專利名稱：電流驅(qū)動(dòng)像素電路及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)備及制造的領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
用來控制顯示設(shè)備的發(fā)光二極管(LED)像素的有源矩陣背板例如時(shí)常涉及驅(qū)動(dòng)和/或感測電流。由于這些背板通常結(jié)合薄膜晶體管(TFT)，所以驅(qū)動(dòng)和/或感測電流的路由常常需要在具有其它的柵極的某些TFT的源極與漏極之間的電氣連接。特別地，由于源極和漏極常常位于與柵極所位于其上的金屬層不同的金屬層上，所以通孔(via)(通過所述層形成的電連接)被照慣例用來促進(jìn)電流的路由。遺憾的是，通孔傾向于增加生產(chǎn)成本，因?yàn)樗鼈兊男纬赏ǔＩ婕靶枰鄬Ω呔鹊膶Ｓ锰幚聿襟E。


參考以下圖能夠更好地理解本公開的許多方面。圖中的部件未必按比例繪制。此夕卜，在各圖中，相同的附圖標(biāo)記遍及若干視圖指定對應(yīng)的部分。圖1是描繪了持續(xù)電流像素電路的示例性實(shí)施例的電路圖。圖2A和2B是描繪了顯示設(shè)備有源矩陣和與圖1的圖相對應(yīng)的像素電路的示例性實(shí)施例的示意圖。圖3是當(dāng)沿著線3-3觀看時(shí)圖2的實(shí)施例的截面，并且示出了電容器的細(xì)節(jié)。圖4是當(dāng)沿著線4-4觀看時(shí)圖2的實(shí)施例的截面，并且示出了晶體管的細(xì)節(jié)。圖5是描繪了用于形成半導(dǎo)體設(shè)備的工藝的示例性實(shí)施例的方法步驟的流程圖。圖6是描繪了與來自圖5的中間工藝步驟關(guān)聯(lián)的基底和材料層的截面的示意圖。圖7A-D是描繪了與圖5的工藝關(guān)聯(lián)的基底、材料層以及3D抗蝕劑的截面的示意圖。圖8是描繪了持續(xù)電流像素的另一示例性實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施例方式提供了像素電路及相關(guān)方法，將對其若干示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。在某些實(shí)施例中，和使用通孔形成對比，像素電路被提供為使用電容性耦合以提供用于驅(qū)動(dòng)發(fā)射負(fù)載(emissive load)的持續(xù)電流。電容性耦合的使用允許像素電路避免對通孔的需求，并且同樣地，可以實(shí)現(xiàn)在制造方面的效率。由于該像素電路不需要通孔，所以能夠使用例如可利用卷對卷(R2R)制作的自對準(zhǔn)壓印光刻(SAIL)工藝來完成制造。為了得到關(guān)于SAIL工藝的更多信息，請參考例如US7，202，719，其被通過引用結(jié)合在本文中。特別地，如在本文中所使用的那樣，術(shù)語“持續(xù)電流”指的是在到像素的數(shù)據(jù)更新之間所提供的基本上恒定的電流(諸如可以被用于驅(qū)動(dòng)和/或感測)。在這點(diǎn)上，對圖1進(jìn)行參考，其描繪了持續(xù)電流像素電路的示例性實(shí)施例。如圖1 中所示出的那樣，像素電路100包括薄膜晶體管(TFT)Tl和T2、電容器Cl和C2、以及發(fā)射負(fù)載102。在這個(gè)實(shí)施例中，發(fā)射負(fù)載102為發(fā)光二極管(LED)，例如，有機(jī)LED或“OLED”。
TFT Tl被傳導(dǎo)性地耦合至數(shù)據(jù)線104并且耦合至選擇線106。具體地，數(shù)據(jù)線104 被傳導(dǎo)性地耦合至TFT Tl的漏極電極(D)，并且選擇線106被傳導(dǎo)性地耦合至TFT Tl的柵極電極(G)。TFT Tl的源極電極⑶被分別傳導(dǎo)性地耦合至電容器Cl和C2的電極107， 108。TFT T2被電容性地耦合至TFT Tl。在該實(shí)施例中，該電容性耦合由正被傳導(dǎo)性地耦合至TFT T2的柵極電極(G)的電容器Cl的電極109、和正被傳導(dǎo)性地耦合至TFT T2的源極電極(S)的電容器C2的電極110來促進(jìn)。該實(shí)施例的電容器C2包括電浮動(dòng)電極112。 