時的溫度條件)下的熔融粘度優(yōu)選為5003500MPa、更優(yōu)選為5003300MPa、特別優(yōu)選5003000MPa。由此，在進(jìn)行芯片接合時，即使在半導(dǎo)體芯片的邊緣部未施加充分的壓力，也能夠防止微小氣泡(微孔)或局部收縮(凹陷)的產(chǎn)生。結(jié)果，耐濕焊料回流試驗中的耐久性提高，另外，塑封樹脂進(jìn)入半導(dǎo)體芯片的邊緣部，因此也能夠防止半導(dǎo)體芯片的破損。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強(qiáng)的樹脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。本發(fā)明的芯片接合薄膜3,以環(huán)氧樹脂作為主成分而形成。環(huán)氧樹脂中使半導(dǎo)體元件腐蝕的離子性雜質(zhì)等的含量少，因此優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四酚基乙垸型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥苯基甲垸型環(huán)氧樹脂或四酚基乙垸型環(huán)氧樹脂。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚樹脂的反應(yīng)性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，芯片接合薄膜3根據(jù)需要可以適當(dāng)組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧垸樹脂、或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑優(yōu)選酚樹脂。另外，所述酚樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑使用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳垸基樹脂等。這是因為它們能夠提高半導(dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚樹脂的配合比例，優(yōu)選例如以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的每一當(dāng)量環(huán)氧基，酚樹脂中的羥基為0.5~2.0當(dāng)量的比例進(jìn)行配合。更優(yōu)選0.81.2當(dāng)量。g卩，這是因為兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應(yīng)不充分，環(huán)氧樹脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6,6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸樹脂。作為所述丙烯酸樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一垸基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。為了使芯片接合薄膜3的膠粘劑層預(yù)先具有某種程度的交聯(lián)，在制作時優(yōu)選添加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，能夠提高高溫下的膠粘特性、改善耐熱性。另外，芯片接合薄膜3的膠粘劑層中根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅垸偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如P-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、y-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸、Y-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5)Lim至約lOO)im、優(yōu)選約5pm至約50pm?？梢允骨懈?芯片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，能夠防止其膠粘時及剝離時等產(chǎn)生靜電或者電路由于靜電導(dǎo)致的半導(dǎo)體晶片帶電而遭破壞等。防靜電能力的賦予，可以通過在基材l、粘合劑層2或者芯片接合薄膜3中添加防靜電劑或?qū)щ娢镔|(zhì)的方法、在基材1上附設(shè)由電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物或金屬膜等形成的導(dǎo)電層等適宜方式來進(jìn)行。作為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為以賦予導(dǎo)電性、提高導(dǎo)熱性等為目的而配合的導(dǎo)電物質(zhì)(導(dǎo)電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電合金等球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從不漏電的觀點考慮，優(yōu)選所述芯片接合薄膜3、3'為非導(dǎo)電性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3'優(yōu)選由隔膜保護(hù)(未圖示)。隔膜具有作為在供給實際應(yīng)用之前保護(hù)芯片接合薄膜3、3，的保護(hù)材料的功能。另外，隔膜還可以作為向粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3'時的支撐基材使用。