專(zhuān)利名稱(chēng)：Eeprom器件制備中ono層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種EEPROM器件的制備方法，具體涉及一種EEPROM器件制備中ONO 層的制備方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路中，EEPROM(為電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器)為一種存儲(chǔ)器結(jié) 構(gòu)。在現(xiàn)有工藝中，典型的ONO刻蝕工藝流程為在淀積完成第二層氧化物后(見(jiàn)圖1)，先 用濕法腐蝕將第二層氧化物去除(見(jiàn)圖2)；而后干法刻蝕去除EEPROM單元中的中間氮化 物，在外圍電路部分也是去除中間氮化物(見(jiàn)圖3)；接著再次用濕法腐蝕去除EEPROM單元 中的第一層氧化物和EEPROM單元柵氧，和外圍電路中的第一層氧化物(見(jiàn)圖4)。在該工藝 中需要用到兩次濕法刻蝕和一次干法刻蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種EEPROM器件制備中ONO層的制備方法，它 可以簡(jiǎn)化制備工藝流程。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明EEPROM器件制備中ONO層的制備方法，解決方案為 在EEPROM器件中的EEPROM單元柵氧刻蝕中，保留外圍電路處的EEPROM單元柵氧；而在ONO 層淀積之后的刻蝕工藝中，先采用干法刻蝕工藝，去除外圍電路和EEPROM單元上的第二層 氧化物、中間氮化物、第一層氧化物和部分EEPROM單元柵氧，而后采用濕法腐蝕工藝去除 剩余的EEPROM單元柵氧。采用了本發(fā)明的制備方法，只需修改EEPROM單元柵氧光刻中使用的光刻掩膜版， 使隧穿氧化層刻蝕時(shí)保留外圍電路上的部分，接著在ONO層刻蝕中就可作為干法刻蝕工藝 的刻蝕終止層，僅使用一次干刻和一次濕刻就能完成ONO層的刻蝕，達(dá)到減少一道濕法刻 蝕的步驟，降低生產(chǎn)成本的效果。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明圖1至圖4為現(xiàn)有的ONO刻蝕流程相關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5至圖6為與本發(fā)明的方法相應(yīng)的ONO刻蝕結(jié)構(gòu)示意圖；其中a為外圍電路的結(jié)構(gòu)示意圖，b為EEPROM單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為簡(jiǎn)化工藝流程，降低生產(chǎn)的成本。本發(fā)明的EEPROM器件制備中ONO層的制備方 法，在Cell Oxide淀積之后的(EEPR0M單元柵氧)刻蝕過(guò)程中，僅去除隧穿窗口(Tunnel Window)處的EEPROM單元柵氧，而保留外圍電路(Periphery)處的EEPROM單元柵氧。在 ONO刻蝕中，先使用干法刻蝕工藝，先去除ONO的第二層氧化層(一般為高溫氧化硅ΗΤ0)，中間氮化物(Nitride)和第一層氧化物(一般為高溫氧化硅ΗΤ0)以及部分Cell Oxide0 然后再濕法刻蝕去除剩余的EEPROM單元柵氧。 具體的流程參見(jiàn)圖5至圖6，在EEPROM單元柵氧刻蝕中，修改定義EEPROM單元柵 氧圖形的光刻掩膜版，使刻蝕過(guò)程中僅去除隧穿窗口處的氧化物，保留原有工藝中需要去 除的外圍電路部分處的氧化物。而在ONO層淀積之后(見(jiàn)圖5)，先采用干法刻蝕工藝，以 EEPROM單元柵氧為刻蝕終止層，去除ONO的第二層氧化層(一般為高溫氧化硅ΗΤ0)，中間 氮化物(Nitride)和第一層氧化物(一般為高溫氧化硅ΗΤ0)以及部分EEPROM單元柵氧 (見(jiàn)圖6)；接著采用濕法腐蝕工藝去除剩余的EEPROM單元柵氧，最終形成如圖4所示的結(jié) 構(gòu)。上述制備方法中，干刻刻蝕和濕法刻蝕的工藝與現(xiàn)有技術(shù)中的一致。
權(quán)利要求
1.一種EEPROM器件制備中ONO層的制備方法，所述EEPROM器件包含外圍電路和 EEPROM單元，其特征在于在所述EEPROM器件中的EEPROM單元柵氧刻蝕中，保留外圍電路 處的EEPROM單元柵氧；而在ONO層淀積之后的刻蝕工藝中，先采用干法刻蝕工藝，去除所述 外圍電路和EEPROM單元上的第二層氧化物、中間氮化物、第一層氧化物和部分所述EEPROM 單元柵氧，而后采用濕法腐蝕工藝去除剩余的所述EEPROM單元柵氧。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述EEPROM單元柵氧刻蝕中，具體 為修改在光刻工藝中所用的光刻掩膜版，使刻蝕過(guò)程中僅去除隧穿窗口處的所述EEPROM 單元柵氧，而保留位于所述外圍電路處的所述EEPROM單元柵氧。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種EEPROM器件制備中ONO層的制備方法，該EEPROM器件包含外圍電路和EEPROM單元，在EEPROM器件中的EEPROM單元柵氧刻蝕中，保留外圍電路處的EEPROM單元柵氧；而在ONO層淀積之后的刻蝕工藝中，先采用干法刻蝕工藝，去除外圍電路和EEPROM單元上的第二層氧化物、中間氮化物、第一層氧化物和部分EEPROM單元柵氧，而后采用濕法腐蝕工藝去除剩余的EEPROM單元柵氧。采用本發(fā)明的制備方法，僅有一次干刻和一次濕刻，有效的降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102097309SQ20091020194
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者孫庭輝, 左燕麗, 徐丹 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司