專利名稱：電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備，具體地涉及具有顯示區(qū)域的顯示設(shè)備，該 顯示區(qū)域中有多個(gè)單元像素，每個(gè)單元像素都提供有電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā) 射裝置和對(duì)設(shè)置在襯底上的光發(fā)射裝置控制驅(qū)動(dòng)電流的像素電路(或 驅(qū)動(dòng)電路)。特別地，本發(fā)明的顯示設(shè)備適于這樣的顯示設(shè)備，即電 流通過(guò)其中而發(fā)射光的電致發(fā)光(EL)裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，使用EL裝置的顯示設(shè)備作為取代陰極射線管(CRT) 或液晶裝置(LCD)的顯示設(shè)備而吸引了人們的注意。在這些顯示設(shè) 備中，作為電流控制型光發(fā)射裝置的有機(jī)EL裝置的應(yīng)用和開發(fā)得到 有效開展，該電流控制型光發(fā)射裝置中亮度由該裝置中流過(guò)的電流控 制。
例如，研究了這樣的顯示設(shè)備，其中顯示區(qū)域是通過(guò)布置多個(gè)像 素而構(gòu)成的，每個(gè)像素包括有機(jī)EL裝置和作為控制通過(guò)有機(jī)EL裝 置的電流的控制裝置的薄膜晶體管(TFT)。進(jìn)一步，在包括外圍電 路的有機(jī)EL裝置中，TFT不僅用在顯示i殳備中，而且用在外圍電路 中。
近年來(lái)，顯示設(shè)備中，顯示區(qū)域尺寸、分辨率、互連線(如信號(hào) 線和掃描線)的數(shù)量和長(zhǎng)度都在逐步增加，因此用于提供電流至顯示 區(qū)域中每個(gè)像素的電源線和公共電壓線的布線長(zhǎng)度也已經(jīng)增加。
增加的布線長(zhǎng)度導(dǎo)致布線電阻的增加。進(jìn)一步，由于顯示屏尺寸 和顯示設(shè)備分辨率的增加，通過(guò)顯示設(shè)備的電流量也增加。隨著布線 電阻和電流量的增加，顯示設(shè)備主要受沿布線的電勢(shì)(電壓)降的影 響。作為結(jié)果，有不能向整個(gè)顯示區(qū)域供應(yīng)恒定電勢(shì)而導(dǎo)致惡化顯示質(zhì)量的問(wèn)題。
為了解決該問(wèn)題，美國(guó)專利No. 6690110公開了通過(guò)增加連接外 部(連接)端子和顯示區(qū)域的電力互連線的寬度從而減小布線電阻，
抑制電勢(shì)降的方法。然而，當(dāng)電力互連線寬度和觸孔增大時(shí)，顯示區(qū) 域的外圍面積，即，框區(qū)域(尺寸)也增加。根據(jù)所供應(yīng)的產(chǎn)品，框 面積被要求盡可能地小，使得增加布線線寬和觸孔尺寸受到限制。
當(dāng)濕氣(水分)進(jìn)入有機(jī)EL設(shè)備的有機(jī)EL裝置中時(shí)，會(huì)引起 出現(xiàn)無(wú)發(fā)光區(qū)域(暗區(qū))和亮度衰減的問(wèn)題。因此，用于抑制濕氣進(jìn) 入的密封技術(shù)是基本的。日本公開專利申請(qǐng)(JP-A) 2005- 158292已 經(jīng)公開了這樣的技術(shù)，即像素區(qū)域被濕氣阻擋結(jié)構(gòu)兩維地包圍，該濕 氣阻擋結(jié)構(gòu)由有機(jī)材料形成以阻擋濕氣進(jìn)入。
為了保護(hù)EL裝置免遭外部含濕氣的空氣影響，整個(gè)顯示部分(區(qū) 域)已經(jīng)被保護(hù)(鈍化)膜覆蓋，濕氣不能透過(guò)該保護(hù)膜。為了完全 抑制濕氣透過(guò)(進(jìn)入)，需要提供一定值的厚度或更高厚度的保護(hù)膜。 作為結(jié)果，可以阻擋濕氣沿顯示區(qū)域的厚度方向上滲透。濕氣滲透也 發(fā)生在平面方向上，其方式為濕氣主要通過(guò)構(gòu)成顯示設(shè)備的膜中的濕 氣吸收膜進(jìn)入有機(jī)EL裝置。特別地，作為有機(jī)EL裝置的下部層的 平整膜由有機(jī)化合物如丙烯酸樹脂形成，因此容易使得濕氣透過(guò)。