特別地，浮動(dòng)電極配置的使用將兩個(gè)端子(即，電極108和110)定位在頂部金屬層處，其構(gòu)成源極/漏極材料。相比之下，對于通常的非浮動(dòng)電極配置而言，通孔將可能被用來傳導(dǎo)性地將電容器的端子耦合到底部金屬層。這是因?yàn)檫@樣的非浮動(dòng)電極配置將照慣例將柵極電介質(zhì)用作電容器電介質(zhì)。此外，TFT T2的漏極電極⑶被傳導(dǎo)性地耦合至Vdd，而TFT T2的源極電極⑶被傳導(dǎo)性地耦合至發(fā)射負(fù)載102。特別地，電路100沒有用于將由數(shù)據(jù)線104提供的數(shù)據(jù)信號電連接到TFT T2的通孔。在工作中，發(fā)射負(fù)載102被分別響應(yīng)于由數(shù)據(jù)線和選擇線所提供的數(shù)據(jù)信號和選擇信號來加以驅(qū)動(dòng)。具體地，在每個(gè)幀周期，當(dāng)被在選擇線的活動(dòng)模式期間提供的選擇信號使能時(shí)，數(shù)據(jù)被通過至TFT Tl的數(shù)據(jù)線傳送至電路。特別地，該選擇線選擇性地呈現(xiàn)活動(dòng)或不活動(dòng)模式，其中所述幀周期時(shí)間的該實(shí)施例的活動(dòng)模式被多個(gè)柵極線分開。響應(yīng)于選擇信號，被傳送的數(shù)據(jù)由充當(dāng)保持電容器的電容器C2來存儲(chǔ)。該保持電容器C2驅(qū)動(dòng)TFT T2，其將持續(xù)電流提供給發(fā)射負(fù)載。特別地，這是在沒有用于控制TFT T2 的傳導(dǎo)性耦合的情況下完成的，即，通過電容性耦合來控制TFT T2。圖2A和2B是描繪了顯示設(shè)備有源矩陣和與圖1的圖相對應(yīng)的像素電路的示例性實(shí)施例的示意圖。請注意為了便于描述而保持的圖1、2A以及2B的附圖標(biāo)記之間的對應(yīng)。如圖2A中所示出的那樣，顯示設(shè)備200(其可以被配置成用于與諸如移動(dòng)電話、膝上型計(jì)算機(jī)等的各種電子設(shè)備一起使用)包括像素電路的有源矩陣，該像素電路100的有源矩陣是一個(gè)。像素電路100 (其在圖2B中被更詳細(xì)地示出)包括TFT的Tl和T2、電容器 Cl和C2、以及發(fā)射負(fù)載(未示出)。圖3是當(dāng)沿著線3-3觀看時(shí)圖2B的像素電路100的實(shí)施例的截面，并且示出了電容器C2的細(xì)節(jié)。如圖3中所示出的那樣，電容器C2是由基底210支撐的材料層形成的。特別地，電容器C2包括第一電容器部分211和第二電容器部分212，它們被形成在共享柵極層 214上，其充當(dāng)浮動(dòng)電極(例如，圖1的浮動(dòng)電極112)。在柵極層214之上，部分211、212被分離電容器端子的間隙215與彼此間隔開。除了柵極層之外，電容器C2的部分211包括柵極電介質(zhì)層216A、非晶硅層218A、 摻雜(N+)微晶硅層220A以及金屬層222A，其充當(dāng)電極(例如，圖1的電極108)。至于部分 212，電容器C2的該部分包括柵極電介質(zhì)層216B、非晶硅層218B、摻雜(N+)微晶硅層220B 以及金屬層222B，其充當(dāng)電極(例如，圖1的電極110)。應(yīng)當(dāng)注意的是，在某些實(shí)施例中，當(dāng)在電容器的底部(例如，柵極層214)處的電壓相對于頂部(例如，金屬層222)被增加時(shí)，電荷在半導(dǎo)體電介質(zhì)界面(即，在層218與220之間的界面)處積累，這導(dǎo)致增加的電容，其不應(yīng)該對操作具有重大的影響。此外，在設(shè)備的驅(qū)動(dòng)側(cè)上(即，在電容器Cl的電極107與TFT T2的柵極(G)之間)的漏的(leaky)或短接的 (shorted)電介質(zhì)能夠通過充當(dāng)傳導(dǎo)性耦合來提高設(shè)備性能。雖然可能已經(jīng)在上文中闡述了用于形成所述層的特定材料族，但是可以使用各種材料。在這點(diǎn)上，傳導(dǎo)層可以是金屬。通常使用的金屬包括但是不限于Al、Mo、Cr、Cu、Ti、 Ni。此外，由于在顯示應(yīng)用中經(jīng)常需要導(dǎo)體是透明的，所以能夠使用例如諸如ITO (銦錫氧化物)和摻雜氧化鋅之類的導(dǎo)電氧化物?？