專利名稱：半導(dǎo)體封裝件及其制造方法與封膠方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法與封膠方法，且特別是有關(guān)于一種具有覆晶式芯片的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法與封膠方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝件的種類繁多，例如是FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)或 FCCSP(Flip Chip CSP)等，皆可使用封膠密封芯片而成為半導(dǎo)體封裝件。然而，封膠在填充于模穴的過程中，會因阻力過大導(dǎo)致流動速度變慢，因此造成封 膠無法均勻地填充于模穴內(nèi)。若此，完成封裝的半導(dǎo)體封裝件，其封膠往往產(chǎn)生許多松散且 大尺寸的內(nèi)部孔洞(void)，使得封裝品質(zhì)不佳。因此，如何降低半導(dǎo)體封裝件的封膠的孔洞，實為本產(chǎn)業(yè)努力目標之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，其芯片與封膠間具有一第一距 離，而芯片與封裝基板間具有一第二距離，第一距離與第二距離的比值為一預(yù)設(shè)比值，藉以 減少封膠的流動阻力，使其均勻地填充于模穴，以縮小內(nèi)部孔洞的尺寸。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一封裝基板、 一覆晶式芯片、數(shù)個第一導(dǎo)電部及一封膠。封裝基板具有一基板上表面。覆晶式芯片具有相 對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面。第一導(dǎo)電部電性連接基板上表面與主動表面。封膠包覆 覆晶式芯片且部分的封膠填充于基板上表面與主動表面之間，封膠并具有一封膠頂面。其 中，芯片表面相距封膠頂面一第一距離，而基板上表面相距主動表面一第二距離，第一距離 與第二距離的比值介于2至5之間。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下 步驟。提供一待封膠組件，待封膠組件包括一封裝基板、數(shù)個覆晶式芯片及數(shù)個第一導(dǎo)電 部，每個覆晶式芯片具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面，第一導(dǎo)電部形成于封裝基板 的一基板上表面與主動表面之間，以電性連接封裝基板與覆晶式芯片，其中基板上表面相 距主動表面一第二距離。設(shè)置待封膠組件至一封膠模具的一模穴內(nèi)，封膠模具更具有一與 芯片表面相面對的模穴內(nèi)頂面，模穴內(nèi)頂面相距芯片表面一第一距離，其中第一距離與第 二距離的比值介于2至5之間。以一封膠填充于模穴，以包覆覆晶式芯片而使封膠與待封 膠組件形成一封裝體，封膠的一部分填充于基板上表面與主動表面之間。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的封膠方法。封膠方法包括以下 步驟。提供一待封膠組件，待封膠組件包括一封裝基板、數(shù)個覆晶式芯片及數(shù)個第一導(dǎo)電 部，每個覆晶式芯片具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面，第一導(dǎo)電部形成于封膠組件 的一基板上表面與主動表面之間，以電性連接待封膠組件與覆晶式芯片，其中基板上表面 相距主動表面一第二距離；設(shè)置待封膠組件至一封膠模具的一模穴內(nèi)，其中封膠模具更具 有一模穴注入口，模穴注入口位于模穴的一第一內(nèi)壁面，封膠模具更具有一與芯片表面相面對的模穴內(nèi)頂面，模穴內(nèi)頂面相距芯片表面一第一距離，其中第一距離與第二距離的比值介于2至5之間；抽出模穴內(nèi)的空氣，使模穴達到一真空壓力，其中真空壓力小于負900 百帕(hpa)；以一封膠填充于模穴，以包覆覆晶式芯片而使封膠與待封膠組件形成一封裝 體，封膠的一部分填充于基板上表面與主動表面之間；控制封膠進入模穴的速度，使封膠充 滿模穴所需的時間被控制在15秒內(nèi)；當(dāng)封膠接近模穴的一第二內(nèi)壁面時，放慢封膠的流動 速度，其中第二內(nèi)壁面與第一內(nèi)壁面相面對；其中，封膠模具包括一第一流道、一第二流道 及一第三流道且具有一位于模穴的內(nèi)壁面的模穴注入口、一第一模具注入口及一第二模具 注入口，其中第一流道的一端連接該第一模具注入口、第二流道的一端連接第二模具注入 口且第三流道的一端連接模穴注入口，而第一流道的另一端、第二流道的另一端及第三流 道的另一端連接于一交會處。