JP-A 2006-066206公開了 一種方法，其中用于連接電力互連線和 顯示裝置的電極的觸孔被提供于外圍區(qū)域，使得將顯示區(qū)域中的平整 膜與顯示區(qū)域外部區(qū)域的平整膜分開。已經(jīng)進(jìn)入顯示區(qū)域外部區(qū)域的 平整膜的濕氣被阻擋在觸孔部分，因此濕氣不能進(jìn)入內(nèi)部平整膜。作 為結(jié)果，可以抑制濕氣在顯示區(qū)域的水平方向上滲透。因此，通過(guò)以 觸孔包圍顯示區(qū)域，幾乎總能夠阻擋濕氣在橫向上滲透進(jìn)入顯示區(qū)域。
當(dāng)不局限于平整膜被觸孔分開的方法，而將抑制濕氣滲透或進(jìn)入 的手段提供于觸孔部分時(shí)，要求保護(hù)膜具有直到至少在觸孔上的部分 的厚度，足夠阻擋濕氣類似于顯示區(qū)域的情形在垂直方向滲透。
保護(hù)膜通常是通過(guò)印刷形成或用掩膜進(jìn)行膜成形，使得其厚度在 一定范圍內(nèi)向端部逐漸減小。為此，為了確保觸孔上保護(hù)膜有預(yù)定厚度，需要確保預(yù)定的距離，以便從觸孔的外部到襯底的端部或密封蓋 層的粘接區(qū)域的內(nèi)邊緣逐漸減小保護(hù)膜厚度。
另一方面，有機(jī)EL層也通過(guò)用掩膜進(jìn)4亍膜成形而形成，因此其 位置可偏移。為了吸收該偏移使得有機(jī)EL層不接觸觸孔，也需要確 保顯示區(qū)域的外側(cè)和觸孔的內(nèi)邊緣之間有一定距離。
如上所述，要求設(shè)置觸孔使得確保其和襯底邊緣和顯示區(qū)域外側(cè) 之間有 一 定距離。這一 限制也是減小框部分尺寸的障礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是抑制由于布線長(zhǎng)度因大顯示面積造成的增加而 引起的電勢(shì)的波動(dòng)、最終布線電阻的增加、和為了實(shí)現(xiàn)高精度(分辨 率)但不增加框面積而所需的電流量的增加。
本發(fā)明的特定目的是提供能夠抑制這種功率電勢(shì)波動(dòng)的顯示設(shè)備。
按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種顯示設(shè)備，其包括 襯底；
多個(gè)光發(fā)射裝置，該光發(fā)射裝置每個(gè)都包括設(shè)置在絕緣層上的第 一電極，第二電極，和設(shè)置在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；
多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，其用于控制通過(guò)所述光發(fā)射裝置的電流，驅(qū)動(dòng)電 路被設(shè)置在絕緣層下面，且該光發(fā)射裝置和驅(qū)動(dòng)電路被設(shè)置在沿行方 向和列方向；
通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路連接到第一電極的第一互連線；和 通過(guò)觸孔連接到第二電極的第二互連線，該觸孔提供于絕緣層
中，設(shè)置第二互連線和觸孔以便包圍設(shè)置光發(fā)射裝置和驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)
域，
其中沿襯底一側(cè)，第一互連線被設(shè)置在觸孔的兩側(cè)，或第一互連 線被設(shè)置在觸孔的一側(cè)，而第二互連線被延伸到觸孔的另一側(cè)。
按照本發(fā)明的另一方面，提供一種電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備，其包括 顯示區(qū)域，其中多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置和多個(gè)用于控制電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置驅(qū)動(dòng)電流的像素電路被設(shè)置在襯底上；和外圍區(qū)域，在該襯底上，其中第一和第二互連線用于供應(yīng)電流至 所述像素電路，其中每個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置被設(shè)置在下部第一電極和上部 第二電極之間，其中每個(gè)像素電路被連接到第一互連線并通過(guò)第一電極供應(yīng)驅(qū) 動(dòng)電流至關(guān)聯(lián)的電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，其中第二電極通過(guò)在外圍區(qū)域提供的觸孔連接到第二互連線，該 互連線是比第二電極較低的層，和其中在襯底的平面內(nèi)，第一互連線被沿著第二互連線設(shè)置在其兩側(cè)。