專利名稱：磁傳感器模塊以及活塞位置檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁傳感器模塊以及檢測缸筒內(nèi)的活塞位置的活塞位置 檢測裝置，詳細(xì)地說，是涉及從缸筒的外側(cè)檢測油缸、氣缸等流體壓力 缸內(nèi)的活塞位置的活塞位置檢測裝置。
本申請主張于2007年2月26日在日本提出的專利申請?zhí)卦?2007-045295號、以及于2007年7月20日在日本提出的專利申請?zhí)卦?2007-189692號的優(yōu)先權(quán)，并在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
磁傳感器是檢測磁通密度的高低的傳感器，作為開閉傳感器以及接 近鐵板等磁性體而使用的接近傳感器被使用。至今為止的磁傳感器大多 是將霍爾傳感器作為電磁轉(zhuǎn)換元件使用。在將至今為止的磁傳感器作為 接近傳感器使用時，大多是如圖13A、圖13B、圖14那樣的構(gòu)成(例 如參考專利文獻(xiàn)1~3、非專利文獻(xiàn)1~3)。
在圖13A、圖13B中，作為接近傳感器使用的磁傳感器具有以下的 構(gòu)成。即、如圖13A所示，按照磁通4在與霍爾元件(或包含開關(guān)功能 的霍爾IC ) 2的長度方向垂直的方向上貫穿霍爾元件2的方式，相對霍 爾元件2配置磁鐵1。當(dāng)磁性體3接近該磁傳感器時，如圖13B所示， 由于磁通4被磁性體3吸收，所以施加到霍爾元件2的磁通的密度變低。 因此，通過檢測該輸出變化，能夠檢測磁性體3的接近。而且，在包含 開關(guān)功能的霍爾IC的情況下，將規(guī)定的磁通密度作為閾值，能夠得到 以該閾值為邊界的反轉(zhuǎn)后的輸出。
而且，如圖14所示，作為接近傳感器使用的磁傳感器的動作也是 相同的。在該磁傳感器中，相對霍爾元件6設(shè)置磁鐵5，以使磁通8在 與霍爾元件(或包含開關(guān)功能的霍爾IC ) 6的長度方向垂直的方向上貫 穿霍爾元件6。該磁傳感器能夠得到與磁性體7的接近程度對應(yīng)的輸出 變化。但是，在使用現(xiàn)有的霍爾元件的磁傳感器中，存在以下的問題
(1) 由于霍爾元件2、 6和磁鐵1、 5這樣的成對構(gòu)造是不可少的， 因此需要多個部件，而且，使磁傳感器的尺寸變大(例如專利文獻(xiàn)2)。 特別是在圖13A、圖13B的構(gòu)成中，在磁鐵1和霍爾元件2之間需要用 于使磁性體3通過的狹縫S (例如專利文獻(xiàn)2 )。
(2) 需要對用于施加偏置磁場的磁鐵和霍爾元件進(jìn)行定位(例如 作為偏差防止對策，專利文獻(xiàn)3)。
(3) 通常，由于磁鐵特性的偏差大，所以需要估計到磁鐵特性的 偏差而進(jìn)行設(shè)計(例如作為偏差防止對策，專利文獻(xiàn)3)。
現(xiàn)有的活塞位置檢測裝置的構(gòu)造如圖15所示(例如專利文獻(xiàn)4)。 磁鐵101設(shè)置在活塞100上，磁傳感器103 (該磁傳感器103不具有磁 鐵)設(shè)置在由非磁性材料構(gòu)成的缸筒102的外側(cè)。通過活塞100的移動， 磁鐵101接近磁傳感器103時，磁傳感器103檢測到磁鐵101，能夠檢 測出活塞100的位置。
但是，在上述那樣的現(xiàn)有的活塞位置檢測裝置中，由于需要在活塞 中設(shè)置磁鐵，所以活塞的構(gòu)造復(fù)雜，制造工序也增多。
需要考慮到磁鐵和磁傳感器的特性來設(shè)計缸體。具體而言，根據(jù)磁 通的朝向垂直于或平行于缸筒的長度方向，需要使用霍爾元件的磁傳感 器或磁阻元件(MR元件)的磁傳感器中的哪個磁傳感器是不同的。并 且，在磁阻元件的情況下，需要匹配磁通的朝向和磁傳感器的感磁方向。 而且，相反在磁傳感器確定的情況下，需要注意磁鐵的磁極的朝向。而 且，由于將磁鐵設(shè)置在活塞中，所以使活塞以及缸筒變粗。
專利文獻(xiàn)1:日本特開昭61-172075號公才艮
專利文獻(xiàn)2:日本特開平6-76706號>^才艮
專利文獻(xiàn)3:日本特開2004-186040號>^才艮
專利文獻(xiàn)4:日本專利第2616783號公才艮
非專利文獻(xiàn)l:山田剛良、"磁場0亂IL"T才》才7，夕43 工k
5伊耐熱性力s高t、非接觸0近接義4少f ，，、 [online、平成1 8年1 0月 5日、日経工k夕卜口-夕義、[平成l 9年2月6日検索]、O夕一 凈少卜< URL:http:〃techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20061005/12 1974/>
非專利文獻(xiàn)2:"鉄板近接久4少f ME-301，，、 [online、[平成1 9年2月6日検索l、林式會社工5 工一、刁7夕一凈少卜< URL:http:〃www.na-web.co.jp/products/me/pr—02_21.html >
非專利文獻(xiàn)3:武內(nèi)章太郎、今野秀人、友常薰、涌扦勉、前田豊、 "MR七》廿乇-工一^"、 NEC技報、日本電気抹式會社、1998 年、第51巻、第4號、第106-110頁

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種能夠高精度 地且容易地對偏置磁場施加部件(例如磁鐵)進(jìn)行定位的、且特性的偏 差少的磁傳感器模塊。而且，本發(fā)明另一目的在于提供一種不必在活塞 中配置偏置磁場施加部件，能夠使活塞的構(gòu)造、制造變得簡單的活塞位 置檢測裝置。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種磁傳感器模塊，其包括半導(dǎo) 體基板，其具有進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路；磁阻元件，其設(shè)置在該半導(dǎo) 體基板的一個面上，且在沿著該一個面的方向上具有感磁方向；偏置磁 場施加部件，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上、且配置在與所述一個面平行 的面上，所述偏置磁場施加部件，在沿著配置了該偏置磁場施加部件的 所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，該偏置磁場施加 部件在沿著設(shè)置了所述磁阻元件的所述一個面的方向上施加偏置磁場。
