專利名稱：電子部件搭載用基板和電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在金屬化層上形成焊料膜的電子部件搭載用基板、以及在接 合點或者引線表面形成焊料膜的電子部件。
背景技術(shù)：
相當(dāng)多的制品在基板和電子部件的電極、電子部件的引線上形成有焊
料。具體而言，在以下的電子部件的安裝中廣泛使用(1)在基板上形成金
屬化層作為電極，在該金屬化層上形成焊料膜，使用該焊料膜來進(jìn)行與電子
部件的接合；(2)在電子部件的電極上形成金屬化層，在該金屬化層上形成 焊料膜，使用該焊料膜來進(jìn)行與其他電子部件的接合；(3)在含有引線的電 子部件的引線表面形成焊料膜，在與印刷線路板等接合時，該焊料膜也熔融 而接合等。
作為形成電極的金屬化層和焊料膜的例子有，(1)在印刷線路板上的銅 箔上采用鍍膜法形成焊料層；(2)在陶瓷基板上形成金屬化層，在該金屬化 層上使用濺射或者蒸鍍等方法形成薄膜的焊料膜。還有，作為形成電極的金 屬化層和焊料膜的電子部件的例子，可以舉出例如在半導(dǎo)體晶片上形成電路 元件，其接合部的電極金屬化層上形成焊料凸點的結(jié)構(gòu)。還有，在包含引線 的電子部件的引線表面形成焊料層的例子，可以舉出例如在電子部件的引線 表面單獨鍍Sn或者形成Sn合金的鍍層的電子部件。
這些基板或者電子部件上的焊料膜的作用如下所述。
在基板上預(yù)先形成焊料膜的情況下，電子部品搭載在基板上，使得電子 部件的接合部在焊料膜上接觸，通過將其進(jìn)行回流，基板上的焊料膜熔融， 這些焊料浸潤于電子部件接合部的金屬化層等，從而接合電子部件和基板。
對于在陶瓷、硅等基板上形成金屬化層后，并在該金屬化層上采用薄膜 形成技術(shù)形成焊料膜的襯底(submoimt)部件而言，是把光元件等電子部件壓在焊料膜上，在不加助焊劑的狀態(tài)下加熱，使薄膜焊料熔融，在電子部件 的金屬化層上浸潤焊料，進(jìn)行接合。
對于在電子部件的電極金屬化層上形成焊料凸點的部件而言，根據(jù)芯片 切割進(jìn)行分割后，對于在各芯片上形成焊料凸點時，多數(shù)情況為將焊料球熔 融，在電子部件的金屬化層上浸潤焊料而形成焊料凸點。這種情況下，在印 刷線路板、陶瓷基板等上搭載電子部件，對此進(jìn)行回流時，焊料凸點熔融， 在基板的金屬化層上浸潤焊料而進(jìn)行接合。還有，近年來，也有在Si晶片上 形成電路元件，在根據(jù)芯片切割進(jìn)行分割的前工序，通過鍍敷等方法在晶片 狀態(tài)下形成焊料膜的情況。
對于含有引線的電子部件而言，通過在基板上印刷焊料膏，在該焊料膏 上搭載電子部件的引線，使整體回流而熔融焊料，來接合基板和電子部件的 引線。
電子部件的引線框，多為單獨的鍍銀膜或者單獨的鍍Sn膜等，單獨的 鍍銀膜，由于表面不氧化而浸潤性優(yōu)良，單獨的Sn膜，雖然其表面氧化，但 氧化膜的某一部分會破裂，而導(dǎo)致基板側(cè)的焊料和Sn鍍膜熔融成為一體，來 進(jìn)行接合。
在特開平5-190973號公報中，公開了電子部件搭載用基板的一個例子， 半導(dǎo)體激光器用襯底。該襯底，采用Ti/Pt/Au作為金屬化層，在半導(dǎo)體激光 器搭載部上設(shè)置Pt層和AuSn焊料層。半導(dǎo)體激光器的背面上也形成金屬化 層，襯底的Au-Sri焊料發(fā)生熔融，與金屬化層接合，使得半導(dǎo)體激光器牢固 地固定。