按照本發(fā)明進(jìn)一步的方面，提供一種電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備，其包括顯示區(qū)域，其中多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置和多個(gè)用于控制電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置驅(qū)動(dòng)電流的裝置控制電路4皮設(shè)置在襯底上；和其中每個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置被設(shè)置在下部第一電極和上部 第二電極之間，其中每個(gè)裝置控制電路被連接到第一互連線并通過(guò)第一電極供 應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流至關(guān)聯(lián)的電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，其中第二電極通過(guò)在所述外圍區(qū)域提供的觸孔連接到第二互連 線，該互連線是比所述第二電極較低的層，和其中在襯底的平面內(nèi)，第一互連線被沿著第二互連線設(shè)置在其一 側(cè)，而第二互連線從接觸第二電極的部分延伸經(jīng)觸孔到達(dá)沒有設(shè)置第 一互連線的那另一側(cè)。按照本發(fā)明的顯示設(shè)備，可以減小連接到有多個(gè)構(gòu)成元件的區(qū)域 的電力線的電勢(shì)波動(dòng)而不增加顯示設(shè)備的框面積，其中每個(gè)構(gòu)成元件 提供有電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置和用于向光發(fā)射裝置供應(yīng)電流的裝置控 制電路。作為結(jié)果，即使尺寸和顯示區(qū)域的分辨率的增加在發(fā)展，也 可以提供能夠減輕顯示質(zhì)量惡化的顯示設(shè)備。本發(fā)明的這些和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在結(jié)合附圖考慮本發(fā)明 優(yōu)選實(shí)施例的描述后將變得顯然。


圖l是示意截面圖，其示出有機(jī)EL裝置的構(gòu)造。圖2是電路圖，其示出有機(jī)EL裝置的像素電路。圖3是按照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意平面圖。圖4是沿圖3中A-A，線的顯示設(shè)備的示意截面圖。圖5是沿圖3中B-B，線的顯示設(shè)備的示意截面圖。圖6是按照本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意平面圖。圖7是沿圖6中C-C，線的顯示設(shè)備的示意截面圖。圖8是方框圖，其示出數(shù)字靜物照相機(jī)的實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
有機(jī)EL裝置是電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，即，用于產(chǎn)生發(fā)光的發(fā) 光裝置，其亮度取決于通過(guò)裝置的電流。本發(fā)明適用于使用有機(jī)EL 裝置的有源矩陣型顯示設(shè)備。以下，將說(shuō)明與本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例共用 的有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)。圖l是示意截面圖，其示出構(gòu)造在襯底10上的有機(jī)EL裝置20 和用于有機(jī)EL裝置20的驅(qū)動(dòng)電路(像素電路)19上，圖2是有機(jī) EL裝置的等效電路。有機(jī)EL裝置20包括作為下部層的第一電極、作為上部層的第二 電極24、和設(shè)置在第一和第二電極22和24之間的有機(jī)化合物的數(shù)個(gè) 層23。