商鎿Q地，例如，像素電極有時(shí)由諸如PEDOT (聚乙撐二氧噻吩)之類的有機(jī)材料制成。半導(dǎo)體可以是無機(jī)的(例如，非晶硅或多晶硅)或者可以是過渡金屬氧化物(例如， 鋅銦氧化物，鋅錫氧化物，銦鎵鋅氧化物)。有機(jī)半導(dǎo)體可以是小分子(例如，并五苯)或聚合物(例如，聚乙炔)。電介質(zhì)也可以是有機(jī)或無機(jī)的。后者的示例是氮化硅和二氧化硅以及諸如二氧化鉿的其它氧化物和氮化物。對于它們與之配對的有機(jī)半導(dǎo)體而言，有機(jī)電介質(zhì)往往是非常特定的。例如，苯并環(huán)丁烷經(jīng)常和并五苯一起使用。在下文中展現(xiàn)用于預(yù)測電容器C2的電極的電壓、電荷以及電容的方程式，其中假定在DC條件下使用理想的電介質(zhì)(S卩，呈現(xiàn)無泄漏和無電荷捕獲的電介質(zhì))。在方程式中
A1是電極110的面積；
A2是電極108的面積；
Cl1是電極108與浮動(dòng)電極112之間的距離；
d2是電極110與浮動(dòng)電極112之間的距離；
Cl1是電極110上的電荷；
q2是電極108的電荷；
V是源極電壓；以及
Vm是浮動(dòng)電極112的電壓。給定如下的方程式1
Vm/V = (Al/A2)/((Al/A2) + (dl/d2))； 如果dl= d2并且Al》A2,則Vm / V 1 ； 如果dl= d2并且Al A2,貝丨J Vm / V 0 ；并且如果 dl= d2 并且 A1=A2,那么 Vm/V ^ 1/2。此外，給定如下的方程式2 CA= q/V= ε (A1A2) / (((I1A2) + ((I2A1))；
因此，對于恒定總面積A=AfA2并且dl=d2而言， dC/dA1=( ε /Ad) (AIA1),并且
C是在A1= A/2處的最大值。也就是說，對于固定面積而言，當(dāng)電介質(zhì)的面積在電容器 C2的浮動(dòng)電極112的兩側(cè)是相同的時(shí)，最大電容被預(yù)測到。此外，當(dāng)在來自TFT T2的浮動(dòng)電極的相對側(cè)上的電介質(zhì)的面積比柵極電介質(zhì)的面積大得多時(shí)，到TFT T2的柵極(G)的最大電壓傳送出現(xiàn)。圖4是當(dāng)沿著線4-4觀看時(shí)圖2的實(shí)施例的截面，并且示出了 TFT的細(xì)節(jié)。如圖4 中所示出的那樣，TFT T2是由基底所支撐的材料層形成的；在這種情況下，所述基底是基底 210。特別地，TFT T2包括被形成在共享柵極層214上的柵極(G)、源極(S)以及漏極(D)。在柵極層214之上，柵極(G)與源極(S )被間隙225間隔開。除了柵極層之外，TFT T2的柵極(G)還包括柵極電介質(zhì)層216C、非晶硅層218C、摻雜(N+)微晶硅層220C以及金屬層222C。金屬層222C充當(dāng)TFT T2的柵極電極。源極(S)和漏極(D)共享柵極電介質(zhì)層216D和非晶硅層218D，在其上源極和漏極被間隙227分離。在非晶硅層218D之上，源極包括摻雜(N+)微晶硅層220D和金屬層222D， 其充當(dāng)源極電極，然而漏極包括摻雜(N+)微晶硅層220E和金屬層222E。金屬層222E充當(dāng) TFT T2的漏極電極。應(yīng)當(dāng)注意的是，由電容器和TFT的金屬層所呈現(xiàn)的垂直對稱性使它本身非常適用于通過SAIL工藝制造，將針對圖5-7對其有代表性的示例進(jìn)行更詳細(xì)的描述。在這點(diǎn)上，圖5是描繪了用于形成諸如包括持續(xù)電流像素電路的設(shè)備之類的半導(dǎo)體設(shè)備的SAIL工藝的示例性實(shí)施例的方法步驟的流程圖。如圖5中所示出的那樣，該工藝可以被解釋為在框250處開始，其中提供基底。在框252中，第一材料層被沉積在該基底之上。在某些實(shí)施例中，該第一層為多個(gè)材料層中的一層，所述多個(gè)材料層由基底支撐以形成層的堆疊。例如，圖6是描繪基底的截面的示意圖，其中材料層被沉積在其上以形成材料層的堆疊。在圖6中，基底210支撐材料層的堆疊，其包括柵極層214、柵極電介質(zhì)層216、非晶硅層218、摻雜(N+)微晶硅層220以及金屬層222。這些層能夠被用來形成例如像素電路的所述電容器和TFT中的一個(gè)或多個(gè)。特別地，在框252中所提及的第一材料層可以是由基底210支撐的層中的任何一個(gè)。