在本發(fā)明的磁傳感器模塊中，優(yōu)選所述偏置磁場施加部件是骨狀磁 鐵或薄膜磁鐵。
優(yōu)選，所述集成電路將所述磁阻元件的輸出電壓與規(guī)定的閾值進(jìn)行 比較，根據(jù)比較的結(jié)果，輸出表示所述磁阻元件的輸出電壓是大于所述 規(guī)定的閾值的高電平狀態(tài)的信號，或輸出表示所述磁阻元件的輸出電壓 是小于所述規(guī)定的閾值的低電平狀態(tài)的信號。優(yōu)選，所述偏置磁場施加部件"^殳置在作為所述半導(dǎo)體基板的一個面 的相反側(cè)的另一個面上。
本發(fā)明的活塞位置檢測裝置包括缸筒，其由非磁性材料構(gòu)成；活 塞，其至少一部分由磁性材料構(gòu)成，以在所述缸筒的內(nèi)周面上滑動的方 式配置；磁傳感器，其配置在所述缸筒的外周面上，具有偏置磁場施加 部件。
在本發(fā)明中優(yōu)選，所述磁傳感器至少具備根據(jù)磁通密度的強(qiáng)度進(jìn)行 開關(guān)動作的集成電路，并且，所述偏置磁場施加部件是由薄膜構(gòu)成的磁 鐵，配置在所述集成電路的上面、下面或內(nèi)部。
在本發(fā)明中優(yōu)選，所述磁傳感器具有半導(dǎo)體基板、以及設(shè)置在該半 導(dǎo)體基板的一個面上且在沿著該一個面的方向上具有感磁方向的磁阻 元件，所述偏置磁場施加部件是磁鐵，該磁鐵設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上、 且配置在與所述一個面平行的面上、并且在沿著配置了該磁鐵的所述面 的方向上被磁化，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，該磁鐵在沿著設(shè)置了所 述磁阻元件的所述一個面的方向上施加偏置磁場。
根據(jù)本發(fā)明，通過使用由磁阻元件(MR元件)、具有進(jìn)行開關(guān)動作 的集成電路(IC)的半導(dǎo)體基板(MR開關(guān))以及偏置磁場施加部件構(gòu) 成的集成構(gòu)造構(gòu)成磁傳感器模塊，具有以下優(yōu)點(diǎn)
(1) 通過將偏置磁場施加部件包含到磁傳感器模塊中，形成集成 構(gòu)造，不需要單獨(dú)的偏置磁場施加部件。
(2) 由于施加磁場的方向是與半導(dǎo)體基板的面平行的方向，所以 能夠使磁傳感器模塊小型化。
(3) 由于能夠使用與半導(dǎo)體工藝親和性高的工藝形成偏置磁場施 加部件，所以不需要對偏置磁場施加部件和半導(dǎo)體基板進(jìn)行定位。而且， 由于能夠高精度地調(diào)整偏置磁場施加部件和磁阻元件之間的距離，所以 能夠減少所施加的磁場的偏差。
而且，根據(jù)本發(fā)明，通過將活塞的至少一部分為磁性材料、且磁傳 感器具備偏置磁場施加部件，不必在活塞中配置偏置磁場施加部件?；?br> 7于此，除了能夠不必考慮偏置磁場施加部件的磁極來安裝磁傳感器以 外，還能夠通過在活塞中不配置偏置磁場施加部件而使活塞以及缸筒變 細(xì)。其結(jié)果，本發(fā)明能夠提供使活塞的構(gòu)造以及制造變得簡單的活塞位 置檢測裝置。


圖l是表示本發(fā)明的磁傳感器模塊的概略構(gòu)成的一個例子的概略截 面圖。
圖2是表示磁阻元件的構(gòu)成的一個例子的俯視圖。
圖3A是示意地表示在沒有對圖1所示的磁傳感器模塊施加外部磁 場的狀態(tài)下磁場的情況的圖。
圖3B是示意地說明在沒有對圖1所示的磁傳感器模塊施加外部磁 場的狀態(tài)下的輸出的曲線圖。
圖4A是示意地表示磁性體從半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)冉咏鼒D1所示的 磁傳感器模塊的狀態(tài)下磁場的情況的圖。
圖4B是示意地說明磁性體從半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)冉咏鼒D1所示的 磁傳感器模塊的狀態(tài)下的輸出的曲線圖。
圖5A是示意地表示在磁性體從半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)冉咏鼒D1所示 的磁傳感器模塊的狀態(tài)下磁場的情況的圖。
圖5B是示意地說明磁性體從半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)冉咏鼒D1所示的 磁傳感器模塊的狀態(tài)下的輸出的曲線圖。
圖6A是示意地表示將圖l所示的磁傳感器模塊經(jīng)由凸塊固定在基 板上而構(gòu)成磁傳感器的情況的截面圖。
圖6B是示意地表示在將圖1所示的磁傳感器模塊經(jīng)由凸塊固定在 基板上而構(gòu)成磁傳感器的狀態(tài)下磁場的情況的圖。
圖7是表示本發(fā)明的活塞位置檢測裝置的一個例子的截面圖。
8圖8是表示本發(fā)明的活塞位置檢測裝置的另 一個例子的截面圖。 圖9是抽出構(gòu)成圖7、 8的裝置的磁傳感器的部分進(jìn)行表示的截面圖。
圖IO是表示磁阻元件的構(gòu)成的一個例子的俯視圖。
圖11A是表示在沒有對磁傳感器施加外部磁場狀態(tài)下磁場的情況 的圖。