隔膜在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3、3'上粘貼半導(dǎo)體芯片時剝離。作為隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10為例對本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法進(jìn)行說明。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方式制成膜。作為該制膜方法，可以列舉例如壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的流延法、密閉體系的擠壓吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，在基材1上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在規(guī)定條件下使該涂膜干燥(根據(jù)需要進(jìn)行加熱交聯(lián))，形成粘合劑層前體。作為涂布方法沒有特別限制，可以列舉例如輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，作為干燥條件可以根據(jù)涂膜的厚度或材料等進(jìn)行各種設(shè)定。具體而言，例如，在干燥溫度80~150°C、干燥時間0.55分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外，也可以在隔膜上涂布粘合劑組合物形成涂膜后，在所述干燥條件下使涂膜干燥而形成粘合劑層前體。之后，將粘合劑層前體轉(zhuǎn)印到基材1上。然后，將用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布到剝離紙上至預(yù)定厚度，進(jìn)一步在預(yù)定條件下干燥而形成芯片接合薄膜3。將該芯片接合薄膜3轉(zhuǎn)印到所述粘合劑層前體上。然后，從基材1一側(cè)對粘合劑層前體進(jìn)行紫外線照射。由此形成粘合劑層2，得到本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。作為紫外線的照射條件，其積分光量優(yōu)選在301000mJ/cn^的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在100-500mJ/cm2的范圍內(nèi)。紫外線照射如果不足30mJ/cm2則有時粘合劑層的固化不充分。結(jié)果，與芯片接合薄膜的密合性增大，導(dǎo)致拾取性下降。另外，拾取后在芯片接合薄膜上產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，紫外線照射如果超過1000mJ/cn^則有時對基材產(chǎn)生熱損害。另外，粘合劑層的固化過度進(jìn)行而使拉伸彈性模量過大，擴(kuò)張性下降。另外，粘合力過度下降，由此在半導(dǎo)體晶片的切割時，有時發(fā)生芯片飛散。另外，在向粘合劑層前體上粘貼芯片接合薄膜的工序后，優(yōu)選不立即實施對粘合劑層前體照射紫外線的工序而設(shè)置放置工序。由此，粘合劑層前體與芯片接合薄膜的邊界處的潤濕性提高，能夠避免在氧等殘留狀態(tài)下進(jìn)行紫外線照射。結(jié)果，能夠減少由氧引起的紫外線固化抑制，防止在粘合劑層前體上形成未發(fā)生紫外線固化的區(qū)域，從而能夠?qū)崿F(xiàn)剝離特性的面內(nèi)均勻化。作為所述放置工序的放置時間(放置期間)，例如，在溫度23士5°C、濕度55±5%RH、遮光狀態(tài)下，可以從0.1小時以上的范圍適當(dāng)選擇，優(yōu)選0.5小時以上(進(jìn)一步優(yōu)選1小時以上、特別優(yōu)選3小時以上)。因此，作為放置時間，在溫度23土5'C、濕度55±5%朋、遮光狀態(tài)下，可以從6小時以上的范圍適當(dāng)選擇，優(yōu)選12小時以上(其中優(yōu)選24小時以上)。放置時間如果小于O.l小時則在粘合劑層前體與芯片接合薄膜的接觸面積變小的狀態(tài)下受到紫外線照射，因此導(dǎo)致粘合劑層對芯片接合薄膜的粘合力下降。結(jié)果，切割時有時發(fā)生芯片飛散。但是，放置時間如果超過3個月，則粘合劑層前體與芯片接合薄膜的接觸面積過大，即使通過紫外線照射形成固化的粘合劑層，有時粘合劑層對芯片接合薄膜的粘合力過大。結(jié)果，不能得到良好的剝離性，在半導(dǎo)體芯片的拾取時有時產(chǎn)生拾取不良。(半導(dǎo)體裝置的制造方法)參照圖3對使用本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜11的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。首先，將半導(dǎo)體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3'上，使其保持膠粘而固定(安裝工序)。本工序在用壓接輥等擠壓工具擠壓的同時進(jìn)行。然后，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片4的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片4切割為預(yù)定的尺寸而小片化，形成半導(dǎo)體芯片5。切割例如從半導(dǎo)體晶片4的電路面一側(cè)按照常規(guī)方法來進(jìn)行。另外，本工序中，例如可以采用完全切入至芯片接合薄膜3的、稱為全切的切割方式等。由于芯片接合薄膜3由環(huán)氧樹脂形成，因此即使通過切割被切斷，也能夠防止其切割面上產(chǎn)生膠粘劑的膠糊溢出。結(jié)果，能夠防止切割面之間再附著(粘連)，從而能夠更好地進(jìn)行后述的拾取。