專(zhuān)利名稱(chēng)：屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜。
背景技術(shù)：
電纜是信息傳輸?shù)闹匾d體，隨著信息產(chǎn)業(yè)和信息技術(shù)的快速發(fā)展和提 高，各種電纜得到廣泛的應(yīng)用，并且其技術(shù)也得到不斷地的更新進(jìn)步，在新
的歷史條件下，對(duì)種類(lèi)電纜線(xiàn)的使用要求也日益提高；屏蔽結(jié)構(gòu)的同軸電纜 是目前使用范圍最為廣泛和普遍的電纜線(xiàn)之一，其廣泛應(yīng)用于閉路系統(tǒng)、監(jiān) 控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、電子攝像系統(tǒng)、移動(dòng)通信系統(tǒng)以及雷達(dá)系統(tǒng)中作 為儀器儀表、網(wǎng)絡(luò)始端至網(wǎng)絡(luò)終端的連接線(xiàn)等領(lǐng)域，在應(yīng)用的同時(shí)，對(duì)其使 用要求也較高，通常對(duì)其特性阻抗、特性阻抗偏差范圍、衰減常數(shù)、結(jié)構(gòu)尺 寸及偏差等參數(shù)指標(biāo)的要求較為嚴(yán)格。
現(xiàn)有技術(shù)的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜，由于技術(shù)上的缺陷而難于達(dá)到使用標(biāo) 準(zhǔn)，不能滿(mǎn)足使用的要求，現(xiàn)有同軸電纜內(nèi)導(dǎo)體采用純銅或鍍錫銅導(dǎo)體，其 電阻率較大，銅的電阻率為0. 017241 Qmm2/m，鍍錫銅的電阻率為0. 01802 Q
mmVm，由此導(dǎo)致電纜的衰減常數(shù)也比較大，頻率越高其衰減常數(shù)增大也越顯 著，使用帶寬受到限制；現(xiàn)有同軸電纜外導(dǎo)體編織層亦采用純銅絲或鍍錫銅 絲，同上所述，也會(huì)增大該電纜的衰減常數(shù)值，同軸電纜的外導(dǎo)體還兼有屏 蔽性能作用，現(xiàn)有同軸電纜其屏蔽效果不佳。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種傳輸效果好、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、安全可靠、性?xún)r(jià)比高的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是本實(shí)用新型包括內(nèi)導(dǎo)體，所述內(nèi)導(dǎo)體 外圍設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層的外圍設(shè)置有屏蔽層I ，所述屏蔽層I外圍 設(shè)置有護(hù)套，所述內(nèi)導(dǎo)體由鍍銀銅絞合而成，所述絕緣層為聚乙烯絕緣層。 優(yōu)化的，所述屏蔽層I為鍍銀銅絲編織層。
進(jìn)一步優(yōu)化的，所述屏蔽層i外圍設(shè)置有屏蔽層n，所述屏蔽層n為鍍 銀銅包鋼絲編織層。
更進(jìn)一步優(yōu)化的，所述護(hù)套為聚氨酯護(hù)套。
本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型中所述內(nèi)導(dǎo)體由鍍銀銅絞合而成，
銀的導(dǎo)電率為105.2%，銅的導(dǎo)電率為100%，根據(jù)趨膚效應(yīng)，用鍍銀銅線(xiàn)代替
現(xiàn)有技術(shù)的純銅導(dǎo)體，在髙頻率傳輸中就有效地降低了衰減常數(shù)，增加了使 用帶寬，達(dá)到了提高高頻傳輸?shù)男Ч?br> 本實(shí)用新型中，屏蔽層i為鍍銀銅絲編織層，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可取得
良好的屏蔽效果。
在屏蔽層i外圍的還設(shè)置有屏蔽層n ，屏蔽層n為鍍銀銅包鋼絲編織層， 采用鍍銀銅絲和鍍銀銅包鋼絲的組合屏蔽層，使屏蔽效果更佳，其屏蔽衰減
比同規(guī)格普通聚乙烯絕緣同軸電纜的屏蔽衰減提高9dB。
本實(shí)用新型中的護(hù)套為聚氨酯護(hù)套，具有良好的防潮性能、耐磨性能、 撕裂強(qiáng)度、耐油性能、耐環(huán)境等，有效果提高了電纜的使用壽命，并且應(yīng)用 范圍更廣泛。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

實(shí)施例一
