專利名稱：基板熱處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種例如半導體晶圓、平板顯示基板(FPD基板，flat panel display) 等的基板熱處理裝置。
背景技術：
通常在光刻(photo lithography)技術中，進行下述一系列工序。即，在基板上涂敷光致抗蝕劑，依據(jù)規(guī)定的電路圖案對由此形成的抗蝕劑膜進行曝光，對該曝光圖案進行 顯影處理，從而在抗蝕劑膜上形成期望的電路圖案。該種處理方法通常以分別獨立地層疊多層的狀態(tài)包括抗蝕劑涂敷處理單元、加熱 處理單元、冷卻處理單元和顯影處理單元等；上述抗蝕劑涂敷處理單元將抗蝕劑液體涂敷 在基板上而進行處理；上述加熱處理單元對結束了抗蝕劑涂敷處理的基板、實施了曝光處 理的基板進行加熱處理；上述冷卻處理單元將實施了加熱處理的基板冷卻處理到規(guī)定溫 度；上述顯影處理單元向基板供給顯影液而對該基板進行顯影處理，利用基板搬運部件在 上述各處理單元間搬運基板、以及相對于各處理單元搬入搬出基板。作為該種以往的基板處理裝置，公知這樣一種基板熱處理裝置。即，該基板熱處 理裝置包括載體塊，其用于配置能收容多個基板的載體；處理塊，其具有用于對從上述載 體取出的基板實施抗蝕劑涂敷·顯影處理等的上述處理單元；基板搬運部件，其分別配置 在上述載體塊以及處理塊內(nèi)，且能沿鉛直方向以及水平方向移動基板；基板收納部，其配置 在上述載體塊與處理塊之間，能載置多個基板，且具有冷卻板，在將基板冷卻到規(guī)定溫度之 前，該冷卻板使基板處于待機狀態(tài)而對其進行預冷卻處理(例如參照專利文獻1)。采用專利文獻1所述的基板處理裝置，為了與各處理單元的基板的處理時間的時 間差相對應地高效搬運基板、提高生產(chǎn)率(throughput)，在具有多個處理單元的處理塊與 接口塊之間、或在接口塊內(nèi)設置能收容多個基板的多層狀的基板收納部，從而能夠利用不 同的基板搬運部件從該基板收納部的2個方向相對于基板收納部交接基板。另外，通常，作為在冷卻板內(nèi)形成有制冷劑流體的流路的部件，公知在設于板主體 上的冷卻管收納導路中內(nèi)設有冷卻管的構造(例如參照專利文獻2)。作為與專利文獻2所 述的該種技術相同的構造，能夠通過在冷卻板的背面設置冷卻管收納槽、且在該冷卻管收 納槽內(nèi)設置導熱性優(yōu)良且容易彎曲變形的例如銅制或鋁制的冷卻管，從而形成制冷劑流體 的流路。專利文獻1 日本特開2007-288029號公報(權利要求書、圖1)專利文獻2 日本特開平11-233520號公報(權利要求書、圖1)但是，在專利文獻1所述的裝置中，通過在配置于基板收納部上的冷卻板上能升 降地立設多根(例如3根)支承銷、利用這些支承銷支承基板從而與基板搬運部件在彼此 之間交接基板。因此，擔心需要花費時間進行基板的交接。另外，由于需要設置冷卻板和支 承銷的升降驅動機構的相應高度，因此存在考慮到整個裝置的高度而不能增加冷卻板的數(shù) 量、從而無法實現(xiàn)高生產(chǎn)率的問題。另外，需要注意支承銷的升降驅動機構的維修檢查。
另外，在專利文獻2所述的構造中，由于需要使冷卻管具有一定壁厚，因此無法降低冷卻板的厚度。另外，冷卻管的彎曲程度有限，由此存在需要花費時間和勞力來設置冷卻 管的這一問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況做成的，目的在于提供一種能盡量縮小熱處理板的配置空 間從而實現(xiàn)裝置的小型化、增加基板的收納數(shù)量、且能提高熱介質(zhì)的流路的自由度以及生
產(chǎn)率的基板熱處理裝置。為了解決上述問題，第1技術方案提供一種基板熱處理裝置，其具有熱處理板，該 熱處理板用于保持所載置的基板且將該基板熱處理成規(guī)定溫度，其特征在于，上述熱處理 板具有熱處理板主體，該熱處理板主體通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成，且形成 通過層疊上述薄板而開設的熱介質(zhì)的供給流路、排出流路、吸附用孔以及與該熱介質(zhì)的供 給流路、排出流路相連通的熱介質(zhì)流路。另外，在第1技術方案的基板熱處理裝置的基礎上，第2技術方案的特征在于，該 基板熱處理裝置還具有基板吸附板，其通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成，且形成 通過層疊上述薄板而開設的與上述吸附用孔相連通的吸引流路。通過上述那樣設置，例如利用蝕刻處理來在用于構成熱處理板的薄板上開設(加 工)孔、隙縫等，從而能夠形成通過層疊多個薄板而開設的熱介質(zhì)的供給流路、排出流路以 及與該熱介質(zhì)的供給流路、排出流路相連通的熱介質(zhì)流路。另外，能夠形成吸附用孔以及與 該吸附用孔相連通的吸引流路。在第1或第2技術方案的基板熱處理裝置的基礎上，第3技術方案的特征在于，上 述熱處理板的最上層以及最下層的薄板是由比內(nèi)部層的薄板更具耐強度性的材料構成的 薄板。通過上述那樣設置，能夠提高熱處理板的剛性，并且能夠提高板表面的硬度。在第1技術方案的基板熱處理裝置的基礎上，第4技術方案的特征在于，上述熱處 理板主體的最上層以及最下層的薄板是由比內(nèi)部層的薄板更具耐強度性的材料構成的薄 板。通過上述那樣設置，能夠提高熱處理板主體乃至熱處理板的剛性，并且能提高板 表面的硬度。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在上述熱處理板的上部側的多個薄板上的任意多個位置 上設置安裝孔，并將用于支承基板的支承銷與該安裝孔相嵌合地而豎立設置該支承銷(第 5技術方案)。通過上述那樣設置，能夠在成形熱介質(zhì)的流路以及吸引流路的同時成形支承銷的 安裝孔。另外，在本發(fā)明中，能夠利用銅制薄板形成上述薄板(第6技術方案)，另外，在要 用由比內(nèi)部層的薄板更具耐強度性的材料構成的薄板形成熱處理板或熱處理板主體的最 上層以及最下層的薄板的情況下，能夠使用例如不銹鋼、鈦或鎳制薄板形成最上層以及最 下層的薄板，使用銅制薄板形成上述內(nèi)部層的薄板(第7技術方案)。另外，在本發(fā)明中，也可以采用釬焊方式將上述薄板彼此層疊結合，但優(yōu)選采用擴散接合方式進行結合(第8技術方案)。在此，所謂的擴散接合是這樣一種方法。即，使薄板 的原材料彼此緊密接觸，以薄板原材料的熔點以下的溫度條件，以盡量不使其發(fā)生塑性變 形的方式進行加壓，然后利用在接合面間發(fā)生的原子的擴散效果使上述原材料彼此接合。
