專利名稱：集成電路裝置的制造方法及光致抗蝕劑去除組成物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路裝置的制造方法，尤其涉及用于圖案化不同集成電路裝置構(gòu) 件的一種方法及光致抗蝕劑去除溶液。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路工業(yè)已經(jīng)歷了快速成長(zhǎng)。在集成電路材料以及設(shè)計(jì)等方面的技術(shù) 演進(jìn)已經(jīng)制造出了數(shù)個(gè)世代的集成電路，其中每一世代的產(chǎn)品較前一世代的產(chǎn)品具有更小 與更為復(fù)雜的電路。在集成電路的演進(jìn)路程中，隨著幾何尺寸(geometry size，即采用制造 技術(shù)所制備出的最小元件或?qū)Ь€的尺寸)的縮減，功能密度(functional density，即每一 芯片區(qū)域內(nèi)的內(nèi)連裝置的數(shù)量)已經(jīng)普遍地增加。如此的尺寸縮小工藝通常通過(guò)增加制作 效率以及降低所需成本而增加了效益。如此的尺寸縮小也增加了工藝與集成電路制造的復(fù) 雜性，由于可實(shí)現(xiàn)前述效益，因此在集成電路工藝與制造中便需要相同的發(fā)展。
目前觀察到的是公知的光致抗蝕劑去除溶液(photoresist strippingsolution) 可能表現(xiàn)出一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)。舉例來(lái)說(shuō)，干蝕刻等離子體移除方法以及水基去除溶液的使 用會(huì)造成位于下方的基底或圖案化膜層的毀損。受毀損的膜層接著可能表現(xiàn)出不良的電性 表現(xiàn)、不良的產(chǎn)率以及所有物的高成本。公知有機(jī)去除溶液可能殘留部分的阻劑材料，這些 殘留的阻劑材料將會(huì)造成后續(xù)沉積膜層的形變。如此，便需要用于集成電路裝置制造的一 種方法及阻劑去除溶液，借以解決前述問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種光致抗蝕劑去除組成物以及集成電路裝置的制造方 法，以解決前述公知問(wèn)題。
依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種光致抗蝕劑去除組成物，適用于集成電路裝置 的圖案化工藝，包括一有機(jī)溶劑以及一有機(jī)堿，其中該有機(jī)堿包括至少一級(jí)胺、二級(jí)胺、三 級(jí)胺或四級(jí)胺的氫氧化物其中之一。
依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明提供了 一種光致抗蝕劑去除組成物，包括一有機(jī)溶劑以及 一有機(jī)堿，其中該有機(jī)堿包括至少一級(jí)胺、二級(jí)胺、三級(jí)胺或四級(jí)胺的氫氧化物其中之一， 其中該胺或該胺的氫氧化物具有以下化學(xué)式
權(quán)利要求
1.一種集成電路裝置的制造方法，包括提供一基底；形成一第一材料層于該基底上；形成圖案化的第二材料層于該基底上；以及采用一液體以移除該圖案化的第二材料層，其中該液體包括一立體障礙有機(jī)堿以及一 有機(jī)溶劑。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置的制造方法，在移除該圖案化的第二材料層之 前，還包括施行一離子注入程序或一等離子體處理程序。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置的制造方法，其中該立體障礙有機(jī)堿包括一級(jí) 胺、二級(jí)胺、三級(jí)胺或四級(jí)胺的氫氧化物。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路裝置的制造方法，其中該立體障礙有機(jī)堿所包括的胺 或胺的氫氧化物具有以下化學(xué)式
5.如權(quán)利要求4所述的集成電路裝置的制造方法，其中至少禮、1 2、1 3或R4其中之一具 有大于苯基的凡得瓦尺寸。
6.如權(quán)利要求4所述的集成電路裝置的制造方法，其中札、R2,R3或R4擇自由未分支 基、分支基、環(huán)狀基、非環(huán)狀基、飽和基、未飽和基與烷鏈所組成的族。
7.如權(quán)利要求4所述的集成電路裝置的制造方法，其中札、R2,R3或R4具有介于1 15的鏈碳數(shù)。