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，由于半導(dǎo)體晶片4由芯片接合薄膜3膠粘固定，因此不僅能夠抑制芯片缺陷和芯片飛散，也能夠抑制半導(dǎo)體晶片4的破損。另外，即使在通過切割切入至粘合劑層2的情況下，由于粘合劑層2通過紫外線照射而固化，也能夠防止絲屑等的產(chǎn)生。然后，進(jìn)行切割/芯片接合薄膜11的擴(kuò)展。擴(kuò)展使用現(xiàn)有公知的擴(kuò)展裝置進(jìn)行。擴(kuò)展裝置具有能夠通過切割環(huán)將切割/芯片接合薄膜11向下方下推的甜甜圈(donuts)狀外環(huán)和直徑比該外環(huán)小的支撐切割/芯片接合薄膜11的內(nèi)環(huán)。切割/芯片接合薄膜11中，僅粘合劑層2的所述部分2a通過紫外線照射而固化，其它部分2b未固化，因此，能夠充分地擴(kuò)大相鄰半導(dǎo)體芯片間的間隙而不發(fā)生斷裂。結(jié)果，在后述的拾取時，能夠防止半導(dǎo)體芯片之間接觸而破損。為了剝離膠粘固定在切割/芯片接合薄膜IO上的半導(dǎo)體芯片5，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取。拾取以不對粘合劑層2照射紫外線的方式進(jìn)行。拾取方法沒有特別限制，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/芯片接合薄膜10—側(cè)將各個半導(dǎo)體芯片5向上推，通過拾取裝置拾取被上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10中，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的剝離性良好，因此即使減少針數(shù)、或者減小上推量也能夠提高成品率而進(jìn)行拾取。拾取的半導(dǎo)體芯片5通過芯片接合薄膜3a膠粘固定到被粘物6上(芯片接合)。被粘物6載置于加熱臺(heatblock)9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，所述引線框，可以使用CU引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等制成的有機(jī)襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，還包括在安裝半導(dǎo)體元件，與半導(dǎo)體元件電連接后可以使用的電路襯底。芯片接合薄膜3為熱固型時，通過加熱固化將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定在被粘物6上，并提高耐熱強(qiáng)度。另外，通過芯片接合薄膜3a將半導(dǎo)體芯片5膠粘固定到襯底等上而形成的制品可以供給回流焊接工序。之后，進(jìn)行用焊線7將襯底的端子部(內(nèi)部端子)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊，再用密封樹脂8對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行密封，并使該密封樹脂8后固化。由此，制作本實施方式的半導(dǎo)體裝置。實施例以下，具體地舉例說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，這些實施例中記載的材料或配合量等，只要沒有特別限定的記載，則并不意味本發(fā)明的范圍僅限于這些，只不過是舉例說明而已。另外，各例中，"份"只要沒有特別說明均為重量基準(zhǔn)。(實施例1)<粘合劑層前體的制作>在具有冷凝管、氮?dú)鈱?dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，加入88.8份丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為"2EHA")、11.2份丙烯酸-2-羥基己酯(以下稱為"HEA")、0.2份過氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮?dú)鈿饬髦性?rC下進(jìn)行6小時聚合處理，得到重均分子量85萬的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如后所述。2EHA與HEA的摩爾比為100摩爾對20摩爾。在該丙烯酸類聚合物A中加入12份(相對于HEA為80摩爾％)2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(以下稱為"MOI")，在空氣氣流中在5(TC下進(jìn)行48小時加成反應(yīng)處理，得到丙烯酸類聚合物A'。然后，在100份丙烯酸類聚合物A'中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名"3口才、一卜L",日本聚氨酯株式會社制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名"^》力'年二了651"，汽巴特殊化學(xué)品公司制)，制作粘合劑溶液。將前述制備的粘合劑溶液涂布于PET剝離襯里的經(jīng)聚硅氧烷(silicone)處理的表面上，在120。C加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度10|_im的粘合劑層前體。然后，在該粘合劑層前體表面粘貼厚度100pm的聚烯烴薄膜。之后，在5(TC保存24小時。<芯片接合薄膜的制作>使50份環(huán)氧樹脂(日本化藥株式會社制，商品名EPPN501HY)、50份酚樹脂(明和化成株式會社制，商品名MEH7800)、100份丙烯酸共聚物(NogawaChemical株式會社制，商品名^匕"夕小AR31，重均分子量70萬，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度-15'C)和70份作為填料的球狀二氧化硅(7F、7亍、;/夕7株式會社制，商品名S0-25R，平均粒徑0.5(im)溶解于甲乙酮中，制備成濃度23.6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液涂布于作為剝離襯里(隔膜)的經(jīng)聚硅氧垸處理的厚度50jam的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然后在13(TC干燥2分鐘。