圖11B是表示在沒有對磁傳感器施加外部磁場狀態(tài)下施加磁場和 電壓的關(guān)系的曲線圖。
圖12A是表示在使磁性體接近磁傳感器的狀態(tài)下磁場的情況的圖。
圖12B是表示在使磁性體接近磁傳感器的狀態(tài)下施加磁場和電壓 的關(guān)系的曲線圖。
圖13A是表示現(xiàn)有的磁傳感器的一個例子的概略圖。
圖13B是表示現(xiàn)有的磁傳感器的一個例子的概略圖。
圖14是表示現(xiàn)有的磁傳感器的其他例子的概略圖。
圖15是表示現(xiàn)有的活塞位置檢測裝置的一個例子的截面圖。
附圖符號說明
10—磁傳感器模塊；11—半導(dǎo)體基板；lla——個面；lib—另一個 面；12—偏置磁場施加部件；13—磁阻元件(MR元件)；23—磁傳感器； 31—活塞位置檢測裝置；32—缸筒；33—活塞；34—磁性材料；40—磁 傳感器；41—半導(dǎo)體基板；42—磁阻元件；43—偏置磁場施加部件；44 —薄膜磁鐵；47—磁傳感器模塊
具體實(shí)施例方式
下面，參照圖1~圖6B對基于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁傳感器模 塊進(jìn)行說明。另外，該磁傳感器模塊IO例如如后所述，通過凸塊等固定在撓性 印刷基板電路(FPC)等基板22上，構(gòu)成磁傳感器23。
圖1是表示本發(fā)明的磁傳感器模塊10的概略構(gòu)成的一個例子的概 略截面圖。圖2是表示磁阻元件13的構(gòu)成的一個例子的俯視圖。圖3A 是示意地表示在沒有對圖1所示的磁傳感器模塊IO施加外部磁場的狀 態(tài)下磁場14的情況的圖，圖3B是示意地說明該狀態(tài)下的輸出的曲線圖。 圖4A是示意地表示磁性體20從半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)冉咏鼒Dl所示的磁 傳感器模塊10的狀態(tài)下磁場15的情況的圖，圖4B是示意地說明該狀 態(tài)下的輸出的曲線圖。圖5A是示意地表示磁性體20從半導(dǎo)體基板的背 面?zhèn)冉咏鼒D1所示的磁傳感器模塊10的狀態(tài)下磁場16的情況的圖，圖 5B是示意地說明該狀態(tài)下的輸出的曲線圖。圖6A是示意地表示將圖1 所示的磁傳感器模塊10經(jīng)由凸塊21固定在基板上而構(gòu)成磁傳感器23 的情況的截面圖，圖6B是示意地表示該狀態(tài)下的磁場17的情況的圖。
其中，圖3A、圖4A、圖5A、圖6B中的符號14~17是示意地表示 各自狀態(tài)下的磁場。在圖3B、圖4B、圖5B中示意地表示了，從高電平 (High level)遷移到低電平(Low level)時及從低電平遷移到高電 平時，橫軸方向上通過不同的位置。
如圖1所示，該磁傳感器模塊10至少具有具有進(jìn)行開關(guān)動作的 集成電路(未圖示)的半導(dǎo)體基板11;設(shè)置在該半導(dǎo)體基板11的一個 面lla上、在沿上述一個面lla的方向上具有感磁方向的磁阻元件13; 設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板11上，且配置在與上述一個面lla平行的面lib 上的偏置磁場施加部件(偏置磁場施加用磁鐵)12。本實(shí)施方式的磁傳 感器模塊10的偏置磁場施加部件12的磁化方向的特征在于如圖3A 所示，是沿形成該偏置磁場施加部件12的面lib的方向(N及S在沿面 lib的方向上排列)，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，對沿形成磁阻元件 13的上述一個面lla的方向上施加偏置磁場14。
作為偏置磁場施加部件12優(yōu)選為，在對半導(dǎo)體基板進(jìn)行層疊時， 能夠通過與半導(dǎo)體工藝親和性高的工藝形成的骨狀(paste)磁鐵或薄 膜磁鐵。作為構(gòu)成磁鐵的硬磁性體并不特別限定，可利用釤-鈷(SmCo)、 鐵-鉑(FePt)、鈷-鉑(CoPt)、釹-鐵-硼(NdFeB)、鐵氧體等?？梢酝ㄟ^涂敷等方法在基板的任一個面上涂敷將硬磁性體粉末等 混合到粘結(jié)劑樹脂中而形成的硬磁性體骨劑、并在燒結(jié)、加熱中在規(guī)定 的方向上進(jìn)行磁化，設(shè)置骨狀磁鐵。
薄膜磁鐵是將硬磁性體成膜為薄膜的磁鐵，其制造方法并不特別限 定，可例舉濺射或蒸鍍、鍍敷、粘結(jié)磁鐵的印刷等。在將薄膜磁鐵形成 為任意形狀的圖案化中，例如可利用蝕刻法或剝離法等的光刻技術(shù)。制 造出的薄膜磁鐵根據(jù)需要在進(jìn)行退火處理中，在作為磁傳感器的感磁方 向上進(jìn)行磁化。
在此，在圖1所示的例子中，偏置磁場施加部件12設(shè)置在與半導(dǎo) 體基板11的一個面lla相反的一側(cè)的另一個面llb上。此時，由于偏 置磁場施加部件12和磁阻元件13之間的距離由半導(dǎo)體基板11的厚度 確定，所以能夠高精度地控制對磁阻元件施加磁場。
另外，本發(fā)明的磁傳感器模塊10并不限定于本例，例如也可在半 導(dǎo)體基板11的一個面lla的同側(cè)設(shè)置偏置磁場施加部件12。而且，在 層疊偏置磁場施加部件12和半導(dǎo)體基板11時，也可隔著其他層(未圖 示)來任意調(diào)整偏置磁場施加部件12和半導(dǎo)體基板11之間的距離。通 過該方法也可高精度地控制對磁阻元件13施加的磁場。中間隔著的其 他層并不特別限定，可以通過對合適的無機(jī)材料或有機(jī)材料等非磁性材 料進(jìn)行成膜而容易地形成。
在本發(fā)明中，作為構(gòu)成磁傳感器模塊10的磁阻元件13的電磁轉(zhuǎn)換 材料，使用在沿膜面的方向上具有感磁方向的各向異性的磁阻材料 (MR)。磁阻元件13可由磁性膜構(gòu)成，可例舉坡莫合金，其中，該磁性 膜由鐵-鎳(FeNi)、鐵-鎳-鈷(NiFeCo)等強(qiáng)磁性體構(gòu)成。