在框邪4中(圖幻，第一抗蝕劑層被沉積在基底之上，諸如在第一材料層之上。在框256中，第一抗蝕劑層被用來在基底之上形成3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)。通過示例的方式，圖7A是描繪了基底210、材料層214、216、218、220和222、以及 3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)沈0的截面的示意圖。在圖7的實(shí)施例中，3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)260被配置成用于形成半導(dǎo)體設(shè)備的一部分(例如，TFT T2的一部分)。如在圖5的框258中所描繪的那樣，3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)被蝕刻以暴露第一材料層的第一部分從而使得該第一部分形成第一半導(dǎo)體設(shè)備的一部分。在這點(diǎn)上，圖7B和7C描繪了在蝕刻期間連續(xù)的中間步驟，其中蝕刻之后的配置被示出在圖7D中。通過示例的方式，第一被暴露的部分可以形成圖4的TFT T2的電極。應(yīng)當(dāng)注意的是，在SAIL工藝中，通常在執(zhí)行任何圖案化之前沉積薄膜的堆疊。這導(dǎo)致每層基本上是平的并且與該堆疊的其它層平行。相比之下，采用常規(guī)的薄膜處理(例如，光刻法)，各層被沉積在先前被圖案化的層的頂部上，這會(huì)導(dǎo)致階梯覆蓋問題以及不一致的膜厚度和電應(yīng)力集中。特別地，通過在不使用通孔的情況下提供SAIL制造，與常規(guī)光刻法制造技術(shù)相比消除了至少一個(gè)掩模步驟和一個(gè)蝕刻步驟。此外，通過利用SAIL工藝，諸如上文所描述的實(shí)施例，例如，能夠解決在柔性(機(jī)械方面不穩(wěn)定的)基底上的多個(gè)對準(zhǔn)的問題。特別地，已知塑料基底呈現(xiàn)大約1000 ppm的工藝誘導(dǎo)變形。這些變形能夠?qū)е略诖竺娣e背板上的有效對準(zhǔn)。SAIL通過潛在地執(zhí)行單壓印中的所有掩模步驟來解決該問題。在某些實(shí)施例中，3D壓印掩模與基底一起變形以保持對準(zhǔn)，而不管工藝誘導(dǎo)變形如何。圖8是描繪了持續(xù)電流像素的另一示例性實(shí)施例的電路圖。如圖8中所示出的那樣，像素電路300包括薄膜晶體管(TFT) TlA和T2A、電容器ClA和C2A、以及發(fā)射負(fù)載302。 在這個(gè)實(shí)施例中，該負(fù)載302是OLED。TFT TlA被傳導(dǎo)性地耦合至數(shù)據(jù)線304并且耦合至選擇線306。具體地，數(shù)據(jù)線304 被傳導(dǎo)性地耦合至TFT TlA的漏極電極(D)，并且選擇線106被傳導(dǎo)性地耦合至TFT TlA的柵極電極(G)。TFT TlA的源極電極(S)被分別傳導(dǎo)性地耦合至電容器ClA的電極307和電容器C2A的電極308。TFT T2A被電容性地耦合至TFT TlA0在該實(shí)施例中，該電容性耦合由正被傳導(dǎo)性地耦合至TFT T2A的柵極電極(G)的電容器ClA的電極309、和正被傳導(dǎo)性地耦合至電容器通信線312的電容器C2A的電極310來促進(jìn)。特別地，電路300沒有用于將由數(shù)據(jù)線 304所提供的數(shù)據(jù)信號電連接到TFT T2的通孔。在操作中，發(fā)射負(fù)載302被響應(yīng)于分別由數(shù)據(jù)線和選擇線所提供的數(shù)據(jù)信號和選擇信號來加以驅(qū)動(dòng)。具體地，在每個(gè)幀周期的編程階段期間，當(dāng)被到TFT Tl的選擇信號使能時(shí)，數(shù)據(jù)被通過數(shù)據(jù)線傳送到該電路。被傳送的數(shù)據(jù)由充當(dāng)保持電容器的電容器C2來存儲(chǔ)。通過將C2電容器的底部電極310直接連接到單獨(dú)的總線線路(312)，對于相同的計(jì)劃面積而言，可以使C2的電容是它的4倍(厚度除以2，面積增加到兩倍)。同樣，在編程以減輕偏壓誘導(dǎo)的閾值移位之前，電容器通信線312能夠被立即切換至負(fù)。應(yīng)當(dāng)強(qiáng)調(diào)的是，上述實(shí)施例僅僅是為了對本公開的原理的清晰理解所闡述的實(shí)施方式的可能示例。在不實(shí)質(zhì)上偏離本公開的精神和原理的情況下，可以對上述實(shí)施例作出許多變化和修改。特別地，除了那些被描繪的之外的各種電路配置可以被使用在其它實(shí)施例中，諸如通過改變部件連接性。通過示例的方式，例如，電源(Vdd)和發(fā)射負(fù)載可以是陰極連接或陽極連接的。所有此類修改和變化均旨在被包括在在本公開的范圍內(nèi)并且由隨附權(quán)利要求所保護(hù)的本文中。