通過上述那樣地采用擴散接合方式將薄板之間彼此結合，能夠使薄板彼此間的層 疊部結合成一體化的狀態(tài)。并且，在本發(fā)明中，還可以利用中途設有溫度切換機構的供給管路來連接上述供 給流路以及排出流路中的至少供給流路的供給口和熱介質(zhì)供給源(第9技術方案)。在此， 所謂的切換機構是指用于切換被供給到供給流路中的熱介質(zhì)的溫度的機構，例如能夠利用 切換閥或調(diào)溫機構等形成該溫度切換機構。通過上述那樣設置，能夠改變基板的熱處理溫度，從而易于依據(jù)目的更改基板的 熱處理操作。采用本發(fā)明，由于上述那樣設置，所以能夠獲得下述顯著的效果。(1)采用第1、2、6技術方案，由于具有一體地形成有熱介質(zhì)的流路和吸引流路的 板厚較薄的熱處理板，因此能盡量縮小熱處理板的配置空間，從而能夠實現(xiàn)裝置的小型化， 增加基板的收納數(shù)量。另外，由于能夠容易地形成復雜形狀的熱介質(zhì)的流路，因此能夠提高 熱介質(zhì)的流路的自由度，并且能夠提高向基板的傳熱效率，提高生產(chǎn)率。(2)采用第3、4、7技術方案，由于能提高熱處理板的剛性、且提高板表面的硬度， 因此除了能夠獲得上述(1)的效果，還能提高熱處理板的平面精度，從而提高熱處理的精 度。(3)采用第5技術方案，由于能夠在成形熱介質(zhì)的流路以及吸引流路的同時成形 支承銷的安裝孔，因此能容易地將支承銷突出設在熱處理板的表面上，并且能夠高精度地 定位支承銷。(4)采用第8技術方案，利用擴散接合方式將用于構成熱處理板的薄板彼此結合 起來，從而能夠一體地結合薄板彼此的層疊部，因此能夠高精度地保持熱處理板的平面性， 從而提高熱處理的效率。(5)采用第9技術方案，由于能夠改變基板的熱處理溫度、且能依據(jù)目的容易地更 改基板的熱處理操作，因此能夠使用同一個熱處理板實施不同溫度的熱處理。


圖1是表示應用有本發(fā)明的基板熱處理裝置的抗蝕劑涂敷 顯影處理裝置的一個 例子的概略俯視圖。圖2是上述抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置的概略立體圖。圖3是上述抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置的概略圖，是以平面狀態(tài)只重疊表示處理 部的單位塊的概略結構圖。圖4是表示上述抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置中的處理塊的單位塊(DEV層)的概 略立體圖。圖5是表示具有本發(fā)明的基板熱處理裝置的基板收納部的概略側視圖。圖6是表示上述基板收納部的概略立體圖。圖7是表示上述抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置中的處理塊的單位塊(COT層)的概略俯視圖。圖8是表示上述抗蝕劑涂敷 顯影處理裝置中的處理塊的處理單元的一個例子的 概略剖視圖。圖9是表示本發(fā)明中的冷卻板的一個例子的側視圖。圖10是表示本發(fā)明中的冷卻板的主要部分的剖視圖。圖11是表示本發(fā)明中的冷卻板主體與主臂以及交接臂的 關系的概略俯視圖。圖12是表示本發(fā)明的基座塊、冷卻板主體以及基板吸附板的層疊狀態(tài)的分解立 體圖。圖13是表示本發(fā)明的冷卻板主體的另一層疊狀態(tài)的剖視圖。圖14是表示本發(fā)明的基板熱處理裝置的另一實施方式的主要部分的概略剖視 圖。圖15是表示本發(fā)明的基板熱處理裝置的另一實施方式的主要部分的概略剖視 圖。
具體實施例方式下面，根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。在此，說明將本發(fā)明的基板熱處理裝 置應用在半導體晶圓的抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置中的情況。上述抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置如圖1 圖8所示，包括載體塊Si，其用于搬入 搬出載體20，該載體20密封收容有例如13張作為基板的半導體晶圓W(以下稱作晶圓W)； 處理塊S2，其通過縱向排列多個例如5個單位塊Bl B5而成；接口塊S3 ；曝光裝置S4，其 作為第2處理塊。在上述載體塊Sl上設有能載置多個(例如4個)載體20的載置臺21、從該載置 臺21側觀察設在前方的壁表面上的開閉部22、和用于借助開閉部22從載體20取出晶圓W 的傳送臂(transfer arm)C0該傳送臂C能夠沿水平的X、Y方向以及鉛直的Z方向自如移 動、且能圍繞鉛直軸線自如旋轉，從而在設于構成后述的基板收納部的架單元U5上的交接 臺TRS1、TRS2之間進行晶圓W的交接。被框體24環(huán)繞周圍的處理塊S2同載體塊Sl的里側相連接。在本例中，從下方 將處理塊S2分配成用于供下層的2層進行顯影處理的第1以及第2單位塊(DEV層)Bi、 Β2、用于進行形成在抗蝕劑膜的下層那一側的防反射膜(以下稱作“第1防反射膜”)的形 成處理的第1防反射膜形成用單位塊即第3單位塊(BCT層)Β3、用于進行抗蝕劑液體的涂 敷處理的涂敷膜形成用單位塊即第4單位塊(COT層)B4、用于進行形成在抗蝕劑膜的上層 那一側的防反射膜(以下稱作“第2防反射膜”)的形成處理的第2防反射膜形成用單位塊 即第5單位塊(TCT層)B5。在此，上述DEV層Bl、B2相當于顯影處理用單位塊，BCT層B3、 COT層B4、TCT層B5相當于涂敷膜形成用單位塊。接下來，說明第1 第5單位塊B (Bi B5)的結構。上述各單位塊Bl B5包括 配置在前面?zhèn)鹊挠糜趯⑺幰和糠蟮骄AW上的液體處理單元、配置在背面?zhèn)鹊挠糜谶M行上 述液體處理單元所實施的處理的前處理以及后處理的各種加熱單元等的處理單元、和用于 在配置于前面?zhèn)鹊纳鲜鲆后w處理單元與配置于背面?zhèn)鹊募訜釂卧鹊奶幚韱卧g交接 晶圓W的專用的基板搬運部件即主臂Al、A3 A5。