在此領(lǐng)域中可以使用Au-Sn焊料的理由是，Au-Sn焊料是硬焊料，難以 產(chǎn)生蠕變變形。這是因為，半導(dǎo)體激光器在發(fā)光時會發(fā)熱，因此如果溫度上 升而使焊料蠕變變形，則半導(dǎo)體激光的位置偏移，而無法得到光學(xué)性結(jié)合。
近年來，作為光記錄用的光源，多使用由GaAs半導(dǎo)體制成的半導(dǎo)體激 光器等。這樣的半導(dǎo)體激光器中，如果使用Au-Sn焊料，由于受到根據(jù)焊料 接合的殘留應(yīng)力的影響，有時會出現(xiàn)可靠性下降的情況。殘留應(yīng)力是由在焊 料的熔點半導(dǎo)體激光器和襯底固定，冷卻到室溫附近時，半導(dǎo)體激光器和襯 底的熱膨脹率有差異而引起的。在焊料軟的情況下，焊料發(fā)生變形而緩和殘
4留應(yīng)力，但在焊料硬的時候，殘留應(yīng)力的緩和效果就小。
從而，在使用Au-Sn焊料，進(jìn)行元件全長較長的半導(dǎo)體激光器等接合時， 在半導(dǎo)體激光器上會產(chǎn)生比較大的殘留應(yīng)力，降低該半導(dǎo)體激光器的壽命。
鑒于上述情況，開始研究在半導(dǎo)體激光器的安裝中使用以Sn為主要成 分的軟焊料。

發(fā)明內(nèi)容
但是，這種在基板或電子部件的金屬化層、或者在電子部件的引線表面 形成的以Sn為主要成分的焊料膜上，大多會在表面上形成氧化膜。這是因為， 通常焊料的主要成分是Sn， Sn在大氣中被氧化。
從確實地進(jìn)行接合的角度老看，比較方便的是使用可將焊料膜表面存在 的氧化膜還原，以大幅提高接合性的助焊劑。但近年來不允許使用助焊劑的 情況在增多。
例如，光元件的安裝中，首先，如果助焊劑殘渣存在于光元件的發(fā)光部， 會遮擋光路，而導(dǎo)致不良效果。還有，助焊劑自身或者在清洗助焊劑殘渣時 使用的有機(jī)溶劑也可能損壞光元件。
在印刷線路板或者陶瓷基板上形成焊料膜的情況，在電子部件側(cè)形成焊 料凸點的情況、在電子部件的引線表面形成焊料膜的情況，至今使用助焊劑 來降低焊料膜表面氧化膜的不良影響。但是，近年來接合部的細(xì)微化、窄距 化得到不斷的發(fā)展，因此在接合時助焊劑成分的蒸發(fā)、助焊劑的流動等因素 會使細(xì)微的接合部發(fā)生位置偏移，而存在發(fā)生短絡(luò)的可能性。還有，這些助 焊劑自身的材料費、涂布工序、之后的清洗工序都是導(dǎo)致成本上升的原因， 因此優(yōu)選采用無助焊劑的簡便接合方法。
對于電子部件的引線框，也能夠預(yù)測今后接合部將不斷地細(xì)微化，將越 來越接近對基板的焊料膏印刷的細(xì)微化的限度。即，如果不是在基板側(cè)實施 焊料膏印刷，而是使用電子部件側(cè)的焊料鍍敷等進(jìn)行接合，則可以大幅度降 低引線間的搭橋的不良情況。還有，使用助焊劑時，由于加熱時產(chǎn)生助焊劑 的氣泡，所以盡管很少，但也有可能使電子部件的位置移動。以往由于焊料 的量多，因此根據(jù)熔融焊料表面張力的自我校準(zhǔn)，不會發(fā)生由助焊劑的氣泡 引起的電子部件的位置偏移，但是今后隨著微細(xì)化的發(fā)展，焊料量減小，就不能忽視這種氣泡的影響。還有，由于使用助焊劑，在材料費、助焊劑涂布 工序及清洗工序方面都成為成本增加的原因，因此優(yōu)選盡可能采用無助焊劑 的接合工序。
還有，在鍍Sn的引線框上，生長著被稱為晶須的針狀結(jié)晶，常常帶來 引線間的短路。引線間距的細(xì)微化，意味著即使更短的晶須也會引起短路， 這樣就要求更加嚴(yán)格的控制。
本發(fā)明要解決的課題是提供防止在基板或者電子部件的接合部上形成 的焊料膜表面的氧化，可以在無助焊劑下進(jìn)行接合的電子部件。