如圖1所示，本實(shí)用新型包括內(nèi)導(dǎo)體l，所述內(nèi)導(dǎo)體l外圍設(shè)置有絕緣 層2，所述絕緣層2的外圍設(shè)置有屏蔽層I31，所述屏蔽層I 31外圍設(shè)置有 護(hù)套4，所述內(nèi)導(dǎo)體l由鍍銀銅絞合而成，所述絕緣層2為聚乙烯絕緣層。 根據(jù)高頻傳輸?shù)内吥w效應(yīng)理論，即當(dāng)工頻(50 60Hz)電流流經(jīng)導(dǎo)體時(shí)，
導(dǎo)體橫截面的電流密度幾乎呈均勻狀態(tài)分布，當(dāng)電流的頻率增高時(shí)，其電流 流經(jīng)導(dǎo)體橫截面的密度發(fā)生變化，導(dǎo)體橫截面中心的流經(jīng)電流減少，而由截 面中心向外圓方向流經(jīng)的電流增加，頻率越高這種現(xiàn)象越明顯，當(dāng)電流頻率 達(dá)到l腿z時(shí)，電流幾乎全部集中在導(dǎo)體表面某一厚度內(nèi)，導(dǎo)體中心部分沒(méi)有 電流經(jīng)過(guò)，這種現(xiàn)象即為趨膚效應(yīng)。
銀的導(dǎo)電率為105.2%，銅的導(dǎo)電率為100%，根據(jù)趨膚效應(yīng)，本實(shí)用新型 中用鍍銀銅線(xiàn)代替純銅導(dǎo)體，在高頻率傳輸中就有效地降低了衰減常數(shù)，增 加了使用帶寬，達(dá)到了提高高頻傳輸?shù)男Ч?br> 所述屏蔽層131為鍍銀銅絲編織層。
屏蔽作用一般有三種形式，即靜電屏蔽、靜磁屏蔽及電磁屏蔽，前兩 種在低頻時(shí)有效，后一種在高頻時(shí)有效。
靜電屏蔽的作用是使電場(chǎng)終止于屏蔽的金屬表面上，需進(jìn)行良好接地， 將電荷送入大地，使用的屏蔽材料導(dǎo)電率大，如銀、銅、鋁等非磁性材料。
靜磁屏蔽的作用是使磁場(chǎng)限制于屏蔽內(nèi)，由于屏蔽的磁導(dǎo)率很高，磁阻 率很小，因而干擾源產(chǎn)生的磁通就大部分被限制于強(qiáng)磁屏蔽內(nèi)，通常靜磁屏 蔽是由強(qiáng)磁材料制成，如鋼材等。
電磁屏蔽是電磁波在屏蔽層表面上的反射現(xiàn)象以及屏蔽金屬厚度內(nèi)高頻 能量的衰減。能量反射是由于電介質(zhì)的波阻抗和用以制造屏蔽層的金屬波阻抗不一致所引起的，且波阻抗相差越大，則由反射引起的屏蔽效應(yīng)越強(qiáng)。頻 率越高及屏蔽層越厚則電磁能損耗也就越大，其屏蔽效果越大。
上述靜電屏蔽和靜磁屏蔽僅在低頻時(shí)有效。在頻率增高后，屏蔽內(nèi)渦流 作用增大，靜磁屏蔽就會(huì)轉(zhuǎn)入電磁屏蔽的工作狀態(tài)，為了防止高頻電磁場(chǎng)的 干擾作用，需采用電磁屏蔽。
現(xiàn)有的同軸電纜，其外導(dǎo)體屏蔽層僅采用單一的銅絲或單一的鍍錫銅絲 紡織一層或二層，由以上的屏蔽基本原理可以知道，現(xiàn)有同軸電纜在屏蔽衰 減的效果存在一定不足，制約了使用環(huán)境。
通常以屏蔽系數(shù)表示屏蔽作用的大小，其值等于有屏蔽層時(shí)被屏蔽空間
內(nèi)某一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度Ea或磁場(chǎng)強(qiáng)度Ha與沒(méi)有屏蔽層時(shí)該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E或 磁場(chǎng)強(qiáng)度H之比
屏蔽系數(shù)S=EB/E=HB/H 屏蔽系數(shù)是復(fù)數(shù)，它的絕對(duì)值為1 0。屏蔽系數(shù)值越小，屏蔽效果越好。屏 蔽系數(shù)包含了吸收屏蔽系數(shù)和反射屏蔽系數(shù) S=SnSf
Sn為吸收屏蔽系統(tǒng)
Sf為反射屏蔽系統(tǒng)
吸收屏蔽效應(yīng)是由于屏蔽層內(nèi)渦流的熱損耗所弓I起的，頻率越高及屏蔽層 越厚，屏蔽效果就越好。
反射屏蔽則決定于制成屏蔽層的金屬與包圍屏蔽的介質(zhì)兩者波阻抗不一 致的程度。介質(zhì)與金屬的波阻抗相差越大，由于反射作用引起的屏蔽效果也 越好，它隨頻率作波動(dòng)變化。
屏蔽作用的大小，常以干擾電磁場(chǎng)通過(guò)屏蔽層后的衰減值A(chǔ)s來(lái)表示。屏 蔽衰減的值是以在空間某點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E或磁場(chǎng)強(qiáng)度H與該點(diǎn)被屏蔽后的電場(chǎng)強(qiáng)度Eb或磁場(chǎng)強(qiáng)度Hb之比的對(duì)數(shù)來(lái)表示。 屏蔽衰減值為As=ln (E/Eb) =ln (H/Hb) = In (1/S) A (N) =201g(l/S) (dB)
—A附Af
吸收屏蔽衰減A^ln I ChV7ktl (N)