在本例中，在上述各個單位塊Bl B5之間以相同的配置布局形成上述液體處理 單元、加熱單元等的處理單元、和搬運部件。在此，相同的配置布局是指，各處理單元的載置 晶圓W的中心、即液體處理單元的晶圓W的保持部件即旋轉卡盤(spinchuck)的中心、加熱 單元中的加熱板、冷卻板的中心相同。上述DEV層Bl、B2的結構相同，在該情況下，能夠通用兩者。該DEV層Bl、B2如圖 1所示，在DEV層Bi、B2的大致中央處沿DEV層Bi、B2的長度方向(圖中的Y方向)形成 有用于連接載體塊Sl和接口塊S3的晶圓W的搬運區(qū)域Rl (主臂Al的水平移動區(qū)域)。在從載體塊Sl側觀察到的該搬運區(qū)域Rl的兩側，從跟前側(載體塊Sl側)朝向 里側地在右側設有例如2層顯影單元31作為上述液體處理單元，該顯影單元31具有多個 用于進行顯影處理的顯影處理部。各單位塊從跟前側朝向里側地在左側依次設有通過配置 多層加熱系統(tǒng)的單元而成的例如4個架單元Ul、U2、U3、U4，在該圖中，用于進行顯影單元 31所實施的處理的前處理以及后處理的各種單元中的每一種單元層疊有多層例如3層。這 樣，利用上述搬運區(qū)域Rl劃分出顯影單元31和架單元Ul U4，通過向搬運區(qū)域Rl噴出吹 掃氣體然后排氣，能夠抑制微粒在該區(qū)域內(nèi)浮游。在用于進行上述前處理以及后處理的各種單元中，例如如圖4所示包括用于對曝 光后的晶圓W進行加熱處理的被稱為曝光后烘烤單元(post exposure baking unit)等的 加熱單元(PEBl)、為了去除顯影處理后的晶圓W上的水分而對晶圓W進行加熱處理的被稱 為堅膜單元(post baking unit)等的加熱單元(POSTl)等。上述加熱單元(PEBUPOST 1) 等各處理單元分別收容在處理容器51內(nèi)，通過每種架單元Ul U4分別層疊3層而構成上 述處理容器51，在各處理容器51的面朝搬運區(qū)域Rl的面上形成有晶圓搬出搬入口 52。在上述搬運區(qū)域Rl中設有上述主臂Al。該主臂Al在該DEV層Bl內(nèi)的所有組件 (載置有晶圓W的位置)之間、例如架單元Ul U4的各處理單元、顯影單元31、架單元U5 的各部分之間交接晶圓，為此該主臂Al能夠沿水平的X、Y方向以及鉛直的Z方向自如移 動、且能夠圍繞鉛直軸線自如旋轉。另外，上述涂敷膜形成用單位塊B3 B5的結構相同，且與上述顯影處理用單位塊 Bi、B2的結構相同。具體而言，參照圖3、圖7以及圖8以COT層B4為例進行說明，COT層 B4設有用于對晶圓W進行抗蝕劑液體的涂敷處理的涂敷單元32作為液體處理單元，在COT 層B4的架單元Ul U4上設有用于對涂敷了抗蝕劑液體的晶圓W進行加熱處理的加熱單 元(CLHP4)、用于提高抗蝕劑液體與晶圓W的密合性的疏水化處理單元(ADH)，且COT層B4 與DEV層Bi、B2的結構相同。即、利用主臂A4的搬運區(qū)域R4(主臂A4的水平移動區(qū)域) 劃分涂敷單元32、加熱單元(CLHP4)以及疏水化處理單元(ADH)。并且，在該COT層B4中， 利用主臂A4在架單元U5的交接臺TRSl、涂敷單元32和架單元Ul U4的各處理單元之間 交接晶圓W。另外，上述疏水化處理單元(ADH)在HMDS (六甲基二硅胺烷)氣氛內(nèi)進行氣體 處理，可以設在涂敷膜形成用單位塊B3 B5的任意一個上。另外，BCT層B3設有用于對晶圓W進行第1防反射膜的形成處理的第1防反射膜 形成單元33作為液體處理單元，在架單元Ul U4上設有用于對實施了防反射膜形成處理 的晶圓W進行加熱處理的加熱單元(CLHP3)，且BCT層B3與COT層B4的結構相同。S卩、利 用主臂A3的搬運區(qū)域R3(主臂A3的水平移動區(qū)域)劃分第1防反射膜形成單元33和加 熱單元(CLHP3)。并且，在該第3單位塊B3中，利用主臂A3在架單元TO的交接臺TRS1、第1防反射膜形成單元33和架單元Ul U4的各處理單元之間交接晶圓W。另外，TCT層B5設有用于對晶圓W進行第2防反射膜的形成處理的第2防反射膜形成單元34為液體處理單元，且TCT層B5除了在架單元Ul U4上設有用于對實施了防 反射膜形成處理的晶圓W進行加熱處理的加熱單元(CLHP5)、周邊曝光裝置(WEE)之外，其 他結構與COT層B4相同。即、利用主臂A5的搬運區(qū)域R5(主臂A5的水平移動區(qū)域)劃分 第2防反射膜形成單元34、加熱單元(CLHP5)以及周邊曝光裝置(WEE)。并且，在該TCT層 B5中，利用主臂A5在架單元U5的交接臺TRS1、第2防反射膜形成單元34和架單元Ul U4的各處理單元之間交接晶圓W。另外，在處理塊S2上沿水平的Y方向移動自如以及沿鉛直的Z方向升降自如地 配置有基板搬運部件即梭式臂(Shuttlearm)A,該梭式臂A用于在設于架單元TO的交接臺 TRS2與接口塊S3側的架單元U6之間交接晶圓W。另外，在處理塊S2上分別劃分有梭式臂A的搬運區(qū)域和上述主臂Al、A3 A5的 搬運區(qū)域R1、R3 R5。另外，處理塊S2與載體塊Sl之間的區(qū)域形成為晶圓W的交接區(qū)域R2，在該區(qū)域 R2上如圖1所示，在能夠供傳送臂C、主臂A1、A3 A5、梭式臂A接觸的位置上設有作為基 板收納部的架單元U5，并且設有構成用于相對于該架單元U 5交接晶圓W的基板交接部件 的交接臂D。在該情況下，架單元TO配置在主臂A1、A3 A5、梭式臂A的水平移動方向(Y 方向)的軸線上，沿主臂Al、A3 A5、梭式臂A的進退方向(Y方向)設有第1開口部11， 且沿交接臂D的進退方向(X方向)設有第2開口部12。