在本實(shí)施方式中，設(shè)置在半導(dǎo)體基板ll上的磁阻元件13如圖2所 示，由四個MR薄膜電阻13a、 13b、 13c、 13d，以及"^殳置在薄膜電阻13a~ 13d之間的由導(dǎo)體構(gòu)成的端子a、 b、 c、 d構(gòu)成，具有橋接構(gòu)造。作為形 成各個MR薄膜電阻13a ~ 13d的方法，可例舉組合了基于光刻法的圖案 形成工序和基于鍍敷法或濺射法的成膜工序的方法。
MR薄膜電阻13a ~ 13d的圖案朝向各自規(guī)定的方向配置。在為圖2所示的磁阻元件13的情況下，兩個MR薄膜電阻13a、 13d 朝向半導(dǎo)體基板ll的一個面lla上的一個方向(以下稱為"X方向"。 圖2中的左右方向)配置，其他的兩個MR薄膜電阻13b、 13c朝向半導(dǎo) 體基板11的一個面lla上的與上述X方向垂直的方向(以下稱為"Y 方向"。圖2中的上下方向)配置。
在朝向X方向配置的兩個MR薄膜電阻13a、 13d中^1置有將X方向 作為長度方向平行地配置的多個MR膜。鄰接的MR膜以使其端部之間按 照成為彎曲(meander)形狀(曲折形狀)的方式通過MR膜或?qū)щ娔ぴ?Y方向上進(jìn)行電連接。
而且，在朝向Y方向配置的兩個MR薄膜電阻13b、 13c中^:置有將 Y方向作為長度方向平行地配置的多個MR膜。鄰接的MR膜以使其端部 之間形成為彎曲形狀(曲折形狀)的方式通過MR膜或?qū)щ娔ぴ赬方向 上進(jìn)行電連接。
優(yōu)選四個MR薄膜電阻13a ~ 13d由相同材質(zhì)的MR膜形成?；诖耍?由于四個MR薄膜電阻13a 13d相對溫度的特性變動是相同的，所以提 高作為磁裝置的溫度特性。用導(dǎo)電膜形成折彎部分時，使用金(Au)、 銅(Cu)、鋁(Al)等導(dǎo)體膜。
如圖2所示，磁阻元件13構(gòu)成橋接電路。因此，在四個MR薄膜電 阻13a ~ 13d中，相互朝向不同方向(X方向或Y方向)配置的元件之間 被鄰接地配置，四個MR薄膜電阻13a 13d通過布線進(jìn)行連接。這些布 線例如可由金(Au)、銅(Cu)、鋁(A1)等導(dǎo)體膜構(gòu)成。四個MR薄膜 電阻13a~13d按照朝向逐一相差90。地配置。優(yōu)選四個MR薄膜電阻 13a 13d的材料、圖案形狀及電阻值是相同的。作為排列四個MR薄膜 電阻13a 13d的樣式，可例舉如圖2所示的縱橫2x2的排列，但通過 在MR薄膜電阻之間用適當(dāng)?shù)牟季€進(jìn)行連接，也可采用其他的排列。
在這樣的橋接電路中，當(dāng)端子a與電源電壓、端子b與地電平分別 連接時，其他的兩個端子c、 d之間的電位差(橋接輸出)，能夠作為磁 阻元件13的輸出得到。由于橋接輸出反映了施加磁場的強(qiáng)度并進(jìn)行隨 之增減，所以將該橋接輸出(電壓)的大小與規(guī)定的閾值進(jìn)行比較，通 過判斷輸出電壓大于規(guī)定的閾值(高電平狀態(tài))或輸出電壓小于規(guī)定的閾值(低電平狀態(tài))，能夠進(jìn)行開關(guān)動作。在本發(fā)明中，通過在半導(dǎo)體 基板11上形成的集成電路(未圖示)進(jìn)行開關(guān)動作，集成電路輸出表 示為高電平狀態(tài)或低電平狀態(tài)的任一個狀態(tài)的信號。
接著，參照圖3A 圖5B說明作為本實(shí)施方式的磁傳感器模塊10的 檢測方法。磁傳感器模塊10的輸出根據(jù)閾值的磁通密度設(shè)定為，當(dāng)磁 通密度低時輸出電壓為高電平狀態(tài)(High level),當(dāng)磁通密度高時輸 出電壓為低電平狀態(tài)(Low level )。因此，針對磁傳感器模塊10的輸 出電壓確定閾值，將磁傳感器模塊10的輸出電壓大于上述閾值時設(shè)定 為高電平狀態(tài)，將磁傳感器模塊10的輸出電壓小于上述閾值時設(shè)定為 低電平狀態(tài)。而且，關(guān)于閾值優(yōu)選在高電平狀態(tài)和低電平狀態(tài)之間設(shè)置 間隔來明確地區(qū)別兩者。將這樣通過電壓值的比較進(jìn)行開關(guān)動作的集成 電路和電磁轉(zhuǎn)換元件的輸出組合使用，由此能夠構(gòu)成根據(jù)外部磁場的大 小進(jìn)行開關(guān)動作的磁傳感器模塊10。
如圖3A所示，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，通過在沿形成偏置磁 場施加部件12的面的方向上磁化的偏置磁場施加部件12,對磁阻元件 13在沿形成磁阻元件13的面的方向上施加偏置磁場14。此時的磁場14 是磁阻元件13附近的磁通密度高的磁場(圖3A中在磁阻元件13上用 實(shí)線表示為右向箭頭。)。因此，如圖3B所示，若設(shè)定上述閾值以使將 此時的輸出電壓判斷為低電平狀態(tài)(Low level),則低電平狀態(tài)的輸出 成為表示沒有接近磁性體的狀態(tài)。
如圖4A所示，在接近鐵板等磁性體20時，由偏置磁場施加部件12 施加的磁通被磁性體20吸收。其結(jié)果，此時的磁場15成為磁阻元件13 附近的磁通密度低的磁場(圖4A中磁阻元件13上用虛線表示為右向箭 頭)。因此，如圖4B所示，若設(shè)定上述閾值以使將此時的輸出電壓成為 高電平狀態(tài)(High level),則高電平狀態(tài)的輸出成為表示接近磁性體 20的狀態(tài)。
在圖4A中說明了從半導(dǎo)體基板11的一個面lla側(cè)使磁性體20接 近的情況，但如圖5A所示，使磁性體20從半導(dǎo)體基板11的另一個面 llb側(cè)接近時也同樣地進(jìn)行動作。即、若使磁性體20接近，則由偏置磁 場施加部件12施加的磁通被磁性體20吸收。其結(jié)果，磁阻元件13附 近的磁通密度成為弱磁場16，輸出表示磁性體20接近的狀態(tài)的高電平