在彩色顯示設(shè)備情形中，設(shè)置含不同有機(jī)化合物層的R(紅)、 G(綠)、B(藍(lán))的多個(gè)EL裝置使得鄰近像素分別包括有機(jī)層23a 和23b,構(gòu)成不同顏色的光發(fā)射裝置。供應(yīng)到有機(jī)EL裝置20的電流在第一電極22 (下部層)和第二 電極24 (上部層)之間流動(dòng)。在每個(gè)像素處提供第一電極22，第二電 極24被公共地設(shè)置到各個(gè)像素。在鄰近像素之間，設(shè)置用于防止電流從像素泄漏到鄰近像素的裝置分隔層26。如上所述，第二電極24是 公用給對(duì)所有像素的電極并覆蓋整個(gè)顯示區(qū)域上的有機(jī)EL層。在顯 示設(shè)備是頂部發(fā)射型有機(jī)EL顯示設(shè)備的情形中(在該顯示設(shè)備中， 光向上發(fā)射)，第二電極是透明電極。第一電極22被設(shè)置在絕緣膜 28上以便與像素電路19電隔離。絕緣膜28由有機(jī)樹脂材料形成以使 其設(shè)有第一電極22的表面保持處于平整狀態(tài)。以下，絕緣膜28也被 稱為平整膜(層)。在圖1中，作為驅(qū)動(dòng)電路19，示出了包括半導(dǎo)體層ll、柵電極 12、源電極13、漏電極14和絕緣膜15的驅(qū)動(dòng)TFT的橫截面。驅(qū)動(dòng) TFT的漏電極14被連接到有機(jī)EL裝置20的第一電極22。驅(qū)動(dòng)TFT 也包括開關(guān)TFT和電容器(沒有在圖1中示出但在圖2中示出)。對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路19，電力是通過(guò)多個(gè)在顯示區(qū)域中沿行方向或列方 向設(shè)置的電力線16供應(yīng)的。有機(jī)EL裝置20的驅(qū)動(dòng)電流從電力線16 經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路19的驅(qū)動(dòng)TFT和第一電極22供應(yīng)至有機(jī)EL層23，然后 流進(jìn)第二電極24。依據(jù)有機(jī)EL層23的層結(jié)構(gòu)，電流以相反的方向流 動(dòng)。在該情形中，在圖2中，晶體管Ml是NMOS晶體管，EL裝置 的陰極和陽(yáng)極相互改變，電力線VCC和接地線GND也相互改變。為了阻擋濕氣從外部(環(huán)境)空氣滲透，第二電極24的整個(gè)暴 露的表面以保護(hù)層(鈍化膜)25覆蓋。在下面的實(shí)施例中，有機(jī)EL裝置將作為例子說(shuō)明。然而，本發(fā) 明也可以應(yīng)用至任何電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，只要其具有這樣的結(jié)構(gòu) 代替有機(jī)EL層23，光發(fā)射材料(如有機(jī)EL材料層或LED )層被夾 在一對(duì)上部電極和下部電極之間。 (第一實(shí)施例)圖3是按照本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示設(shè)備的示意平面圖。 參考圖3，顯示設(shè)備100包括單個(gè)襯底10，其具有被分成顯示區(qū) 域6 (在內(nèi)部短線-雙點(diǎn)線內(nèi)的區(qū)域)和外圍區(qū)域(在內(nèi)部短線-雙 點(diǎn)線和外部短線-雙點(diǎn)線之間的區(qū)域)的襯底表面。為了阻擋有機(jī)EL 裝置免遭外部空氣，在襯底表面覆蓋有由玻璃或金屬形成的帽層的情形中，用于使帽層粘接到襯底表面的粘接區(qū)域4被設(shè)置在外圍區(qū)域3 的外部。顯示區(qū)域6是這樣的區(qū)域，其中圖1中示出的有機(jī)EL裝置20 和驅(qū)動(dòng)電路19被設(shè)置成矩陣。在該實(shí)施例中，電力線16被設(shè)置在行 方向并與柵極信號(hào)線平行。也可以在列方向并平行于信號(hào)線設(shè)置電力 線16。在外圍區(qū)域3中，設(shè)置外圍電路(未示出)如列控制電路、列移 位寄存器、和行移位寄存器。這些電路由與驅(qū)動(dòng)電路19相同的工藝形 成，因此類似于驅(qū)動(dòng)電路19的TFT的情形，以半導(dǎo)體層ll和其他層 來(lái)形成。圖像信號(hào)、控制信號(hào)、功率等經(jīng)外部(連接)端子5從外部供應(yīng)。 在圖3中，外部端子5被設(shè)置在下部邊緣部分上，但也可以設(shè)置在右 和左邊緣部分上。