另外，上述架單元TO如圖3、圖5以及圖6所示，具有例如2個交接臺TRS1、TRS2， 以能與各單位塊Bl B5的主臂A1、A3 A5以及梭式臂A在彼此之間交接晶圓W，另外，上 述架單元U5具有被劃分成多個的收納塊IOa 10d，以對應于單位塊Bl B5，并且在各收 納塊IOa IOd中具有多個載置架13以及本發(fā)明的熱處理板即冷卻板14(CPL1 CPL6)， 該冷卻板14用于在涂敷抗蝕劑之前將晶圓W調(diào)整到規(guī)定溫度、在進行防反射膜的形成處理 之前將晶圓W調(diào)整到規(guī)定溫度、在曝光處理之后將實施了加熱處理的晶圓W調(diào)整到規(guī)定溫 度。在該情況下，第1收納塊IOa對應于第1以及第2單位塊Bl、B2 (DEV層)，第2收 納塊IOb對應于第3單位塊B3 (BCT層)，第3收納塊IOc對應于第4單位塊B4 (COT層)， 第4收納塊IOd對應于第5單位塊B5 (TCT層)。配置在第1收納塊IOa中的冷卻板14A (CPL7、CPL8)借助支承柱17a橫置地設在 架設于框體16上的保持板17上，在該冷卻板14A(CPL7、CPL8)上立設有3根支承銷15。該 冷卻板14A(CPL7、CPL8)具有能與主臂Al或交接臂D交接晶圓W的功能。另外，冷卻板14(CPL1 CPL6)如圖6、圖9、圖10以及圖12所示，包括基座塊 60，其具有熱介質(zhì)即制冷劑流體的供給流路61以及排出流路62，該制冷劑流體例如為恒溫 的冷卻水；1個或多個(圖中表示的是具有2個的情況)冷卻板主體64，其層疊在該基座塊 60的上部，具有與供給流路61以及排出流路62相連通的制冷劑流路63 ；基板吸附板67，其 一體地形成在冷卻板主體64的下表面上；連結螺栓66，其是用于能裝卸地連結基座塊60、 冷卻板主體64以及基板吸附板67的連結構件。另外，冷卻板14能夠使用采用使恒溫的冷 卻水循環(huán)的水冷方式的構件，但也可以使用除水冷方式以外的方式。
在該情況下，上述基座塊60例如由不銹鋼制構件形成，且形成為被切削掉一個角部的大致立方體。在該基座塊60的一個側面上設有供與未圖示的冷卻水供給源相連接的 供給配管71連接的供給口 60a、與排出配管72連接的排出口 60b、和與未圖示的吸引部件 例如真空泵相連接的吸引配管73連接的吸引口 60c。另外，與供給口 60a相連通的供給流 路61、和與排出口 60b相連通的排出流路62沿與基座塊60的上表面垂直的方向平行設置， 呈在基座塊60的上表面上開口狀。在上述供給流路61和排出流路62的開口端設有密封 構件即0型密封圈(未圖示)。上述冷卻板主體64例如由銅制構件形成，如圖10以及圖12所示，該冷卻板主體 64由安裝基部64a和圓板部64c構成；上述安裝基部64a形成為與基座塊60的上表面形 狀相同的大致矩形；上述圓板部64c形成在從安裝基部64a的角部向外突出的臂部64b的 前端。在該冷卻板主體64的安裝基部64a中設有與基座塊60的供給流路61相連通的供 給流路61a，在臂部64b以及圓板部64c中設有與供給流路61a相連通的制冷劑流路63，在 圓板部64c中設有與基座塊60的排出流路62相連通的排出流路62a。另外，在冷卻板主體64的圓板部64c的上表面的多個位置例如5個位置上，嵌插 在后述的安裝孔64h內(nèi)地突出設有接近式銷(proximity pin) 64e，該接近式銷64e是用于 與圓板部64c的表面之間空出微小間隙例如50 μ m 100 μ m地支承晶圓W的支承銷。另 夕卜，在圓板部64c上的避開制冷劑流路63的4個位置上穿設有吸附用孔64f。另外，在安裝 基部64a的邊部側的4個位置上設有供連結螺栓66貫穿的安裝孔75。在該情況下，冷卻板主體64通過層疊板厚為例如0. 5mm的多張例如10張的銅制 薄板1而成，由構成后述吸附板67的銅制薄板1層疊并通過擴散接合方式進行結合。艮口、 使預先利用蝕刻處理開設(加工)有用于構成供給流路61a、排出流路62a、制冷劑流路63、 吸附用孔64f或接近式銷64e的安裝孔64h的一部分的孔、隙縫等的銅制薄板1、與沒有孔、 隙縫等的銅制薄板1彼此緊密接觸，以銅的熔點以下的溫度條件，以盡量不使其發(fā)生塑性 變形的方式進行加壓，然后采用擴散接合方法將它們結合起來，該擴散接合方法利用在接 合面間產(chǎn)生的原子的擴散效果使上述銅制薄板1彼此接合。另外，在上述那樣的銅制薄板1 的層疊構造中，若在擴散接合時存在無法加壓的位置，則接合強度降低，因此需要在流路的 壁2上確保至少5mm的接合區(qū)域S(參照圖10)。另外，在銅制的冷卻板主體64的情況下， 為了抑制擴散接合時的銅軟化，需要將流路上的板厚T最低設為lmm(參照圖10)。在上述說明中，說明了利用擴散接合方式使冷卻板主體64只層疊結合多張銅制 薄板1的情況，但如圖13所示，也可以使用比內(nèi)層薄板Ic更具耐強度性的材料，例如不銹 鋼、鈦或鎳制薄板形成冷卻板主體64的最上層以及最下層的薄板la、lb。這樣，通過使用比 內(nèi)層薄板Ic更具耐強度性的材料形成冷卻板主體64的最上層以及最下層的薄板la、lb,能 夠提高冷卻板主體64乃至冷卻板14的強度，并能提高平面精度，從而提高熱處理的精度。 在該情況下，雖然不銹鋼、鈦或鎳的熱膨脹率不同于銅，但通過將不銹鋼、鈦或鎳制的薄板 IaUb配置在上下層，能夠抑制在擴散接合時發(fā)生應變。另外，在冷卻板主體64的圓板部64c外周的6個位置上設有缺口 64g (參照圖11)， 該缺口 64g用于避免從架單元TO的第1開口部11進入的主臂Al、A3 A5(以下用附圖 標記Al表示)、以及從架單元TO的第2開口部12進入的交接臂D將晶圓W交接到冷卻板 14上時的升降移動受到干涉。在該情況下，交接臂D的臂主體90的一方的彎曲臂片91形成為比另一方的彎曲臂片92更向前端側延伸的變形馬蹄形狀，并且在兩個臂片91、92的前 端側下部以及臂主體90的基部側下部的3個位置上設有用于支承晶圓W的支承爪93。另 夕卜，主臂Al的臂主體80在突出成馬蹄形狀的一對彎曲臂片81、82的前端側下部以及臂主 體80的基部側下部的4個位置上設有用于支承晶圓W的支承爪83。另外，設在冷卻板主體 64的圓板部64c外周上的6個缺口 64g與主臂Al的支承爪83以及交接臂D的支承爪93 對應設置。這樣，通過在冷卻板主體64的圓板部64c的外周上設置缺口 64g，無需設置支承銷 就能使主臂A 1以及交接臂D相對于冷卻板14交接晶圓W。上述基板吸附板67例如由銅制構件形成，如圖10以及圖12所示，該基板吸附板 67由安裝基部67a和吸附部67c構成；上述安裝基部67a形成為與基座塊60的上表面形 狀相同的大致矩形；上述吸附部67c是形成在從安裝基部67a的角部向外突出的臂部67b 的前端的大致圓形。在安裝基部67a中設有與基座塊60的供給流路61相連通的供給流路 61a、和用于連通基座塊60的排出流路62與冷卻板主體64的制冷劑流路的排出流路62a。另外，在基板吸附板67的安裝基部67a的邊部側的4個位置上設有供連結螺栓66 貫穿的安裝孔75。另外，在基板吸附板67中設有吸引流路67d，該吸引流路67d與設在基 座塊60上的吸引口 60c相連通、且與設在冷卻板主體64上的吸附用孔64f相連通。