藉此，使封膠的一部份從第一模具注入口進入而封膠的另一 部份從第二模具注入口進入而交會于該交會處后，流向模穴注入口而進入該模穴內(nèi)。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下


圖1繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。圖2繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。圖3A繪示圖2中提到的待封膠組件的示意圖。圖3B繪示圖3A中待封膠組件設(shè)于模穴的示意圖。圖3C繪示提供封膠于圖3B的待封膠組件的示意圖。圖3D繪示本實施例的封裝體的示意圖。圖4繪示圖3C中往方向Vl觀看到的封膠模具及待封膠組件示意圖。圖5繪示第二實施例的封膠模具示意圖。圖6繪示具有多個模穴注入口的封膠模具示意圖。圖7繪示依照本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。主要組件符號說明100、600 半導(dǎo)體封裝件102、122、604 封裝基板104,612 覆晶式芯片106:第一導(dǎo)電部108 封膠110、614:主動表面112、618:芯片表面114、124、616 基板上表面116 封膠的一部份118 封膠頂面120:待封膠組件126、500 封膠模具128、506 模穴
130 模穴內(nèi)頂面132 封裝體134 封膠側(cè)面136 基板側(cè)面138:第二導(dǎo)電部140 基板下表面142、502 模穴注入口144、504 高溫液態(tài)的封膠146:第一內(nèi)壁面148:第二內(nèi)壁面404 第一流道406 第二流道408 第三流道412:第一模具注入口414:第二模具注入口416 交會處424 高溫液態(tài)的封膠的一部份426 高溫液態(tài)的封膠的另一部份602 接墊606 基材608 開孔610 絕緣層620:內(nèi)側(cè)面622 外側(cè)面Dl 第一距離D2 第二距離D5、V1:方向P:切割路徑
具體實施例方式以下提出較佳實施例作為本發(fā)明的說明，然而實施例所提出的內(nèi)容，僅為舉例說明之用，而繪制的圖式為配合說明，并非作為限縮本發(fā)明保護范圍之用。再者，實施例的圖 標亦省略不必要的組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點。第一實施例請參照圖1，其繪示依照本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。半導(dǎo)體封裝 件100包括一封裝基板102、一覆晶式芯片104、數(shù)個第一導(dǎo)電部106、一封膠108及數(shù)個第 二導(dǎo)電部138。覆晶式芯片104具有相對應(yīng)的一主動表面110與一芯片表面112。第一導(dǎo)電部106 電性連接封裝基板102的基板上表面114與主動表面110。封膠108包覆覆晶式芯片104且封膠的一部份116填充于基板上表面114與主動表面110之間，封膠108并具有一封膠 頂面118及一封膠側(cè)面134，封膠側(cè)面134與封裝基板102的基板側(cè)面136實質(zhì)上齊平。第二導(dǎo)電部138設(shè)于封裝基板102的基板下表面140，第二導(dǎo)電部138通過封裝基 板102電性連接于覆晶式芯片104。此外，芯片表面112相距封膠頂面118—第一距離Dl，而基板上表面114相距主動表面110 —第二距離D2，第一距離Dl與第二距離D2的比值介于2至5之間。舉例來說，當(dāng) 基板上表面114相距封膠頂面118的距離為0. 53公厘(mm)時，第一距離Dl可介于100微 米(μπι)至150μπι之間且第二距離D2可介于30μπι至50μπι之間。通過第一距離Dl與第二距離D2的預(yù)設(shè)比值的設(shè)計，可減少封膠過程中，高溫液態(tài) 的封膠的流動阻力，使其均勻地填充于模穴，以縮小內(nèi)部孔洞的尺寸。