13狀態(tài)的信號。
因為磁阻元件13具有電阻值根據(jù)施加磁場的強(qiáng)度而發(fā)生變化的性 質(zhì)，并具有施加磁場越強(qiáng)電阻值越小的特性，所以磁阻元件13的兩個 端子之間的電位差(橋接輸出)反映對MR膜施加的磁通密度的強(qiáng)度并 進(jìn)行增減。對該橋接輸出的大小和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較，通過判斷輸出 電壓是大于還是小于規(guī)定的閾值來進(jìn)行開關(guān)動作。通過這樣的構(gòu)成，能 夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)對元件施加的磁通密度的高低產(chǎn)生兩個不同的輸出的磁傳 感器模塊IO。另夕卜，作為被集成電路輸出的該磁傳感器模塊10的輸出， 可以是在磁阻元件13的橋接輸出小于規(guī)定的閾值時輸出高電壓值的信 號，在磁阻元件13的橋接輸出大于規(guī)定的閾值時輸出低電壓值的信號。 而且，也可相反，在磁阻元件13的橋接輸出小于規(guī)定的閾值時輸出低 電壓值的信號，在磁阻元件13的橋接輸出大于規(guī)定的閾值時輸出高電 壓值的信號。
由于通過設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的集成電路UC)進(jìn)行開關(guān)動作，所
以能夠節(jié)省空間地構(gòu)成比較及控制等必要的電路，能夠?qū)崿F(xiàn)磁傳感器模 塊10的小型化。如圖6A所示，本實(shí)施方式的磁傳感器模塊IO通過在 半導(dǎo)體基板ll的面11a上設(shè)置凸塊21，并固定在撓性印刷電路(FPC) 等基板22上，能夠構(gòu)成磁傳感器23。另外，可將磁傳感器模塊IO、凸 塊21以及基板22容納在未圖示的磁傳感器用殼體中，將它們作為整體 構(gòu)成磁傳感器23。而且，此時在半導(dǎo)體基板11和電路基板22之間可以 使用凸塊或?qū)Ь€、導(dǎo)電骨(未圖示)等進(jìn)行電連接。
如以上說明，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，通過使用磁化方向是沿 著形成偏置磁場施加部件12的面的方向的偏置磁場施加部件12、以及 具有沿著膜的面的方向的感磁方向的磁阻元件13，在磁性體20從任意 方向接近磁傳感器模塊10的情況下都能夠進(jìn)行檢測。
而且，由于偏置磁場施加部件12和磁阻元件13都使用與半導(dǎo)體工 藝親和性高的工藝形成，所以容易高精度地調(diào)整偏置磁場施加部件12 和磁阻元件13的位置關(guān)系。而且，由于都層疊在半導(dǎo)體基板上進(jìn)行一 體化，所以能夠?qū)Υ艂鞲衅髂K10以及具有該磁傳感器模塊10的磁傳 感器23進(jìn)行小型化。(實(shí)施例)
如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例制成的磁傳感器模塊10由磁阻元件13 和集成在半導(dǎo)體基板11上的偏置磁場施加部件12構(gòu)成。如圖2所示， 磁阻元件13由四個MR薄膜電阻13a~ 13d的橋接構(gòu)造構(gòu)成，各MR薄膜 電阻由坡莫合金薄膜形成。磁阻元件13的輸出通過集成電路內(nèi)的比較 電路(比較器)進(jìn)行比較后，進(jìn)行開關(guān)動作。其封裝通過由硅(Si)基 板構(gòu)成的晶片級封裝構(gòu)成，包含凸塊21 (參照圖6A、圖6B)的芯片尺 寸是0.97 x 0. 97 x 0.5 (mm)。
在半導(dǎo)體基板11的背面lib配置作為偏置磁場施加部件12的NdFeB 系的骨狀磁鐵。NdFeB系的骨狀磁鐵形成為約80nm的膜厚，在沿著與 磁阻元件13的感磁方向相同的面的方向上進(jìn)行磁化。骨狀磁鐵能夠通 過其膜厚控制對磁阻元件13施加的磁場，而且，由于通過基板11的厚 度規(guī)定偏置磁場施加部件12和磁阻元件13之間的距離，所以能夠高精 度地控制施加磁場。
如圖6A所示，該磁傳感器模塊10通過設(shè)置在半導(dǎo)體基板11的一 個面11a上的凸塊21安裝到基板22上而構(gòu)成磁傳感器23。然后，確認(rèn) 其輸出時，輸出是低電平。該磁傳感器23，按照在未施加偏置磁場的狀 態(tài)下，將約10~20 (Oe)的施加磁場作為閾值磁場，在比這強(qiáng)的磁場時 輸出為低電平，在弱于該閾值磁場的磁場下輸出為高電平的方式進(jìn)行設(shè) 定。因此，低電平的輸出意味著對磁傳感器23施加了約20 (Oe)左右 的偏置磁場。
接著，如圖6B所示，當(dāng)從磁傳感器模塊10的偏置磁場施加部件12 側(cè)接近作為磁性體20的鐵板時，在約IO咖的距離，磁傳感器23的輸 出反轉(zhuǎn)為高電平。這表示由偏置磁場施加部件12產(chǎn)生的磁通被磁性體 20吸收，結(jié)果磁阻元件13附近的磁通密度低，施加磁場的強(qiáng)度小于約 10 (Oe)的意思。
同樣地雖未特別圖示，但從磁傳感器模塊10的磁阻元件13側(cè)(圖 6A、圖6B中的下側(cè))接近磁性體時，磁傳感器23的輸出也反轉(zhuǎn)為高電根據(jù)這些結(jié)果可知，磁性體20無論是從磁阻元件13側(cè)接近時還是 從其相反側(cè)接近時，能夠得到?jīng)]有區(qū)別地反轉(zhuǎn)為高電平的輸出。