上述目的可以通過由基材、在基材上形成的金屬化層、及在金屬化層表 面的一部分上形成的Sn焊料部構(gòu)成，并且在Sn焊料部表面的電子部件搭載 部上形成Ag膜的電子部件搭載用基板來實現(xiàn)。
還有，上述目的可以通過含有基材、在基材上形成的金屬化層、及在金 屬化層表面的一部分形成的Sn焊料部，并且在Sn焊料部表面形成有Ag膜 的電子部件來實現(xiàn)。
而且，上述目的可以通過如下的電子部件來實現(xiàn)，該電子部件由引線框、 搭載到引線框上的功能元件、接合功能元件的端子部和引線框的接合部的多 個接合線、對功能元件和多個接合線和引線框的一部分進(jìn)行注模的樹脂部構(gòu) 成，從樹脂部外延的引線上實施鍍錫，在實施了鍍錫的引線的接合部上形成 Ag膜。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供在電子部件的接合部的焊料上形成防止焊料表面 氧化的防氧化膜，能夠在無助焊劑下接合的電子部件。


圖l是基板的接合部的斷面圖。
圖2是實施例2的基板的接合部的斷面圖。
圖3是實施例3的基板的接合部的斷面圖。
圖4是電子部件的接合部的部分?jǐn)嗝鎴D。
圖5是電子部件的斷面圖。
圖中，l是陶瓷基板，2是金屬化層，3是Sn悍料膜，4是Ag膜，5是 聚酰亞胺箔，6是Cu電極金屬化層，7是焊料凸點，8是銀鍍膜，9是Si晶
6片，IO是基板，ll是金屬化層，12是焊料凸點，13是銀鍍膜，14是半導(dǎo)體 芯片，15是引線框，16是焊料鍍膜，17是銀鍍膜，18是接合線，19是樹脂， 20是基板，30是基板，40是電子部件，50是電子部件，60是Au膜，70是 電路元件。
具體實施例方式
使用實施例，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行如下說明。 實施例1
使用圖1對作為本發(fā)明的第一實施方式的基板進(jìn)行說明。這里，圖1是 基板接合部的斷面圖。
圖1的基板10的構(gòu)成是，在陶瓷基板1上，成為一體地EB (電子束) 蒸鍍由Ti/Pt/Au (Ti—Pt—Au的順序)構(gòu)成的金屬化層2后，通過離子蝕刻 形成圖案，然后用抗蝕劑形成圖案，在其上成為一體地電阻蒸鍍Sn (錫)焊 料膜3和Ag (銀)表面防氧化膜4，進(jìn)行升離(lift-off)。金屬化層2的Ti (鈦)層起到與陶瓷基板1緊密接合的作用、Pt (鉑)層起到焊料阻擋層的 作用，Au (金)層起到確保引線接合性的作用。金屬化層2的厚度，從陶瓷 基板1側(cè)開始，分別為0.1|1111/0.2^1111/0.2[1111。還有，811焊料膜3的厚度為3|am， Ag膜4的厚度為O.lnm。
通過加熱整個基板接合電子部件等時，Sn焊料膜3起到粘接劑的作用。 但是，由于Sn焊料膜3具有在大氣中被氧化的性質(zhì)，因此用Ag膜4防止Sn 焊料膜3氧化。Ag膜4和Sn焊料膜3的形成部為電子部件搭載部，在金屬 化層2在表面露出的部分上實施引線接合。
對通過Ag來防止Sn氧化的效果，進(jìn)行如下詳述。Ag的氧化反應(yīng)，由 式(1)表示。
4Ag + 02 — 2Ag20 (1)
該反應(yīng)式在什么溫度、氧分壓下向右進(jìn)行，可以通過該反應(yīng)的吉布斯自 由能計算出來。
吉布斯自由能AG，可以使用焓AH、熵AS和絕對溫度T表示如下。 △G = AH — TAS (2)