更進一步地說，若第 一距離Dl與第二距離D2的比值過大，例如是大于5，則在封膠工藝中，高溫液態(tài)的封膠(未 繪示于圖1)流經(jīng)主動表面110與基板上表面114之間的阻力會大于流經(jīng)芯片表面112與 封膠頂面118之間的阻力。此較大的阻力使高溫液態(tài)的封膠在流動上變得相對不順暢，在 高溫液態(tài)的封膠尚未完全地充滿主動表面110與基板上表面114之間前，封膠可能就冷卻 凝固，因而導(dǎo)致凝固后的封膠108，特別是封膠108的一部份116的組織密度不均且內(nèi)部孔 洞尺寸過大。反觀本實施例，第一距離Dl與第二距離D2的比值不大于5，可有效避免上述 因流動阻力過大所產(chǎn)生的不良問題。請參照圖2，其繪示依照本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。以 下詳細說明半導(dǎo)體封裝件100的制造方法。請同時參照圖3Α，其繪示圖2中提到的待封膠組件的示意圖。于步驟S202中，提 供一待封膠組件120。待封膠組件120包括一封裝基板122、數(shù)個覆晶式芯片104及數(shù)個第 一導(dǎo)電部106。每個覆晶式芯片104具有相對應(yīng)的主動表面110與芯片表面112。第一導(dǎo) 電部106形成于封裝基板122的基板上表面124與主動表面110之間，以電性連接封裝基 板122與覆晶式芯片104。其中，基板上表面124相距主動表面110 —第二距離D2。此外，本步驟S202中的待封膠組件120可由幾個步驟來完成。即，提供封裝基板 122及提供覆晶式芯片104。之后，形成第一導(dǎo)電部106于基板上表面124與主動表面110 之間，以完成待封膠組件120。然后，于步驟S204中，請同時參照圖3Β，其繪示圖3Α中待封膠組件設(shè)于模穴的示 意圖。設(shè)置待封膠組件120至一封膠模具126的一模穴128內(nèi)。封膠模具126更具有一模 穴內(nèi)頂面130，其與芯片表面112相面對。模穴內(nèi)頂面130相距芯片表面112—第一距離 D1，其中第一距離Dl與第二距離D2的比值介于2至5之間。然，若第一距離Dl與第二距離D2的比值未介于2至5之間，則可于步驟S202中 新增一步驟(未繪示)從芯片表面112磨削覆晶式芯片104，以削薄覆晶式芯片104的厚 度，使第一距離Dl與第二距離D2的比值介于2至5之間。然后，于步驟S206中，請同時參照圖3C，其繪示提供封膠于圖3Β的待封膠組件的 示意圖。從模穴注入口 142，提供高溫液態(tài)的封膠144并使其填充進模穴128內(nèi)，以包覆覆 晶式芯片104。凝固后的封膠108與待封膠組件120形成一封裝體132，如圖3D所示，其繪 示本實施例的封裝體的示意圖。其中，高溫液態(tài)的封膠144流進基板上表面124與主動表 面110之間的空間，并于凝固后形成圖1中封膠108的一部份116。
此外，于步驟S206之后，本實施例的制造方法可包括第二導(dǎo)電部的形成步驟。例 如，可形成如圖1所示的第二導(dǎo)電部138于基板下表面140。第二導(dǎo)電部138是通過封裝基 板102電性連接于覆晶式芯片104。此外，于步驟S206之后，本實施例的制造方法可包括一切割步驟。舉例來說，如圖 3D所示，于步驟S208中，依據(jù)覆晶式芯片104的位置，以一切割刀具(未繪示)，沿著圖3D 的切割路徑P切割圖3D的封裝體132，使其成為數(shù)個如圖1所示的半導(dǎo)體封裝件100。較 佳但非限定地，圖3D的切割路徑P經(jīng)過封膠108及封裝基板120的重疊處，以使切割后的 半導(dǎo)體封裝件100中，其封膠10 8的封膠側(cè)面134及待封裝基板120的基板側(cè)面136齊平， 如圖1所示。第二實施例在第二實施例中，與第一實施例相同之處沿用相同標號，在此不再贅述。第二實施 例與第一實施例的不同之處在于，除了經(jīng)由半導(dǎo)體封裝件100的第一距離Dl與第二距離D2 的預(yù)設(shè)比值外，更可于與封膠過程中搭配控制工藝參數(shù)來達到封膠108的內(nèi)部孔洞尺寸細 致化的效果。以下說明第一種工藝控制方法。在圖2的步驟S206之前，抽出圖3B中模穴128 內(nèi)的空氣，使模穴128達到一真空壓力，真空壓力較佳地是小于負900百帕(hpa)，例如是負 950hpa。如此，可完全地抽出模穴128內(nèi)的雜質(zhì)并降低模穴128的內(nèi)部空氣阻力。