在該情況下，與冷卻板主體64同樣，基板吸附板67也是通過層疊板厚為例如 0. 5mm的多張例如10張銅制薄板1而成，且將用于構成冷卻板主體64的銅制薄板1層疊起 來、通過擴散接合方式而進行結合。即、使預先利用蝕刻處理開設(加工)有用于構成與吸 附用孔64f相連通的吸引流路67d的一部分的孔、隙縫等的銅制薄板1、與沒有孔、隙縫等的 銅制薄板1彼此緊密接觸，以銅的熔點以下的溫度條件，以盡量不使其發(fā)生塑性變形的方 式進行加壓，然后采用擴散接合方法將它們結合起來，該擴散接合方法利用在接合面間產(chǎn) 生的原子的擴散效果使上述銅制薄板1彼此接合。另外，也可以使用比內(nèi)層薄板更具耐強度性的材料、例如不銹鋼、鈦或鎳制薄板形 成被層疊結合而成的冷卻板主體64和基板吸附板67整體的最上層以及最下層的薄板。另 夕卜，也可以使用比內(nèi)層薄板更具耐強度性的材料、例如不銹鋼、鈦或鎳制薄板形成冷卻板主 體64的最上層以及最下層的薄板、和基板吸附板67的最下層的薄板。通過上述那樣設置， 能夠抑制在擴散接合時發(fā)生應變，并且能提高冷卻板14的強度，提高平面精度，從而提高 熱處理的精度。另外，在層疊多層的冷卻板14的情況下，如圖9以及圖12所示，能夠借助隔離件 76在下層的冷卻板主體64的安裝基部64a的上表面上層疊上層的冷卻板14，即在背面一 體形成有基板吸附板67的冷卻板主體64。在該情況下，與基座塊60同樣，隔離件76也是 形成為被切削掉一個角部的大致立方體，且設有與位于正下方的冷卻板主體64的供給流 路61a以及排出流路62a相連通的供給流路61b以及排出流路62b，并且在邊部側的4個位 置上設有供連結螺栓66貫穿的安裝孔(未圖示)。另外，隔離件76的供給流路61b以及排 出流路62b與下層側的冷卻板主體64之間、以及與上層側的基板吸附板67之間分別夾設 有密封構件即0型密封圈(未圖示)，從而能夠維持供給流路61以及排出流路62的氣液密 封。另外，在隔離件76上設有與基板吸附板67的吸引流路67d連通的吸引口 60c。另外，在上述說明中，說明了借助隔離件76層疊多個冷卻板14的情況，但也可以將隔離件76 —體地形成在冷卻板主體64的安裝基部64a或基板吸附板67的安裝基部67a上。上述那樣構成的冷卻板14的基座塊60、與設在基座塊60中的供給流路61以及排出流路62相連接的供給配管71以及排出配管72、和與設在基座塊60中的吸引口 60c相 連接的吸引配管73 —體地固定在底板上。另外，在底板77的一側端的下部設有用于將底 板77固定在框體16上的安裝托架78，從而能夠利用安裝螺栓79將底板77固定在框體16上。這樣，能相對于構成基板收納部即架單元U5的框體16拉出一體地形成有冷卻板 14的底板77地將該底板77安裝在框體16上。因而，能夠將冷卻板14以可相對于架單元 U5拉出的方式安裝于其中，因此能夠提高冷卻板14的更換、維修檢查等維護效率。另外，如圖6所示，載置架13上形成有從架單元TO的一側向該架單元TO內(nèi)突出 的多個板狀臂13a。在該情況下，板狀臂13a例如在前端具有以大約120°的角度分岔的叉 部13b，在具有該叉部13b的板狀臂13a的前端部上的呈同心圓狀地等分的3個位置上突出 設有接近式銷18a、18b、18c，它們用于將晶圓W支承為距板狀臂13a的表面之間有微小間隙 例如大約0.5mm的狀態(tài)，并且與交接臂D進入架單元U 5內(nèi)的方向平行地配置其中一個第 1 銷 18a。另外，在上述說明中，說明了載置架13的板狀臂13a具有叉部13b的情況，但只要 不會使從第1開口部11進入的主臂的臂主體80與從第2開口部12進入的交接臂D的臂 主體90互相干涉，板狀臂13a的前端可以是任意形狀，例如也可以是圓形。另外，板狀臂13a的一端安裝在架單元U 5的框體16的一部分上，從而從架單元 U5的一側進入到該架單元TO內(nèi)，利用連結構件例如連結螺栓(未圖示)，借助隔離件19將 各板狀臂13a的基端部彼此連結固定成可拆裝的層疊狀。這樣，通過利用連結螺栓將構成 載置架13的板狀臂13a連結固定成可拆裝的層疊狀，能夠容易地對應于處理程序、處理時 間地增加或減少載置架13的層數(shù)即板狀臂13a的數(shù)量。另外，如圖5所示，將規(guī)定流量的清洗氣體從架單元U的載體塊Sl側供給到架單 元TO的內(nèi)部。另外，如圖11所示，交接臂D中，臂主體90具有上述彎曲臂片91、92和支承爪93， 且能相對于架單元U5進退自如、并且該臂主體90利用移動機構(未圖示)而能沿鉛直的 Z方向升降自如。這樣，臂主體90能沿X方向進退自如并能升降自如，并且能與架單元TO 的各收納塊IOa 10d、交接臺TRSl在彼此之間交接晶圓W。利用未圖示的控制器根據(jù)來 自后述的控制部100的指令控制對上述交接臂D的驅動。上述主臂Al、A3 A5以及梭式臂A的結構基本相同，以梭式臂A為例進行說明， 該梭式臂A具有馬蹄形狀的臂主體80，該臂主體80具有不會與冷卻板主體64的圓板部64c 以及設在載置架13的板狀臂13a上的接近式銷18a、18b、18c發(fā)生干涉的一對彎曲臂片81、 82，并且在各彎曲臂片81、82的前端部以及基端部側的下部的4個位置上設有用于支承晶 圓W的支承爪83。