權(quán)利要求
1.一種像素電路(100，300)，包括 用于攜帶數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線(104，304)； 用于攜帶選擇信號的選擇線(106，306)；被傳導(dǎo)性地耦合至數(shù)據(jù)線并且耦合至選擇線的第一薄膜晶體管(TFT) (Tl, TlA)；以及被電容性地耦合至第一TFT的第二 TFT (T2，T2A)，所述第二 TFT用于響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號和所述選擇信號對發(fā)射負(fù)載(102，302)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)； 其中所述數(shù)據(jù)信號被通過電容性耦合提供給第二 TFT。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述發(fā)射負(fù)載是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，進(jìn)一步包括具有第一電極(107，307)和第二電極(109，309)的第一電容器(Cl，ClA)，所述第一電容器的所述第一電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第一 TFT，所述第一電容器的所述第二電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其中所述第一電容器的所述第一電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第一 TFT的源極(S)；并且所述第一電容器的所述第二電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT的柵極(G)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，進(jìn)一步包括具有第一電極(108，308)和第二電極(110，310)的第二電容器(C2，C2A)，所述第二電容器的所述第一電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第一 TFT，所述第二電容器的所述第二電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素電路，其中所述第二電容器的所述第一電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第一 TFT的源極；并且所述第二電容器的所述第二電極被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT的源極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，所述第二電容器具有電浮動(dòng)中心電極 (112)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中 所述像素電路進(jìn)一步包括通信線(312)；并且所述第二電容器具有被傳導(dǎo)性地耦合至所述第一 TFT的源極的第一電極，和被傳導(dǎo)性地耦合至所述通信線的第二電極；并且所述通信線用于向所述第二電容器提供信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其中，由所述通信線所提供的所述信號用于減輕所述第二 TFT的偏壓誘導(dǎo)的閾值移位。