在此情 況下，于封膠過程中，不會有過多的雜質(zhì)阻礙高溫液態(tài)的封膠144 (繪示于圖3C)的流動，亦 不會被雜質(zhì)影響高溫液態(tài)的封膠144凝固后的組織，因此凝固后的封膠108其內(nèi)部孔洞的 密度較緊密且較細致。并且，由于模穴128的內(nèi)部空氣阻力降低，高溫液態(tài)的封膠144流動 更順暢，此更有助于使凝固后的封膠其內(nèi)部孔洞密度更緊密且細致。以下說明第二種工藝控制方法。在圖2的步驟S206中，可控制高溫液態(tài)的封膠 144進入模穴128的速度，使高溫液態(tài)的封膠144充滿模穴128所需的時間被控制在一預(yù)設(shè) 時間，例如是15秒內(nèi)。因為假如高溫液態(tài)的封膠144在模穴128內(nèi)流動的時間過久，高溫 液態(tài)的封膠144在還沒充滿整個模穴128時就可能開始冷卻凝固，因而導(dǎo)致凝固后的封膠 組織不均勻且內(nèi)部孔洞尺寸過大的問題。因此，本實施例中控制高溫液態(tài)的封膠144的充 模時間在一預(yù)設(shè)時間內(nèi)，有助于使凝固后的封膠108其內(nèi)部孔洞的密度較緊密且較細致。以下說明第三種工藝控制方法。請參照圖4，其繪示圖3C中往方向Vl觀看到的封 膠模具及待膠裝基板示意圖。封膠模具126更具有相對應(yīng)的一第一內(nèi)壁面146及一第二內(nèi) 壁面148。模穴注入口 142位于第一內(nèi)壁面146。高溫液態(tài)的封膠144從模穴注入口 142 進入并往方向D5流動，當(dāng)高溫液態(tài)的封膠144接近第二內(nèi)壁面148時，可放慢高溫液態(tài)的 封膠144的流動速度，以避免高溫液態(tài)的封膠144撞擊模穴128的內(nèi)壁面后的反彈速度過 快而沖擊到正常流動的高溫液態(tài)的封膠。若高溫液態(tài)的封膠144撞擊模穴128的內(nèi)壁面后 反彈的現(xiàn)象嚴重，將導(dǎo)致凝固后的封膠組織不均勻。本實施例經(jīng)由放慢高溫液態(tài)的封膠144 的流動速度減緩或避免上述的不良現(xiàn)象，因此可使凝固后的封膠組織較均勻。另外，以下介紹上述第三種工藝控制方法的另一實施態(tài)樣。請繼續(xù)參照圖4，數(shù) 個覆晶式芯片104的排列呈數(shù)組式，最后一排的覆晶式芯片，例如是接近數(shù)個覆晶式芯片 104(1)鄰近第二內(nèi)壁面148。當(dāng)高溫液態(tài)的封膠144接 觸到覆晶式芯片104(1)時，可放慢 高溫液態(tài)的封膠144的流動速度。如此，同樣可避免高溫液態(tài)的封膠144撞擊模穴128的內(nèi)壁面后快速反彈的不良現(xiàn)象。請參照圖5，其繪示第二實施例的封膠模具示意圖。封膠模具126包括一第一流道 404、一第二流道406及一第三流道408且具有一模穴注入口 410、一第一模具注入口 412及 一第二模具注入口 414。第一流道404的一端連接該第一模具注入口 412，第二流道406的 一端連接第二模具注入口 414，第三流道408的一端連接模穴注入口 410，第一流道404的 另一端、第二流道406的另一端及第三流道408的另一端連接于一交會處416。而模穴注入 口 142位于模穴128的第一內(nèi)壁面146，較佳但非限定地位于第一內(nèi)壁面146的中間位置。在封膠過程中，高溫液態(tài)的封膠144的一部份424從第一模具注入口 412流入而 高溫液態(tài)的封膠144的另一部份426從第二模具注入口 414流入，二股高溫液態(tài)的封膠交 會于交會處416后并成單股流向模穴注入口 142并進入模穴128內(nèi)。由于進入模穴128內(nèi) 的高溫液態(tài)的封膠144為單股流體，故沒有其它流入的液體干擾的問題。此有助于幫助凝 固后的封膠組織更緊密，內(nèi)部孔洞的尺寸更細致。更進一步地說，請參照圖6，其繪示具有多個模穴注入口的封膠模具示意圖。封膠 模具500具有模穴506及四個模穴注入口 502。由于封膠模具500具有多個模穴注入口 502。 故，分別從多個模穴注入口 502進入模穴506的多股高溫液態(tài)的封膠504會互相干擾而阻 礙彼此的流動及前進。如此，造成凝固后的封膠組織不均勻，內(nèi)部孔洞尺寸過大等問題。