由此，制作厚度25)am的芯片接合薄膜。<切割/芯片接合薄膜的制作〉將上述芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到前述的切割薄膜的粘合劑層前體一側(cè)。然后，在溫度25土3。C、相對濕度85%以下的環(huán)境下放置24小時。進(jìn)而，僅對粘合劑層前體的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分(直徑200mm)對應(yīng)的部分(直徑220mm)從聚烯烴薄膜一側(cè)照射紫外線而形成粘合劑層。由此，制作本實施例的切割/芯片接合薄膜。另外，紫外線照射條件如下所述。<紫外線照射條件>紫外線(UV)照射裝置高壓水銀燈紫外線照射積分光量500mJ/cm2輸出功率75W照射強(qiáng)度150mW/cm2<重均分子量Mw的測定>重均分子量Mw的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進(jìn)行。測定條件如下所述。另外，重均分子量通過聚苯乙烯換算來計算。測定裝置HLC-8120GPC(制品名，東曹公司制)柱TSKgelGMH-H(S)X2(商品編號，東曹公司制)流量0.5ml/分鐘注射量100pl柱溫40°C洗脫液THF注射試樣濃度0.1重量％檢測器差示折射計(實施例214)實施例214變更為下表1所示的組成及配合比例，除此以外，與實施例1同樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。(實施例15)本實施例中，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到切割薄膜的粘合劑層前體上以后，在溫度25土3T、相對濕度85%以下的環(huán)境下進(jìn)行12小時放置工序，除此以外，與實施例l同樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。(實施例16)本實施例中，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到切割薄膜的粘合劑層前體上以后，在溫度25±3°C、相對濕度85%以下的環(huán)境下進(jìn)行0.1小時放置工序，除此以外，與實施例1同樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>另外，表1及后述的表2中記載的簡稱的含義如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯i-OA:丙烯酸異辛酯i-NA:丙烯酸異壬酯BA:丙烯酸正丁酯AA:丙烯酸HEA:丙烯酸-2-羥基乙酯4HBA:丙烯酸-4-羥基丁酯AOI:2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯C/L:多異氰酸酯化合物(商品名"3口氺一卜L"，日本聚氨酯株式會社制造)T/C:環(huán)氧型交聯(lián)劑(商品名"亍卜，、乂KC"，三菱瓦斯化學(xué)株式會社制)(比較例1)本比較例中，將前述實施例1使用的粘合劑組溶液涂布于PET剝離襯里的經(jīng)聚硅氧垸處理的表面上，并在12(TC加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度10pm的粘合劑層前體。然后，在該粘合劑層前體表面上粘貼厚度100nm的聚烯烴薄膜。之后，在5(TC保存24小時。然后，僅對粘合劑層前體的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分(直徑200mm)對應(yīng)的部分(直徑220mm)照射紫外線而形成粘合劑層。由此，制作本比較例的切割薄膜。另外，紫外線照射條件與實施例1相同。然后，與前述實施例1同樣操作，制作芯片接合薄膜。進(jìn)而，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到所述切割薄膜的粘合劑層一側(cè)，得到本比較例的切割/芯片接合薄膜。(比較例2~14)比較例214變更為下表2所示的組成及配合比例，除此以外，與比較例1同樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。(比較例15)本比較例中，將前述實施例1使用的粘合劑溶液涂布于PET剝離襯里的經(jīng)聚硅氧垸處理的表面上，并在12(TC加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度10pm的粘合劑層前體。然后，在該粘合劑層前體表面上粘貼厚度100pm的聚烯烴薄膜。之后，在5(TC保存24小時。然后，與前述實施例1同樣操作，制作芯片接合薄膜。進(jìn)而，將芯片接合薄膜轉(zhuǎn)印到所述切割薄膜的粘合劑層前體一側(cè)。然后，僅對粘合劑層前體的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分(直徑200mm)對應(yīng)的部分(直徑220mm)照射紫外線而形成粘合劑層。由此，得到本比較例的切割薄膜。另外，紫外線照射條件與實施例1相同。<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>(切割)使用各實施例及比較例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要領(lǐng)實際進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割，評價各切割/芯片接合薄膜的性能。