在外圍區(qū)域3中，設(shè)置包括第一電力線1和第二電 力線21的兩個(gè)電力布線系統(tǒng)，第一電力線1用于實(shí)現(xiàn)將功率供應(yīng)至像 素電路(以下稱為"電源線，，)，第二電力線21用于實(shí)現(xiàn)將功率供應(yīng)至 像素電路(以下被稱為"公共電壓線")。電源線1和列電壓線21是沿顯示區(qū)域6的外圍設(shè)置的，并分別 端接在相應(yīng)的外部端子5處。電力線16被一起連接至電源線l，且電源線被連接到一個(gè)或兩個(gè) 或更多外部端子5。電源線1被保持在由外部電源(未示出)通過(guò)外 部端子5提供的一定的電壓。公共電壓線21是互連線，用于引導(dǎo)有機(jī) EL裝置20的第二電極24至外部端子5。圖4示出沿圖3中A-A，線的橫截面，圖5示出沿圖3中B-B，線 的橫截面。電源線1和公共電壓線21都由與像素電路19的源電極/漏電極 13和14相同的金屬材料形成，以便減小電阻。在源電極/漏電極13 和14的膜形成和構(gòu)圖步驟中，電源線1和公共電壓線21也同時(shí)形成。在該實(shí)施例中，電力線16可由與柵極金屬的工藝相同的工藝形 成，使得電力線16和電源線la和lb在它們交叉處與和圖5中所示結(jié)9構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)連接。公共電壓線21部分地經(jīng)由絕緣層(平整膜)28在第二電極24 的下面形成，由此公共電極線21通過(guò)觸孔2連接到第二電極24。保護(hù)(鈍化)膜25在觸孔2上具有與顯示區(qū)域6相同的厚度， 并在觸孔2外部的區(qū)域上逐漸變薄但尚未達(dá)到密封帽層粘附其中的區(qū) 域4。觸孔2是開口，其以矩形(框狀)沿在外圍區(qū)域3中延伸的第二 電才及24的四個(gè)側(cè)邊連續(xù)形成。觸孔2也可i殳置成多個(gè)分立的觸孔，但^ 它們以能夠確保平整膜28的隔離效果的小間隔布置。進(jìn)一步，為了減小第二電極24和公共電壓線21之間的接觸電阻， 觸孔2的面積盡可能增加。為了這個(gè)目的，觸孔2可以優(yōu)選地以/>共 電壓線21的全寬形成。電源線1是以兩條線提供的，以便將公共電壓線21夾在中間。 在圖3中，在右邊和左邊外圍區(qū)域3的每個(gè)中，兩個(gè)電源線la和lb 有公共電壓線21插入其間。也可以將電源線l分成兩條線，其間公共 電壓線21處在外部端子5被設(shè)置的下側(cè)。進(jìn)一步，電源線l的劃分也 可以在與下側(cè)相對(duì)的上側(cè)或在所有四個(gè)側(cè)邊實(shí)現(xiàn)。這樣劃分的電源線1 (la， lb)是經(jīng)下電導(dǎo)層51連接的，如圖5 所示。電力線16也以相同的結(jié)構(gòu)連接到電源線la和lb。下電導(dǎo)層51 可優(yōu)選地與柵才及金屬層21 —起形成。觸孔2也具有通過(guò)將平整膜28分成多個(gè)部分而阻擋沿平面方向 通過(guò)平整膜28的濕氣滲透路徑的功能。更具體地，平整膜28被分成 顯示區(qū)域側(cè)部分(內(nèi)部)和襯底邊緣側(cè)部分(外部)，由此通過(guò)平整 膜28滲透的濕氣不能進(jìn)入顯示區(qū)域，因此濕氣滲透可在觸孔部分被阻 擋。如上所述，觸孔2被要求與襯底端部或粘附區(qū)域4的內(nèi)邊緣離開 以一定距離地設(shè)置，以便確保保護(hù)膜的厚度。此外，也要求觸孔2與 顯示區(qū)域6的外邊緣離開一定距離地設(shè)置，以便確保顯示區(qū)域中有機(jī) EL層的位置偏移余量。10在該實(shí)施例中，電源線1至少在部分外圍區(qū)域3中以兩條線提供， 使得一條線被設(shè)置在顯示區(qū)域6的外邊緣和公共電壓線2的內(nèi)邊緣之 間，另一條線設(shè)置在公共電壓線21的外邊緣和密封帽層粘附區(qū)域4的 內(nèi)邊緣之間。另一條線也可以與其中保護(hù)膜25的厚度逐漸減小的區(qū)域 交疊。附帶說(shuō)明，當(dāng)不實(shí)現(xiàn)帽層密封時(shí)，粘附區(qū)域的內(nèi)邊緣可用襯底 端部取代。
通過(guò)在公共電壓線21的兩側(cè)設(shè)置兩個(gè)電源線l，可以整體增加電 源線1的寬度。由此，電源線l的布線電阻減小，這樣導(dǎo)致更小的電 壓降，即使大電流通過(guò)電源線。
