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      影像集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:8545251閱讀:302來源:國知局
      影像集成電路結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本申請涉及一種影像集成電路結(jié)構(gòu),尤指一種可不需搭配電路板即可進行使用、而達到體積小、良率尚以及易于生廣功效的影像集成電路結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]現(xiàn)有影像集成電路于制作時,是在相關(guān)晶圓上先進行R、G、B Cell的感測結(jié)構(gòu)制作,藉以于晶圓上定義出多數(shù)個晶粒,并對晶圓進行切割而構(gòu)成一晶粒,且于該晶粒的一面上疊設(shè)有第一光學(xué)單元,之后再以COB(chip On board,板上芯片封裝)或WLCSP(WaferLevel Chip Scale Packaging,即晶圓級芯片封裝)方式將該晶粒電性連接結(jié)合于一基板上(如:電路板或硅基板),最后再于第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)有第二光學(xué)單元;如此,即可完成影像集成電路的制作,藉以用作后續(xù)影像處理。
      [0003]雖然,上述方式可制作出影像集成電路結(jié)構(gòu),但是由于在制作時,該晶粒必須配合基板使用,因此,不但使得該影像集成電路結(jié)構(gòu)于制作時的手續(xù)較為復(fù)雜,且制作后之體積亦較大,且更會影響制程的合格率提高;故,一般現(xiàn)有影像集成電路結(jié)構(gòu)并無法適合實際使用所需。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本申請主要目的在于,提供一種影像集成電路結(jié)構(gòu),其可不需搭配電路板就進行使用、且體積小、生產(chǎn)良率高以及易于生產(chǎn)。
      [0005]為達上述目的,本申請所采用的技術(shù)方案是:一種影像集成電路結(jié)構(gòu),其包括一影像處理晶粒;該影像處理晶粒的一面上設(shè)置一導(dǎo)電層;該影像處理晶粒的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元;該多數(shù)個第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元。
      [0006]該影像處理晶粒為COMOS傳感器。
      [0007]該影像處理晶粒也可為CXD傳感器。
      [0008]該導(dǎo)電層經(jīng)由硅穿孔技術(shù)于影像處理晶粒的一面上進行導(dǎo)電線路的布局。
      [0009]該第一及第二光學(xué)單元為凸透鏡、凹透鏡或菲涅爾透鏡。
      【附圖說明】
      [0010]圖1系本申請剖面狀態(tài)示意圖。
      [0011]圖2系本申請影像處理晶粒形成導(dǎo)電層的剖面狀態(tài)示意圖。
      [0012]圖3系本申請第一光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。
      [0013]圖4系本申請第二光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。
      【具體實施方式】
      [0014]請參閱圖1所示,為本申請剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示:本申請是一種影像集成電路結(jié)構(gòu),其至少由一影像處理晶粒1、一導(dǎo)電層2、多數(shù)個第一光學(xué)單元3以及一第二光學(xué)單元4所構(gòu)成。
      [0015]上述所提的影像處理晶粒I可為COMOS傳感器、或可為CXD傳感器。
      [0016]該導(dǎo)電層2設(shè)于影像處理晶粒I的一面上。
      [0017]各第一光學(xué)單元3設(shè)于影像處理晶粒I的另一面上,其中各第一光學(xué)單元3可為凸透鏡、凹透鏡、或為菲涅爾透鏡。
      [0018]該第二光學(xué)單元4疊設(shè)于各第一光學(xué)單元3的一面上,其中該第二光學(xué)單元4可為凸透鏡、凹透鏡、或為菲涅爾透鏡。如是,藉由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成一全新的影像集成電路結(jié)構(gòu)。
      [0019]請參閱圖2、圖3及圖4所示,分別為本申請影像處理晶粒形成導(dǎo)電層的剖面狀態(tài)示意圖、本申請第一光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖及本申請第二光學(xué)單元的設(shè)置狀態(tài)示意圖。如圖所示:當本申請于制作時,系于相關(guān)晶圓上先進行感測結(jié)構(gòu)制作(如:R、G、B Cell的制作,圖中未示),藉以于晶圓上定義出多數(shù)影像處理晶粒1,并進行切割而構(gòu)成一影像處理晶粒1,且于該影像處理晶粒I的一面上經(jīng)由硅穿孔技術(shù)形成一導(dǎo)電層2,藉以進行所需的導(dǎo)電線路布局,而此導(dǎo)電層2僅作為線路導(dǎo)通使用,并非作為影像處理晶粒I的電路布局,之后再于該影像處理晶粒I的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元3,最后再于各第一光學(xué)單元3的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元4 (如圖1所示);如此,可于該影像處理晶粒I進行制作時,不需搭配電路板即可進行使用,進而達到體積小、良率高以及易于生產(chǎn)的功效。
      【主權(quán)項】
      1.一種影像集成電路結(jié)構(gòu),其包括一影像處理晶粒;其特征在于,該影像處理晶粒的一面上設(shè)置一導(dǎo)電層;該影像處理晶粒的另一面上設(shè)置多數(shù)第一光學(xué)單元;該多數(shù)個第一光學(xué)單元的一面上疊設(shè)一第二光學(xué)單元。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該影像處理晶粒為COMOS傳感器。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該影像處理晶粒為CCD傳感器。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該導(dǎo)電層經(jīng)由硅穿孔技術(shù)于影像處理晶粒的一面上進行導(dǎo)電線路的布局。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一及第二光學(xué)單元為凸透鏡。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一及第二光學(xué)單元為凹透鏡。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像集成電路結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一及第二光學(xué)單元為菲涅爾透鏡。
      【專利摘要】一種影像集成電路結(jié)構(gòu),其包含一影像處理晶粒;一設(shè)于影像處理晶粒一面上的導(dǎo)電層;多數(shù)設(shè)于影像處理晶粒另一面上的第一光學(xué)單元;以及一疊設(shè)于各第一光學(xué)單元一面上的第二光學(xué)單元。藉此,本申請可不需搭配電路板即可進行使用,且體積小、生產(chǎn)良率高、易于生產(chǎn)。
      【IPC分類】H01L27-146, H01L27-148
      【公開號】CN104867953
      【申請?zhí)枴緾N201510292738
      【發(fā)明人】周玲
      【申請人】周玲
      【公開日】2015年8月26日
      【申請日】2015年5月26日
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