因而，與交接臂D同樣，能夠最低限度地設置能供梭式臂A的臂主體80沿鉛直方 向移動而在載置架13的接近式銷18a、18b、18c之間交接晶圓W的各載置架13間的空間， 因此能夠在有限的空間內(nèi)設置許多載置架13。另外，梭式臂A在馬蹄狀的臂主體80上的3處位置設有支承爪83，因此能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)支承而搬運晶圓W。另外，上述多個載置架13的間隔小于交接臂D的臂主體90的厚度以及主臂A的 臂主體80的厚度。由此，能夠盡量縮小架單元TO的收納空間，從而能在向架單元TO內(nèi)的 晶圓W的收納張數(shù)增多、或晶圓W的收納張數(shù)較少的情況下實現(xiàn)裝置的小型化。另外，主臂Al (A3 A5)與交接臂D的結構相同，如圖4所示，利用旋轉驅動機構 84、用于沿水平導軌86以及垂直導軌87移動的移動機構85使主臂Al沿X方向進退自如、 沿Y方向移動自如、升降自如以及圍繞鉛直的軸線旋轉自如，從而能與架單元Ul TO的各 單元、交接臺TRS1、液體處理單元在彼此之間交接晶圓W。利用未圖示的控制器根據(jù)來自控 制部100的指令控制對上述主臂Al的驅動。另外，為了防止在主臂Al (A3 A5)的加熱單 元中發(fā)生蓄熱，要能夠利用程序任意控制晶圓W的接收順序。另外，如圖1以及圖3所示，在上述處理塊S2和接口塊S3的相鄰區(qū)域中的能供主 臂Al、梭式臂A接觸的位置上設有架單元U6。該架單元TO如圖3所示，為了能與各DEV層 B1、B2的主臂Al在彼此之間交接晶圓W，在本例中，各DEV層B1、B2具有2個交接臺TRS3。
另外，與上述架單元TO同樣，在架單元TO的上部具有例如2個交接臺TRS4、TRS5， 以與各單位塊Bl B5的主臂Al、A3 A5以及梭式臂A在彼此之間交接晶圓W，另外，在 架單元U6的上部還具有劃分成多個的收納塊IOe 10h，以對應于單位塊Bl B5，并且在 各收納塊IOe IOh上具有多個載置架13、冷卻板14(CPL9 CPL16)和緩沖用載置架13， 該冷卻板14用于在進行了防反射膜的形成處理之后將晶圓W調(diào)整到規(guī)定溫度、在曝光處理 之后將實施了加熱處理的晶圓W調(diào)整到規(guī)定溫度。在該情況下，第1收納塊IOe對應于第1以及第2單位塊Bl、B2 (DEV層)，第2收 納塊IOf對應于第3單位塊B3 (BCT層)，第3收納塊IOg對應于第4單位塊B4 (COT層)， 第4收納塊IOh對應于第5單位塊B5 (TCT層)。另外，在架單元TO的X方向的背部側配置有與上述基板交接臂D相同構造的交接 臂E，利用該交接臂E能夠相對于各收納塊IOe IOh的冷卻板14、14A(CPL9 CPL16)、載 置架13交接晶圓W。另外，圖8是上述處理單元的布局的一個例子，該布局是為了方便說明而舉出的 例子，處理單元并不限定于加熱單元(CLHP、PEB、POST)、疏水化處理裝置(ADH)、周緣曝光 裝置(WEE)，也可以設置其他處理單元，在實際的裝置中，要根據(jù)各處理單元的處理時間等 因素來決定單元的設置數(shù)量。另一方面，作為第2處理塊的曝光裝置S4借助接口塊S3與處理塊S2中的架單元 U6的里側相連接。接口塊S3具有接口臂F，該接口臂F用于在處理塊S2的DEV層Bi、B2 的架單元TO的各部分與曝光裝置S4之間交接晶圓W。該接口臂F形成為安裝在處理塊S2 與曝光裝置S4之間的晶圓W的搬運部件，并且在本例中，為了相對于上述DEV層Bi、B2的 交接臺TRS3交接晶圓W，使該接口臂F能沿水平的X、Y方向以及鉛直的Z方向自如移動、 且能圍繞鉛直軸線自如旋轉。在上述那樣構成的抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置中，能夠利用上述交接臂D、E分別 借助交接臺TRSl TRS5在層疊為5層的各單位塊Bl B5之間自如地交接晶圓W，并且能 夠利用上述接口臂F借助顯影處理用的單位塊B1、B2在處理塊S2與曝光裝置S4之間交接 晶圓W。
接下來，參照圖1 圖4、圖7以及圖8說明上述那樣構成的抗蝕劑涂敷·顯影處理裝置中的晶圓W的搬運處理方式。另外，在此說明的情況是在架單元TO的收納塊IOa IOd的最下層的第1收納塊IOa上配置有2層冷卻板CPL7、CPL8，在上層的第2收納塊IOb 上配置有2層冷卻板CPLl、CPL2和多個載置架13 (BUFl)，在更上層的第3收納塊IOc上配置 有2層冷卻板CPL3、CPL4和多個載置架13 (BUF2)，然后在更上層即最上層的第4收納塊IOd 上配置有2層冷卻板CPL5、CPL6和多個載置架13(BUF3)。另外，還說明下述情況在架單元 U6的收納塊IOe IOh的最下層的第1收納塊IOe上配置有2層冷卻板CPL9、CPL10，在上 層的第2收納塊IOf上配置有2層冷卻板CPL11、CPL12和多個載置架13 (BUFl)，在更上層 的第3收納塊IOg上配置有2層冷卻板CPL13、CPL14和多個載置架13 (BUF2)，然后在更上 層即最上層的第4收納塊IOh上配置有2層冷卻板CPL15、CPL16和多個載置架13 (BUF3)。在抗飩劑膜的下側形成防反射膜的搬運處理方式首先，將載體20從外部搬入到載體塊21上，利用傳送臂C從該載體20內(nèi)取出晶 圓W。在將晶圓W從傳送臂C交接到交接臂D上之后，利用交接臂D將其搬運到架單元U5 的第2收納塊IOb的冷卻板H(CPLl)上，從而將晶圓W載置在該冷卻板CPLl上而將其溫 度調(diào)整為規(guī)定的冷卻溫度例如室溫。之后，將晶圓W交接到BCT層B3的主臂A3上。然后在BCT層B3中，利用主臂A3按照第1防反射膜形成單元33 —加熱單元 (CLHP3)—架單元U5的第2收納塊IOb的載置架BUFl的順序搬運晶圓W，然后在晶圓W上 形成第1防反射膜。利用交接臂D將被載置在第2收納塊IOb內(nèi)的載置架BUFl上的晶圓W 搬運到第3收納塊IOc的冷卻板CPL3 (CPL4)上，從而將晶圓W載置在該冷卻板CPL3 (CPL4) 上而將其溫度調(diào)整為規(guī)定溫度(例如室溫)。接著利用主臂A3按照涂敷單元32 —加熱單元CLHP4 —架單元U5的第3收納塊 IOc的載置架BUF2的順序搬運第3收納塊IOc上的晶圓W，然后在第1防反射膜的上層形 成抗蝕劑膜。