反 觀本實施例的封膠模具126，由于進入模穴128內(nèi)的是單股高溫液態(tài)的封膠，故不會發(fā)生圖 6的模穴506內(nèi)的多股高溫液態(tài)的封膠504互相干擾的問題。在第二實施例中，芯片表面112與封膠頂面118相距一第一距離Dl，而主動表面 110與基板上表面114相距一第二距離D2，第一距離Dl與第二距離D2的比值介于2至5 之間。此外，再搭配上述三種工藝控制方法及封膠模具126的模流道設(shè)計之后，可減少高溫 液態(tài)的封膠144的流動阻力，使其均勻地填充于模穴128內(nèi)且縮小內(nèi)部孔洞的尺寸，可使孔 洞尺寸小于10密耳(mil)。第三實施例請參照圖7，其繪示依照本發(fā)明第三實施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。在第三實 施例中，與第一實施例相同之處沿用相同標號，在此不再贅述。第三實施例與第一實施例的 不同之處在于，第三實施例的半導(dǎo)體封裝件600除了第一距離Dl與第二距離D2的比值介 于2至5之間外，其更包含有非焊罩定義型(Non-solder Mask Defined, NSMD)型的接墊 (pad)602，例如是含有銅金屬的接墊。以下詳細說明其結(jié)構(gòu)。如圖7中局部A的放大示意圖(未繪示第一導(dǎo)電部106)所示，半導(dǎo)體封裝件600 的封裝基板604包括一基材606、數(shù)個接墊602及一具有數(shù)個開孔608的絕緣層610。半導(dǎo) 體封裝件600中覆晶式芯片612的主動表面614面向絕緣層610。接墊602及絕緣層610設(shè)于基材606上，絕緣層610的開孔608暴露出對應(yīng)的接 墊602。進一步地說，在NSMD型的結(jié)構(gòu)中，開孔608的內(nèi)側(cè)面620與對應(yīng)的接墊602的外側(cè) 面622具有一間隙。相較于焊罩定義型(Solder Mask Defined, SMD)型的接墊(未繪示)，本實施例 的NSMD型的接墊602與第一導(dǎo)電部106之間不需像SMD結(jié)構(gòu)需設(shè)置預(yù)焊料(pre-solder)。 故，NSMD結(jié)構(gòu)中，主動表面614與基板上表面616間的距離變得較小，因此導(dǎo)致第一距離Dl 與第二距離D2的比例拉大。雖此，依據(jù)本發(fā)明的精神，只要將第一距離Dl與第二距離D2的比值控制在2至5間，仍可使凝固后的封膠的內(nèi)部孔洞達到細致化效果。舉例來說，相似于上述第一實施例所描述的技術(shù)內(nèi)容，從芯片表面618磨削覆晶式芯片612，以削薄覆晶式 芯片612的厚度，便可使第一距離Dl與第二距離D2的比值介于2至5之間。本發(fā)明上述實施例所揭露的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法與封膠方法，具有多項優(yōu) 點，以下僅列舉部分優(yōu)點說明如下(1)芯片表面與封膠頂面相距一第一距離，而主動表面與基板上表面相距一第二 距離，第一距離與第二距離的比值介于2至5之間，藉以減少封膠的流動阻力，使其均勻地 填充于模穴，以縮小內(nèi)部孔洞的尺寸。(2)經(jīng)由搭配上述(1)的比值設(shè)計與封膠過程的工藝控制，如第二實施例中的三 種工藝控制方法及圖5的封膠模具的設(shè)計，可使凝固后的封膠其內(nèi)部尺寸更細致。(3)本發(fā)明的實施例適用于NSMD型的接墊。雖然具有NSMD型接墊的半導(dǎo)體封裝 件的第一距離Dl與第二距離D2的比例較大，然，依據(jù)本發(fā)明的精神，只要將第一距離Dl與 第二距離D2的比值控制在2至5間，仍可使凝固后的封膠的內(nèi)部孔洞達到細致化效果。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動 與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體封裝件，包括一封裝基板，具有一基板上表面；一覆晶式芯片，具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面；數(shù)個第一導(dǎo)電部，電性連接該基板上表面與該主動表面；以及一封膠，包覆該覆晶式芯片且部分的該封膠填充于該基板上表面與該主動表面之間，該封膠并具有一封膠頂面；其中，該芯片表面相距該封膠頂面一第一距離，而該基板上表面相距該主動表面一第二距離，該第一距離與該第二距離的比值介于2至5之間。