下面，使用圖7~圖12B對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。 即、參照附圖對本發(fā)明的活塞位置檢測裝置的 一個實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖7是示意地表示本發(fā)明的活塞位置檢測裝置31的一個實(shí)施方式 的縱截面圖。
本發(fā)明的活塞位置檢測裝置31至少具有由非磁性材料構(gòu)成的缸 筒32;至少一部分由磁性材料34構(gòu)成的、以在上述缸筒32的內(nèi)周面中 滑動的方式配置的活塞33;以及配置在上述缸筒32的外周面的磁傳感 器40，磁傳感器40至少具備偏置磁場施加部件43。
在本發(fā)明中，通過將活塞33的至少一部分作為能夠吸收磁通的磁 性材料34、磁傳感器40作為具備偏置磁場施加部件43的構(gòu)成，沒有必 要在活塞33中配置磁鐵。由此，可不必考慮磁鐵的磁極來安裝磁傳感 器40。而且，由于在活塞33中沒有配置磁鐵所以能夠使活塞33以及缸 筒32變細(xì)。其結(jié)果，在本發(fā)明的活塞位置檢測裝置31中，能夠使活塞 33的構(gòu)造及制造變得簡單。
而且，如作為表示抽出磁傳感器40的部分的截面圖的圖9所示， 上述磁傳感器40由磁傳感器模塊47、后述的凸塊51、基板52、以及將 這些容納到內(nèi)部的磁傳感器用殼體48構(gòu)成。磁傳感器模塊47至少具有
至少具備根據(jù)磁通密度的強(qiáng)度進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路的半導(dǎo)體基板 41;設(shè)置在該半導(dǎo)體基板41的一個面41a上的、在沿著上述一個面41a 的方向上具有感磁方向的磁阻元件42;設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板41上， 且配置在與上述一個面41a平行的面41b上的偏置磁場施加部件(偏置 磁場施加用磁鐵)43。上述偏置磁場施加部件43是由薄膜構(gòu)成的磁鐵， 配置在上述集成電路的上面、下面或內(nèi)部?；诖耍艂鞲衅?0為小 型，可增加活塞位置檢測裝置31的設(shè)計自由度，能夠?qū)钊恢脵z測 裝置31整體的小型化作出貢獻(xiàn)。
缸筒32由非磁性材料構(gòu)成。作為這樣的非磁性材料并不特別限定，
16可例舉如不銹鋼、銅等非磁性金屬材料，或聚乙烯、聚氯乙烯等合成樹 脂材料。
活塞33是棒狀，以在上述缸筒32的內(nèi)周面中滑動的方式配置在缸 筒32的內(nèi)部。
活塞33的至少一部分由能夠吸收磁通的磁性材料34構(gòu)成。作為磁 性材料34并不特別限定，優(yōu)選使用例如鐵(Fe)、鈮(Nb)、鉻(Cr)、 釹(Nd)等磁力強(qiáng)的材料。
活塞33如圖8所示可以是其整體由磁性材料34構(gòu)成，也可如圖7 所示僅前端部由磁性材料34構(gòu)成。
磁傳感器40是配置在上述缸筒32的外周面的磁接近傳感器。如后 所述，磁傳感器40具備四個MR薄膜電阻的橋接構(gòu)造，通過由比較電路 對其輸出進(jìn)行比較，進(jìn)行開關(guān)動作?；钊恢脵z測裝置31利用該開關(guān) 動作，檢測活塞位置。
如圖9所示，磁傳感器40在半導(dǎo)體基板41的面41a上設(shè)置凸塊51, 具有將它們固定到撓性印刷電路(FPC)等基板52的構(gòu)成。這樣的磁傳 感器40配置在缸筒32的外周面上。而且，此時在半導(dǎo)體基板41和電 路基板52之間能夠使用凸塊51或?qū)Ь€、導(dǎo)電骨(未圖示)等進(jìn)行電連 接。這樣的磁傳感器40通過WLP(晶片級封裝)被封裝，在磁傳感器模 塊47中包含凸塊的芯片尺寸例如是0.97 x 0. 97 x 0. 5mm。其中，封裝形 式不限于WLP也可是樹脂模塑封裝。
磁傳感器40的磁阻元件42作為電磁轉(zhuǎn)換材料，使用在沿著膜面的 方向上具有感磁方向的各向異性的磁阻材料(MR)。磁阻元件42可由磁 性膜構(gòu)成，可例舉坡莫合金，其中，該磁性膜由鐵-鎳(FeNi)、鐵-鎳-鈷(NiFeCo)等強(qiáng)磁性體構(gòu)成。
在本實(shí)施方式中，設(shè)置在半導(dǎo)體基板41上的磁阻元件42如圖10 所示，由四個MR薄膜電阻42a、 42b、 42c、 42d，以及設(shè)置在薄膜電阻 42a 42d之間的由導(dǎo)體構(gòu)成的端子a、 b、 c、 d構(gòu)成，具有橋接構(gòu)造。 作為形成各個MR薄膜電阻42a ~ 42d的方法，可例舉組合了基于光刻法 的圖案形成工序和基于鍍敷法或濺射法的成膜工序的方法。MR薄膜電阻42a 42d的圖案朝向各自規(guī)定的方向配置。
如圖IO所示，磁阻元件42構(gòu)成橋接電路。因此，四個MR薄膜電 阻42a 42d具有相互朝向不同方向(X方向或Y方向)配置的元件之 間被鄰接地配置，并通過布線進(jìn)行連接的構(gòu)造。這些布線例如可由金 (Au)、銅(Cu)、鋁(Al)等導(dǎo)體膜構(gòu)成。四個MR薄膜電阻42a 42d 按照朝向逐一改變90。地配置。而且，優(yōu)選四個MR薄膜電阻42a 42d 的材料、圖案形狀及電阻值是相同的。作為排列四個MR薄膜電阻42a~ 42d的樣式，可例舉如圖10所示的縱橫2 x 2的排列，但通過在MR薄膜 電阻之間用適當(dāng)?shù)牟季€進(jìn)行連接，也可采用其他的排列。
在這樣的橋接電路中，當(dāng)電源電壓與端子a連接、地電平與端子b 連接時，能夠?qū)⑵渌膬蓚€端子c、 d之間的電位差(橋接輸出)作為 磁阻元件42的輸出得到。由于橋接輸出反映了施加磁場的強(qiáng)度并隨之 增減，所以將該橋接輸出(電壓)的大小與規(guī)定的閾值進(jìn)行比較，通過 判斷輸出電壓大于規(guī)定的閾值(高電平狀態(tài))或輸出電壓小于規(guī)定的閾 值(低電平狀態(tài))，能夠進(jìn)行開關(guān)動作。在本實(shí)施方式中，通過在半導(dǎo) 體基板41上形成的集成電路(未圖示)進(jìn)行開關(guān)動作，集成電路輸出 表示高電平狀態(tài)或低電平狀態(tài)的任一個狀態(tài)的信號。