假定公共電壓線21必要的最小布線寬度取為A，而電源線1必 要的最小布線寬度取為B，當(dāng)觸孔2的面積盡可能增加時(shí)，觸孔2的 最終寬度基本等于寬度A。在該情形中，觸孔2外部的必要的距離余 量取為Ml，而觸孔2內(nèi)部的必要的距離余量取為M2。
當(dāng)如傳統(tǒng)EL裝置中那樣，電源線l僅設(shè)置在公共電壓線21內(nèi)部 時(shí)，B的寬度被要求在觸孔2內(nèi)部的區(qū)域中。當(dāng)觸孔2內(nèi)部區(qū)域中的 寬度大于M2時(shí)，整個(gè)框?qū)挾葹锳+B+M1。另一方面，電源線l僅設(shè) 置在/>共電壓線21的外側(cè)時(shí)，整個(gè)框?qū)挾葹锳+B+M2。
在該實(shí)施例中，當(dāng)電源線l被分成寬度為bl和b2 (bl+b2-B) 的兩條線，使得bl和b2分別比Ml和M2小，整個(gè)框?qū)挾葹?A+M1+M2，因此比傳統(tǒng)EL裝置的情形中的小。
因此，電源線l分成兩條線在減小框面積方面也是有效的。 (第二實(shí)施例)
圖6是示意平面圖，其示出按照本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備， 其中與第一實(shí)施例中相同的元件或部分通過(guò)與第一實(shí)施例中相同的附
圖標(biāo)記表示，且其中顯示區(qū)域中的EL裝置和驅(qū)動(dòng)電路與第一實(shí)施例 中的相同。
圖7中示出沿圖6中C-C，線的橫截面視圖。
在第一實(shí)施例中電源線l被分成兩條線，但在該實(shí)施例中是單條 線。單個(gè)電源線1平行于公共電壓線21被設(shè)置在公共電壓線21的內(nèi)
ii部，即在靠近顯示區(qū)域6的一側(cè)。
第二電極24和公共電壓線21不彼此直接接觸，而是以另外的金 屬層29作為中間層相對(duì)設(shè)置。這是因?yàn)榈诙姌O24和公共電壓線22 之間的接觸電阻減小。
當(dāng)初始接觸電阻小時(shí)，并非總是需要金屬層29。如圖7所示，金 屬層29可優(yōu)選地與笫一電極22的情形一樣在同一表面、以相同材料、 于同一步驟中形成。
如第一實(shí)施例中的描述，從觸孔2的外側(cè)邊緣到粘附區(qū)域4，要 求有一定值的距離或更大的距離。
通過(guò)提供金屬層29，接觸電阻降低，使得觸孔27的寬度可比公 共電壓線21的寬度窄。在該情形中，公共電壓線21以這樣的方式設(shè) 置，即其延伸到與電源線l相對(duì)的側(cè)，即觸孔27的外側(cè)，且寬度大于 觸孔27的寬度，如圖7所示。更特別地，在該實(shí)施例中，第二電力布 線由兩個(gè)部分構(gòu)成，包括觸孔27中經(jīng)金屬層29接觸第二電極24的公 共電壓線21a和從觸孔27延伸的^^共電壓線21b。在該實(shí)施例中，觸 孔27的寬度減小，使得公共電壓線21a的寬度也減小。公共電壓線 21a和公共電壓線21b的總寬度保持在與第一實(shí)施例中公共電壓線21 的寬度相同的值，使得不增加布線電阻。
當(dāng)公共電壓線21a的寬度為al，而觸孔27的寬度為a， al等于 旦。進(jìn)一步，公共電壓線21b的寬度為a2，而電源線l的最小布線寬 度為B,觸孔27兩側(cè)的佘量為M1和M2。進(jìn)一步，保持al+a2-A。
在該實(shí)施例中，電源線1被設(shè)置在觸孔27的內(nèi)部，使得寬度B 被要求在觸孔27內(nèi)部并在顯示區(qū)域6外部的區(qū)域中，因此大于最小余 量M2。另一方面，在觸孔27外部的區(qū)域中，當(dāng)公共電壓線21b的寬 度a2能被觸孔27外部并在粘附區(qū)域內(nèi)部的區(qū)域中的余量Ml吸收， 即當(dāng)滿足a2〈Ml時(shí)，觸孔27外部的必要寬度為Ml。
因此，在該實(shí)施例中，整個(gè)框?qū)挾葹閍+B+Ml，因此小于傳統(tǒng)的 整個(gè)框?qū)挾華+B+M1。