利用交接臂D將被載置在第3收納塊IOc的載置架BU F2上的晶圓W搬運到 第3收納塊IOc的冷卻板CPL3 (CPL4)上，從而將該晶圓W載置在該冷卻板CPL3 (CPL4)上 而將其溫度調(diào)整為規(guī)定溫度(例如室溫)。之后，交接臂D進入架單元U5的第3收納塊IOc的冷卻板CPL3 (CPL4)中接收晶 圓W，將其交接到架單元U5的交接臺TRS2上。接著利用梭式臂A將晶圓W搬運到架單元 U6的交接臺TRS5上。接著利用接口臂F將交接臺TRS5上的晶圓W搬運到曝光裝置4中， 在此對其進行規(guī)定的曝光處理。利用接口臂F按照架單元TO的交接臺TRS3—加熱單元(PEBl)—架單元TO的冷 卻板CPL9 (CPLlO)—顯影單元31—加熱單元(POSTl)的順序搬運曝光處理后的晶圓W，從 而對其進行規(guī)定的顯影處理。為了將上述那樣地進行了顯影處理的晶圓W交接到傳送臂C 上，將該晶圓W搬運到架單元U5的第1收納塊IOa的冷卻板CPL7(CPL8)上而將其調(diào)整為 規(guī)定溫度，之后利用傳送臂C將晶圓W搬回到載置在載體塊Sl上的原來的載體20上。在抗她劑膜的上側賄成防反M莫的搬運處理.方式首先，將載體20從外部搬入到載體塊21上，利用傳送臂C從該載體20內(nèi)取出晶圓 W。在利用傳送臂C將晶圓W搬運到架單元U5的交接臺TRSl上之后，利用交接臂D將晶圓 W搬運到架單元U5的第3收納塊IOc的冷卻板CPL3上，從而將晶圓W載置在該冷卻板CPL3 上而將其溫度調(diào)整為規(guī)定的冷卻溫度例如室溫。之后，將晶圓W交接到COT層B4的主臂A4上。然后，利用主臂A4按照疏水化處理單元(ADH)—架單元U5的第3收納塊IOc的冷卻 板CPL4的順序搬運晶圓W，從而將晶圓W載置在冷卻板CPL4上而將其溫度調(diào)整為規(guī)定溫度 (室溫)。接著，將利用主臂A4從架單元U5取出的晶圓W搬運到涂敷單元32中，然后在涂 敷單元32中在晶圓W上形成抗蝕劑膜。利用主臂A4將形成有抗蝕劑膜的晶圓W搬運到加 熱單元(CLHP4)中，然后對其實施用于使溶劑從抗蝕劑膜蒸發(fā)出的預烘干(pre-bake)。之 后，利用主臂A4將晶圓W收納在架單元U5的第3收納塊IOc的載置架BUF2上而使其處于 暫時待機狀態(tài)。接著，利用交接臂D將第3收納塊IOc上的晶圓W搬運到架單元U5的第4收納塊 IOd的冷卻板CPL5 (CPL6)上，從而將晶圓載置在冷卻板CPL5 (CPL6)上而將其溫度調(diào)整為 規(guī)定溫度(室溫)，之后利用主臂A5將晶圓W交接到TCT層B5的主臂A5上。然后，在TCT 層B5中，利用主臂A5按照第2防反射膜形成單元34—加熱單元(CLHP5)—架單元TO的 第4收納塊IOc的載置架BUF3的順序搬運晶圓W，然后在晶圓W上形成第2防反射膜。另 夕卜，在該情況下，也可以在由加熱單元(CLHP5)進行加熱處理之后，將晶圓W搬運到周邊曝 光裝置(WEE)中而對其進行周邊曝光處理，之后將該晶圓W搬運到架單元TO的第4收納塊 IOc的載置架BUF3上。然后，交接臂D進入架單元U5的第4收納塊IOd的載置架BUF3中接收晶圓W，從 而將其交接到架單元U5的交接臺TRS2上。接著利用梭式臂A將晶圓W搬運到架單元U6 的交接臺TRS5上。接著利用接口臂F將交接臺TRS5上的晶圓W搬運到曝光裝置S4中，在 此對其進行規(guī)定的曝光處理。利用接口臂F按照架單元TO的交接臺TRS3—加熱單元(PEBl)—架單元TO的冷 卻板CPL9 (CPLlO)—顯影單元31—加熱單元(POSTl)的順序搬運曝光處理后的晶圓W，從 而對其進行規(guī)定的顯影處理。為了將上述那樣地進行了顯影處理的晶圓W交接到傳送臂C 上，將該晶圓W搬運到架單元U5的第1收納塊IOa的冷卻板CPL7(CPL8)上而將其調(diào)整為 規(guī)定溫度，之后利用傳送臂C將晶圓W搬回到載置在載體塊Sl上的原來的載體20上。在上述說明中，說明了在抗蝕劑膜的下側形成防反射膜的搬運處理方式、和在抗 蝕劑膜的上側形成防反射膜的搬運處理方式，但關于其他搬運處理方式、例如在抗蝕劑膜 的下側以及上側形成防反射膜的搬運處理方式、不形成防反射膜的搬運處理方式，也能組 合上述搬運處理方式的各工序地對晶圓W實施處理。在上述說明中，上述的涂敷·顯影處理裝置具有由計算機構成的控制部100，該控 制部100用于管理各處理單元的制程程序(recipe)、管理晶圓W的搬運流程(搬運路徑) 的程序、進行各處理單元中的處理、驅動控制主臂Al、A3 A5、傳送臂C、交接臂D、E、接口 臂F，從而能夠由該控制部100利用單位塊Bl B5搬運晶圓W，進行處理。上述搬運流程的程序規(guī)定了在單位塊內(nèi)的晶圓W的搬運路徑(搬運順序)，每個單 位塊Bl B5依據(jù)要形成的涂敷膜的種類進行操作，由此可以將每個單位塊Bl B5的多 個搬運流程的程序存儲在控制部100中。另外，根據(jù)要形成的涂敷膜的種類，具有下述4種搬運模式，S卩、模式①將晶圓W 搬運到所有單位塊Bl B5中；模式②將晶圓W搬運到用于進行顯影處理的單位塊(DEV 層Bi、B2)、用于涂敷抗蝕劑液體的單位塊(COT層B4)、和用于形成第1防反射膜的單位塊 (BCT層B3)中；模式③將晶圓W搬運到在用于進行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)、用于涂敷抗蝕劑液體的單位塊(COT層B4)、和用于形成第2防反射膜的單位塊(TCT層B5) 中；模式④將晶圓W只搬運到用于進行顯影處理的單位塊(DEV層Bi、B2)中。利用控制 部100的模式選擇部件，依據(jù)想要形成的涂敷膜的種類選擇用于搬運晶圓W的單位塊，并且從預存在所選的每個單位塊中的多個搬運流程的程序中選擇最佳的制程程序，從而能夠依 據(jù)要形成的涂敷膜選擇合適的單位塊，然后在該單位塊中，控制驅動各處理單元、臂，進行 一系列的處理。