而且，在上述缸筒32的外側(cè)配置有構(gòu)成磁傳感器40的一部分的偏 置磁場施加部件43。
例如在如圖9所示的例子中，偏置磁場施加部件43在磁傳感器40 中，層疊在半導(dǎo)體基板41上，且配置在與上述一個面41a平行的面41b 內(nèi)。
作為偏置磁場施加部件43優(yōu)選，在對半導(dǎo)體基板41進(jìn)行層疊時， 通過能夠與半導(dǎo)體工藝親和性高的工藝形成的薄膜磁鐵44。作為構(gòu)成薄 膜磁鐵44的硬磁性體并不特別限定，可利用釤-鈷(SmCo)、鐵-賴 (FePt)、鈷-鉑(CoPt)、釹-鐵-硼(NdFeB)、鐵氧體等。
薄膜磁鐵44是將上述那樣的硬磁性體作為薄膜進(jìn)行成膜的磁鐵， 其制造方法并不特別限定，可例舉骨劑涂敷、濺射或蒸鍍、鍍敷、粘結(jié) 磁鐵的印刷等。在將薄膜磁鐵44形成為任意形狀的圖案化中，例如可利用蝕刻法或剝離法等的光刻技術(shù)。制造出的薄膜磁鐵44根據(jù)需要在 進(jìn)行退火處理中，在作為磁傳感器的感磁方向上進(jìn)行磁化。
薄膜磁鐵44的膜厚以及薄膜磁鐵44占磁傳感器模塊47的面積并 術(shù)特別限定，可適當(dāng)?shù)卮_定。例如，作為薄膜磁鐵44在半導(dǎo)體基板41 的面41b上以約80nm的膜厚形成NdFeB系的骨狀磁鐵，在與磁傳感器 40的感磁方向相同的方向上進(jìn)行磁化。
如圖11所示，薄膜磁鐵44在沿著形成該磁鐵的面41b的方向上被 磁化(薄膜磁鐵44的磁化方向是沿著面41b的方向)，在未施加外部磁 場的狀態(tài)下，在沿著形成磁阻元件42的面的方向上施加偏置磁場45。
在此，在圖9所示的例子中，偏置磁場施加部件43設(shè)置在作為與 半導(dǎo)體基板41的一個面41a的相反側(cè)的另一個面41b上。此時，由于 薄膜磁鐵44和磁阻元件42之間的距離通過半導(dǎo)體基板41的厚度來確 定，所以能夠高精度地控制對磁阻元件42施加的磁場。
另外，偏置磁場施加部件43的配置并不限定于本例，例如也可在 半導(dǎo)體基板41的一個面41a的同側(cè)設(shè)置偏置磁場施加部件43。而且， 在對偏置磁場施加部件43和半導(dǎo)體基板41進(jìn)行層疊時，也可隔著其他 層(未圖示)來任意調(diào)整偏置磁場施加部件43和半導(dǎo)體基板41之間的 距離。通過該方法也可高精度地控制對磁阻元件42施加的磁場。中間 隔著的其他層并不特別限定，能夠通過對適當(dāng)?shù)臒o機(jī)材料或有機(jī)材料等 非磁性材料進(jìn)行成膜而容易地形成。
接著，參照圖11A~圖12B對本實(shí)施方式的活塞位置檢測裝置31中 的基于磁傳感器40的活塞位置檢測方法進(jìn)行說明。磁傳感器40的輸出， 按照根據(jù)閾值的磁通密度，當(dāng)磁通密度低時輸出電壓為高電平狀態(tài) (High level),當(dāng)磁通密度高時輸出電壓為低電平狀態(tài)(Low level) 的方式設(shè)定。因此，針對磁傳感器40的輸出電壓確定閾值，將磁傳感 器40的輸出電壓大于上述閾值時設(shè)定為高電平狀態(tài)，將磁傳感器40的 輸出電壓小于上述閾值時設(shè)定為低電平狀態(tài)。而且，優(yōu)選設(shè)定閾值以使 在高電平狀態(tài)和低電平狀態(tài)之間設(shè)置間隔來明確地區(qū)別兩者。通過將這 樣通過電壓值的比較進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路和電磁轉(zhuǎn)換元件的輸出 組合地使用，能夠構(gòu)成根據(jù)外部磁場的大小檢測活塞位置的活塞位置檢測裝置31。
如圖11A所示，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，通過在沿形成偏置磁 場施加部件43的面的方向上磁化的偏置磁場施加部件43，對磁阻元件 42在沿形成磁阻元件42的面的方向上施加偏置磁場45。此時的磁場45 是磁阻元件42附近的磁通密度高的磁場(圖11A中在磁阻元件42上用 實(shí)線表示為右向箭頭。)。因此，如圖11B所示，若設(shè)定上述閾值以使將 此時的輸出電壓判斷為低電平狀態(tài)(Low level),則低電平狀態(tài)的輸出 成為表示磁性體34 (活塞33 )沒有接近的狀態(tài)。
如圖12A所示，在使磁性體34 (活塞33 )接近時，由薄膜磁鐵44 施加的磁通被磁性體34吸收。其結(jié)果，此時的磁場46成為磁阻元件42 附近的磁通密度低的磁場(圖12A中磁阻元件42上用實(shí)線表示為右向 箭頭)。因此，如圖12B所示，若按照使將此時的輸出電壓成為高電平 狀態(tài)(High level)的方式設(shè)定上述閾值，則高電平狀態(tài)的輸出成為表 示磁性體34 (活塞33 )接近的狀態(tài)。
磁阻元件42具有電阻值根據(jù)施加磁場的強(qiáng)度而發(fā)生變化的性質(zhì)， 并具有施加磁場越強(qiáng)電阻值越小的特性。因此，磁阻元件42的兩個端 子之間的電位差(橋接輸出)反映了對MR膜施加的磁通密度的強(qiáng)度并 隨之增減。對該橋接輸出的大小和規(guī)定的閾值進(jìn)行比較，通過判斷輸出 電壓是大于還是小于規(guī)定的閾值來進(jìn)行開關(guān)動作。通過這樣的構(gòu)成，能 夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)對元件施加的磁通密度的高低產(chǎn)生兩個不同的輸出的磁傳 感器40、以及利用其的活塞位置檢測裝置31。另外，作為被集成電路 輸出的該磁傳感器40的輸出，可以是在磁阻元件42的橋接輸出小于規(guī) 定的閾值時輸出高電壓值的信號，在磁阻元件42的橋接輸出大于規(guī)定 的閾值時輸出低電壓值的信號。而且，也可相反，在磁阻元件42的橋 接輸出小于規(guī)定的閾值時輸出低電壓值的信號，在磁阻元件42的橋接 輸出大于規(guī)定的閾值時輸出高電壓值的信號。