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該封裝基板更具有一基板側(cè)面，而該封膠 具有一封膠側(cè)面；其中，該封膠側(cè)面與該基板側(cè)面齊平。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該封裝基板包括一基材、一絕緣層及數(shù)個 接墊，該些接墊設(shè)于該基材上，該絕緣層具有數(shù)個開孔，該些開孔暴露出對應(yīng)的該些接墊， 以使該些第一導(dǎo)電部包覆對應(yīng)的該些接墊。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其中各該些開孔的內(nèi)側(cè)面與對應(yīng)的該接墊的外 側(cè)面之間具有一間隙。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該基板上表面相距該封膠頂面的距離為 0. 53mm，該第一距離介于100 μ m至150 μ m之間以及該第二距離介于30 μ m至50 μ m之間。
6.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括提供一待封膠組件，該待封膠組件包括一封裝基板、數(shù)個覆晶式芯片及數(shù)個第一導(dǎo)電 部，各該些覆晶式芯片具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面，該些第一導(dǎo)電部形成于該 封裝基板的一基板上表面與該些主動表面之間，以電性連接該封裝基板與該些覆晶式芯 片；設(shè)置該待封膠組件至一封膠模具的一模穴內(nèi)，該封膠模具更具有一與該芯片表面相面 對的模穴內(nèi)頂面，該模穴內(nèi)頂面相距該芯片表面一第一距離，該基板上表面相距該主動表 面一第二距離，其中該第一距離與該第二距離的比值介于2至5之間；以一封膠填充于該模穴，以包覆該些覆晶式芯片而使該封膠與該待封膠組件形成一封 裝體，該封膠的一部分填充于該基板上表面與該主動表面之間。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中于提供該待封膠組件的該步驟中包括提供該封裝基板；提供該些覆晶式芯片；以及形成該些第一導(dǎo)電部于該基板上表面與該主動表面之間，以形成該待封膠組件。
8.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中于提供該待封膠組件的該步驟更包括從該些芯片表面磨削該些覆晶式芯片，以削薄該些覆晶式芯片的厚度，藉以使該第一 距離與該第二距離的比值介于2至5之間。
9.如權(quán)利要求6所述的制造方法，更包括抽出該模穴內(nèi)的空氣，使該模穴達到一真空壓力。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該真空壓力小于負900百帕(hpa)。
11.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中于以該封膠填充于該模穴的該步驟中包括控制該封膠進入該模穴的速度，使該封膠充滿該模穴所需的時間被控制在一預(yù)設(shè)時間內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中于該預(yù)設(shè)時間為15秒。
13.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該封膠模具更具有一模穴注入口，該模穴注入 口位于該模穴的一第一內(nèi)壁面且該封膠經(jīng)過該模穴注入口填充進該模穴內(nèi)，于該封膠填充 于該模穴的該步驟中包括當(dāng)該封膠接近該模穴的一第二內(nèi)壁面時，放慢該封膠的流動速度，其中，該第二內(nèi)壁面 與該第一內(nèi)壁面相面對。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其中該些覆晶式芯片的一部份鄰近于該第二內(nèi)壁 面，于該封膠填充于該模穴的該步驟中包括當(dāng)該封膠接觸該些覆晶式芯片的該部份時，放慢該封膠的流動速度。