根據(jù)Kubachewski著的《材料熱化學(xué)(第6版)》(MaterialsThermochemistry Sixth Edition) (p258)，標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)25。C的AH。 =31.1kJ/mol, △S°=120.9J/K/mol。因此，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)25°C的Ag20的標(biāo)準(zhǔn)生成自由能為，
△G0 =31.1—298X0.1209 kJ/mol 二一4.9282 kJ/mol
由此，可以計算出Ag20的生成/分解的氧分壓的邊界值，即離解壓力。
△G = AG0 + RTlnK (3)
K = a (Ag20) / (a2 (Ag) X P02) (4) (3)式中R為氣體常數(shù)，K為平衡常數(shù)，a是各自的活度，PCb是氧分 壓。對于Ag20的離解壓力，(3)式左邊的AG二0， (4)式的a(Ag20)=l， a2(Ag)=l，所以，
AG° = RTlnP02 (5)
接著，使用前面求出的AG。、氣體常數(shù)R二8.314 kJ/K/mol、溫度298K (25°C)，計算出P02，則(5)式變形為 P02=ext (AG。/R/T) (6) =0.998大氣壓(atm) =1011hPa
在大氣壓(latm)中氧濃度為21%，所以氧分壓為213hPa (0.21atm)， 比Ag20的離解壓力小。從而，在25'C的大氣中，Ag不發(fā)生氧化。因此，根 據(jù)圖1的構(gòu)成，由于在Sn焊料膜3上形成了 Ag膜4，而Ag在常溫的大氣 中不氧化，因此可以起到防止Sn焊料膜的氧化的效果。
根據(jù)本實施例，即使在電子部件10的濕式加工中也可以幾乎在整個范 圍內(nèi)防止形成氧化膜。對此進(jìn)行如下說明。
圖1的構(gòu)造中，Sn和比其更為貴金屬的Ag接觸，形成在側(cè)面露出Sn 的構(gòu)造。由濕式加工中的水引起腐蝕時，即通過所謂的電池反應(yīng)，在側(cè)面暴 露的賤金屬Sn發(fā)生單方的離子化。換言之，以Ag和Sn作為電極并且以水 分作為電解液的電池中，只要還有更為賤金屬的Sn極殘存，Ag極就不會受 到腐蝕。即，僅是側(cè)面的一部分被腐蝕(氧化)，幾乎占整個接合面的Ag膜 4的表面不發(fā)生氧化。這樣，在熔融Sn焊料膜3接合電子部件時，阻礙接合 的氧化膜僅存在于側(cè)面的一部分，幾乎不產(chǎn)生負(fù)面影響。綜上所述，考慮到通常的來自氧氣的氧化和來自水的氧化這兩方面，并且考慮到焊料的接合性，
如圖1所示的在Sn焊料膜3上面覆蓋Ag膜4，并且側(cè)面的Sn焊料膜3露出 的結(jié)構(gòu)是合適的。如果在Sn焊料膜的側(cè)面也覆蓋Ag膜，則預(yù)測在濕式加工 中由于電池反應(yīng)而引起的Ag的防蝕效果會減弱，但與Sn相比，Ag更不易 被腐蝕，因此與Sn膜的上面露出的狀況相比，能實現(xiàn)防止氧化的效果。
如果在Sn焊料上形成Ag膜，在Sn/Ag界面，可能形成Ag3Sn化合物。 但是，在Ag表面會長時間維持Ag膜。這是因為Ag在Sn中的擴(kuò)散慢。從 而，可以長時間維持圖1的結(jié)構(gòu)，因此可以長時間維持防止氧化的效果。
對于作為焊料的熔融特性和接合性，在厚度為3i_im的Sn焊料膜上形成 厚度0.1pm的Ag膜，進(jìn)行確認(rèn)。其結(jié)果，在Sn焊料膜熔融的同時，Ag膜 溶解到Sn焊料中，可以確認(rèn)Ag膜對焊料的浸潤性、接合性沒有壞的影響。