在該種涂敷·顯影處理裝置中，在載體塊Sl與處理塊S2之間、以及處理塊S2與 第2處理塊S4 (曝光裝置)之間設有架單元TO、TO (基板收納部)，該架單元TO、TO具有無 需設置支承銷的冷卻板14，該冷卻板14用于載置分別由主臂Al A5或交接臂D、E接收 的晶圓W并對其進行冷卻，因此能夠省去支承銷的升降時間，并且能夠延長冷卻板14的冷 卻時間。因而，能夠提高生產(chǎn)率以及處理精度。另外，由于能夠減少支承銷的驅動機構，因 此能夠降低冷卻板14的故障風險，從而易于維修，并且能夠縮小冷卻板14的在高度方向上 的空間，實現(xiàn)裝置的小型化。再者，冷卻板14通過在具有制冷劑流體的供給流路61以及排出流路62的基座塊 60的上部層疊固定必要數(shù)量的具有與供給流路61以及排出流路62相連通的制冷劑流路 63的冷卻板主體64而成，因此能夠增加冷卻板14的搭載數(shù)量，從而能夠提高生產(chǎn)率。另外，在上述實施方式中，說明了將本發(fā)明的基板熱處理裝置應用在半導體晶圓 的抗蝕劑涂敷 顯影處理系統(tǒng)中的情況，但不言而喻，本發(fā)明的基板熱處理裝置當然也能應 用在FPD基板的抗蝕劑涂敷·顯影處理系統(tǒng)中。另外，在上述實施方式中，說明了將熱處理板形成為具有制冷劑流路的冷卻板14 的情況，但也可以將熱處理板形成為通過將被設定成規(guī)定溫度的熱介質(zhì)供給到流路內(nèi)而將 基板加熱到或維持在規(guī)定溫度的加熱板的形式。另外，在上述實施方式中，說明了將規(guī)定溫度的制冷劑供給到熱處理板例如冷卻 板14中而冷卻晶圓W的情況，但也可以向熱處理板切換供給不同溫度的熱介質(zhì)。例如，如圖 14所示，也可以利用設有溫度切換機構例如切換閥6的熱介質(zhì)供給管路8將供給流路61a 以及排出流路62a中的至少供給流路61a的供給口 60a、和不同溫度的熱介質(zhì)的供給源3、4 連接起來，然后向熱處理板14B切換供給不同溫度的熱介質(zhì)。另外，在該情況下，通過切換 操作切換閥6而將不同溫度的熱介質(zhì)從多個熱介質(zhì)供給源3、4供給到熱處理板14B中，但 也未必一定要采用這種構造。例如，如圖15所示，也可以將作為溫度切換機構的調(diào)溫機構 7設在用于將熱處理板14B的供給流路61a以及排出流路62a中的至少供給流路61a的供 給口 60a、和一個熱介質(zhì)供給源5連接起來的熱介質(zhì)供給管路8A中，根據(jù)來自例如控制部 100的控制信號對調(diào)溫機構7進行調(diào)溫控制，從而將熱介質(zhì)設定為規(guī)定溫度，再供給到熱處 理板14B中。
權利要求
一種基板熱處理裝置，其具有用于保持所載置的基板且將該基板熱處理到規(guī)定溫度的熱處理板，其特征在于，上述熱處理板具有熱處理板主體，該熱處理板主體通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成，且形成通過層疊上述薄板而開設的熱介質(zhì)的供給流路、排出流路、吸附用孔以及與該熱介質(zhì)的供給流路、排出流路相連通的熱介質(zhì)流路。
2.根據(jù)權利要求1所述的基板熱處理裝置，其特征在于，該基板熱處理裝置還具有基板吸附板，該基板吸附板通過層疊多個由導熱材料構成的薄板而成，并且形成通過層疊上述薄板而開設的與上述吸附用孔相連通的吸引流路。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的基板熱處理裝置，其特征在于，上述熱處理板的最上層以及最下層的薄板是由比內(nèi)部層的薄板更具耐強度性的材料 構成的薄板。
4.根據(jù)權利要求1所述的基板熱處理裝置，其特征在于，上述熱處理板主體的最上層以及最下層的薄板是由比內(nèi)部層的薄板更具耐強度性的 材料構成的薄板。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的基板熱處理裝置，其特征在于，在上述熱處理板的上部側的多個薄板上的任意多個位置上設置安裝孔，并將用于支承 基板的支承銷與該安裝孔相嵌合地豎立設置該支承銷。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的基板熱處理裝置，其特征在于， 上述薄板是銅制薄板。
7.根據(jù)權利要求3所述的基板熱處理裝置，其特征在于，上述最上層以及最下層的薄板是不銹鋼、鈦或鎳制薄板，上述內(nèi)部層的薄板是銅制薄板。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的基板熱處理裝置，其特征在于， 采用擴散接合方式將上述薄板彼此層疊結合。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的基板熱處理裝置，其特征在于，利用中途設有溫度切換機構的供給管路來連接上述供給流路以及排出流路中的至少 供給流路的供給口和熱介質(zhì)供給源。
10.根據(jù)權利要求4所述的基板熱處理裝置，其特征在于，上述最上層以及最下層的薄板是不銹鋼、鈦或鎳制薄板，上述內(nèi)部層的薄板是銅制薄板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板熱處理裝置。其能盡量縮小熱處理板的配置空間，從而能夠實現(xiàn)裝置的小型化，增加基板的收納數(shù)量，并且能提高熱介質(zhì)的流路的自由度以及生產(chǎn)率。該基板熱處理裝置具有用于載置半導體晶圓(W)且將晶圓熱處理到規(guī)定溫度的熱處理板例如冷卻板(14)，其中，冷卻板(14)具有冷卻板主體(64)，該冷卻板主體(64)通過利用例如擴散接合方式層疊結合多個由導熱材料構成的薄板(1)而成，且形成通過層疊薄板(1)而開設的熱介質(zhì)的供給流路(61a)、排出流路(62a)以及制冷劑流路(63)和吸附用孔(64f)。
文檔編號H01L21/00GK101840847SQ201010140479
公開日2010年9月22日 申請日期2010年3月18日 優(yōu)先權日2009年3月18日
發(fā)明者水永耕市 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社