二201g I ChVJktl (dB) 反射屏蔽衰減Af二ln I 1+1/2 (N+l/N) thVJktl (N)
二201g I 1+1/2 (N+l/N) thV7ktl (dB) K一屏蔽的渦流系數(shù)(1/mm) t一屏蔽厚度(mm)
由上式可以看出，屏蔽的磁導(dǎo)率U及電導(dǎo)率o愈大，屏蔽效應(yīng)愈好。因 此從吸收屏蔽的效果來(lái)看強(qiáng)磁材料的屏蔽將比非磁性材料的屏蔽好得多，鋼 的吸收屏蔽效果為銅的6倍。
在高頻范圍內(nèi)介質(zhì)的波阻抗遠(yuǎn)大于金屬的波阻抗，而非磁性材料的波阻 抗與介質(zhì)波阻抗之間的差別更大。因此從反射屏蔽效果來(lái)看，非磁性材料的 屏蔽效果遠(yuǎn)比較強(qiáng)磁性材料為大，銅的反射屏蔽效果為最好。
綜上所述本實(shí)用新型中采用鍍銀銅絲作為屏蔽層取得了良好的屏蔽效果。
所述護(hù)套4為聚氨酯護(hù)套。
所述外護(hù)套4對(duì)纜芯起到保護(hù)，不受外界環(huán)境影響而損壞。普通聚乙烯
絕緣同軸電纜采用聚氯乙烯外護(hù)套，防潮性能、耐磨性能、撕裂強(qiáng)度、耐油
性能、耐環(huán)境等都欠佳，所以應(yīng)用上受到使用環(huán)境的限制。
本實(shí)用新型應(yīng)用聚氨酯護(hù)套料作為護(hù)套?？朔鲜霾蛔銛U(kuò)展應(yīng)用場(chǎng)所且 使用壽命長(zhǎng)。實(shí)施例二
如圖2所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于所述屏蔽層I31外 圍設(shè)置有屏蔽層I132，所述屏蔽層II32為鍍銀銅包鋼絲編織層，本實(shí)施例中 采用鍍銀銅絲和鍍銀銅包鋼絲的組合屏蔽層以取得更加優(yōu)異的屏蔽效果，其
屏蔽衰減比同規(guī)格普通聚乙烯絕緣同軸電纜的屏蔽衰減提高9dB。
本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于有線(xiàn)傳輸網(wǎng)絡(luò)通訊領(lǐng)域。
8
權(quán)利要求1、一種屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜，其特征在于它包括內(nèi)導(dǎo)體(1)，所述內(nèi)導(dǎo)體(1)外圍設(shè)置有絕緣層(2)，所述絕緣層(2)的外圍設(shè)置有屏蔽層I(31)，所述屏蔽層I(31)外圍設(shè)置有護(hù)套(4)，所述內(nèi)導(dǎo)體(1)由鍍銀銅絞合而成，所述絕緣層(2)為聚乙烯絕緣層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜,其特征在于:所述屏蔽層I(31) 為鍍銀銅絲編織層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜，其特征在于所述屏蔽層I(31)外圍設(shè)置有屏蔽層II (32)，所述屏蔽層II (32)為鍍銀銅包鋼絲編織層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜，其特征在于所述護(hù)套(4 )為聚氨酯護(hù)套。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜。旨在提供一種傳輸效果好、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、安全可靠、性?xún)r(jià)比高的屏蔽結(jié)構(gòu)同軸電纜。本實(shí)用新型包括內(nèi)導(dǎo)體(1)，所述內(nèi)導(dǎo)體(1)外圍設(shè)置有絕緣層(2)，所述絕緣層(2)的外圍設(shè)置有屏蔽層I(31)，所述屏蔽層I(31)外圍設(shè)置有護(hù)套(4)，所述內(nèi)導(dǎo)體(1)由鍍銀銅絞合而成，所述絕緣層(2)為聚乙烯絕緣層。本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于有線(xiàn)傳輸網(wǎng)絡(luò)通訊領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01B3/30GK201392693SQ20092005474
公開(kāi)日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2009年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月17日
發(fā)明者肖翠玉, 陳偉樂(lè), 陳占山 申請(qǐng)人:珠海宇訊同軸電纜有限公司