15.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該封膠模具包括一第一流道、一第二流道及一 第三流道且具有一位于該模穴的內(nèi)壁面的模穴注入口、一第一模具注入口及一第二模具注 入口，其中該第一流道的一端連接該第一模具注入口、該第二流道的一端連接該第二模具 注入口且該第三流道的一端連接該模穴注入口，而該第一流道的另一端、該第二流道的另 一端及該第三流道的另一端連接于一交會處；藉此，使該封膠的一部份從該第一模具注入口進入而該封膠的另一部份從該第二模具 注入口進入而交會于該交會處后，流向該模穴注入口而進入該模穴內(nèi)。
16.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該封裝基板包括一基材、一絕緣層及數(shù)個接 墊，該些接墊設(shè)于該基材上，該絕緣層具有數(shù)個開孔，該些開孔暴露出對應(yīng)的該些接墊，以 使該些第一導(dǎo)電部包覆對應(yīng)的該些接墊。
17.如權(quán)利要求6所述的制造方法，更包括依據(jù)該些覆晶式芯片的位置，切割該封裝體成為數(shù)個半導(dǎo)體封裝件。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其中于該切割步驟中包括沿著一切割路徑切割該封裝體，該切割路徑經(jīng)過該封膠及該封裝基板的重疊處，以使 切割后的該半導(dǎo)體封裝件中該封膠的一封膠側(cè)面及該封裝基板的一基板側(cè)面齊平。
19.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中該封膠更具有一封膠頂面，該封膠頂面與該芯 片表面相對應(yīng)，該基板上表面相距該封膠頂面的距離為0. 53mm,該第一距離介于100 μ m至 150 μ m之間以及該第二距離介于30μπι至50μπι之間。
20.一種半導(dǎo)體封裝件的封膠方法，包括提供一待封膠組件，該待封膠組件包括一封裝基板、數(shù)個覆晶式芯片及數(shù)個第一導(dǎo)電 部，各該些覆晶式芯片具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面，該些第一導(dǎo)電部形成于該 封裝基板的一基板上表面與該些主動表面之間，以電性連接該封裝基板與該些覆晶式芯 片；設(shè)置該待封膠組件至一封膠模具的一模穴內(nèi)，其中該封膠模具包括一第一流道、一第 二流道及一第三流道且具有一位于該模穴的一第一內(nèi)壁面的模穴注入口、一第一模具注入 口及一第二模具注入口，其中該第一流道的一端連接該第一模具注入口、該第二流道的一 端連接該第二模具注入口且該第三流道的一端連接該模穴注入口，而該第一流道的另一 端、該第二流道的另一端及該第三流道的另一端連接于一交會處，該模穴更包括一第二內(nèi)壁面，其中該第二內(nèi)壁面與該第一內(nèi)壁面相面對；抽出該模穴內(nèi)的空氣，使該模穴達到一真空壓力，其中該真空壓力小于負900hpa ； 以一封膠填充于該模穴，使該封膠的一部份從該第一模具注入口進入而該封膠的另一 部份從該第二模具注入口進入而交會于該交會處后，流向該模穴注入口而進入該模穴內(nèi)， 以包覆該些覆晶式芯片而使該封膠與該待封膠組件形成一封裝體，該封膠的一部分填充于 該基板上表面與該主動表面之間；控制該封膠進入該模穴的速度，使該封膠充滿該模穴所需的時間被控制在15秒內(nèi)；以及 當(dāng)該封膠接近該模穴的該第二內(nèi)壁面時，放慢該封膠的流動速度。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法與封膠方法。半導(dǎo)體封裝件包括一封裝基板、一覆晶式芯片、數(shù)個導(dǎo)電部及一封膠。封裝基板具有一基板上表面。覆晶式芯片具有相對應(yīng)的一主動表面與一芯片表面。導(dǎo)電部電性連接基板上表面與主動表面。封膠包覆覆晶式芯片且部分的封膠填充于基板上表面與主動表面之間，封膠并具有一封膠頂面。其中，芯片表面相距封膠頂面一第一距離，而基板上表面相距主動表面一第二距離，第一距離與第二距離的比值介于2至5之間。
文檔編號H01L23/31GK101814462SQ200910159839
公開日2010年8月25日 申請日期2009年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
發(fā)明者歐倉宏, 高崇堯 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司