對半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進(jìn)行背面研磨處理，將厚度0.15mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔膜后，在4(TC下在其芯片接合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，進(jìn)而進(jìn)行切割。另外，切割是以得到lmm見方的芯片尺寸的方式進(jìn)行全切。確認(rèn)切割后的半導(dǎo)體晶片及切割/芯片接合薄膜有無芯片飛散。芯片飛散即使是半導(dǎo)體芯片有一個飛散時也評價為X，無飛散時評價為〇。晶片磨削條件、粘貼條件及切割條件如下所述。<晶片磨削條件>磨削裝置于V只〕公司帝iJ，DFG-8560半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.15mm)<粘貼條件>粘貼裝置日東精機(jī)制MA-300011粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力0.15MPa粘貼時的級溫40°C<切割條件〉切割裝置fV只3公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1(fV7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:fV73公司制2050HEDDZ2:^V只〕公司制2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)數(shù)Zl:40000rpmZ2:40000rpm刀片高度ZL*0.215mm(由半導(dǎo)體晶片厚度決定(晶片厚度為75pm時，為0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A模式/階段式切割晶片芯片尺寸0.5mm見方(拾取)使用各實施例及比較例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要領(lǐng)實際進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割后進(jìn)行拾取，評價各切割/芯片接合薄膜的性對半導(dǎo)體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進(jìn)行背面研磨處理，將厚度0.075mm的鏡面晶片作為工件使用。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔膜后，在4(TC下在其芯片接合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，進(jìn)而進(jìn)行切割。另外，切割是以得到lmm見方的芯片尺寸的方式進(jìn)行全切。然后，將各切割/芯片接合薄膜拉伸，進(jìn)行使各芯片間達(dá)到預(yù)定間隔的擴(kuò)展工序。但是，對比較例8的切割/芯片接合薄膜，在進(jìn)行紫外線照射后進(jìn)行擴(kuò)展工序。另外，紫外線的照射條件是使用日東精機(jī)(商品名UM-810型)作為紫外線(UV)照射裝置，紫外線照射積分光量為300mJ/cm2。另外，紫外線照射從聚烯烴薄膜一側(cè)進(jìn)行。進(jìn)而，從各切割/芯片接合薄膜的基材一側(cè)通過用針上推的方式拾取半導(dǎo)體芯片，進(jìn)行拾取性評價。具體而言，連續(xù)地拾取400個半導(dǎo)體芯片，將在后述的條件A及B下進(jìn)行時的成功率均為100%時評價為,在條件A下進(jìn)行時的成功率為100。/。并且在條件B下進(jìn)行時的成功率不為100%時評價為〇，在條件A及條件B下進(jìn)行時的成功率均不為100%時評價為X。<晶片磨削條件>磨削裝置fV只〕公司制，DFG-8560半導(dǎo)體晶片8英寸直徑(從厚度0.6mm背面磨削至0.075mm)<粘貼條件>粘貼裝置日東精機(jī)制MA-300011粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力0.15MPa粘貼時的級溫4(TC<切割條件〉切割裝置fV7〕公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1(fV只〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片.-Zl:fV7〕公司制2050HEDDZ2:fV只〕公司制2050HEBB切割刀片轉(zhuǎn)數(shù)Zl:機(jī)00rpmZ2:40000rpm刀片高度Zl:0.170mm(由半導(dǎo)體晶片厚度決定(晶片厚度為75pm時，為0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A模式/階段式切割晶片芯片尺寸10.0mm見方<拾取條件〉拾取條件按照下表3所示的條件A及條件B分別進(jìn)行。<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>(拉伸彈性模量的測定方法)在樣品尺寸設(shè)定為初始長度10mm、截面積0.1~0.5mm2，測定溫度23°C、夾盤間距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的測定條件下，沿MD方向或TD方向進(jìn)行拉伸試驗，測定各方向上樣品的伸長變化量(mm)。結(jié)果，對得到的S-S曲線的初期上升部分作切線，用該切線上相當(dāng)于100%伸長時的拉伸強(qiáng)度除以基材薄膜的截面積，得到拉伸彈性模量。另外，各樣品使用的是從切割/芯片接合薄膜上剝離芯片接合薄膜后的樣品。(切割環(huán)的膠糊殘留)從切割環(huán)上剝離切割薄膜，通過目測確認(rèn)切割環(huán)上是否產(chǎn)生膠糊殘留。