從接合性的角度來規(guī)定Sn焊料膜和Ag膜的厚度比。艮卩，Sn和Ag的合 金中Ag的濃度為73wt^，正好整體上是Ag3Sn。如果Ag小于這一濃度，在 大于等于Sn-Ag共晶溫度22rC時， 一定會殘留液相成分，因此能夠接合。 從而，適合將Sn焊料膜3和Ag膜4的厚度決定成為，熔融時的Ag濃度小 于等于73wt^。
例如銀餐具會發(fā)黑，因此一般認(rèn)為比金更易于氧化。如上所述Ag不會 受到由氧氣引起的表面氧化，因此這被認(rèn)為是由大氣中的水分引起的氧化。 但是，基板或電子部件通常是在無塵室中制造，并在濕度保持得極低的干燥 器中保管。這樣，可以忽略大氣中水分的影響。
綜上所述，根據(jù)本實施例，可以提供具有能夠在接合面的大部分防止由 氧氣引起的表面氧化和由水分引起的氧化，并且接合性優(yōu)良的焊料膜(這里 包括Ag叫做焊料膜)的基板。本實施例的構(gòu)成中，使用Ag防止氧化，由于 Ag是在大氣中不氧化的最廉價的金屬，所以在成本方面也有利。
還有，上述實施例中是使用陶瓷作為基板，但也可以使用玻璃基板、玻 璃環(huán)氧基板、半導(dǎo)體基板等。金屬化層使用了 Ti/Pt/Au，但并不限于此，也 可以是例如Cr/Cu/Au、 Ti/Ni/Au等。還有，焊料使用了Sn焊料，但并不限于 此，也可以是Sn-Ag焊料、Sn-Ag-Cu焊料、Sn-Zn焊料、Sn-Pb焊料等以Sn 為主要成分(最多的成分)的合金。Sn焊料和以Sn為主要成分的合金焊料都稱為Sn焊料。Ag也不限于純銀，包括以Ag為主要成分的合金。成膜方 法也不限于蒸鍍法，可以使用濺射法等薄膜形成技術(shù)。此外，上述的變形例 也適用于本說明書的其他實施例。 實施例2
參照圖2，對于作為本發(fā)明所涉及的第一實方式的基板的其他實施例進(jìn) 行說明。圖2是基板接合部的斷面圖。
圖2所示的基板20是在實施例1中說明的基板10的Ag膜4上，形成 Au膜60的構(gòu)造。與實施例l不同之處是，在能夠升離地形成了圖案的保護(hù) 層上，連續(xù)電阻蒸鍍形成Sn焊料膜3、 Ag膜4和Au膜60。
Au是不氧化的金屬，因此多用于金屬化層的表面涂膜、引線接合等。 在焊料中也可以作為防氧化膜使用。但是，尤其在以Sn為主體的焊料膜上直 接形成Au膜時，由于Au和Sn間的相互擴(kuò)散非常迅速，所以Au擴(kuò)散到Sn 中，而會出現(xiàn)Au的防氧化效果僅在短時間內(nèi)有效的情況。但是，如圖2的 結(jié)構(gòu)中，Ag膜4起到Au和Sn相互擴(kuò)散的阻擋層的功能，可以防止Au向 Sn中擴(kuò)散。從而，使焊料表面不被氧化，可以獲得優(yōu)良的浸潤性。
還有，在Ag膜上設(shè)置Au層也可以適用于本說明書的以下實施例。這時， 可以通過薄膜形成技術(shù)形成Ag層之后，接著進(jìn)行Au層的形成。也可以是通 過鍍敷法形成Ag層之后，接著由鍍層法形成Au層。
實施例3
對于作為本發(fā)明所涉及的第一實施方式的基板的另一實施例，參照圖3 進(jìn)行說明。這里，圖3是基板接合部的斷面圖。
圖3的基板30的結(jié)構(gòu)為，粘接具有可撓性的聚酰亞胺箔5和銅箔，對 銅箔進(jìn)行圖案加工而形成Cu電極金屬化層6，通過電鍍法在其上面形成Sn 焊料凸點7，進(jìn)一步在其上形成Ag鍍膜8。焊料凸點7的組成也可以是實施 例1的變形例中說明的合金焊料。還有，為了簡化圖示，圖3中省略了紙面 上側(cè)的夾持銅箔的聚酰亞胺箔。