而且，由于通過設(shè)置在半導(dǎo)體基板41上的集成電路(IC)進(jìn)行活 塞位置檢測，所以能夠節(jié)省空間地構(gòu)成比較及控制等必要的電路，能夠 實(shí)現(xiàn)磁傳感器40的小型化。
以上對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的活塞位置檢測裝置31進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，在沒有脫離發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)?變更。
工業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的磁傳感器模塊能夠用于檢測鐵板等磁性體的接近的各種 用途中。而且，本發(fā)明能夠應(yīng)用在活塞位置檢測裝置中。
權(quán)利要求
1.一種磁傳感器模塊，包括半導(dǎo)體基板，其具有進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路；磁阻元件，其設(shè)置在該半導(dǎo)體基板的一個面上，且在沿著該一個面的方向上具有感磁方向；偏置磁場施加部件，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上，且配置在與所述一個面平行的面上，所述偏置磁場施加部件，在沿著配置了該偏置磁場施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，該偏置磁場施加部件在沿著設(shè)置了所述磁阻元件的所述一個面的方向上施加偏置磁場。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器模塊，其特征在于， 所述偏置磁場施加部件是骨狀磁鐵或薄膜磁鐵。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁傳感器模塊，其特征在于， 所述集成電路，將所述磁阻元件的輸出電壓與規(guī)定的閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較的結(jié)果，輸出表示所述磁阻元件的輸出電壓是大于所述規(guī) 定的閾值的高電平狀態(tài)的信號，或輸出表示所述磁阻元件的輸出電壓是 小于所述規(guī)定的閾值的低電平狀態(tài)的信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁傳感器模塊，其特征在于， 所述偏置磁場施加部件設(shè)置在作為所述半導(dǎo)體基板的一個面的相反側(cè)的另一個面上。
5. —種活塞位置檢測裝置，包括 缸筒，其由非磁性材料構(gòu)成；活塞，其至少一部分由磁性材料構(gòu)成，以在所述缸筒的內(nèi)周面上滑 動的方式配置；磁傳感器，其配置在所述缸筒的外周面上，具有偏置磁場施加部件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的活塞位置檢測裝置，其特征在于， 所述磁傳感器至少具備根據(jù)磁通密度的強(qiáng)度進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路，并且，所述偏置磁場施加部件是由薄膜構(gòu)成的磁鐵，配置在所述 集成電路的上面、下面或內(nèi)部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的活塞位置檢測裝置，其特征在于， 所述磁傳感器具有半導(dǎo)體基板、以及設(shè)置在該半導(dǎo)體基板的一個面上且在沿著該一個面的方向上具有感磁方向的磁阻元件，所述偏置磁場 施加部件是磁鐵，該磁鐵設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上、且配置在與所述一 個面平行的面上、并且在沿著配置了該磁鐵的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，該磁鐵在沿著設(shè)置了所述磁阻元件的所述 一個面的方向上施加偏置磁場。
全文摘要
本發(fā)明涉及磁傳感器模塊以及活塞位置檢測裝置。磁傳感器模塊包括半導(dǎo)體基板，其具有進(jìn)行開關(guān)動作的集成電路；磁阻元件，其設(shè)置在該半導(dǎo)體基板的一個面上，且在沿著該一個面的方向上具有感磁方向；偏置磁場施加部件，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板上、且配置在與所述一個面平行的面上，所述偏置磁場施加部件，在沿著配置該偏置磁場施加部件的所述面的方向上被磁化，在未施加外部磁場的狀態(tài)下，該偏置磁場施加部件在沿著設(shè)置了所述磁阻元件的所述一個面的方向上施加偏置磁場。
文檔編號H01H36/00GK101632146SQ20088000591
公開日2010年1月20日 申請日期2008年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月26日
發(fā)明者中尾知, 相沢卓也, 糸井和久, 長洲勝文 申請人:株式會社藤倉