10.一種用于形成權(quán)利要求1-9中的任一項(xiàng)所述的像素電路(100，300)的工藝，包括提供(250)基底(210)；將第一材料層014，216，218，220, 220)沉積(25 在所述基底上； 將第一抗蝕劑層沉積(254)在所述基底上；采用所述第一抗蝕劑層在所述基底上形成056) 3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)Q60)；并且蝕刻(258)所述3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)以暴露所述第一材料層的第一部分，從而使得所述第一部分形成所述第一 TFT(Tl，TlA)的一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其中，在形成所述3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)中，所述3D抗蝕劑結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)變化的垂直高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其中，在沉積所述第一抗蝕劑層之前，多個(gè)材料層被沉積在所述基底上以形成材料層的堆疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的工藝，其中在所述蝕刻之前，所述堆疊呈現(xiàn)一致的垂直高度；并且在所述蝕刻之后，所述堆疊形成所述第一 TFT、所述第二 TFT(T2，T2A)、所述第一電容器(Cl, ClA)以及所述第二電容器(C2，C2A)。
14.一種用于控制有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素的方法，包括提供像素電路(100，300)，所述像素電路(100，300)包括數(shù)據(jù)線(104，304)，其用于攜帶數(shù)據(jù)信號；選擇線(106，306)，其用于攜帶選擇信號；第一薄膜晶體管(TFT) (Tl，TlA)，其被傳導(dǎo)性地耦合至所述數(shù)據(jù)線并且耦合至所述選擇線；第二 TFT (T2, T2A)，其被采用電容性耦合電容性地耦合至所述第一 TFT ；以及發(fā)射負(fù)載(102，30 ，其被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT ；以及響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號和所述選擇信號使用所述第二 TFT驅(qū)動(dòng)所述發(fā)射負(fù)載，從而使得在所述選擇線的不活動(dòng)模式期間，所述第二 TFT的柵極(G)從所述電容性耦合接收電壓以促進(jìn)電流流過所述第二 TFT并且流到所述發(fā)射負(fù)載。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在提供所述像素電路中，所述數(shù)據(jù)信號不被傳導(dǎo)性地耦合至所述第二 TFT。
全文摘要
提供了像素電路(100,300)及相關(guān)方法。在這點(diǎn)上，有代表性的像素電路包括用于攜帶數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線(104,304)；用于攜帶選擇信號的選擇線(106,306)；被傳導(dǎo)性地耦合至數(shù)據(jù)線并且耦合至選擇線的第一薄膜晶體管(TFT)(T1,T1A)；以及被電容性地耦合至第一TFT的第二TFT(T2,T2A)，所述第二TFT用于響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號和所述選擇信號對發(fā)射負(fù)載進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；其中所述數(shù)據(jù)信號被通過電容性耦合提供給第二TFT。
文檔編號H01L51/52GK102460548SQ200980161003
公開日2012年5月16日 申請日期2009年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月18日
發(fā)明者P. 陶西格 C., 羅 H., E. 埃爾德 R., E. 杰克遜 W. 申請人:惠普開發(fā)有限公司