當(dāng)滿足a2>Ml，且公共電壓線21b的寬度a2不能被余量Ml吸收時(shí)，觸孔27外部的必要的寬度為a2。作為結(jié)果，該情形中整個(gè)框 寬度為al+a2+B，即A+B，因此也小于傳統(tǒng)的整個(gè)框?qū)挾取?br> 如上所述，如該實(shí)施例中的那樣，當(dāng)觸孔寬度丄能夠小于公共電 壓線寬度A時(shí)，可以通過(guò)向觸孔27的外部延伸公共電壓線而減小整 個(gè)框?qū)挾取?br> 當(dāng)上述整個(gè)框?qū)挾萢+B+Ml或A+B與第一實(shí)施例中整個(gè)框?qū)挾?A+M1+M2比較時(shí)，在z〉共電壓線寬度A能^皮余量Ml吸收且滿足 a2>B-M2的條件下，該實(shí)施例中的框?qū)挾刃∮诘谝粚?shí)施例中的框?qū)挾取?換句話說(shuō)，當(dāng)觸孔寬度i比公共電壓線寬度A足夠小，且電源線l的 寬度由于單個(gè)電源線導(dǎo)致的增加能被吸收時(shí)，整個(gè)框?qū)挾刃∮诘谝粚?shí) 施例中的寬度。
在該實(shí)施例中，也可以將電源線1設(shè)置在觸孔27的外側(cè)并向觸 孔27的內(nèi)部延伸公共電壓線21。在該情形中，在該實(shí)施例的上述情 形中最終的整個(gè)框?qū)挾葲]有改變，因?yàn)閮H是余量Ml和M2相互改變。
當(dāng)外部端子5設(shè)置在下側(cè)時(shí)，大電流在電源線l中流動(dòng)，使得電 源線1的寬度B需要大于右側(cè)和左側(cè)的寬度。在這樣的情形中，上述 條件a2〉B-M2不能滿足，當(dāng)采用第二實(shí)施例的構(gòu)造時(shí)，最終的整個(gè) 框?qū)挾仍黾?。為此，在該情形中，第一?shí)施例和第二實(shí)施例的構(gòu)造可 根據(jù)襯底的側(cè)邊以這樣的方式選擇性地和有效地采用，即第二實(shí)施例 的構(gòu)造在右側(cè)和左側(cè)采用，而第一實(shí)施例的構(gòu)造在下側(cè)采用。
如本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例中的描述，由電源線和公共電壓線 組成的電力互連線中的任一個(gè)被設(shè)置在觸孔的兩側(cè)用于通過(guò)包圍顯示 區(qū)域而阻擋濕氣滲透路徑。作為結(jié)果，可以確保較大的電力布線寬度， 使得能夠防止電力布線的電壓降。進(jìn)一步，也可以減小顯示區(qū)域的外 圍部分，即框?qū)挾取?(像素電路)
第一和第二實(shí)施例的公共像素電路將參考圖2描述，圖2示出 EL裝置和驅(qū)動(dòng)電路。
參考圖2，驅(qū)動(dòng)晶體管Ml的源極連接到電力線VCC，其柵極連接到電容器Cl和晶體管M2的源極，而其漏極經(jīng)晶體管M4連接到 EL裝置EL
控制線Pl和P2在編程操作和光發(fā)射操作之間切換像素電路，以 便導(dǎo)通和截止各晶體管M2到M4。更特別地，在編程操作中，晶體管 M2和M3導(dǎo)通而晶體管M4關(guān)閉，由此電流值寫入電容器Cl。電流 數(shù)據(jù)I ( data )經(jīng)數(shù)據(jù)信號(hào)線和晶體管M3流入晶體管Ml，在晶體管 Ml中柵極和漏極被短路。作為結(jié)果，電流數(shù)據(jù)被寫入電容器Cl。在 光發(fā)射周期中，晶體管M2和M3被關(guān)閉而晶體管M4導(dǎo)通。電容器 Cl中寫入的電流經(jīng)晶體管Ml到晶體管M4流入EL裝置EL。依據(jù) 流入EL裝置EL的電流值，EL裝置EL發(fā)出光。
附帶地，除了如圖2所示的電流設(shè)定方法，EL裝置光發(fā)射的控 制方法也包括電壓設(shè)定方法。本發(fā)明可應(yīng)用至這兩種設(shè)定方法。
在上述第 一實(shí)施例和第二實(shí)施例中的顯示設(shè)備是頂部發(fā)射型EL 顯示設(shè)備，但本發(fā)明也可應(yīng)用至底部發(fā)射型EL顯示設(shè)備，底部發(fā)射 型EL顯示設(shè)備中光是從形成像素電路的透明襯底側(cè)發(fā)射的。在該情 形中，透明電極被用作像素電極，其構(gòu)成在村底上形成的第一電極(下 部層)。第二電極(上部層)也可以是透明電極。然而，在使用反射 光的情形中，可使用由金屬材料，如鋁形成的電極。
在上面的描述中，使用EL裝置的顯示設(shè)備是作為例子描述的， 但本發(fā)明不局限于此。例如，本發(fā)明也可應(yīng)用至電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備， 如等離子體面板顯示器(PDP)或場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)。