8.如權(quán)利要求4所述的集成電路裝置的制造方法，其中W、Z3或\包括一懸基。
9.如權(quán)利要求8所述的集成電路裝置的制造方法，其中該懸基擇自由-Cl、-Br、-I、-N02 、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-ocn、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O) CR*、-SR、-S02N(R*)2、-SAR*、S0R、-0C (0) R*> -C (0) OR*、-C (0) R*. -Si (OR*) 3、-Si (R*) 3 及環(huán)氧基所組成的族。
10.如權(quán)利要求8所述的集成電路裝置的制造方法，其中該R*包括至少氫原子、未分支 基、分支基、環(huán)狀基、非環(huán)狀基、飽和基、未飽和基、烷基、烯基或炔基其中之一。
11.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置的制造方法，其中形成該圖案化的第二材料層 于該基底上包括曝光該第二材料層；以及顯影該第二材料層，以移除部分的該第二材料層。
12.—種集成電路裝置的制造方法，包括提供一基底；形成一第二材料層于該基底上；曝光該第二材料層；顯影該第二材料層，以形成一圖案化的第二材料層；以及利用一去除溶液，以移除該圖案化的第二材料層，其中該去除溶液包括一立體障礙有 機(jī)堿以及一有機(jī)溶劑的一液體。
13.如權(quán)利要求12所述的集成電路裝置的制造方法，還包括施行一離子注入程序、一 等離子體處理程序、一紫外光處理程序或上述程序的組合。
14.如權(quán)利要求12所述的集成電路裝置的制造方法，還包括施行一曝光后烘烤程序。
15.如權(quán)利要求12所述的集成電路裝置的制造方法，其中該立體障礙有機(jī)堿包括一級(jí) 胺、二級(jí)胺、三級(jí)胺或四級(jí)胺的氫氧化物，而該胺或該胺的氫氧化物具有以下化學(xué)式
16.如權(quán)利要求15所述的集成電路裝置的制造方法，其中至少RpI^R3或禮其中之一 具有大于苯基的凡得瓦尺寸
17.如權(quán)利要求15所述的集成電路裝置的制造方法，其中21、22、&或&包括擇自由-Cl 、-Br、-I、-NO2、-S03-、-H-、-CN、-NC0、-0CN、_C02_、-OH、-OR*、-OC (0) CR*、_SR、-SO2N (R*) 2、-SO2R*, SOR、-OC (0) R*. -C (0) OR*、-C (0) R*. -Si (OR*) 3、-Si (R*) 3 及環(huán)氧基所組成的族的一懸基。
18.如權(quán)利要求17所述的集成電路裝置的制造方法，其中If包括至少氫原子、未分支 基、分支基、環(huán)狀基、非環(huán)狀基、飽和基、未飽和基、烷基、烯基或炔基其中之一。
19.一種光致抗蝕劑去除組成物，包括一有機(jī)溶劑以及一有機(jī)堿，其中該有機(jī)堿包括至少一級(jí)胺、二級(jí)胺、三級(jí)胺 或四級(jí)胺的氫氧化物其中之一，其中該胺或該胺的氫氧化物具有以下化學(xué)式
20.如權(quán)利要求19所述的阻劑去除組成物，其中該懸基擇自由-Cl、-Br、-I、_N02、-SO 3_、-H-、-CN、-NCO, -OCN、-CO2-, -OH、-OR*、-OC (0) CR*、_SR、-S02N (R*) 2、-SO2R*, SOR、-OC (0) R*> -C(O) OR*、-C(O)R*, -Si (0R*)3> "Si 00 3及環(huán)氧基所組成的族，其中R*包括至少氫原子、 未分支基、分支基、環(huán)狀基、非環(huán)狀基、飽和基、未飽和基、烷基、烯基或炔基其中之一。
全文摘要
一種集成電路裝置的制造方法及其光致抗蝕劑去除組成物，該制造方法包括提供一基底；形成一第一材料層于該基底上；形成圖案化的第二材料層于該基底上；以及采用一液體以移除該圖案化的第二材料層，其中該液體包括一立體障礙有機(jī)堿以及一有機(jī)溶劑。本發(fā)明能夠降低基底/下方膜層的毀損，降低水污染以及改善光致抗蝕劑材料的移除效果。
文檔編號(hào)H01L21/82GK102034754SQ20101000206
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者張慶裕, 王建惟 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司