Ag鍍膜8，如果形成的厚度較厚，則會覆蓋焊料凸點7的全部表面，但 如果通過調(diào)節(jié)到適當(dāng)?shù)暮穸榷纬傻幂^為薄一些，則會產(chǎn)生微小的未鍍敷區(qū) 域。由于在該部分焊料凸點7的表面稍微露出，所以在濕式加工中通過電池
10反應(yīng)可以達(dá)到Ag鍍膜8的防蝕效果。還有，同樣地，由于Ag鍍層在25'C的 大氣中不氧化，因此即使在室溫下長期保管，在鍍銀部分也不形成氧化膜， 不會對接合性產(chǎn)生壞的影響。
通過使用這種形態(tài)的可撓性基板30，可以將位置調(diào)節(jié)成為，與基板30 接合的電子部件(圖中未顯示)的接合部與各焊料凸點7上的Ag鍍膜8相 接觸，并通過進(jìn)行回流，可以在無助焊劑條件下接合基板30和電子部件。無 助悍劑接合的優(yōu)點在于，可以降低助焊劑自身的成本、由于削減了接合后的 清洗工序而降低了成本、降低由助焊劑引起的部件損傷等。
實施例4
對于本發(fā)明所涉及的第二實施方式的電子部件，參照圖4進(jìn)行說明。圖 4是電子部件的接合部的部分?jǐn)嗝鎴D。
圖4的電子部件40的結(jié)構(gòu)是，在Si晶片9上形成電路元件70后，在 Si晶片狀態(tài)下在金屬化層11上鍍保護(hù)層(圖中未顯示)，之后，通過鍍敷形 成焊料凸點12，剝離保護(hù)鍍層后，由掩模濺射法形成Ag膜13。
與實施例1相同，焊料凸點12可以通過實施Sn、 Sn-Ag、 Sn-Ag-Cu、 Sn-Zn、 Sn-Pb等金屬/合金鍍敷來形成。進(jìn)而，通過形成Ag膜13，可以防止 由大氣中的氧和水分引起的Ag膜13表面的氧化。
還有，本實施例中在剝離保護(hù)鍍層后，由掩模濺射法形成了 Ag膜13， 但在形成焊料凸點12之后，也可以接著實施Ag鍍敷。這時Ag鍍層的形狀 與Ag膜13的形狀會有一些不同。
近年來， 一直在研究電子部件安裝的圓晶級化，因此對于圓晶狀態(tài)電子 部件的焊料凸點形成技術(shù)變得很重要。形成焊料凸點的圓晶，隨后在芯片切 割工序中被分割，因此焊料凸點必然與芯片切割用冷卻水接觸。從而，由水 分引起的焊料表面的腐蝕成為重要的課題，使用本發(fā)明的構(gòu)成就可以防止焊 料凸點表面的腐蝕。
實施例5
對于作為本發(fā)明所涉及的第二實施方式的電子部件的其他實施例，參照 圖5進(jìn)行說明。這里，圖5是電子部件的斷面圖。
圖5所示的電子部件50是，在引線框15上安裝半導(dǎo)體芯片14，通過接
ii合線18將引線框15和半導(dǎo)體芯片14進(jìn)行接合，由樹脂19整個注模這種構(gòu) 成的電子部件。在引線接合部上形成焊料鍍膜16和Ag鍍膜17。本實施例中， 焊料鍍膜16可以通過使用Sn、 Sn-Ag、 Sn-Ag-Cu、 Sn-Zn、 Sn-Pb等金屬/合 金。至于Ag鍍膜17對焊料鍍膜16的防氧化效果，與上述的實施例相同。
此外，圖5中，焊料鍍膜16的幾乎全部區(qū)域都被Ag鍍膜17所覆蓋， 但關(guān)系到接合性，僅在小尺寸封裝(SOP)的引線的水平部分(與基板的接 合部)實施鍍銀就足以。還有，電子部件中內(nèi)置的功能元件并不限定于半導(dǎo) 體芯片，也可以是電阻元件、電容元件。
本實施例可以提供能夠以鍍敷在電子部件上的微小量焊料，使焊料表面 不被氧化，不使用助焊劑而在基板上安裝的電子部件。