以下，將描述作為本發(fā)明的合適實(shí)施例的數(shù)字靜物照相機(jī)系統(tǒng)， 其中使用了在第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中描述的顯示設(shè)備。
圖8是數(shù)字靜物照相機(jī)系統(tǒng)例子的方框圖。參考圖8，數(shù)字靜物 照相機(jī)系統(tǒng)50包括圖像拍攝部分51、圖像信號(hào)處理電路52、顯示面 板53、存儲(chǔ)器54、 CPU 55、和操作部分56。由拍攝部分51拍攝的或 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器54中的圖像通過(guò)圖像信號(hào)處理電路52進(jìn)行信號(hào)處理， 并可經(jīng)顯示面板53觀看。CPU55基于來(lái)自操作部分56的輸入，控制 拍攝部分51、存儲(chǔ)器54、圖像信號(hào)處理電路52等，因此根據(jù)條件實(shí)
14現(xiàn)拍攝、記錄、再現(xiàn)或顯示。進(jìn)一步，顯示面板53也可以被用作不同 電子設(shè)備的顯示部分。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參考這里揭示的結(jié)構(gòu)描述，其不局限于所陳述的 細(xì)節(jié)，本申請(qǐng)傾向于涵蓋在本發(fā)明改進(jìn)目的或下面權(quán)利要求的范圍內(nèi)
的修改或變化。
權(quán)利要求
1.一種電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備，包括顯示區(qū)域，其中多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置和多個(gè)用于控制電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)電流的裝置控制電路被設(shè)置在襯底上；其中，所述電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置中的每一個(gè)包括下部第一電極、上部第二電極、以及設(shè)置在所述下部第一電極和所述上部第二電極之間的發(fā)光層，其中，每個(gè)裝置控制電路連接到第一互連線，并且通過(guò)所述下部第一電極將驅(qū)動(dòng)電流提供給相關(guān)聯(lián)的電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，其中，所述上部第二電極通過(guò)在所述顯示區(qū)域的外圍設(shè)置的觸孔連接到第二互連線，該第二互連線是比所述上部第二電極更低的層，以及其中，所述上部第二電極和所述第二互連線通過(guò)金屬層連接，所述金屬層用于降低所述上部第二電極與所述第二互連線之間的接觸電阻。
全文摘要
本發(fā)明涉及電流驅(qū)動(dòng)型顯示設(shè)備，包括顯示區(qū)域，其中多個(gè)電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置和多個(gè)用于控制電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)電流的裝置控制電路被設(shè)置在襯底上；所述電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置中的每一個(gè)包括下部第一電極、上部第二電極、以及設(shè)置在所述下部第一電極和所述上部第二電極之間的發(fā)光層，每個(gè)裝置控制電路連接到第一互連線，并且通過(guò)所述第一電極將驅(qū)動(dòng)電流提供給相關(guān)聯(lián)的電流驅(qū)動(dòng)型光發(fā)射裝置，所述第二電極通過(guò)在所述顯示區(qū)域的外圍設(shè)置的觸孔連接到第二互連線，該第二互連線是比所述第二電極更低的層，以及所述第二電極和所述第二互連線通過(guò)金屬層連接，所述金屬層用于降低所述第二電極與所述第二互連線之間的接觸電阻。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101656266SQ20091016819
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者中村恒一, 川崎素明 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社