確認(rèn)有膠糊殘留時評價為X，未確認(rèn)到時評價為O。(剝離粘合力)由各切割/芯片接合薄膜切出寬10mm的試片，將其粘貼于4(TC的熱板上載置的硅鏡面晶片上。放置約30分鐘，使用拉伸試驗機(jī)測定剝離粘合力。測定條件是剝離角度15。、拉伸速度300mm/分鐘。另外，試片的保存及剝離粘合力的測定在溫度23°C、相對溫度50%的環(huán)境下進(jìn)行。<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>權(quán)利要求1.一種切割/芯片接合薄膜，具有在紫外線透過性的基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層是通過在由丙烯酸類聚合物形成的粘合劑層前體上層壓所述芯片接合薄膜后從所述基材側(cè)照射紫外線進(jìn)行固化而形成的，所述丙烯酸類聚合物由作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯100摩爾％的比例在10～40摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體100摩爾％的比例在70～90摩爾％范圍內(nèi)的分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構(gòu)成，所述芯片接合薄膜由環(huán)氧樹脂形成。2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述紫外線照射時的積分光量在30~1000mJ/cm2的范圍內(nèi)。3.如權(quán)利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸酯由CH^CHCOOR表示，式中，R為碳原子數(shù)610的垸基。4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二垸酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述聚合物的重均分子量在35萬100萬的范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層的23"C下的拉伸彈性模量在7170MPa的范圍內(nèi)。8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，構(gòu)成所述粘合劑層的所述丙烯酸類聚合物不含丙烯酸作為單體成分。9.一種切割/芯片接合薄膜的制造方法，所述切割/芯片接合薄膜具有在紫外線透過性的基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜，其特征在于包括在所述基材上形成粘合劑層前體的工序，所述粘合劑層前體包含聚合物，所述聚合物包含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯100摩爾％的比例在10~40摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體100摩爾％的比例在70-90摩爾％范圍內(nèi)的分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物；在所述粘合劑層前體上粘貼所述芯片接合薄膜的工序；和從所述基材側(cè)向粘貼了所述芯片接合薄膜的所述粘合劑層前體照射紫外線，從而形成所述粘合劑層的工序。10.如權(quán)利要求9所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述紫外線的照射在301000mJ/cr^的范圍內(nèi)進(jìn)行。11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法使用具有在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下工序準(zhǔn)備權(quán)利要求1至8所述的切割/芯片接合薄膜，并在所述芯片接合薄膜上壓接半導(dǎo)體晶片的工序；通過將所述半導(dǎo)體晶片與所述芯片接合薄膜一起切割而形成半導(dǎo)體芯片的工序；和將所述半導(dǎo)體芯片與所述芯片接合薄膜一起從所述粘合劑層上剝離的工序；并且從所述半導(dǎo)體晶片的壓接工序直至半導(dǎo)體芯片的剝離工序，所述粘合劑層上未照射紫外線。全文摘要本發(fā)明提供即使在半導(dǎo)體芯片為薄型或芯片尺寸小的情況下，能夠防止切割時芯片飛散的保持力與將該半導(dǎo)體芯片和其芯片接合薄膜一起剝離時的剝離性之間的平衡特性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜。本發(fā)明提供一種切割/芯片接合薄膜，具有在紫外線透過性的基材上具有粘合劑層的切割薄膜和在該粘合劑層上設(shè)置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層是通過在由丙烯酸類聚合物形成的粘合劑層前體上層壓所述芯片接合薄膜后從所述基材側(cè)照射紫外線進(jìn)行固化而形成的，所述丙烯酸類聚合物由作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯100摩爾％的比例在10～40摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體100摩爾％的比例在70～90摩爾％范圍內(nèi)的分子內(nèi)具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構(gòu)成，所述芯片接合薄膜由環(huán)氧樹脂形成。文檔編號H01L23/00GK101640191SQ20091016024公開日2010年2月3日申請日期2009年7月31日優(yōu)先權(quán)日2008年8月1日發(fā)明者村田修平,松村健,神谷克彥,菅生悠樹申請人:日東電工株式會社