還有，根據(jù)本實施例，焊料鍍膜16的幾乎全部區(qū)域被Ag鍍膜17所覆 蓋，因此具有防止產(chǎn)生Sn晶須的效果。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件搭載用基板的制造方法，其特征在于，包括在基材上形成的金屬化層的表面的一部分上形成Sn焊料部的工序，在所述Sn焊料部表面的電子部件搭載部上形成Ag膜的工序。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件搭載用基板的制造方法，其特征在于: 所述Sn焊料部是以Sn為主要成分的合金焊料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件搭載用基板的制造方法，其特征在于: 所述Ag膜是以Ag為主要成分的合金。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件搭載用基板的制造方法，其特征在于: 所述Ag膜構(gòu)成為在所述Sn焊料部和所述Ag膜的平均組成中的Ag比例小 于等于73wt%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件搭載用基板的制造方法，其特征在于: 還包括在所述Ag膜之上形成Au膜的工序。
6. —種電子部件的制造方法，所述電子部件包含基材、在該基材上形成 的金屬化層、在該金屬化層表面的一部分上形成的Sn焊料部，其特征在于 包括在所述Sn焊料部表面形成Ag膜的工序。
7. —種電子部件的制造方法，所述電子部件由引線框、被搭載在該引線 框上的功能元件、接合該功能元件的端子部和所述引線框的接合部的多個接 合線、對所述功能元件和所述多個接合線和所述引線框的一部分進(jìn)行注模的 樹脂部所構(gòu)成，其特征在于包括在從所述樹脂部外延的引線上實施錫鍍的 工序和在實施了錫鍍層的所述引線上形成Ag膜的工序。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子部件的制造方法，其特征在于所述 Sn焊料部是以Sn為主要成分的合金焊料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子部件的制造方法，其特征在于所述 Ag膜是以Ag為主要成分的合金。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子部件的制造方法，其特征在于所 述Ag膜構(gòu)成為在所述Sn焊料部和所述Ag膜的平均組成中的Ag比例小于 等于73wt%。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電子部件的制造方法，其特征在于還 包括在所述Ag膜之上形成Au膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及提供防止在基板或電子部件的接合部上形成的焊料膜表面的氧化，并在無助焊劑下可以接合的基板或電子部件。在基板(1)上形成金屬化層(2)，其上形成Sn焊料膜(3)和Ag膜(4)。Ag膜(4)是在大氣中室溫下不發(fā)生氧化的金屬。即使在濕式加工中，由于Ag和Sn的電池反應(yīng)，使得僅在露出的Sn焊料膜(3)的側(cè)面發(fā)生氧化，所以不影響接合，焊料膜上的Ag膜(4)上不發(fā)生氧化。在Sn焊料膜(3)熔融的同時，Ag膜(4)溶解到Sn焊料中，所以Ag膜(4)不妨礙接合。
文檔編號H01L21/50GK101510514SQ200910003238
公開日2009年8月19日 申請日期2006年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月25日
發(fā)明者松島直樹, 秦昌平, 藤永猛 申請人:日立協(xié)和技術(shù)工程公司